JPH03285136A - 反射率測定装置 - Google Patents
反射率測定装置Info
- Publication number
- JPH03285136A JPH03285136A JP8682890A JP8682890A JPH03285136A JP H03285136 A JPH03285136 A JP H03285136A JP 8682890 A JP8682890 A JP 8682890A JP 8682890 A JP8682890 A JP 8682890A JP H03285136 A JPH03285136 A JP H03285136A
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- Japan
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- sample
- photodetector
- beam splitter
- cube
- light
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- Pending
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は試料の反射率特にキューブ型ビームスブ！ノッ
クの反射率測定装置に関する。
クの反射率測定装置に関する。
（従来の技術）
従来キューブ型ビームスプリッタの反射率測定は第３図
に示すような装置を用いて行っていた。
に示すような装置を用いて行っていた。
第３図でＣが試料のキューブ型ビームスプリッタ、Ｄは
光検出器で、装置中心Ｐを中心として旋回できるように
なっている。測定はまず試料なしで、光検出器を入射光
の延長線上のＯ位置において、入射光の強度１ｏを測定
し、次に図のように試料Ｃを置き、検出！ｓＤを図の位
置に移動させて試料のビームスブリッ′りＣの反射光の
強度ｌを測定する。このようにして絶対反射率ＲはＲ＝
Ｉ／ｌｏとして求まる。
光検出器で、装置中心Ｐを中心として旋回できるように
なっている。測定はまず試料なしで、光検出器を入射光
の延長線上のＯ位置において、入射光の強度１ｏを測定
し、次に図のように試料Ｃを置き、検出！ｓＤを図の位
置に移動させて試料のビームスブリッ′りＣの反射光の
強度ｌを測定する。このようにして絶対反射率ＲはＲ＝
Ｉ／ｌｏとして求まる。
（発明が解決しようとする課題）
上述した従来の装置は光検出器を動かすため装置構成が
ゴニオメータ型となり大型で高価な装置となる。光検出
器を動かす必要があるため分光光度計の一つのアタック
メントとして試料室内に設置することが不可能である。
ゴニオメータ型となり大型で高価な装置となる。光検出
器を動かす必要があるため分光光度計の一つのアタック
メントとして試料室内に設置することが不可能である。
更に光検出器を移動するためリード線が長くなり、ノイ
ズを拾い易くなると云う難点もある。更に、光入出射面
の反射損失を含んだ値しか測定できないため、純粋にビ
ームスプリッタ−面の性能だけを評価することは難しい
。
ズを拾い易くなると云う難点もある。更に、光入出射面
の反射損失を含んだ値しか測定できないため、純粋にビ
ームスプリッタ−面の性能だけを評価することは難しい
。
本発明は上述したような難点を解消したキューブ型ビー
ムスプリッタの反射率測定装置を提供しようとするもの
である。
ムスプリッタの反射率測定装置を提供しようとするもの
である。
（課題を解決するための手段）
試料のキューブ型ビームスプリッタの反射光を受光する
ように配置された光検出器と、試料のキューブ型ビーム
スプリッタと同種材料で作られた２等辺直角プリズムの
対照素子とを備え、試料と対照素子とを交換可能に試料
測定位置に設置できるようにした。
ように配置された光検出器と、試料のキューブ型ビーム
スプリッタと同種材料で作られた２等辺直角プリズムの
対照素子とを備え、試料と対照素子とを交換可能に試料
測定位置に設置できるようにした。
（作用）
対照用の２等辺直角プリズムを測定位置に置いたとき、
入射光は全反射されて光検出器に入る。
入射光は全反射されて光検出器に入る。
入射光の強度をＩｏ、このとき光検出器に入射すはこの
ときの光路全体の透過率を与える。対照素子の代りに試
料のキューブ型ビームスプリッタを置くと、このときの
光路は対照素子と試料が同じ材料で同じ形なので、対照
素子を置いたときと同じで、光路全体の透過率はＴであ
り、対照素子で全反射していた面の所が反射率Ｒのビー
ムスプリッタの光分割面になっただけであり、このＲが
測定しようとするものである。試料を置いたときの光検
出器入射光の光の強度を！とすると、１＝ＩｏＴＲ こ＼でＩｏＴ＝Ｉｏ’で、これは前述したように先に測
定されているので、 Ｒ＝Ｉ／Ｉ。
ときの光路全体の透過率を与える。対照素子の代りに試
料のキューブ型ビームスプリッタを置くと、このときの
光路は対照素子と試料が同じ材料で同じ形なので、対照
素子を置いたときと同じで、光路全体の透過率はＴであ
り、対照素子で全反射していた面の所が反射率Ｒのビー
ムスプリッタの光分割面になっただけであり、このＲが
測定しようとするものである。試料を置いたときの光検
出器入射光の光の強度を！とすると、１＝ＩｏＴＲ こ＼でＩｏＴ＝Ｉｏ’で、これは前述したように先に測
定されているので、 Ｒ＝Ｉ／Ｉ。
で与えられる。
（実施例）
第１図は本発明の第１の実施例を示す。１は試料ホルダ
で、２は試料位置決め用の当りである。
で、２は試料位置決め用の当りである。
Ｌは入射光で、３はこの入射光りと直交する方向（こ置
かれた光検出器であり、試料ホルダ１の後方で入射光り
の延長線上に置かれた４は光トラップである。Ｃは試料
のキューブ型ビームスプリッタ、５は対照素子で試料Ｃ
と同種ガラスで作られた２等辺直角プリズムである。対
照素子５は試料のビームスプリッタを対角線で切った半
分の大きさであるのが望ましい。
かれた光検出器であり、試料ホルダ１の後方で入射光り
の延長線上に置かれた４は光トラップである。Ｃは試料
のキューブ型ビームスプリッタ、５は対照素子で試料Ｃ
と同種ガラスで作られた２等辺直角プリズムである。対
照素子５は試料のビームスプリッタを対角線で切った半
分の大きさであるのが望ましい。
測定は次のように行う。試料Ｃを図のように試料ホルダ
に置き、そのときの光検出器３の出力■を記録する。次
にＣの所に対照素子５を直角２辺を試料ホルダの当り２
に当接させて置き、そのときの光検出器出力１ｏ’を記
録する。前述した所によって試料Ｃの反射率Ｒは Ｒ＝Ｉ／ｉ。
に置き、そのときの光検出器３の出力■を記録する。次
にＣの所に対照素子５を直角２辺を試料ホルダの当り２
に当接させて置き、そのときの光検出器出力１ｏ’を記
録する。前述した所によって試料Ｃの反射率Ｒは Ｒ＝Ｉ／ｉ。
で与えられる。
第２図は本発明の第２の実施例である。この実施例では
光検出器３は入射光りの延長線上に設置されており、試
料Ｃ或は対照素子５で反射された光は鏡Ｍ１〜Ｍ３て反
射されて光検出器３に入射せしめられるようになってい
る。鏡Ｍ３の要領には光トラップ４が設けられており、
ｆｉＭ３と光トラップ４とは一体的に図示矢印ａ方向に
Ｐ点を中心に回動可能で、反射率測定時にはそれぞれＭ
３、Ｔの位置にあるものとする。試料ホルダ１も矢印す
方向に移動可能で、試料が大きいときは図鎖線のように
右方にずらせて、反射光が光検出器Ｂに入るようにする
。このときビームスプリッタ−の透過光は光トラップ４
で吸収除去される。試料Ｃ或は対照素子５で反射された
光が光検出器３に入射するまでの光路は前記実施例に比
し複雑であるが、試料に対しても対照素子に対しても全
く同じ光路を提供するから、この光路における透過率の
影響は完全に相殺′されて、前記実施例と同様にして反
射率を求めることができる。
光検出器３は入射光りの延長線上に設置されており、試
料Ｃ或は対照素子５で反射された光は鏡Ｍ１〜Ｍ３て反
射されて光検出器３に入射せしめられるようになってい
る。鏡Ｍ３の要領には光トラップ４が設けられており、
ｆｉＭ３と光トラップ４とは一体的に図示矢印ａ方向に
Ｐ点を中心に回動可能で、反射率測定時にはそれぞれＭ
３、Ｔの位置にあるものとする。試料ホルダ１も矢印す
方向に移動可能で、試料が大きいときは図鎖線のように
右方にずらせて、反射光が光検出器Ｂに入るようにする
。このときビームスプリッタ−の透過光は光トラップ４
で吸収除去される。試料Ｃ或は対照素子５で反射された
光が光検出器３に入射するまでの光路は前記実施例に比
し複雑であるが、試料に対しても対照素子に対しても全
く同じ光路を提供するから、この光路における透過率の
影響は完全に相殺′されて、前記実施例と同様にして反
射率を求めることができる。
なおこの実施例では鏡Ｍ３と光トラップ４を入射光りの
延長線上から退避させ、試料Ｃの透過光を光検出５３に
入射させるようにして透過光強度１′を測定することが
できる。このとき試料Ｃの反射光の方は図録線位置に来
ている光トラップ４により吸収除去される。他方同様に
して試料Ｃを除くと入射光強度１ｏが面接測定できるか
ら、試料Ｃの透過率も測定できろ。このとき更に試料Ｃ
と同種ガラスで同寸法のキューブ（反射面なし）を試料
位置に置いてそのときの透過光強度１゜を測定すると、
試料透過光とこのｉｏ−との比によって試料Ｃの反射面
だけの透過率を純粋に測定することができる。
延長線上から退避させ、試料Ｃの透過光を光検出５３に
入射させるようにして透過光強度１′を測定することが
できる。このとき試料Ｃの反射光の方は図録線位置に来
ている光トラップ４により吸収除去される。他方同様に
して試料Ｃを除くと入射光強度１ｏが面接測定できるか
ら、試料Ｃの透過率も測定できろ。このとき更に試料Ｃ
と同種ガラスで同寸法のキューブ（反射面なし）を試料
位置に置いてそのときの透過光強度１゜を測定すると、
試料透過光とこのｉｏ−との比によって試料Ｃの反射面
だけの透過率を純粋に測定することができる。
（発明の効果）
本発明によれば光検出器を旋回させる必要がないから装
置が簡単小型化され、分光光度計の試料室に設置可能と
することも容易となり、また光検出器を動かさないから
ノイズを拾うと云う問題もなくなる。また本発明ではキ
ューブ型ビームスプリッタの反射面そのものの反射率、
透過率が測定でき、キューブの表面反射の影響を受けな
い。従来方法では表面反射の影響が避けられないので試
料表面に反射防止膜をつける等の手段を構じていたので
、本発明によれば、測定操作も簡単となり、かつ正確な
測定ができることになる。
置が簡単小型化され、分光光度計の試料室に設置可能と
することも容易となり、また光検出器を動かさないから
ノイズを拾うと云う問題もなくなる。また本発明ではキ
ューブ型ビームスプリッタの反射面そのものの反射率、
透過率が測定でき、キューブの表面反射の影響を受けな
い。従来方法では表面反射の影響が避けられないので試
料表面に反射防止膜をつける等の手段を構じていたので
、本発明によれば、測定操作も簡単となり、かつ正確な
測定ができることになる。
第１図は本発明の第１実施例の平面図、第２図は第２実
施例の平面図、第３図は従来例の平面図である。 １・・・試料ホルダ、２・・・位置決め用当り、３・・
・光検出器、４・・・光トラップ、５・・・対照素子。
施例の平面図、第３図は従来例の平面図である。 １・・・試料ホルダ、２・・・位置決め用当り、３・・
・光検出器、４・・・光トラップ、５・・・対照素子。
Claims (1)
- 試料ホルダ上に置かれた試料のキューブ型ビームスプリ
ッタの反射光を受光する位置に設置された光検出器と、
試料のキューブ型ビームスプリッタと同種材料で作られ
、試料ホルダ上に試料と交換可能に載置可能な２等辺直
角プリズムの対照素子を備えたことを特徴とする反射率
測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8682890A JPH03285136A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 反射率測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8682890A JPH03285136A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 反射率測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03285136A true JPH03285136A (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=13897677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8682890A Pending JPH03285136A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 反射率測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03285136A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485562B1 (ko) * | 2001-09-19 | 2005-04-28 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 광학 소자의 검사 장치 및 광학 소자의 검사 방법 |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP8682890A patent/JPH03285136A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485562B1 (ko) * | 2001-09-19 | 2005-04-28 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 광학 소자의 검사 장치 및 광학 소자의 검사 방법 |
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