JPH03285374A - 圧電バイモルフ素子及びその駆動方法 - Google Patents
圧電バイモルフ素子及びその駆動方法Info
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- JPH03285374A JPH03285374A JP2084827A JP8482790A JPH03285374A JP H03285374 A JPH03285374 A JP H03285374A JP 2084827 A JP2084827 A JP 2084827A JP 8482790 A JP8482790 A JP 8482790A JP H03285374 A JPH03285374 A JP H03285374A
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- JP
- Japan
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- electric field
- piezoelectric
- piezoelectric plate
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- bimorph element
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は分極法の圧電板に電圧を印加した場合に生じる
圧電板の伸縮変形を利用した圧電バイモルフ素子及びそ
の駆動方法に関する。
圧電板の伸縮変形を利用した圧電バイモルフ素子及びそ
の駆動方法に関する。
（従来の技術及びその問題点）
第２図は従来の圧電バイモルフ素子を示す図である。第
２図において表面電極を形成した圧電板１．２を金属製
のシム仮に貼り合わせて圧電バイモルフ素子が形成され
る。圧電板１．２に外部から電圧■を印加すると、各圧
電板にはＥ＝Ｖ／（ｈ／２）なる電界を生じる。圧電板
の自発分極Ｐｓの方向が第２図の如くであれば、圧電板
１には自発分極Ｐｓに対して順電界が加わり、圧電板２
には逆電界が加わる。圧電板１は長さ方向と厚み方向に
それぞれ下記式（１）、（２）で表される電界誘起ひず
みを生ずる。
２図において表面電極を形成した圧電板１．２を金属製
のシム仮に貼り合わせて圧電バイモルフ素子が形成され
る。圧電板１．２に外部から電圧■を印加すると、各圧
電板にはＥ＝Ｖ／（ｈ／２）なる電界を生じる。圧電板
の自発分極Ｐｓの方向が第２図の如くであれば、圧電板
１には自発分極Ｐｓに対して順電界が加わり、圧電板２
には逆電界が加わる。圧電板１は長さ方向と厚み方向に
それぞれ下記式（１）、（２）で表される電界誘起ひず
みを生ずる。
一５Ｌ＝ｄ３Ｉ−Ｅ Ｎ）
Ｓｈ＝ｄ３ｘ・Ｅ （２）ここでＳＬとＳ
ｈはポアソン比σによって下記式（３）で関係付けられ
る。
ｈはポアソン比σによって下記式（３）で関係付けられ
る。
σ＝ＳＬ ／Ｓｈ （３）他方、逆電界が
加わる圧電板２は符号は変わるが、長さ方向にＳＬ、厚
み方向に−３６の電界誘起ひずみを生じ、圧電板ｌ、２
は貼り合わされているので、一端を固定すれば他端は曲
げ変形を生じる。
加わる圧電板２は符号は変わるが、長さ方向にＳＬ、厚
み方向に−３６の電界誘起ひずみを生じ、圧電板ｌ、２
は貼り合わされているので、一端を固定すれば他端は曲
げ変形を生じる。
前記式（１）、（２）によれば、印加電圧■を大きくす
るほど、圧電板の電界誘起ひずみは大きくなる。順電界
が印加される圧電板ｌについては、自発分極の方向に電
界を加えることから、絶縁破壊電圧−杯まで電圧を印加
した方が有利であるという考えから、特公昭６３−４７
０４０号公報では、順電界印加例の圧電板の厚みを逆電
界印加例の圧電板の厚みより薄くして、同じ電圧が各圧
電板に加わっても、順電界印加側には絶縁破壊電圧−杯
の高い電界が加わるようにして、結果として大きな変位
量を得ようとしている。この場合、逆電界印加側圧電板
に印加できる電界は、自発分極Ｐｓが反転する抗電界値
以下に制限されるのは当然であるが、変位量を大きくす
るためには順電界印加側圧電板の絶縁破壊電圧−杯の高
い電圧を印加することになり、このため絶縁破壊が起こ
り易いという欠点があった。
るほど、圧電板の電界誘起ひずみは大きくなる。順電界
が印加される圧電板ｌについては、自発分極の方向に電
界を加えることから、絶縁破壊電圧−杯まで電圧を印加
した方が有利であるという考えから、特公昭６３−４７
０４０号公報では、順電界印加例の圧電板の厚みを逆電
界印加例の圧電板の厚みより薄くして、同じ電圧が各圧
電板に加わっても、順電界印加側には絶縁破壊電圧−杯
の高い電界が加わるようにして、結果として大きな変位
量を得ようとしている。この場合、逆電界印加側圧電板
に印加できる電界は、自発分極Ｐｓが反転する抗電界値
以下に制限されるのは当然であるが、変位量を大きくす
るためには順電界印加側圧電板の絶縁破壊電圧−杯の高
い電圧を印加することになり、このため絶縁破壊が起こ
り易いという欠点があった。
（問題点を解決するための手段）
従来、電界依存性については注意が払われていなかった
が、本発明者らは、前記問題点を解決すために電界依存
性に着目して検討を行った結果、前記式（１）、（２）
中の圧電ｄ３．定数、圧電ｄ１．定数が、電界によって
大きく値が変り、かつ、特定の電界で極大値を示すこと
を見い出した。
が、本発明者らは、前記問題点を解決すために電界依存
性に着目して検討を行った結果、前記式（１）、（２）
中の圧電ｄ３．定数、圧電ｄ１．定数が、電界によって
大きく値が変り、かつ、特定の電界で極大値を示すこと
を見い出した。
さらに圧電バイモルフ素子において大きな変位量を得る
ためには、順電界印加側圧電板と逆電界印加側圧電板と
の厚さの比を、単に小さくするのではなく、順電界印加
側圧電板の圧電ｄ３．定数の電界依存性最大の電界値と
逆電界印加側圧電板の抗電界値との比との関係において
特定の範囲に設定すればよいことを見い出し本発明に至
った。
ためには、順電界印加側圧電板と逆電界印加側圧電板と
の厚さの比を、単に小さくするのではなく、順電界印加
側圧電板の圧電ｄ３．定数の電界依存性最大の電界値と
逆電界印加側圧電板の抗電界値との比との関係において
特定の範囲に設定すればよいことを見い出し本発明に至
った。
本発明は、２枚の圧電板を貼り合わせてバイモルフ構造
とした圧電バイモルフ素子において、順電界印加側圧電
板と逆電界印加側圧電板との圧電ｄ定数を異ならしめ、
前記順電界印加側圧電板と逆電界印加側圧電板との厚さ
の比を、順電界印加側圧電板の圧’Ｋ ｄ ｓ ｓ定数
の電界依存性最大の電界値と逆電界印加側圧電板の抗電
界値との比の１．２〜２．０倍としたことを特徴とする
圧電バイモルフ素子に関する。
とした圧電バイモルフ素子において、順電界印加側圧電
板と逆電界印加側圧電板との圧電ｄ定数を異ならしめ、
前記順電界印加側圧電板と逆電界印加側圧電板との厚さ
の比を、順電界印加側圧電板の圧’Ｋ ｄ ｓ ｓ定数
の電界依存性最大の電界値と逆電界印加側圧電板の抗電
界値との比の１．２〜２．０倍としたことを特徴とする
圧電バイモルフ素子に関する。
また本発明は、前記圧電バイモルフ素子に順電界印加側
圧電板の抗電界値にほぼ等しい負電界を加えて後に、正
電界を加えることを特徴とする圧電バイモルフ素子の駆
動方法に関する。
圧電板の抗電界値にほぼ等しい負電界を加えて後に、正
電界を加えることを特徴とする圧電バイモルフ素子の駆
動方法に関する。
本発明によると、順電界印加側圧電板の厚みＴ１と逆電
界印加側圧電板の厚みＴ２との比を、順電界印加側圧電
板の圧電ｄｆｆｆｆ定数の電界依存性最大の電界（ＩＥ
ＭＡＸと逆電界印加側圧電板の抗電界値ＥＣとの比の１
．２〜２．０倍とすることにより、大きな変位量が得ら
れる。
界印加側圧電板の厚みＴ２との比を、順電界印加側圧電
板の圧電ｄｆｆｆｆ定数の電界依存性最大の電界（ＩＥ
ＭＡＸと逆電界印加側圧電板の抗電界値ＥＣとの比の１
．２〜２．０倍とすることにより、大きな変位量が得ら
れる。
また本発明によると、順電界印加側圧電板においても抗
電界値とほぼ等しい負電界を加えて後に正電界を加える
と、電界誘起紺ひずみから求めた圧電ｄ。定数の極大値
をとる傾向が顕著になり、得られるｄ３３定数もＯボル
トから正電界を加える場合より大きな値をとる。従来技
術では、順電界印加側圧電板に絶縁破壊電圧ギリギリの
高い電界を印加していたので、素子の絶縁破壊も起こり
易く、かつ、圧電ｄ３３定数が極大を越えてむしろ低下
した領域の高い電界を使用していることから、得られる
電界誘起ひずみはかえって小さかったという結論に達す
る。
電界値とほぼ等しい負電界を加えて後に正電界を加える
と、電界誘起紺ひずみから求めた圧電ｄ。定数の極大値
をとる傾向が顕著になり、得られるｄ３３定数もＯボル
トから正電界を加える場合より大きな値をとる。従来技
術では、順電界印加側圧電板に絶縁破壊電圧ギリギリの
高い電界を印加していたので、素子の絶縁破壊も起こり
易く、かつ、圧電ｄ３３定数が極大を越えてむしろ低下
した領域の高い電界を使用していることから、得られる
電界誘起ひずみはかえって小さかったという結論に達す
る。
本発明の目的は、第１図に示すように、圧電板の厚みと
材料を変え、順電界印加側圧電板には圧Ｑｄ定数の大き
な材料を用い、電界誘起ひずみが最大となるような電界
値を印加し、他方、抗電界値によって使用電圧が制限さ
れる逆電界印加側圧電板には抗電界値の大きな圧電材料
を用いることで、絶縁破壊の少ない信顛性の高い圧電バ
イモルフ素子を提供しようとするものである。
材料を変え、順電界印加側圧電板には圧Ｑｄ定数の大き
な材料を用い、電界誘起ひずみが最大となるような電界
値を印加し、他方、抗電界値によって使用電圧が制限さ
れる逆電界印加側圧電板には抗電界値の大きな圧電材料
を用いることで、絶縁破壊の少ない信顛性の高い圧電バ
イモルフ素子を提供しようとするものである。
圧電バイモルフ素子を使用する用途は多様であり、比較
的短時間の変位でアクチュエータとしての目的を達する
場合は、逆電界印加側圧電板に印加できる電界値は抗電
界値に近い値でもよい。しかし、長時間の変位を必要と
する場合は、逆電界印加側圧電板の分極破壊により特性
劣化が著しいので、できるだけ抗電界値より低い値が望
ましい。
的短時間の変位でアクチュエータとしての目的を達する
場合は、逆電界印加側圧電板に印加できる電界値は抗電
界値に近い値でもよい。しかし、長時間の変位を必要と
する場合は、逆電界印加側圧電板の分極破壊により特性
劣化が著しいので、できるだけ抗電界値より低い値が望
ましい。
（実施例）
圧電板の厚み方向に電圧を印加した際に生じる縦方向（
厚み方向）のひずみ量を直接測定できる装置を用いて、
電界誘起線ひずみ〜電界強度（Ｏ〜２ ｋ Ｖｌｏｌｌ
）の関係を求めた。使用した圧電材料はｄ３１定数＝−
２５５Ｘ １０−” ｍ／Ｖ、Ｋｒ＝０．５７、Ｅｃ＝
５００Ｖ／ｍ＋ａである。電界誘起線ひずみを電界強度
で除して得た圧Ｎ ｄ ３３定数（図中、縦軸）と電界
強度（図中、横軸）の関係を第３図中、曲線Ａで示す。
厚み方向）のひずみ量を直接測定できる装置を用いて、
電界誘起線ひずみ〜電界強度（Ｏ〜２ ｋ Ｖｌｏｌｌ
）の関係を求めた。使用した圧電材料はｄ３１定数＝−
２５５Ｘ １０−” ｍ／Ｖ、Ｋｒ＝０．５７、Ｅｃ＝
５００Ｖ／ｍ＋ａである。電界誘起線ひずみを電界強度
で除して得た圧Ｎ ｄ ３３定数（図中、縦軸）と電界
強度（図中、横軸）の関係を第３図中、曲線Ａで示す。
曲ｖＡＡが示すように、圧電ｄ３３定数は明らかに電界
強度依存性を示し、ＩｋＶ／ｍｙｎ付近で極大を示す。
強度依存性を示し、ＩｋＶ／ｍｙｎ付近で極大を示す。
共振・反共振法で測定する圧電ｄ３ｆｆ定数は第３図の
電界強度がゼロに近い領域での値である。
電界強度がゼロに近い領域での値である。
他方、電界誘起ひずみの発生を、電圧０■からスタート
するのでなく、−旦、順電界印加側圧電板の抗電界値に
ほぼ等しい負電界を加えて後に正電界を印加した時、発
現する電界誘起ひずみを測定し、これから求めた圧電ｄ
３３定数と電界強度の関係を第３図中の曲線Ｂで示す、
圧（ｆＪｄユ、定数はほぼ１ｋＶ／＋ｍａの電界強度で
極大を示すことは変らないが、極大値は曲線Ａの場合と
比べて著しく大きい。この現象は分極済みの圧電板に再
び電界を印加する場合、分極方向とは逆の方向に電界を
加えて自発分極の配列状態を、−旦、無配列に近い状態
に戻してから正電界を加えることによって、従来、利用
していなかった領域のひずみも加算利用することができ
ることを示している。第３図中の一５００Ｖ／＋ｍｎの
負電界を加えてから正電界を加えた場合、電界強度１ｋ
Ｖ／ｍｕ＋のｄ３３は１６１０ Ｘ １０−” ｍ／Ｖ
であったものが、電界強度２ｋＶ／＋ｎｍでは１３４０
Ｘ １０−” ｍ／Ｖに低下してしまう。厚みＩＩＩＩ
ＩＩと０．５ ｍｍの圧電板にそれぞれ１ｋＶを印加し
た時、発生するひずみは前記式（２）％式％ 従って、１卸厚みの圧電板の厚み変化は１．６１ Ｘ
１０−”ｍｍ ０．５ｍ厚みの圧電板の厚み変化は ２．６８ ｘ １０−”ｘｏ、５ ＝１．３４Ｘ１０−”鵬 となり、結果的に０．５ ｎｏの圧電板に２ｋＶＯ高電
圧を加えるより、１ｍｍの厚みに１ｋＶの電圧を加えた
方がより大きな変位量を得ることができる。
するのでなく、−旦、順電界印加側圧電板の抗電界値に
ほぼ等しい負電界を加えて後に正電界を印加した時、発
現する電界誘起ひずみを測定し、これから求めた圧電ｄ
３３定数と電界強度の関係を第３図中の曲線Ｂで示す、
圧（ｆＪｄユ、定数はほぼ１ｋＶ／＋ｍａの電界強度で
極大を示すことは変らないが、極大値は曲線Ａの場合と
比べて著しく大きい。この現象は分極済みの圧電板に再
び電界を印加する場合、分極方向とは逆の方向に電界を
加えて自発分極の配列状態を、−旦、無配列に近い状態
に戻してから正電界を加えることによって、従来、利用
していなかった領域のひずみも加算利用することができ
ることを示している。第３図中の一５００Ｖ／＋ｍｎの
負電界を加えてから正電界を加えた場合、電界強度１ｋ
Ｖ／ｍｕ＋のｄ３３は１６１０ Ｘ １０−” ｍ／Ｖ
であったものが、電界強度２ｋＶ／＋ｎｍでは１３４０
Ｘ １０−” ｍ／Ｖに低下してしまう。厚みＩＩＩＩ
ＩＩと０．５ ｍｍの圧電板にそれぞれ１ｋＶを印加し
た時、発生するひずみは前記式（２）％式％ 従って、１卸厚みの圧電板の厚み変化は１．６１ Ｘ
１０−”ｍｍ ０．５ｍ厚みの圧電板の厚み変化は ２．６８ ｘ １０−”ｘｏ、５ ＝１．３４Ｘ１０−”鵬 となり、結果的に０．５ ｎｏの圧電板に２ｋＶＯ高電
圧を加えるより、１ｍｍの厚みに１ｋＶの電圧を加えた
方がより大きな変位量を得ることができる。
次に、逆電界印加側圧電板として、ｄ：ｚ＝ １６５
Ｘ １０−” ｍ／Ｖ、Ｅｃ＝１９８０Ｖ／＋ｎｍ、
Ｋ ｒ ＝ ０．６、厚みＴｚ ＝０．２１７ｍｍのＰ
ＺＴ板を用い、シム材に熱膨張係数がＰＺＴに近い４２
合金を用い、順電界印加側圧電板の厚みＴ、を変えてバ
イモルフ素子を作成した。素子の幅Ｗをｌ。
Ｘ １０−” ｍ／Ｖ、Ｅｃ＝１９８０Ｖ／＋ｎｍ、
Ｋ ｒ ＝ ０．６、厚みＴｚ ＝０．２１７ｍｍのＰ
ＺＴ板を用い、シム材に熱膨張係数がＰＺＴに近い４２
合金を用い、順電界印加側圧電板の厚みＴ、を変えてバ
イモルフ素子を作成した。素子の幅Ｗをｌ。
Ｉ、自由長りを３０１１ＩＩ１１とした。順電界印加側
圧電板の圧電ｄ３ｆｆ定数最大を与える電界（１ｆ！Ｅ
Ｍａｘは１０００Ｖ／ａｎであり、逆電界印加側圧電板
の抗電界値Ｅｃは１９８０Ｖ／鵬である。
圧電板の圧電ｄ３ｆｆ定数最大を与える電界（１ｆ！Ｅ
Ｍａｘは１０００Ｖ／ａｎであり、逆電界印加側圧電板
の抗電界値Ｅｃは１９８０Ｖ／鵬である。
このような厚み構成よりなるバイモルフ素子に２０ｇの
負荷を与え、印加電圧をＯＶ〜２００■まで印加した時
の素子先端変位量を求めた。第１表に、Ｔ ＋ ／ Ｔ
ｚと２０ｇ負荷時の変位量を示す。
負荷を与え、印加電圧をＯＶ〜２００■まで印加した時
の素子先端変位量を求めた。第１表に、Ｔ ＋ ／ Ｔ
ｚと２０ｇ負荷時の変位量を示す。
またその変化の様子を第４図に示す０図中、継軸は２０
ｇ負荷時の変位！（μｍ）を、また横軸は、順電界印加
側圧電板の厚み（肛）である。
ｇ負荷時の変位！（μｍ）を、また横軸は、順電界印加
側圧電板の厚み（肛）である。
第１表
第４図に示すように、順電界印加側圧電板の厚みが減少
すると、素子先端変位量は一旦上昇するが、０．１６＋
ｏ＋の厚み付近で極大を持ち、それ以上薄くなると、２
０ｇ１荷時の変位量はむしろ減少する。極大を与える圧
電板に加わる電界値は１２５０Ｖ／ｍで、第３図に示す
電界誘起ひずみから求めた圧ｔｄ ３ ｘ定数が最大と
なる電界強度に近い。
すると、素子先端変位量は一旦上昇するが、０．１６＋
ｏ＋の厚み付近で極大を持ち、それ以上薄くなると、２
０ｇ１荷時の変位量はむしろ減少する。極大を与える圧
電板に加わる電界値は１２５０Ｖ／ｍで、第３図に示す
電界誘起ひずみから求めた圧ｔｄ ３ ｘ定数が最大と
なる電界強度に近い。
次に、順電界印加側圧電板厚みを０．１６ｍｍ、逆電界
印加側圧電板の厚みを０．２１７ｍｍとしたバイモルフ
素子の先端に１５ｇの負荷を加えた状態で、素子に種々
の電圧パターンを印加した時の先端変位量の変化をみた
。電圧印加は、素子に負電圧Ｏ■〜−１３０■まで種々
変えて５Ｑｍｓｅｃ間印加し、しかる後に２００■の正
電界を５Ｑｍｓｅｃ間印加した。結果を第５図に示す。
印加側圧電板の厚みを０．２１７ｍｍとしたバイモルフ
素子の先端に１５ｇの負荷を加えた状態で、素子に種々
の電圧パターンを印加した時の先端変位量の変化をみた
。電圧印加は、素子に負電圧Ｏ■〜−１３０■まで種々
変えて５Ｑｍｓｅｃ間印加し、しかる後に２００■の正
電界を５Ｑｍｓｅｃ間印加した。結果を第５図に示す。
図中縦軸は、素子先端変位量（μｍ）を、また横軸は、
順電界印加側圧電板に印加する負の印加電圧（Ｖ）を示
す。
順電界印加側圧電板に印加する負の印加電圧（Ｖ）を示
す。
第５図から、素子先端変位量は一８０Ｖ付近で最大とな
ることが判る。この電圧値は順電界印加側圧電板の抗電
界値５００Ｖ／＋ｎｍに厚み０．１６ｍを乗じた値８０
■に等しい、最大変位量は０■から印加する場合と比べ
て３０％も増加している。
ることが判る。この電圧値は順電界印加側圧電板の抗電
界値５００Ｖ／＋ｎｍに厚み０．１６ｍを乗じた値８０
■に等しい、最大変位量は０■から印加する場合と比べ
て３０％も増加している。
順電界印加例の抗電界値を越えて大きな負電界値を印加
すると分極が反転してしまうので、変位量は減少した。
すると分極が反転してしまうので、変位量は減少した。
この素子を室温で０■→−８０Ｖ→２００■のパターン
で１万回駆動したが、絶縁破壊はまったく起こらず、変
位量の減少もほとんど無かった。
で１万回駆動したが、絶縁破壊はまったく起こらず、変
位量の減少もほとんど無かった。
（発明の効果）
本発明によれば、順電界印加側圧電板に絶縁破壊限度に
近い高電圧を加える事もな（、負荷下変位量を増大でき
、かつ、逆電界印加側圧電板も負荷時間に応じた電界強
度を印加するように厚みを調節することで、絶縁破壊や
変位特性の劣化の少ない長期安定性に優れたバイモルフ
素子を提供することができる。
近い高電圧を加える事もな（、負荷下変位量を増大でき
、かつ、逆電界印加側圧電板も負荷時間に応じた電界強
度を印加するように厚みを調節することで、絶縁破壊や
変位特性の劣化の少ない長期安定性に優れたバイモルフ
素子を提供することができる。
第１図は本発明に係わる圧電バイモルフ素子の斜視図で
あり、第２図は従来の圧電バイモルフ素子の斜視図であ
る。第３図は電界誘起ひずみから求めた圧電ｄ３ｆｆ定
数の電界強度依存性を示すグラフ図である。第４図は、
順電界印加側圧電板の厚み／逆電界印加側圧電板の厚み
の比を変えて作成した圧電バイモルフ素子の２０ｇ負荷
下の変位量と順電界印加側圧電板の厚みとの関係を示す
グラフ図である。第５図は負電界を加えて後に正電界を
印加する駆動電圧パターンで駆動した時のバイモルフ素
子の先端変位量の変化を示すグラフ図である。 １： 順電界印加側圧電板 ２： 逆電界印加側圧電板
あり、第２図は従来の圧電バイモルフ素子の斜視図であ
る。第３図は電界誘起ひずみから求めた圧電ｄ３ｆｆ定
数の電界強度依存性を示すグラフ図である。第４図は、
順電界印加側圧電板の厚み／逆電界印加側圧電板の厚み
の比を変えて作成した圧電バイモルフ素子の２０ｇ負荷
下の変位量と順電界印加側圧電板の厚みとの関係を示す
グラフ図である。第５図は負電界を加えて後に正電界を
印加する駆動電圧パターンで駆動した時のバイモルフ素
子の先端変位量の変化を示すグラフ図である。 １： 順電界印加側圧電板 ２： 逆電界印加側圧電板
Claims (2)
- （１）２枚の圧電板を貼り合わせてバイモルフ構造とし
た圧電バイモルフ素子において、順電界印加側圧電板と
逆電界印加側圧電板との圧電ｄ定数を異ならしめ、前記
順電界印加側圧電板と逆電界印加側圧電板との厚さの比
を、順電界印加側圧電板の圧電ｄ＿３＿３定数の電界依
存性最大の電界値と逆電界印加側圧電板の抗電界値との
比の１．２〜２．０倍としたことを特徴とする圧電バイ
モルフ素子。 - （２）特許請求の範囲第１項の圧電バイモルフ素子に順
電界印加側圧電板の抗電界値にほぼ等しい負電界を加え
て後に、正電界を加えることを特徴とする圧電バイモル
フ素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2084827A JPH03285374A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 圧電バイモルフ素子及びその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2084827A JPH03285374A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 圧電バイモルフ素子及びその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03285374A true JPH03285374A (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=13841599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2084827A Pending JPH03285374A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 圧電バイモルフ素子及びその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03285374A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1990
- 1990-04-02 JP JP2084827A patent/JPH03285374A/ja active Pending
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