JPH03287208A - 光導波路の形成方法 - Google Patents
光導波路の形成方法Info
- Publication number
- JPH03287208A JPH03287208A JP2087415A JP8741590A JPH03287208A JP H03287208 A JPH03287208 A JP H03287208A JP 2087415 A JP2087415 A JP 2087415A JP 8741590 A JP8741590 A JP 8741590A JP H03287208 A JPH03287208 A JP H03287208A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- refractive index
- sio film
- region
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- Pending
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光集積回路と一体的で形成する光信号の伝送
に用いる光導波路の形成方法に関する。
に用いる光導波路の形成方法に関する。
本発明は、ＳｉＯ膜中に、選択的に酸素をイオン注入法
により注入して低屈折率化領域とし、この低屈折率化領
域に囲まれた非注入領域を光導波路として形成する方法
である。また、ＳｉＯ膜中に、シリコンをイオン注入法
により注入して高屈折率化領域とし、この高屈折率化領
域を光導波路として形成することもできる。本発明の光
導波路の形成方法を用いれば、通常の半導体プロセスに
用いられる酸素やシリコンを不純物として用いるので、
半導体基板上の光集積回路と一体的に光導波路を形成す
ることができる。
により注入して低屈折率化領域とし、この低屈折率化領
域に囲まれた非注入領域を光導波路として形成する方法
である。また、ＳｉＯ膜中に、シリコンをイオン注入法
により注入して高屈折率化領域とし、この高屈折率化領
域を光導波路として形成することもできる。本発明の光
導波路の形成方法を用いれば、通常の半導体プロセスに
用いられる酸素やシリコンを不純物として用いるので、
半導体基板上の光集積回路と一体的に光導波路を形成す
ることができる。
近年、光集積回路中に、光信号を伝送するために光導波
路を形成することが行われている。この光導波路を形成
するには、石英やガラス等の基板上に、屈折率がその周
囲よりも大きい領域を設けて光導波路とするものが提案
されていた（特開昭６０−１９６７０３ ）。第３図に
示すように、二酸化シリコン（以下５ｉ０２という）の
基板ｌの表面に、フォトレジスト２を塗布して所定の窓
あけを行い、リチウム３をイオン注入して高屈折率化さ
せて光導波路４を形成することができる。
路を形成することが行われている。この光導波路を形成
するには、石英やガラス等の基板上に、屈折率がその周
囲よりも大きい領域を設けて光導波路とするものが提案
されていた（特開昭６０−１９６７０３ ）。第３図に
示すように、二酸化シリコン（以下５ｉ０２という）の
基板ｌの表面に、フォトレジスト２を塗布して所定の窓
あけを行い、リチウム３をイオン注入して高屈折率化さ
せて光導波路４を形成することができる。
光集積回路を形成するのに、多種類の不純物を用いるが
、熱処理等を含む半導体プロセスは構造敏感であり、Ｌ
ｉのようなアルカリ金属を不純物として用いることは、
製造装置の管理の繁雑さや、プロセスの不安定性を誘発
することもあり、望ましくない。
、熱処理等を含む半導体プロセスは構造敏感であり、Ｌ
ｉのようなアルカリ金属を不純物として用いることは、
製造装置の管理の繁雑さや、プロセスの不安定性を誘発
することもあり、望ましくない。
本発明の１」的は、通常の半導体プロセスに用いて安定
した特性を得ることのできる不純物を用いて光導波路を
形成することにある。
した特性を得ることのできる不純物を用いて光導波路を
形成することにある。
本発明は、ＳｉＯ膜中に、酸素をイオン注入してＳｉＯ
膜を低屈折率化させるか、またはシリコンをイオン注入
してＳｉＯ膜を高屈折率化させることによって光導波路
を形成するものである。
膜を低屈折率化させるか、またはシリコンをイオン注入
してＳｉＯ膜を高屈折率化させることによって光導波路
を形成するものである。
ＳｉＯ膜中に、選択的に酸素をイオン注入すれば、注入
した領域が低屈折率化して、注入しなかった領域が相対
的に屈折率が高いので、非注入領域を光導波路として用
いることができる。また、ＳｉＯ膜中に選択的にシリコ
ンをイオン注入ずれば、注入領域が高屈折率化するので
、注入領域を光導波路として用いることができる。
した領域が低屈折率化して、注入しなかった領域が相対
的に屈折率が高いので、非注入領域を光導波路として用
いることができる。また、ＳｉＯ膜中に選択的にシリコ
ンをイオン注入ずれば、注入領域が高屈折率化するので
、注入領域を光導波路として用いることができる。
本発明の実施例を図面を用いて説明する。
実施例１
第１図ａおよび第１図すは、本発明の第１の実施例の工
程断面図である。
程断面図である。
まず、第１図ａに示すように、石英等の低屈折率の基板
１１の表面に酸化シリコン膜１２（以下ＳｉＯ膜という
）を形成する。このＳｉＯ膜１２の表面にフォトレジス
ト１３を塗布して、光導波路を形成すべき所定の領域の
みにフォトレジストを残すようにパターニングする。次
に、酸素１４を基板１１に到達する程度の加速電圧でイ
オン注入する。
１１の表面に酸化シリコン膜１２（以下ＳｉＯ膜という
）を形成する。このＳｉＯ膜１２の表面にフォトレジス
ト１３を塗布して、光導波路を形成すべき所定の領域の
みにフォトレジストを残すようにパターニングする。次
に、酸素１４を基板１１に到達する程度の加速電圧でイ
オン注入する。
不要となったフォトレジスト１３を除去すれば、第１図
すに示すように、酸素１４を注入した領域が低屈折率化
領域１５となる。この低屈折率化領域１５によって囲ま
れた非注入領域が光導波路１６として形成される。この
非注入領域は、もとのＳｉＯ膜１２であって、周囲の注
入領域に対して相対的に屈折率が高いので光導波路とす
ることができる。
すに示すように、酸素１４を注入した領域が低屈折率化
領域１５となる。この低屈折率化領域１５によって囲ま
れた非注入領域が光導波路１６として形成される。この
非注入領域は、もとのＳｉＯ膜１２であって、周囲の注
入領域に対して相対的に屈折率が高いので光導波路とす
ることができる。
実施例２
第２図ａおよび第２図すは、本発明の第２の実施例の工
程断面図である。
程断面図である。
まず、第２図ａに示すように、基板１１の表面にＳｉＯ
膜１２を形成する。ＳｉＯ膜１２の表面にフオトレジス
）１３を塗布して、光導波路を形成すべき所定の領域以
外にフォトレジストを残すようにパターニングする。次
に、シリコン１７（以下Ｓｔという）を基板１１に到達
する程度の加速電圧でイオン注入する。
膜１２を形成する。ＳｉＯ膜１２の表面にフオトレジス
）１３を塗布して、光導波路を形成すべき所定の領域以
外にフォトレジストを残すようにパターニングする。次
に、シリコン１７（以下Ｓｔという）を基板１１に到達
する程度の加速電圧でイオン注入する。
不要となったフォトレジスト１３を除去すれば、第２図
すに示すように、５ｉ１７を注入した領域が高屈折率化
して光導波路１８を形成することができる。
すに示すように、５ｉ１７を注入した領域が高屈折率化
して光導波路１８を形成することができる。
本発明の実施例において、ＳｉＯ膜１２の結晶構造によ
って屈折率が変化するが、イオン注入した領域との屈折
率の差が５％程度変化すれば光導波路として用いること
ができる。また、イオン注入にフォトレジス）・１３を
マスクとして用いたが、集束イオンビームで選択的にイ
オン注入することもできる。また、ＳｉＯ膜１２を高屈
折率化させるための不純物源としてＳｉを用いたが、安
定な不純物源として、Ｇｅ、 Ｇａ、 Ｂ等の通常半導
体プロセスで用いられる不純物を用いてイオン注入して
もよい。
って屈折率が変化するが、イオン注入した領域との屈折
率の差が５％程度変化すれば光導波路として用いること
ができる。また、イオン注入にフォトレジス）・１３を
マスクとして用いたが、集束イオンビームで選択的にイ
オン注入することもできる。また、ＳｉＯ膜１２を高屈
折率化させるための不純物源としてＳｉを用いたが、安
定な不純物源として、Ｇｅ、 Ｇａ、 Ｂ等の通常半導
体プロセスで用いられる不純物を用いてイオン注入して
もよい。
本発明の実施例を用いて光導波路を形成すれば、通常の
半導体プロセスで用いられる材料や不純物によって光導
波路を形成することができるので、安定した半導体プロ
セスを実現し、一体的に光集積回路中に光導波路を形成
することができる。
半導体プロセスで用いられる材料や不純物によって光導
波路を形成することができるので、安定した半導体プロ
セスを実現し、一体的に光集積回路中に光導波路を形成
することができる。
第１図ａおよび第１図すは本発明の第１の実施例の工程
断面図、第２図ａおよび第２図すは本発明の第２の実施
例の工程断面図、第３図は従来の光導波路の断面図であ
る。 ■、１ ｔ−−−−−−−−−一基板 ２．１３−−−−・−一−−−−フォトレジスト３−−
−−−−−−−−−−−Ｌ ｉ ４．１６．１８−光導波路
断面図、第２図ａおよび第２図すは本発明の第２の実施
例の工程断面図、第３図は従来の光導波路の断面図であ
る。 ■、１ ｔ−−−−−−−−−一基板 ２．１３−−−−・−一−−−−フォトレジスト３−−
−−−−−−−−−−−Ｌ ｉ ４．１６．１８−光導波路
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＳｉＯ膜中に、選択的に酸素をイオン注入法により
注入して屈折率を低減させた領域に囲まれた非注入領域
を導波路とする光導波路の形成方法。 ２、ＳｉＯ膜中に、選択的にシリコンをイオン注入法に
より注入して屈折率を増大させた領域を導波路とする光
導波路の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2087415A JPH03287208A (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | 光導波路の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2087415A JPH03287208A (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | 光導波路の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03287208A true JPH03287208A (ja) | 1991-12-17 |
Family
ID=13914248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2087415A Pending JPH03287208A (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | 光導波路の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03287208A (ja) |
-
1990
- 1990-04-03 JP JP2087415A patent/JPH03287208A/ja active Pending
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