JPH03287774A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
- Publication number
- JPH03287774A JPH03287774A JP2087887A JP8788790A JPH03287774A JP H03287774 A JPH03287774 A JP H03287774A JP 2087887 A JP2087887 A JP 2087887A JP 8788790 A JP8788790 A JP 8788790A JP H03287774 A JPH03287774 A JP H03287774A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- substrate
- magnetic field
- solenoid
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
- H01J37/32706—Polarising the substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造などに使用される、マイ
クロ波プラズマを利用したドライエ、チングおよびＣＶ
Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）による薄膜形成が可能なマイクロ波プラズマ
処理装置に関する。
クロ波プラズマを利用したドライエ、チングおよびＣＶ
Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）による薄膜形成が可能なマイクロ波プラズマ
処理装置に関する。
この種のマイクロ波プラズマ処理装置としてＥＣＲ（Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｒｏｔｒｏｎ Ｒｅ５ｏｎａｎ
ｃｅ）プラズマを用いて基板の表面加工を行うものが注
目されている。ＥＣＲプラズマとは、磁場とマイクロ波
との共鳴効果を用いて電子を加速し、この電子の運動エ
ネルギーを用いてガスを電離することにより生成される
プラズマをいい、高密度のプラズマが得られる特徴があ
る。マイクロ波に励振された電子は磁力線の周りを円運
動し、その際、遠心力とローレンツ力とがバランスする
条件をＥＣＲ条件と呼んでいる。遠心力を紅ω８．ロー
レンッカを−ｑｒωＢで表すと、これらがバランスする
条件は、ω／Ｂ−ｑ／ｍである。ここでωはマイクロ波
の角周波数、Ｂは磁束密度、ｑ／ｍは電子の比電荷であ
る。
ｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｒｏｔｒｏｎ Ｒｅ５ｏｎａｎ
ｃｅ）プラズマを用いて基板の表面加工を行うものが注
目されている。ＥＣＲプラズマとは、磁場とマイクロ波
との共鳴効果を用いて電子を加速し、この電子の運動エ
ネルギーを用いてガスを電離することにより生成される
プラズマをいい、高密度のプラズマが得られる特徴があ
る。マイクロ波に励振された電子は磁力線の周りを円運
動し、その際、遠心力とローレンツ力とがバランスする
条件をＥＣＲ条件と呼んでいる。遠心力を紅ω８．ロー
レンッカを−ｑｒωＢで表すと、これらがバランスする
条件は、ω／Ｂ−ｑ／ｍである。ここでωはマイクロ波
の角周波数、Ｂは磁束密度、ｑ／ｍは電子の比電荷であ
る。
マイクロ波周波数は、工業的に認められている２、４５
ＧＨｚが一般に用いられ、その場合の共鳴磁束密度は８
７５ガウスである。第２図に一般的なＥＣＲプラズマ装
置の構造説明のための断面図を示す。
ＧＨｚが一般に用いられ、その場合の共鳴磁束密度は８
７５ガウスである。第２図に一般的なＥＣＲプラズマ装
置の構造説明のための断面図を示す。
図には示されていないマイクロ波発生器で発生したマイ
クロ波を、その伝達手段である導波管１を介してプラズ
マ生成室３へ導入する。プラズマ生成室３にはガス供給
手段４を介してプラズマ生成用のガス、例えばＮｘ＋
Ｏｇ＋ Ａｒ等を供給する。前記導波管１とプラズマ生
成室３との間には、大気圧下にある導波管１側と真空排
気されたプラズマ生成室３とを気密に隔離するための真
空窓２を設けである。プラズマ生成室３の下部には中心
に大口径の開ロアを有する金属板が設けられ、この金属
板とプラズマ生成室３とで半開放のマイクロ波共振器を
構成している。この共振器の外部に励磁用ソレノイド６
が配置され、共振器内にＥＣＲ条件を満たす磁場を形成
させて、共振器内にプラズマを発生する。このプラズマ
が磁力線に沿って処理室９内に押し出され、基板台１０
に向かう空間内にガス供給手段１２から例えばモノシラ
ンガス（Ｓｉｌｔ）を供給して、このガスを前記プラズ
マにより活性化すると、活性種が、被加工試料である基
板１１と反応して基板表面に薄膜が形成される。なおガ
ス供給手段４からＮ１等のガスの代りにエツチング用の
ガスを供給することにより、この装置は基板のエツチン
グ加工用にも使用可能となる。
クロ波を、その伝達手段である導波管１を介してプラズ
マ生成室３へ導入する。プラズマ生成室３にはガス供給
手段４を介してプラズマ生成用のガス、例えばＮｘ＋
Ｏｇ＋ Ａｒ等を供給する。前記導波管１とプラズマ生
成室３との間には、大気圧下にある導波管１側と真空排
気されたプラズマ生成室３とを気密に隔離するための真
空窓２を設けである。プラズマ生成室３の下部には中心
に大口径の開ロアを有する金属板が設けられ、この金属
板とプラズマ生成室３とで半開放のマイクロ波共振器を
構成している。この共振器の外部に励磁用ソレノイド６
が配置され、共振器内にＥＣＲ条件を満たす磁場を形成
させて、共振器内にプラズマを発生する。このプラズマ
が磁力線に沿って処理室９内に押し出され、基板台１０
に向かう空間内にガス供給手段１２から例えばモノシラ
ンガス（Ｓｉｌｔ）を供給して、このガスを前記プラズ
マにより活性化すると、活性種が、被加工試料である基
板１１と反応して基板表面に薄膜が形成される。なおガ
ス供給手段４からＮ１等のガスの代りにエツチング用の
ガスを供給することにより、この装置は基板のエツチン
グ加工用にも使用可能となる。
本発明者は、種々の実験を重ねた結果、この種のＥＣＲ
プラズマエツチング、ＣＶＤ装置において、後述するよ
うな問題点が存在することを知見した。具体的な問題点
の説明の前に、この種の装置においてどのようにしてプ
ラズマが生成されるかにつき説明する。ＥＣＲ型のプラ
ズマエツチング、ＣＶＤ装置においては、プラズマの高
密度化をはかり、効率のよいエツチングもしくは薄膜形
成を行うためにプラズマ生成室内にＥＣＲ条件を満たす
磁場領域を実現するが、この磁場領域は、励磁用ソレノ
イドの軸方向長さが有限であるために、軸方向長さを無
限大と仮定した場合のように、プラズマ生成室内の全空
間に広がって存在することはできず、限定された領域と
なり、その形状と軸方向の位置とは励磁用ソレノイドの
外径、内径高さ１巻数などの設計諸元とソレノイド電流
の大きさとにより変わる。また、プラズマの生成は、プ
ラズマ生成室内マイクロ波の電界強度と磁束密度との外
積（ＥＸＢ）により規定されるため、プラズマ生成室内
のマイクロ波電界分布とＥＣＲ条件となる磁場領域（以
下、共鳴磁場領域と記す）との相対位置は、基板表面加
工の速さと賞１例えば基板表面に形成される薄膜の成長
速度と膜厚分布や膜の緻密さなどの膜質とを規定する重
要な因子となる。そして、プラズマ生成室内のマイクロ
波電界分布はプラズマ生成室の形状１寸法と、マイクロ
波と負荷とのマツチングの状態により決まる。マイクロ
波電界分布の一例として、第３図に、プラズマ生成室が
マイクロ波の共振モードＴ Ｅ Ｉ＋ ｓを生ずる共振
器として形成された場合のマイクロし、プラズマ生成室
の軸線上にこの定常波波形の振幅に等しい電界強度をも
ち半径方向に小さくなって行く電界強度の分布が生じる
。従って、励磁用ソレノイドに流す電流の大きさにより
共鳴磁場領域の形成部位を制御すれば、ＥＣＲプラズマ
の生成効率やプラズマ密度の分布をプラズマ生成室内で
制御することができる。この様子を第４図に示す。ここ
で、細かいハツチを付した領域は、周波数 ２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波と共鳴する磁場の磁束密度８７５ガウ
スに対し、磁束密度の誤差が±１％以内に収まる磁場領
域を示している。ソレノイドの長さ方向中心近傍がＥＣ
Ｒ条件となるようにソレノイド電流を流した場合には、
共鳴磁場領域は、領域Ａに示すように、軸線近傍でソレ
ノイドの長さ方向に厚く、径方向に厚みが急速に減する
形状となり、プラズマはソレノイドの軸線近傍に集中す
る傾向を示す、一方、ソレノイドの長さ方向中心付近か
ら離れた所に共鳴磁場領域が形成されるようにソレノイ
ド電流を流した場合には、領域Ｂに示されるように、共
鳴磁場領域は軸線近傍でソレノイドの長さ方向の厚みが
薄（なるが、径方向には厚みがほぼ均一となる。いま、
領域Ａのような磁場領域によるプラズマ生成のモードを
モードＩと呼び、領域Ｂのような磁場領域によるプラズ
マ生成のモードをモード■と呼ぶことにすると、モード
Ｉでプラズマを生成した場合には、プラズマの生成効率
が高く、比較的密度の高いプラズマが得られる。また、
モード■でプラズマを生成すると、プラズマの生成効率
はモードＩと比べて低くなるが、径方向の密度分布は均
一化される。
プラズマエツチング、ＣＶＤ装置において、後述するよ
うな問題点が存在することを知見した。具体的な問題点
の説明の前に、この種の装置においてどのようにしてプ
ラズマが生成されるかにつき説明する。ＥＣＲ型のプラ
ズマエツチング、ＣＶＤ装置においては、プラズマの高
密度化をはかり、効率のよいエツチングもしくは薄膜形
成を行うためにプラズマ生成室内にＥＣＲ条件を満たす
磁場領域を実現するが、この磁場領域は、励磁用ソレノ
イドの軸方向長さが有限であるために、軸方向長さを無
限大と仮定した場合のように、プラズマ生成室内の全空
間に広がって存在することはできず、限定された領域と
なり、その形状と軸方向の位置とは励磁用ソレノイドの
外径、内径高さ１巻数などの設計諸元とソレノイド電流
の大きさとにより変わる。また、プラズマの生成は、プ
ラズマ生成室内マイクロ波の電界強度と磁束密度との外
積（ＥＸＢ）により規定されるため、プラズマ生成室内
のマイクロ波電界分布とＥＣＲ条件となる磁場領域（以
下、共鳴磁場領域と記す）との相対位置は、基板表面加
工の速さと賞１例えば基板表面に形成される薄膜の成長
速度と膜厚分布や膜の緻密さなどの膜質とを規定する重
要な因子となる。そして、プラズマ生成室内のマイクロ
波電界分布はプラズマ生成室の形状１寸法と、マイクロ
波と負荷とのマツチングの状態により決まる。マイクロ
波電界分布の一例として、第３図に、プラズマ生成室が
マイクロ波の共振モードＴ Ｅ Ｉ＋ ｓを生ずる共振
器として形成された場合のマイクロし、プラズマ生成室
の軸線上にこの定常波波形の振幅に等しい電界強度をも
ち半径方向に小さくなって行く電界強度の分布が生じる
。従って、励磁用ソレノイドに流す電流の大きさにより
共鳴磁場領域の形成部位を制御すれば、ＥＣＲプラズマ
の生成効率やプラズマ密度の分布をプラズマ生成室内で
制御することができる。この様子を第４図に示す。ここ
で、細かいハツチを付した領域は、周波数 ２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波と共鳴する磁場の磁束密度８７５ガウ
スに対し、磁束密度の誤差が±１％以内に収まる磁場領
域を示している。ソレノイドの長さ方向中心近傍がＥＣ
Ｒ条件となるようにソレノイド電流を流した場合には、
共鳴磁場領域は、領域Ａに示すように、軸線近傍でソレ
ノイドの長さ方向に厚く、径方向に厚みが急速に減する
形状となり、プラズマはソレノイドの軸線近傍に集中す
る傾向を示す、一方、ソレノイドの長さ方向中心付近か
ら離れた所に共鳴磁場領域が形成されるようにソレノイ
ド電流を流した場合には、領域Ｂに示されるように、共
鳴磁場領域は軸線近傍でソレノイドの長さ方向の厚みが
薄（なるが、径方向には厚みがほぼ均一となる。いま、
領域Ａのような磁場領域によるプラズマ生成のモードを
モードＩと呼び、領域Ｂのような磁場領域によるプラズ
マ生成のモードをモード■と呼ぶことにすると、モード
Ｉでプラズマを生成した場合には、プラズマの生成効率
が高く、比較的密度の高いプラズマが得られる。また、
モード■でプラズマを生成すると、プラズマの生成効率
はモードＩと比べて低くなるが、径方向の密度分布は均
一化される。
モード！、モード■でプラズマを生成したときのプラズ
マ密度の径方向分布の例をそれぞれ第５図および第６図
に示す、この例では、モード■の場合で径方向に約３０
％の差が生じるのに対し、モード■の場合には約１０％
以内の差に収まっている。
マ密度の径方向分布の例をそれぞれ第５図および第６図
に示す、この例では、モード■の場合で径方向に約３０
％の差が生じるのに対し、モード■の場合には約１０％
以内の差に収まっている。
一方、基板表面に形成される薄膜の質１例えば膜の緻密
さはプラズマ密度が大きくなると緻密になり、小さいと
粗となる傾向がある。また、薄膜のｌ！！厚分布は、プ
ラズマ密度に対応した分布となり、−例として、モード
■でＨｚプラズマを生成し、処理室にシラン（Ｓｉｎｅ
）を導入して基板表面にＳｉ３Ｎ４膜を形成した場合を
示す第７図からも見られるように、プラズマ密度分布と
成膜速度分布すなわち膜厚分布とが極めてよく対応する
。従って膜質や成膜速度を向上させようとすればモード
Ｉによる成膜が望ましり、膜厚分布を均一化しようとす
ればモード■による成膜が望ましい、ここで、第８図に
、プラズマ生成室内に生成されるプラズマ密度のソレノ
イド電流依存性の具体的な一例を示す。
さはプラズマ密度が大きくなると緻密になり、小さいと
粗となる傾向がある。また、薄膜のｌ！！厚分布は、プ
ラズマ密度に対応した分布となり、−例として、モード
■でＨｚプラズマを生成し、処理室にシラン（Ｓｉｎｅ
）を導入して基板表面にＳｉ３Ｎ４膜を形成した場合を
示す第７図からも見られるように、プラズマ密度分布と
成膜速度分布すなわち膜厚分布とが極めてよく対応する
。従って膜質や成膜速度を向上させようとすればモード
Ｉによる成膜が望ましり、膜厚分布を均一化しようとす
ればモード■による成膜が望ましい、ここで、第８図に
、プラズマ生成室内に生成されるプラズマ密度のソレノ
イド電流依存性の具体的な一例を示す。
この例では、与えられたプラズマ処理装置において、共
鳴磁場領域が励磁用ソレノイドの軸線方向中心付近に生
じるモードＩは、ソレノイド電流が１４６Ａ以下の場合
に生し÷、また、共鳴磁場領域が励磁用ソレノイドの軸
線方向中心付近から離れた位置に生じるモード■は、ソ
レノイド電流が１５４Ａ以上でないと生じない、そして
、モード！およびモード■それぞれの共鳴磁場領域にお
けるプラズマ密度には約１桁の差がある。そして、これ
ら両領域の間にプラズマ密度がソレノイド電流とともに
変化する遷移領域が存在する。そして、この遷移領域内
のモードＩに近いある範囲では、プラズマ密度はモード
Ｉと同等に高く、従ってプラズマ生成効率も膜厚分布も
モードＩの領域と同等以上の良好な成膜が可能である。
鳴磁場領域が励磁用ソレノイドの軸線方向中心付近に生
じるモードＩは、ソレノイド電流が１４６Ａ以下の場合
に生し÷、また、共鳴磁場領域が励磁用ソレノイドの軸
線方向中心付近から離れた位置に生じるモード■は、ソ
レノイド電流が１５４Ａ以上でないと生じない、そして
、モード！およびモード■それぞれの共鳴磁場領域にお
けるプラズマ密度には約１桁の差がある。そして、これ
ら両領域の間にプラズマ密度がソレノイド電流とともに
変化する遷移領域が存在する。そして、この遷移領域内
のモードＩに近いある範囲では、プラズマ密度はモード
Ｉと同等に高く、従ってプラズマ生成効率も膜厚分布も
モードＩの領域と同等以上の良好な成膜が可能である。
しかし、膜厚分布は、膜厚分布を決めるプラズマ密度の
基板付近での面内分布がモード■においても±１０％程
度であり、実用には不十分である。
基板付近での面内分布がモード■においても±１０％程
度であり、実用には不十分である。
この発明の目的は、プラズマ生成効率および膜質はモー
ドＩと同等に高く維持され、膜厚分布はモード■よりも
改善されるプラズマ処理装置を提供することである。
ドＩと同等に高く維持され、膜厚分布はモード■よりも
改善されるプラズマ処理装置を提供することである。
上記課題を解決するために、この発明においては、マイ
クロ波発生手段と、マイクロ波伝達手段と、マイクロ波
伝達手段と結合されてマイクロ波が導入されるとともに
、ガス供給手段を介して送入されたガスを該マイクロ波
との共鳴効果によりプラズマ化する磁場を形成する励磁
用ソレノイドを同軸に備えかつ軸線が前記磁場の中心軸
と一致する開口を前記マイクロ波伝達手段と対間する側
に存するプラズマ生成室と、該プラズマ生成室と前記開
口を介して連通し該開口から前記磁場に沿って流出する
プラズマを用いて表面加工が行われる基板が配される処
理室と、を備えたプラズマ処理装置を、前記励磁用ソレ
ノイドと同軸に該励磁用ソレノイドの軸線方向基板位置
もしくは基板裏面側の位置に第２の励磁用ソレノイドが
配されるとともに該基板に接続されるＲＦ電源を備えた
装置として構成し、前記励磁用ソレノイドのｔ流を調整
して該ソレノイドの軸線方向中心位置近傍に共鳴磁場領
域を形成するとともに第２の励磁用ソレノイドに前記励
磁用ソレノイドが作る磁力線と逆方向の磁力線を発生さ
せて基板前面側にカスプ磁界を形成し、かつ基板にＲＦ
ｌｌｌ［による対プラズマ負極性電位を生ぜしめて基板
の表面加工を行う装置とするものとする。
クロ波発生手段と、マイクロ波伝達手段と、マイクロ波
伝達手段と結合されてマイクロ波が導入されるとともに
、ガス供給手段を介して送入されたガスを該マイクロ波
との共鳴効果によりプラズマ化する磁場を形成する励磁
用ソレノイドを同軸に備えかつ軸線が前記磁場の中心軸
と一致する開口を前記マイクロ波伝達手段と対間する側
に存するプラズマ生成室と、該プラズマ生成室と前記開
口を介して連通し該開口から前記磁場に沿って流出する
プラズマを用いて表面加工が行われる基板が配される処
理室と、を備えたプラズマ処理装置を、前記励磁用ソレ
ノイドと同軸に該励磁用ソレノイドの軸線方向基板位置
もしくは基板裏面側の位置に第２の励磁用ソレノイドが
配されるとともに該基板に接続されるＲＦ電源を備えた
装置として構成し、前記励磁用ソレノイドのｔ流を調整
して該ソレノイドの軸線方向中心位置近傍に共鳴磁場領
域を形成するとともに第２の励磁用ソレノイドに前記励
磁用ソレノイドが作る磁力線と逆方向の磁力線を発生さ
せて基板前面側にカスプ磁界を形成し、かつ基板にＲＦ
ｌｌｌ［による対プラズマ負極性電位を生ぜしめて基板
の表面加工を行う装置とするものとする。
カスプ磁界は、円筒状ソレノイドを同軸に対向状
させて帝ソレノイドに互いに逆方向の磁力線が生じるよ
うに電流を流したときに対間空間に生じる叙 磁場４位であり、第９図に示すように、軸線に近い磁力
線はど曲がりが急激になる。プラズマ生成室に生成され
たプラズマ中の電子は、励磁用ソレノイドが作る磁力線
に沿って処理室へ向かうが、カスプ磁界領域に到達する
と、その進行方向を、カスプ磁界を形成する磁力線に沿
い、処理室周壁方向へ急変させる。一方、プラズマは巨
視的に中性を保とうとするから、イオンも電子とともに
処理室へ向かい、カスプ磁界領域で電子と同様にその進
行方向を急変させようとする。そして、その方向変更の
程度は軸線近くを移動してきたイオンはど大きい、しか
し、イオンは電子よりもはるかに慣性が大きいために、
電子と同様の方向変更ができず、その慣性で基板に到達
する。従って、励磁用ソレノイドの電流を調整して共鳴
磁場領域を遷移領域内のモードＩ寄りに形成し、軸線近
傍に軸方向に厚い共鳴磁場領域を作った場合、軸線近傍
のより高密度のプラズマはカスプ磁界領域でより大きく
半径方向へ広がり、基板前面側のイオン密度分布が中心
部と周辺部とで差が小さくなり、形成された薄膜の膜厚
分布がカスプ磁界を形成させない場合と比較して著しく
改善される。第１０図にカスプ磁界の影響を受けた窒素
ガスプラズマの面内密度分布を示す、カスプ磁界の形成
条件（各励磁用ソレノイドに流す電流、第２の励磁用ソ
レノイドの位置など）を最適化することにより、プラズ
マ密度の面内分布の不均一度を±３〜５％程度にするこ
とは容易に可能である。結果として、通常要求される成
膜あるいはエツチング速度の面内分布不均一度５％以内
を確保することができる。
うに電流を流したときに対間空間に生じる叙 磁場４位であり、第９図に示すように、軸線に近い磁力
線はど曲がりが急激になる。プラズマ生成室に生成され
たプラズマ中の電子は、励磁用ソレノイドが作る磁力線
に沿って処理室へ向かうが、カスプ磁界領域に到達する
と、その進行方向を、カスプ磁界を形成する磁力線に沿
い、処理室周壁方向へ急変させる。一方、プラズマは巨
視的に中性を保とうとするから、イオンも電子とともに
処理室へ向かい、カスプ磁界領域で電子と同様にその進
行方向を急変させようとする。そして、その方向変更の
程度は軸線近くを移動してきたイオンはど大きい、しか
し、イオンは電子よりもはるかに慣性が大きいために、
電子と同様の方向変更ができず、その慣性で基板に到達
する。従って、励磁用ソレノイドの電流を調整して共鳴
磁場領域を遷移領域内のモードＩ寄りに形成し、軸線近
傍に軸方向に厚い共鳴磁場領域を作った場合、軸線近傍
のより高密度のプラズマはカスプ磁界領域でより大きく
半径方向へ広がり、基板前面側のイオン密度分布が中心
部と周辺部とで差が小さくなり、形成された薄膜の膜厚
分布がカスプ磁界を形成させない場合と比較して著しく
改善される。第１０図にカスプ磁界の影響を受けた窒素
ガスプラズマの面内密度分布を示す、カスプ磁界の形成
条件（各励磁用ソレノイドに流す電流、第２の励磁用ソ
レノイドの位置など）を最適化することにより、プラズ
マ密度の面内分布の不均一度を±３〜５％程度にするこ
とは容易に可能である。結果として、通常要求される成
膜あるいはエツチング速度の面内分布不均一度５％以内
を確保することができる。
この−例として、直径６インチの基板の表面に窒化シリ
コン膜を形成したときの窒化シリコン膜の成長速度の面
内分布を第１１図に示す０図からみられるように、成長
速度の面内分布不均一度は±３〜４％の範囲に収まり、
カスプ磁界の形成が表面加工速度の分布を均一化するの
に掻めて効果的であることを示している。
コン膜を形成したときの窒化シリコン膜の成長速度の面
内分布を第１１図に示す０図からみられるように、成長
速度の面内分布不均一度は±３〜４％の範囲に収まり、
カスプ磁界の形成が表面加工速度の分布を均一化するの
に掻めて効果的であることを示している。
しかしながら、基板前面側にカスプ磁界を形成した場合
には、プラズマが広がって面内分布が改善される一方、
プラズマの電子温度も変化し、カスプ磁界を形成しない
場合と比べ、電子温度が下がる。電子温度のカスプ磁界
への依存性を第１２図に示す、第１２図は、第２の励磁
用ソレノイド （以下サブソレノイドと記す）に流す電
流を変化させ、基板面のソレノイド軸線方間磁束密度成
分と電子温度との関係を示しており、図の磁束密度は基
板の中心位置での値を示している。また、磁束密度の負
の値は、基板面でサブソレノイドによる磁界が共鳴磁場
領域形成用励磁ソレノイドによる磁界よりも優勢である
ことを示し、正の値はサブソレノイドによる磁界が共鳴
磁場形成用励磁ソレノイドによる磁界よりも弱いことを
示す、電子温度と基板表面に現れる浮動電位とは比例関
係にあるため、電子温度が下がった分、浮動電位も下が
る。
には、プラズマが広がって面内分布が改善される一方、
プラズマの電子温度も変化し、カスプ磁界を形成しない
場合と比べ、電子温度が下がる。電子温度のカスプ磁界
への依存性を第１２図に示す、第１２図は、第２の励磁
用ソレノイド （以下サブソレノイドと記す）に流す電
流を変化させ、基板面のソレノイド軸線方間磁束密度成
分と電子温度との関係を示しており、図の磁束密度は基
板の中心位置での値を示している。また、磁束密度の負
の値は、基板面でサブソレノイドによる磁界が共鳴磁場
領域形成用励磁ソレノイドによる磁界よりも優勢である
ことを示し、正の値はサブソレノイドによる磁界が共鳴
磁場形成用励磁ソレノイドによる磁界よりも弱いことを
示す、電子温度と基板表面に現れる浮動電位とは比例関
係にあるため、電子温度が下がった分、浮動電位も下が
る。
そのため、成膜を行った時膜質が変化する。この現象の
例として、窒化シリコン膜の耐ふっ酸エツチングレート
の電子温度依存性を第１３図に示す。
例として、窒化シリコン膜の耐ふっ酸エツチングレート
の電子温度依存性を第１３図に示す。
この例でも明らかなように、電子温度が低下し、約４．
７ｅＶ以下になると、膜の緻密性が劣化し、エツチング
レートが早くなる。この４．７ｅＶの電子温度に対応す
る基板表面の電位は、プラズマ電位に対して−２０〜−
２５Ｖ程度に相当する。すなわち、窒化シリコン膜の場
合は、−２０〜−２５Ｖ程度以上のイオン加速がなけれ
ば緻密性が得られないことを示しており、カスプ磁界に
よって低下した電子温度によって基板表面の電位がこれ
以下になるような条件では膜の緻密性が得られないこと
がわかる。しかし、この発明では、基板にＲＦバイアス
を印加することによって浮動電位を制御し、基板表面の
電位を−２０〜−２５Ｖ以上にすることができるため、
膜質を制御することが可能であり、このＲＦバイアスの
印加と、カスプ磁界の形成とによリ、モード■と同等以
上の膜質と、モード■よりも均一な膜厚分布とを有する
薄膜を、モード■の場合と同等の成膜速度で形成させる
ことができる。
７ｅＶ以下になると、膜の緻密性が劣化し、エツチング
レートが早くなる。この４．７ｅＶの電子温度に対応す
る基板表面の電位は、プラズマ電位に対して−２０〜−
２５Ｖ程度に相当する。すなわち、窒化シリコン膜の場
合は、−２０〜−２５Ｖ程度以上のイオン加速がなけれ
ば緻密性が得られないことを示しており、カスプ磁界に
よって低下した電子温度によって基板表面の電位がこれ
以下になるような条件では膜の緻密性が得られないこと
がわかる。しかし、この発明では、基板にＲＦバイアス
を印加することによって浮動電位を制御し、基板表面の
電位を−２０〜−２５Ｖ以上にすることができるため、
膜質を制御することが可能であり、このＲＦバイアスの
印加と、カスプ磁界の形成とによリ、モード■と同等以
上の膜質と、モード■よりも均一な膜厚分布とを有する
薄膜を、モード■の場合と同等の成膜速度で形成させる
ことができる。
なお、ここでは、表面加工を成膜にかぎって説明したが
、エツチングにおいても同様に、エツチング速度の面内
分布の改善と１表面のダメージなどに関するエツチング
の質の改善とが両立した表面加工が可能であることは明
らかである〔実施例〕 本発明に基づいて構成されるプラズマ処理装置である、
ＥＣＲ型プラズマエツチング、ＣＶＤ装置の一実施例を
第１図に示す０図において、第２図と同一の部材には同
一の符号を付して説明を省略する。この実施例では、プ
ラズマ生成室３内への共鳴磁場形成用励磁ソレノイド６
と同軸に基板１１の裏面側にサブソレノイド６１が配さ
れ、また、基板１１には、周波数が数十Ｈｚから数十Ｍ
Ｈｚ範囲の、ここでは１３．５６ＭＨｚのＲＦＱ源が接
続されている。薄膜９例えば窒化シリコン膜形成時には
、ガス供給手段４からＮ２ガスが導入され、このガスが
、プラズマ生成室３内に導入されたマイクロ波の電界と
励磁用ソレノイド６がプラズマ生成室内に形成する共鳴
磁場とにより効率よく電離されてプラズマ化され、この
プラズマは励磁用ソレノイド６が作る磁力線に沿い、処
理室９内へ向かう。一方、サブソレノイド６１には、励
磁用ソレノイド６が作る磁力線と逆方向の磁力線を生じ
るように電流が供給され、基板１１の前面側にカスプ磁
界が形成され、また、基板１１にはＲＦｉｉ源が接続さ
れて基板は対プラズマ負極性の浮動電位を有しているた
め、処理室９内へ向かいつつモノシランガスを活性化す
るプラズマは、カスプ磁界を形成する磁力線に沿い、そ
の進行方向を急変させようとする。しかし、イオンはそ
の大きい慣性のため、磁力線通りに進行方向を変えきれ
ず、半径方向へ広がりつつ基板へ向かい、基板に生じて
いる負極性浮動電位により基板方向へ加速され、基板表
面に緻密な窒化シリコン膜を形成する。
、エツチングにおいても同様に、エツチング速度の面内
分布の改善と１表面のダメージなどに関するエツチング
の質の改善とが両立した表面加工が可能であることは明
らかである〔実施例〕 本発明に基づいて構成されるプラズマ処理装置である、
ＥＣＲ型プラズマエツチング、ＣＶＤ装置の一実施例を
第１図に示す０図において、第２図と同一の部材には同
一の符号を付して説明を省略する。この実施例では、プ
ラズマ生成室３内への共鳴磁場形成用励磁ソレノイド６
と同軸に基板１１の裏面側にサブソレノイド６１が配さ
れ、また、基板１１には、周波数が数十Ｈｚから数十Ｍ
Ｈｚ範囲の、ここでは１３．５６ＭＨｚのＲＦＱ源が接
続されている。薄膜９例えば窒化シリコン膜形成時には
、ガス供給手段４からＮ２ガスが導入され、このガスが
、プラズマ生成室３内に導入されたマイクロ波の電界と
励磁用ソレノイド６がプラズマ生成室内に形成する共鳴
磁場とにより効率よく電離されてプラズマ化され、この
プラズマは励磁用ソレノイド６が作る磁力線に沿い、処
理室９内へ向かう。一方、サブソレノイド６１には、励
磁用ソレノイド６が作る磁力線と逆方向の磁力線を生じ
るように電流が供給され、基板１１の前面側にカスプ磁
界が形成され、また、基板１１にはＲＦｉｉ源が接続さ
れて基板は対プラズマ負極性の浮動電位を有しているた
め、処理室９内へ向かいつつモノシランガスを活性化す
るプラズマは、カスプ磁界を形成する磁力線に沿い、そ
の進行方向を急変させようとする。しかし、イオンはそ
の大きい慣性のため、磁力線通りに進行方向を変えきれ
ず、半径方向へ広がりつつ基板へ向かい、基板に生じて
いる負極性浮動電位により基板方向へ加速され、基板表
面に緻密な窒化シリコン膜を形成する。
以上に述べたように、本発明においては、マイクロ波発
生手段と、マイクロ波伝達手段と、マイクロ波伝達手段
と結合されてマイクロ波が導入されるとともに、ガス供
給手段を介して送入されたガスを該マイクロ波との共鳴
効果によりプラズマ化する磁場を形成する励磁用ソレノ
イドを同軸に備えかつ軸線が前記磁場の中心軸と一敗す
る開口を前記マイクロ波伝達手段と対向する側に有する
プラズマ生成室と、該プラズマ生成室と前記開口を介し
て連通し該開口から前記磁場に沿って流出するプラズマ
を用いて表面加工が行われる基板が配される処理室と、
を備えたプラズマ処理装置を、前記励磁用ソレノイドと
同軸に該励磁用ソレノイドの軸線方向基板位置もしくは
基板裏面側の位置に第２の励磁用ソレノイドが配される
とともに該基板に接続されるＲＦ電源を備えた装置とし
て構成し、前記励磁用ソレノイドの電流を調整して該ソ
レノイドの軸線方向中心位置近傍に共鳴磁場領域を形成
するとともに第２の励磁用ソレノイドに前記励磁用ソレ
ノイドが作る磁力線と逆方向の磁力線を発生させて基板
前面側にカスプ磁界を形成し、かつ１＆板にＲＦｔｉ源
による対プラズマ負掻性電位を生ぜしめて基板の表面加
工を行う装置としたので、プラズマ生成室内の共鳴磁場
領域を遷移領域内のモードエ寄りに形成した場合にも、
軸線近傍に多く生成されたプラズマがカスプ磁界により
半径方向へ広がり、基板前面側のプラズマ密度の面内分
布が均一化され、成膜時には薄膜の膜厚分布が、またエ
ツチング時にはエツチング作用の表面分布が均一化され
る。従って、本発明により、表面加工速度がモードＩに
よる表面加工時と同等に高く維持されつつ加工速度分布
が均一化された表面加工が可能になる。また、基板には
ＲＦ電源が接続されて対プラズマ負極性浮動電位が発生
し、この電位によりカスプ磁界の形成による電子温度の
低下が補われ、基板へ向かってイオンが効果的に加速さ
れるため、この負電位の大きさを制御することにより、
成膜時には緻密な膜を形成することができ、エツチング
時には基板表面のダメージの少ないエツチングを行うこ
とが可能になり、表面加工の質を向上させることができ
る。このように、本発明によれば、表面加工速度を高く
維持しつつ基板表面の加工速度分布および加工の質を同
時に向上させることができる。
生手段と、マイクロ波伝達手段と、マイクロ波伝達手段
と結合されてマイクロ波が導入されるとともに、ガス供
給手段を介して送入されたガスを該マイクロ波との共鳴
効果によりプラズマ化する磁場を形成する励磁用ソレノ
イドを同軸に備えかつ軸線が前記磁場の中心軸と一敗す
る開口を前記マイクロ波伝達手段と対向する側に有する
プラズマ生成室と、該プラズマ生成室と前記開口を介し
て連通し該開口から前記磁場に沿って流出するプラズマ
を用いて表面加工が行われる基板が配される処理室と、
を備えたプラズマ処理装置を、前記励磁用ソレノイドと
同軸に該励磁用ソレノイドの軸線方向基板位置もしくは
基板裏面側の位置に第２の励磁用ソレノイドが配される
とともに該基板に接続されるＲＦ電源を備えた装置とし
て構成し、前記励磁用ソレノイドの電流を調整して該ソ
レノイドの軸線方向中心位置近傍に共鳴磁場領域を形成
するとともに第２の励磁用ソレノイドに前記励磁用ソレ
ノイドが作る磁力線と逆方向の磁力線を発生させて基板
前面側にカスプ磁界を形成し、かつ１＆板にＲＦｔｉ源
による対プラズマ負掻性電位を生ぜしめて基板の表面加
工を行う装置としたので、プラズマ生成室内の共鳴磁場
領域を遷移領域内のモードエ寄りに形成した場合にも、
軸線近傍に多く生成されたプラズマがカスプ磁界により
半径方向へ広がり、基板前面側のプラズマ密度の面内分
布が均一化され、成膜時には薄膜の膜厚分布が、またエ
ツチング時にはエツチング作用の表面分布が均一化され
る。従って、本発明により、表面加工速度がモードＩに
よる表面加工時と同等に高く維持されつつ加工速度分布
が均一化された表面加工が可能になる。また、基板には
ＲＦ電源が接続されて対プラズマ負極性浮動電位が発生
し、この電位によりカスプ磁界の形成による電子温度の
低下が補われ、基板へ向かってイオンが効果的に加速さ
れるため、この負電位の大きさを制御することにより、
成膜時には緻密な膜を形成することができ、エツチング
時には基板表面のダメージの少ないエツチングを行うこ
とが可能になり、表面加工の質を向上させることができ
る。このように、本発明によれば、表面加工速度を高く
維持しつつ基板表面の加工速度分布および加工の質を同
時に向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例になるＥＣＲ型プラズマ装置
の断面図、第２図は従来の一般的なＥＣＲ型プラズマ装
置の一例を示す装置断面図、第３図はマイクロ波の共振
モードＴＥ＋ｔｓを生じるプラズマ生成室内のマイクロ
波電界強度分布を示す電界強度波形図、第４鹸ラズ・生
成室内に形成される共鳴磁場領域の形成位置による形状
変化を示す模式図、第５１！ｌおよび第６図はそれぞれ
第４図に示す領域Ａおよび領域Ｂに共鳴磁場領域を形成
して表面加工を行うときのプラズマ密度の面内分布を示
す線図、第７図はプラズマ密度分布と成膜速度分布との
対照図、第８図はプラズマ密度の励磁用ソレノイド電流
依存性を示す線図、第９図はカスプ磁界を形成する磁力
線の形状を示す説明図、第１０図はカスプ磁界のプラズ
マ密度分布ならびにプラズマ温度に与える影響を示す線
図、第１１図はカスプ磁界を成膜に適用したときの成膜
速度の面内分布を示す線図、第１２図はカスプ磁界を受
けたプラズマの電子温度の基板面軸方向磁束密度依存性
を示す線図、第１３図は窒化シリコン膜形成時のプラズ
マの基板前面の電子温度と形成された膜の対ふっ酸エツ
チングレートとの関係を示す線図である。 １：導波管、３：プラズマ生成室、４：ガス供給手段、
６；動磁用ソレノイド、７：開口、９：処理室、１１：
基板、２０：ＲＦ電源、６１：サブソレノイド （第２
の励磁用ソレノイド）。
の断面図、第２図は従来の一般的なＥＣＲ型プラズマ装
置の一例を示す装置断面図、第３図はマイクロ波の共振
モードＴＥ＋ｔｓを生じるプラズマ生成室内のマイクロ
波電界強度分布を示す電界強度波形図、第４鹸ラズ・生
成室内に形成される共鳴磁場領域の形成位置による形状
変化を示す模式図、第５１！ｌおよび第６図はそれぞれ
第４図に示す領域Ａおよび領域Ｂに共鳴磁場領域を形成
して表面加工を行うときのプラズマ密度の面内分布を示
す線図、第７図はプラズマ密度分布と成膜速度分布との
対照図、第８図はプラズマ密度の励磁用ソレノイド電流
依存性を示す線図、第９図はカスプ磁界を形成する磁力
線の形状を示す説明図、第１０図はカスプ磁界のプラズ
マ密度分布ならびにプラズマ温度に与える影響を示す線
図、第１１図はカスプ磁界を成膜に適用したときの成膜
速度の面内分布を示す線図、第１２図はカスプ磁界を受
けたプラズマの電子温度の基板面軸方向磁束密度依存性
を示す線図、第１３図は窒化シリコン膜形成時のプラズ
マの基板前面の電子温度と形成された膜の対ふっ酸エツ
チングレートとの関係を示す線図である。 １：導波管、３：プラズマ生成室、４：ガス供給手段、
６；動磁用ソレノイド、７：開口、９：処理室、１１：
基板、２０：ＲＦ電源、６１：サブソレノイド （第２
の励磁用ソレノイド）。
Claims (1)
- １）マイクロ波発生手段と、マイクロ波伝達手段と、マ
イクロ波伝達手段と結合されてマイクロ波が導入される
とともに、ガス供給手段を介して送入されたガスを該マ
イクロ波との共鳴効果によりプラズマ化する磁場を形成
する励磁用ソレノイドを同軸に備えかつ軸線が前記磁場
の中心軸と一致する開口を前記マイクロ波伝達手段と対
向する側に有するプラズマ生成室と、該プラズマ生成室
と前記開口を介して連通し該開口から前記磁場に沿って
流出するプラズマを用いて表面加工が行われる基板が配
される処理室と、を備えたプラズマ処理装置において、
前記励磁用ソレノイドと同軸に該励磁用ソレノイドの軸
線方向基板位置もしくは基板裏面側の位置に第２の励磁
用ソレノイドが配されるとともに該基板に接続されるＲ
Ｆ電源を備え、前記励磁用ソレノイドの電流を調整して
該ソレノイドの軸線方向中心位置近傍に共鳴磁場領域を
形成するとともに第２の励磁用ソレノイドに前記励磁用
ソレノイドが作る磁力線と逆方向の磁力線を発生させて
基板前面側にカスプ磁界を形成し、かつ基板にＲＦ電源
による対プラズマ負極性電位を生ぜしめて基板の表面加
工を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2087887A JP2581255B2 (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | プラズマ処理方法 |
| GB9106615A GB2244371B (en) | 1990-04-02 | 1991-03-28 | Plasma processing apparatus |
| KR1019910004957A KR910019125A (ko) | 1990-04-02 | 1991-03-29 | 플라즈마 처리 장치 |
| US07/677,238 US5181986A (en) | 1990-04-02 | 1991-03-29 | Plasma processing apparatus |
| DE4110632A DE4110632A1 (de) | 1990-04-02 | 1991-04-02 | Plasmabearbeitungseinrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2087887A JP2581255B2 (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03287774A true JPH03287774A (ja) | 1991-12-18 |
| JP2581255B2 JP2581255B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=13927388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2087887A Expired - Lifetime JP2581255B2 (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | プラズマ処理方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5181986A (ja) |
| JP (1) | JP2581255B2 (ja) |
| KR (1) | KR910019125A (ja) |
| DE (1) | DE4110632A1 (ja) |
| GB (1) | GB2244371B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019106290A (ja) * | 2017-12-12 | 2019-06-27 | 東京エレクトロン株式会社 | アンテナ及びプラズマ成膜装置 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3056772B2 (ja) * | 1990-08-20 | 2000-06-26 | 株式会社日立製作所 | プラズマの制御方法ならびにプラズマ処理方法およびその装置 |
| EP0478283B1 (en) * | 1990-09-26 | 1996-12-27 | Hitachi, Ltd. | Microwave plasma processing method and apparatus |
| US6953703B2 (en) * | 1991-03-18 | 2005-10-11 | The Trustees Of Boston University | Method of making a semiconductor device with exposure of sapphire substrate to activated nitrogen |
| US5633192A (en) * | 1991-03-18 | 1997-05-27 | Boston University | Method for epitaxially growing gallium nitride layers |
| KR0156011B1 (ko) * | 1991-08-12 | 1998-12-01 | 이노우에 아키라 | 플라즈마 처리장치 및 방법 |
| JP3042127B2 (ja) * | 1991-09-02 | 2000-05-15 | 富士電機株式会社 | 酸化シリコン膜の製造方法および製造装置 |
| JPH05206069A (ja) * | 1992-01-29 | 1993-08-13 | Fujitsu Ltd | プラズマエッチング法及びプラズマエッチング装置 |
| US5292370A (en) * | 1992-08-14 | 1994-03-08 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Coupled microwave ECR and radio-frequency plasma source for plasma processing |
| JP3255469B2 (ja) * | 1992-11-30 | 2002-02-12 | 三菱電機株式会社 | レーザ薄膜形成装置 |
| GB2300000A (en) * | 1992-11-30 | 1996-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | Thin film forming using laser and activated oxidising gas |
| JPH06251896A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-09-09 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| US5545257A (en) * | 1994-06-13 | 1996-08-13 | Electro-Graph, Inc. | Magnetic filter apparatus and method for generating cold plasma in semicoductor processing |
| JP3199957B2 (ja) * | 1994-06-20 | 2001-08-20 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ処理方法 |
| GB2308338B (en) * | 1995-12-22 | 1999-09-22 | Motorola Ltd | Plasma etcher |
| DE19634795C2 (de) * | 1996-08-29 | 1999-11-04 | Schott Glas | Plasma-CVD-Anlage mit einem Array von Mikrowellen-Plasmaelektroden und Plasma-CVD-Verfahren |
| US6248206B1 (en) * | 1996-10-01 | 2001-06-19 | Applied Materials Inc. | Apparatus for sidewall profile control during an etch process |
| US5824607A (en) * | 1997-02-06 | 1998-10-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma confinement for an inductively coupled plasma reactor |
| GB2360530A (en) * | 2000-03-25 | 2001-09-26 | Plasma Quest Ltd | High target utilisation sputtering system with remote plasma source |
| US20030066486A1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-04-10 | Applied Materials, Inc. | Microwave heat shield for plasma chamber |
| JP2014112644A (ja) * | 2012-11-06 | 2014-06-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| CN111526653B (zh) * | 2020-06-03 | 2024-04-26 | 吉林大学 | 具备电磁能量双重激发功能的微波耦合等离子体发生装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0222486A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Anelva Corp | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPH032376A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-08 | Anelva Corp | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5613480A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-09 | Hitachi Ltd | Dry etching apparatus |
| JPS5637311A (en) * | 1979-08-27 | 1981-04-11 | Kanebo Ltd | Polyester fiber for woven and knitted fabric |
| JPS5779621A (en) * | 1980-11-05 | 1982-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma processing device |
| EP0173164B1 (en) * | 1984-08-31 | 1988-11-09 | Hitachi, Ltd. | Microwave assisting sputtering |
| US4810935A (en) * | 1985-05-03 | 1989-03-07 | The Australian National University | Method and apparatus for producing large volume magnetoplasmas |
| JPS6343324A (ja) * | 1986-08-09 | 1988-02-24 | Anelva Corp | プラズマシヤワ−装置 |
| DE3729347A1 (de) * | 1986-09-05 | 1988-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | Plasmaprozessor |
| DE3750115T2 (de) * | 1986-10-20 | 1995-01-19 | Hitachi Ltd | Plasmabearbeitungsgerät. |
| DE3774098D1 (de) * | 1986-12-29 | 1991-11-28 | Sumitomo Metal Ind | Plasmageraet. |
| DE3853890T2 (de) * | 1987-01-19 | 1995-10-19 | Hitachi Ltd | Mit einem Plasma arbeitendes Gerät. |
| DE3705666A1 (de) * | 1987-02-21 | 1988-09-01 | Leybold Ag | Einrichtung zum herstellen eines plasmas und zur behandlung von substraten darin |
| JPS644023A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Toppan Printing Co Ltd | Dry etching device |
| JPH0766918B2 (ja) * | 1987-11-25 | 1995-07-19 | 富士電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
| GB2212974B (en) * | 1987-11-25 | 1992-02-12 | Fuji Electric Co Ltd | Plasma processing apparatus |
| EP0343017A3 (en) * | 1988-05-20 | 1990-05-23 | Nec Corporation | Reactive ion etching apparatus |
| US4983253A (en) * | 1988-05-27 | 1991-01-08 | University Of Houston-University Park | Magnetically enhanced RIE process and apparatus |
| JP2564895B2 (ja) * | 1988-06-28 | 1996-12-18 | 株式会社島津製作所 | プラズマ処理装置 |
| US4990229A (en) * | 1989-06-13 | 1991-02-05 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
| US5122251A (en) * | 1989-06-13 | 1992-06-16 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
| JP2543642B2 (ja) * | 1991-01-18 | 1996-10-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 高周波交流電気エネルギ―と相対的に低い周波数の交流電気的エネルギ―を有する、工作物を処理するためのシステムおよび方法 |
| JP3042127B2 (ja) * | 1991-09-02 | 2000-05-15 | 富士電機株式会社 | 酸化シリコン膜の製造方法および製造装置 |
-
1990
- 1990-04-02 JP JP2087887A patent/JP2581255B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-03-28 GB GB9106615A patent/GB2244371B/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-29 US US07/677,238 patent/US5181986A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-29 KR KR1019910004957A patent/KR910019125A/ko not_active Ceased
- 1991-04-02 DE DE4110632A patent/DE4110632A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0222486A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Anelva Corp | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPH032376A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-08 | Anelva Corp | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019106290A (ja) * | 2017-12-12 | 2019-06-27 | 東京エレクトロン株式会社 | アンテナ及びプラズマ成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5181986A (en) | 1993-01-26 |
| KR910019125A (ko) | 1991-11-30 |
| GB2244371B (en) | 1995-03-15 |
| GB2244371A (en) | 1991-11-27 |
| DE4110632A1 (de) | 1991-10-10 |
| JP2581255B2 (ja) | 1997-02-12 |
| GB9106615D0 (en) | 1991-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2581255B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| US6129806A (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| US4960073A (en) | Microwave plasma treatment apparatus | |
| JP3174981B2 (ja) | ヘリコン波プラズマ処理装置 | |
| JPH04287318A (ja) | プラズマ処理の方法および装置 | |
| US20020069971A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JPS6130036A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP3561080B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| EP0721514B1 (en) | Magnetically enhanced multiple capacitive plasma generation apparatus and related method | |
| US6396024B1 (en) | Permanent magnet ECR plasma source with integrated multipolar magnetic confinement | |
| JP2546405B2 (ja) | プラズマ処理装置ならびにその運転方法 | |
| US5366586A (en) | Plasma formation using electron cyclotron resonance and method for processing substrate by using the same | |
| EP0789506B1 (en) | Apparatus for generating magnetically neutral line discharge type plasma | |
| JP3973283B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| US5858162A (en) | Plasma processing apparatus | |
| JPH0521986B2 (ja) | ||
| JPH076998A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP4384295B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0530500B2 (ja) | ||
| JPH0963792A (ja) | 磁気中性線放電プラズマ源 | |
| JPH03158471A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH0724761B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH06177051A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPS63292625A (ja) | プラズマ制御方法 | |
| JP2001338797A (ja) | 磁気中性線放電プラズマ発生装置 |