JPH03290316A - Bi基酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents

Bi基酸化物超電導体の製造方法

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JPH03290316A
JPH03290316A JP2087526A JP8752690A JPH03290316A JP H03290316 A JPH03290316 A JP H03290316A JP 2087526 A JP2087526 A JP 2087526A JP 8752690 A JP8752690 A JP 8752690A JP H03290316 A JPH03290316 A JP H03290316A
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diffusion heat
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恭治 太刀川
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賢治 白須
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  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、磁気共鳴映像装置(MRI−CT)等の超電
導マグネット線材や、超電導送電等の導電材として有望
視され、開発研究か進められているBi基の高臨界温度
酸化物超電導材の製造方法に関する。
(従来の技術) 最近、常電導状態から超電導状態に遷移する臨界温度T
、が液体窒素温度を超える値をもつY(イツトリウム)
基、Bi(ビスマス)基、Tg(タリウム)基等の酸化
物超電導体が発見されている。Bi基酸化物超電導体を
おいては、Bi2Sr2CaCu20xで示される組成
の相が約80にのTcを、また、Bi2Sr2Ca2C
u30yで示される組成の相が約105にのTeをもつ
ことが知られている。これらの異なるT、をもつ相は、
通常混合状態で生成されるが、最近、Biの一部をpb
で置換すると、105にの高いToをもつ相が生成され
易くなることが知られている。これらの酸化物超電導体
は、液体ヘリウムで冷却することか必要であった従来の
Nb−TiやNb3Sn等の金属系超電導体に比較して
格段に有利な冷却条件で使用できることから、実用上極
めて有望な超電導材料として研究開発が進められている
。特に81基酸化物超電導体はT11のように毒性の強
い元素を含まずに100に以上のT、が得られるため注
目されている。
しかるに、酸化物超電導体は、機械的性質が極めて脆い
。このため、これを線材の形に加工する手法の一例とし
て次のような方法が行われている。
すなわち、酸化物超電導体を構成する元素を含む複数の
原料粉末を仮焼して、不要成分を除いた後に、この仮焼
粉末をAg等の金属管に充填し、これをスェージング、
線引き、圧延等の方法により所望の径の線あるいは所望
の厚さのテープに加工し、これに熱処理を施して金属管
内部の圧縮混合粉末に固相反応を生じさせて所望の組成
をもつ酸化物超電導体を生成させ、超電導線材を製造し
ている。
しかし従来のBi基酸化物超電導体を製造方法では、原
料粉末を完全に均一に混合することが困難なことから、
比較的高い温度で熱処理を施しても超電導体全体が完全
に均一な組成とならない問題かあった。また、超電導体
の内部に微細な空孔か多数存在するため緻密性に欠け、
実用上重要な臨界電流密度J、を高めるのが困難な問題
点があった。さらに、酸化物超電導体では、結晶粒界が
輸送電流の妨げとなることが多い。このため、なるべく
結晶粒を大きくして粒界を少なくすることか大きいJ、
をうるために必要である。また、Bi基酸化物超電導体
をは、その結晶のC軸方向とab面両方向で著しく超電
導特性か異なる。このため・、各結晶の方位を揃え、特
性の優れた方向に磁界を加えるとか、電流を流す必要が
ある。
体発明者らは、Bi基酸化物超電導体を低融点相の第1
の酸化物要素と高融点相の第2の酸化物要素とに分け、
拡散法によるBi基酸化物超電導体を作製を行った(1
988年度春季 低温工学・超電導学会予稿、126頁
)。この拡散法によると、均一な組成をもった緻密な超
電導相を生成し、優れた超電導特性をうろことができる
(発明か解決しようとする課題) 本発明は、Bi基酸化物超電導体をBiの一部をLlに
置換することにより、複合体を構成する低融点相である
第1の酸化物要素の融点をさらに下げ、これと高融点相
である第2の酸化物要素との拡散を促進して、先に本発
明者かなした上記拡散法によるBi基酸化物超電導体を
りもさらに低い温度かつ短時間の熱処理で均一な組成を
もつ緻密なりi醋酸化物超電導体を生成させるものであ
る。その結果、得られる81基酸化物超電導体について
、その臨界温度T。を低下させることなく臨界電流密度
Jcを改善するものである。
(課題を解決するだめの手段) 本発明は、Bi基酸化物超電導体を製造方法において、
第1の酸化物要素として、Biの一部をLiで置換し、
B i−L 1−Cu−0、Bi−L 1−Ca−Cu
−0等で構成される酸化物を用い、第2の酸化物要素と
して、S r  Ca  OsS r−Ca−Cu−0
等で構成される酸化物を用いる。次いで、第1の酸化物
要素と第2の酸化物要素の酸化物の粉末を混合して得た
複合体、または、第2の酸化物要素からなる基体の上に
第1の酸化物要素の粉末を被覆して得た複合体を作製し
、しかる後拡散熱処理を行う。
本発明で製造するBi基酸化物超電導体は、先に述べた
Bi−Li−8r−Ca−Cu−Os及びBiの一部を
pbで置換したものを含む。
第1の酸化物要素は、複合体を熱処理する際に、拡散を
促進させるため、なるべく低い融点をもつことが望まし
い。この第1の酸化物要素は、Bi20* 、Li2C
O3、CuO1必要により加えるCaCO3、Pb3O
4等の原料粉末を所定の組成比で混合し、仮焼等を経て
作製される。
第2の酸化物要素は、複合体を拡散する際の下地として
も機能するもので、なるべく高い融点をもつことが望ま
しい。この第2の酸化物要素は、S rcOi 、Ca
C0,、CuO等の原料粉末を所定の組成比で混合し、
仮焼等の過程を経て作製される。これらの酸化物は、熱
分析法等を用いた発明者らの研究により、第1の酸化物
要素としては、Srを含まないBi基酸化物が適当であ
り、一方、第2の酸化物要素としては、Biを含まない
Sr基酸化物が適当であることを見出して得られたもの
である。ここでは、前記構成の第1の酸化物要素は、融
点が550℃〜750℃程度で、Liを添加することに
より融点を100℃程度下げることができた。また、前
記構成の第2の酸化物要素は、融点か1000℃以上で
あった。
第1の酸化物要素のBi−Li−Cu−0系の場合、組
成比(原子比)は、Bilに対して、L i 0.05
〜0.5 、Ca 0〜1.5 、Cu 0.5〜2.
0の範囲であることがよい。第2の酸化物要素のSr−
Ca−Cu−0系の場合、組成比(原子比)は、Srl
に対して、Ca  0.5〜1.5 、Cu  0.5
〜2.0の範囲にあることか望ましい。ここで前記第1
の酸化物要素および第2の酸化物要素は、酸化物の形態
をとるため、0の含有量は、前記他の元素の量により理
論的に計算される。本発明では、組成比がこれらの範囲
から外れると良好な超電導特性をうることか困難となる
。なお、第1の酸化物要素のうち、Biを組成比(原子
比)o、1〜0.5の範囲でpbに置換しても差し支え
ない。
本発明を線材の作製に応用する具体例としては、基材シ
ース中に第1の酸化物要素と第2の酸化物要素の混合粉
を充填して得た複合体に、線引き、平ロール圧延および
熱処理を繰り返し、テープ、線等を作製する方法かある
。または、機械的に強靭なテープまたは線状の基材上に
第2の酸化物要素をスプレー法、印刷法等の手法で連続
的に塗付した後、基材との密着性を高めるための熱処理
を行い、次いでその表面に第1の酸化物要素を同様な手
法で連続的に被覆することにより複合テープまたは線が
作製される。次ぎに、拡散熱処理を行う。この拡散熱処
理は、低い温度で一次拡散熱処理を行った後、高い温度
で二次拡散熱処理を行った方が、より性能の良好な材料
を提供することかできる。
一次拡散熱処理温度は550℃〜750℃の範囲、また
、二次拡散熱処理温度は750℃〜900℃の範囲にあ
る。−次拡散熱処理温度は、第1の酸化物要素の融点付
近にあり、拡散反応により第1の酸化物要素と第2の酸
化物要素をよく密着させ、空孔をなくすことかできる。
二次拡散熱処理温度はBi基酸化物超電導体の生成温度
付近にあり、高いT、をもっ結晶構造を形成させる。
また、−次拡散熱処理を省略しても超電導相を生成させ
ることか可能であるか、第1の酸化物要素の成分系が急
速に浸透、膨脂し、クラックを発生させることがある。
従って、−次拡散熱処理を省略する場合は、二次拡散熱
処理の際の昇温を600℃以上の温度域において1℃/
分より遅く行う必要がある。また、−次拡散熱処理か5
50℃以下では、その効果がなく、二次拡散熱処理が9
00℃以上では、拡散和か溶融して第2相等を析出して
しまうため好ましくない。
このようにして、本発明によれば、複合体に拡散熱処理
を行うことにより、第1の酸化物要素の成分が第2の酸
化物要素内に拡散して反応し、第2の酸化物要素の表面
に均一で緻密な高T、の超電導相が生成される。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明に基ずく拡散法によるBi
基酸化物超電導体の製造方法では、低融点相である第1
の酸化物要素にLiを添加することにより、従来の拡散
法で使用された低融点相より融点が下がり、熱処理の際
、第2の酸化物要素との拡散が促進されるため、低温で
かつ短時間の熱処理が可能となる。そのため、超電導体
を用いた機器の製作が容易になる。また、緻密で空孔が
なく、組成が均一なりi醋酸化物超電導体を製造できる
ほか、Li添加により拡散が促進されて超電導相の結晶
粒が大きく成長して粒界が減少するため、超電導特性に
おいてTcを低下させることなくJ、を向上させること
ができる。さらに、通常の粉末焼結法と異なり、拡散法
を適応することにより、結晶配向性の優れたBi基酸化
物超電導体を製造することもできる。
実施例I B 1203 、L i2 CO3、Ca CO3、C
u Oの原料粉末を(B 1o9L lo、+ )2 
CaCu0Xの組成となるよう配合し、650℃で6時
間の仮焼をして、002等の不要成分を除去し、粉砕、
再び670℃で8時間の仮焼をした後、粉砕し、第1の
酸化物要素を作製した。一方、SrCO3、CaC0,
、Cu0(7)原料粉末をSr2(:aCu205の組
成となるよう配合し、900℃で6時間の仮焼をした後
、粉砕、再び1000℃で12時間の仮焼をした後、粉
砕し、第2の酸化物要素を作製した。この作製された第
1の酸化物要素及び第2の酸化物要素を等モルずっ秤量
、混合し、(B io、L io、+ )2 S r2
Ca2Cu30Yの組成となるようにした後、この混合
粉末を2.7t/cdの荷重でプレスして幅5關、長さ
22mm、厚さ1 mmの短冊状に成型し複合体を作製
した。この複合体を820℃で20時間、拡散熱処理を
行った後、結晶粒を配向させるためプレス(2,7t/
 cd )を間に挿入し、再び820”Cで20時間、
拡散熱処理を行い試料1を作製した。
また、比較例としてLiを含まないBi2Sr2Ca2
 Cu30yの組成となる試料2を上記と同様の方法で
作製した。但し、Liを含まない場合、拡散熱処理は8
50℃で行った。これらの試料の直流4端子法で測定し
たTeCoff 5et)と4,2KにおけるJcを表
1に示す。試料1は比較例の試料2に比へてTeはほぼ
同じであるが、J、が約2倍に増大している。
実施例2 SrCO9CaC0,、CuOの原料粉末をSr2Ca
2cu2o6の組成となるよう配合し、900℃で6時
間の仮焼をして、Co2等の不要成分を除去し、粉砕、
再び1000℃で12時間の仮焼をした後、粉砕した。
この粉末を2.5t/cdの荷重でプレスして幅5 m
m 、長さ22關、厚さ1mmの短冊状に成型し、10
00”Cで18時間本焼して下地となる第2の酸化物要
素を作製した。
方、Bi2O3、Li2co3、cuoの原料粉末を(
B io、s L io、z ) 2 Cu0x ノ組
成となるよう配合し、570℃で6時間の仮焼をした後
、粉砕、再び570℃で8時間の仮焼をした後、粉砕し
て第1の酸化物要素を作製した。ついで、第1の酸化物
要素を形成する成分の粉末をエチルアルコール中に懸濁
し、スラリー状にしたものを下地である第2の酸化物要
素の上に約0.1 g塗布して複合体を作製した。この
複合体を675℃で10時間、−次拡散熱処理を行った
後、800’Cで40時間、二次拡散熱処理を行って試
料3を作製した。なお、本実施例の熱処理はいずれも大
気中で行い室温まて徐冷を行った。また、比較例として
、Liを含まない試料を要素2はSr2Ca2Cu20
b  第1の酸化物要素はBi2Cu0Xを用いて上記
と同様の方法で複合体にし、−次拡散熱処理を700 
℃で]0時間、二次拡散熱処理を850℃で40時間行
い試料4を作製した。直流4端子法で測定したこれらの
試料のT、(ofT 5et)と、4,2KにおけるJ
、を表1に示す。
試料3は比較例の試料4に比べて拡散熱処理温度が低い
にもかかわらず、T1はほぼ同じで31は改善された値
となっている。
実施例3 Bi203 、Li2 CO3、Pb3 04 、Ca
CO3、CuOの原料粉末を(B L o、s L i
 。
Pbol) CaCu0Xの組成となるよう配合し、6
20℃で6時間の仮焼をして、CO2等の不要成分を除
去し、粉砕、再び620℃で8時間の仮焼をした後、粉
砕し、第1の酸化物要素を作製した。一方、S rco
、 、CaC0m 、CuOの原料粉末をSrz Ca
CL1205の組成となるよう配合し、900℃で6時
間の仮焼をした後、粉砕、再び1000℃で12時間の
仮焼をした後、粉砕し、第2の酸化物要素を作製した。
この作製された第1の酸化物要素及び第2の酸化物要素
を等モルずつ秤量、混合し、(Bio、8Li。
Pbo、+ )2 S r2Ca2 Cu30yの組成
となるようにし、混合粉末を2.7t/c−の荷重でプ
レスして幅5關、長さ22mm、厚さllll11の短
冊状に成型し複合体を作製した。この複合体を760℃
で20時間、拡散熱処理を行った後、結晶粒を配向させ
るためプレス(2,7t/cd)を間に挿入し、再び7
60℃で20時間、拡散熱処理を行い試料5を作製した
。また、比較例としてLiを含まない(B io、s 
Pbo2)2 S r2Ca2 (:u30Yの組成と
なる試料6を上記と同様の方法で、拡散熱処理の温度を
845℃として作製した。直流4端子法で測定したこれ
らの試料のT c  (off’ 5et)と、77K
におけるJ、を表1に示す。試料5は比較例の試料6に
比べて実施例2と同様に、拡散熱処理温度が低いにもか
がわらず、Teはほぼ同じでJ、は改善された値となっ
ている。
表1 試料1 試料2 試料3 試料4 試料5 試料6 各試料におけるT、とJc Tc (K) 4 (比較例)72 1 (比較例)74 04 (比較例)  103 の値 J c  (A / cI#) 3200 (4,2K) 1700 (4,2K) 6000 (4,2K) 4100 (4,2K) 12.00 (77K) 700 (77K)

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくともBi−Li−Cu−Oの元素で構成さ
    れる第1の酸化物要素と、少なくともSr−Ca−Oの
    元素で構成される第2の酸化物要素との間の拡散反応に
    よって、Bi基酸化物超電導体を生成することを特徴と
    するBi基酸化物超電導体の製造方法。
  2. (2)前記第1の酸化物要素は、Bi−Li−Ca−C
    u−Oの元素で構成され、その原子比が、Biを1とし
    てLi0.05〜0.5、Ca0〜1.5、Cu0.5
    〜2.0の範囲にあり、また、第2の酸化物要素がSr
    −Ca−Cu−Oの元素で構成され、その原子比が、S
    rを1としてCa0.5〜1.5、Cu0.5〜2.0
    の範囲にあることを特徴とする請求項1に記載のBi基
    酸化物超電導体の製造方法。
  3. (3)前記第1の酸化物要素と第2の酸化物要素との粉
    末を混合して得た複合体を、拡散熱処理することを特徴
    とする請求項1又は2に記載のBi基酸化物超電導体の
    製造方法。
  4. (4)前記第2の酸化物要素からなる基体の上に第1の
    酸化物要素を被覆して得た複合体を拡散熱処理すること
    を特徴とする請求項1又は2に記載のBi基酸化物超電
    導体の製造方法。
  5. (5)第1の酸化物要素のBiの一部をBi1に対し、
    0.1〜0.5の組成比の原子%でPbに置換すること
    を特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のBi
    基酸化物超電導体の製造方法。
  6. (6)前記熱処理が、550℃〜750℃の範囲にある
    一次拡散熱処理と、この熱処理の後におこなう750℃
    〜900℃の範囲にある二次拡散熱処理とからなること
    を特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のBi基
    酸化物超電導体の製造方法。
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