JPH03290931A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH03290931A JPH03290931A JP9243290A JP9243290A JPH03290931A JP H03290931 A JPH03290931 A JP H03290931A JP 9243290 A JP9243290 A JP 9243290A JP 9243290 A JP9243290 A JP 9243290A JP H03290931 A JPH03290931 A JP H03290931A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高周波低雑音の送受信増幅素子等１こ用いら
れる半導体装置およびその製造方法に関する。
れる半導体装置およびその製造方法に関する。
従来の技術
近年、化合物半導体装置は化合物半導体が有する高い移
動度のためにコンピュータなどの高速演算素子や衛星放
送および衛星通信なとに使用される高周波低雑音の送受
信増幅素子として期待されている。
動度のためにコンピュータなどの高速演算素子や衛星放
送および衛星通信なとに使用される高周波低雑音の送受
信増幅素子として期待されている。
以下、その構成について第２図を参照しながら説明する
。
。
同図ｔａ＋において、１１はガリウムヒ素のｎ型活性層
、１２は下層がチタン、上層がアルミニラＬの二層ゲー
トメタル層である。同図（ｂｌにおいて、１３はゲート
メタル層１２およびガリウムヒ素のｎ型活性層１１を保
護する二酸化シリコンの層間絶縁膜である。同図（Ｃ１
において、１４は二酸化シリコン絶縁膜１３に選択的に
開口部を形成するための感光性のフォトレジスト膜であ
る。同図（ｄｌｔｅｌにおいて、１５はゲートメタル層
１２の上層のアルミニウムと接触する、下層がチタン、
中間層が白金、上層が金の三層配線電極である。
、１２は下層がチタン、上層がアルミニラＬの二層ゲー
トメタル層である。同図（ｂｌにおいて、１３はゲート
メタル層１２およびガリウムヒ素のｎ型活性層１１を保
護する二酸化シリコンの層間絶縁膜である。同図（Ｃ１
において、１４は二酸化シリコン絶縁膜１３に選択的に
開口部を形成するための感光性のフォトレジスト膜であ
る。同図（ｄｌｔｅｌにおいて、１５はゲートメタル層
１２の上層のアルミニウムと接触する、下層がチタン、
中間層が白金、上層が金の三層配線電極である。
以上のように構成された化合物半導体装置のゲートメタ
ル層１２と三層配線電極１５の形成工程について説明す
る。
ル層１２と三層配線電極１５の形成工程について説明す
る。
同図（ａｌにおいて、ガリウムヒ素のｎ型活性層１１の
上に下層がチタン、上層がアルミニウムの二層ゲートメ
タル層１２を電子ビーム蒸着を用いて選択的に形成する
。同図（ｂ）において、二層ゲートメタル層１２および
ガリウムヒ素のｎ型活性層１１の上に保護膜として二酸
化シリコン層間絶縁膜１３を化学気相堆積法を用いて形
成する。同図（Ｃ）において、二酸化シリコン層間絶縁
膜１３の上に感光性フォトレジスト膜１４を塗布し選択
露光によってゲートメタル層１２の上方に開口部を形成
する。次に、フォトレジスト膜１４の開口部を用いて二
酸化シリコン層間絶縁膜１３を選択的にエツチングして
二層ゲートメタル層１２の上に開口部を形成する。同図
（ｃｌ＋において、電子ビーム蒸着を用いて下層がチタ
ン、中間層が白金、上層が金の三層配線電極１５を二層
ゲートメタル層１２の開口部およびフォトレジスト膜１
４の上に形成スる。そして同図ｔｅｌにおいて、フォト
レジスト膜１４を有機系の溶剤に溶かして同時にフォト
レジスト膜１４の上の三層配線電極１５を除去して、二
層ゲートメタル層１２の開口部のみに三層配線電極１５
を形成する。
上に下層がチタン、上層がアルミニウムの二層ゲートメ
タル層１２を電子ビーム蒸着を用いて選択的に形成する
。同図（ｂ）において、二層ゲートメタル層１２および
ガリウムヒ素のｎ型活性層１１の上に保護膜として二酸
化シリコン層間絶縁膜１３を化学気相堆積法を用いて形
成する。同図（Ｃ）において、二酸化シリコン層間絶縁
膜１３の上に感光性フォトレジスト膜１４を塗布し選択
露光によってゲートメタル層１２の上方に開口部を形成
する。次に、フォトレジスト膜１４の開口部を用いて二
酸化シリコン層間絶縁膜１３を選択的にエツチングして
二層ゲートメタル層１２の上に開口部を形成する。同図
（ｃｌ＋において、電子ビーム蒸着を用いて下層がチタ
ン、中間層が白金、上層が金の三層配線電極１５を二層
ゲートメタル層１２の開口部およびフォトレジスト膜１
４の上に形成スる。そして同図ｔｅｌにおいて、フォト
レジスト膜１４を有機系の溶剤に溶かして同時にフォト
レジスト膜１４の上の三層配線電極１５を除去して、二
層ゲートメタル層１２の開口部のみに三層配線電極１５
を形成する。
発明が解決しようとする課題
このような従来の半導体装置では、ゲートメタル層１２
の上層がアルミニウムで構成されているので、二酸化シ
リコン膜１３のエツチングによって開口部に二層ゲート
メタル層１２のアルミニウムが露出するため、アルミニ
ウムの表面に絶縁性の酸化アルミニウムが形成される。
の上層がアルミニウムで構成されているので、二酸化シ
リコン膜１３のエツチングによって開口部に二層ゲート
メタル層１２のアルミニウムが露出するため、アルミニ
ウムの表面に絶縁性の酸化アルミニウムが形成される。
そのため、二層ゲートメタル層１２の上に三層配線電極
１５を形ｔすると、前述の酸化アルミニウムと三層配線
電極１５の下層のチタンとが電気的な接触不良を生じ、
また物理的な結合力が低下して、ワイヤボンディングの
ときに両者の界面で剥れが生じゃすいといった課題を有
していた。
１５を形ｔすると、前述の酸化アルミニウムと三層配線
電極１５の下層のチタンとが電気的な接触不良を生じ、
また物理的な結合力が低下して、ワイヤボンディングの
ときに両者の界面で剥れが生じゃすいといった課題を有
していた。
本発明は上記課題を解決するもので、ゲートメタル層と
配線電極間の電気的、物理的接触の良好な半導体装置お
よびその製造方法を提供することを目的としている。
配線電極間の電気的、物理的接触の良好な半導体装置お
よびその製造方法を提供することを目的としている。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、半導体基板の層上
面上に形成されたチタンを最上層とする積層ゲートメタ
ル層と、その積層ゲートメタル層上部に形成された開口
部を有する層間絶縁膜と、前述の開口部の前述の積層ゲ
ートメタル層上に形成されたチタンを最下層とする積層
配線電極とを有する構成による。
面上に形成されたチタンを最上層とする積層ゲートメタ
ル層と、その積層ゲートメタル層上部に形成された開口
部を有する層間絶縁膜と、前述の開口部の前述の積層ゲ
ートメタル層上に形成されたチタンを最下層とする積層
配線電極とを有する構成による。
作用
本発明は上記した構成により、積層ゲートメタル層上の
最上層のチタンと積層配線電極の最下層のチタンが接触
することになるので、接触の電気的、物理的状態が向上
する。
最上層のチタンと積層配線電極の最下層のチタンが接触
することになるので、接触の電気的、物理的状態が向上
する。
実施例
以下、本発明の一実施例について第１図を参照しながら
第２図の従来例と同じ部分には同一番号を付して説明を
省略し、本発明の特徴となる部分について説明する。
第２図の従来例と同じ部分には同一番号を付して説明を
省略し、本発明の特徴となる部分について説明する。
すなわち本発明の特徴は、同図（ａ）に示すように、積
層ゲートメタル層１を、電子ビーム蒸着法により最下層
がチタン、中間層がアルミニウム、最上層がチタンの三
層構造としたことである。その他の構成、製造方法は第
２図の従来例と同じである。最終的に第１図（ｅ）に示
すような半導体装置が得られる。
層ゲートメタル層１を、電子ビーム蒸着法により最下層
がチタン、中間層がアルミニウム、最上層がチタンの三
層構造としたことである。その他の構成、製造方法は第
２図の従来例と同じである。最終的に第１図（ｅ）に示
すような半導体装置が得られる。
このように本実施例によれば、同図１ｃＩのように二酸
化シリコン膜１３のエツチングによって開口部に三層ゲ
ートメタル層１の最上層のチタンが露出する。チタンも
アルミニウムと同様に酸化物を形成するが酸化チタンは
導電性であるため、同図ｔｅｌのように三層配線電極１
５と良好な電気的接触をはかることができる。また三層
配線電極１５の下層が同じチタンであるから、異種のア
ルミニウムよりも物理的結合力の向上をはかることもで
きる。
化シリコン膜１３のエツチングによって開口部に三層ゲ
ートメタル層１の最上層のチタンが露出する。チタンも
アルミニウムと同様に酸化物を形成するが酸化チタンは
導電性であるため、同図ｔｅｌのように三層配線電極１
５と良好な電気的接触をはかることができる。また三層
配線電極１５の下層が同じチタンであるから、異種のア
ルミニウムよりも物理的結合力の向上をはかることもで
きる。
なお、実施例では、ガリウムヒ素のｎ型活性層を用いた
が、活性層はガリウムヒ素に限定されるものではなく、
半導体であれば何でもよい。例えばアルミニウムガリウ
ムヒ素などが考えられる。
が、活性層はガリウムヒ素に限定されるものではなく、
半導体であれば何でもよい。例えばアルミニウムガリウ
ムヒ素などが考えられる。
また層間絶縁膜は二酸化シリコン膜に限定されるもので
はなく、絶縁膜なら何でもよい。例えば窒化ンリコン膜
などが考えられる。
はなく、絶縁膜なら何でもよい。例えば窒化ンリコン膜
などが考えられる。
また積層ゲートメタル層１を三層構造としたが、最上層
がチタンであれば、三層以外でもよく、同様に配線電極
も最下層をチタンとすれば、三層以外でも可能である。
がチタンであれば、三層以外でもよく、同様に配線電極
も最下層をチタンとすれば、三層以外でも可能である。
発明の効果
以上の実施例から明らかなように本発明によれば、チタ
ンを最上層とするゲートメタル層とチタンを最下層とす
る積層配線電極を接触させているので、電気的接触およ
び物理的結合力の向上を図った半導体装置を提供できる
。
ンを最上層とするゲートメタル層とチタンを最下層とす
る積層配線電極を接触させているので、電気的接触およ
び物理的結合力の向上を図った半導体装置を提供できる
。
第１図（ａｌ〜（ｅ）は本発明の一実施例の半導体装置
の工程断面図、第２図（ａ）〜ｔｅｌは従来の半導体装
置の工程断面図である。 １・・・・・・積層ゲートメタル層、１１・・・・・・
半導体基板、１３・・・・・・層間絶縁膜、１５・・・
・・・積層配線電極。
の工程断面図、第２図（ａ）〜ｔｅｌは従来の半導体装
置の工程断面図である。 １・・・・・・積層ゲートメタル層、１１・・・・・・
半導体基板、１３・・・・・・層間絶縁膜、１５・・・
・・・積層配線電極。
Claims (2)
- （１）半導体基板の一主面上に形成されたチタンを最上
層とする積層ゲートメタル層と、その積層ゲートメタル
層上部に形成された開口部を有する層間絶縁膜と、前記
開口部の前記積層ゲートメタル層上に形成されたチタン
を最下層とする積層配線電極とを有する半導体装置。 - （２）半導体基板の一主面上にチタンを最上層とする積
層ゲートメタル層を形成する工程と、その積層ゲートメ
タル層上を覆って層間絶縁膜を形成する工程と、その層
間絶縁膜の前記積層ゲートメタル層上部に相当する部分
に開口部を形成する工程と、その開口部の前記積層ゲー
トメタル層上にチタンを最下層とする積層配線電極を形
成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9243290A JPH03290931A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9243290A JPH03290931A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03290931A true JPH03290931A (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=14054276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9243290A Pending JPH03290931A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03290931A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105070786A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-11-18 | 昆明物理研究所 | 一种抗高温氧化的读出电路引出电极及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128865A (en) * | 1979-03-27 | 1980-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor device |
| JPS6050944A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-22 | Seiko Epson Corp | 多層配線 |
| JPS60153149A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層配線の形成方法 |
-
1990
- 1990-04-06 JP JP9243290A patent/JPH03290931A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128865A (en) * | 1979-03-27 | 1980-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor device |
| JPS6050944A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-22 | Seiko Epson Corp | 多層配線 |
| JPS60153149A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層配線の形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105070786A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-11-18 | 昆明物理研究所 | 一种抗高温氧化的读出电路引出电极及其制备方法 |
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