JPH03293874A - 固体撮像デバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、インターライントランスファ方式の電荷結合
型固体撮像デバイスにおけるフィールド走査読出しの駆
動方法に関し、特に、各フィールド走査期間におけるデ
バイスの動特性を等しくするようにフィールド走査を行
う駆動方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、インターライントランスファ方式の電荷結合型固
体撮像デバイスは、第３図に示す構造のものがあった。

まず、第３図に基づいて構造を説明すると、このデバイ
スは半導体集積回路技術によって製造され、受光領域に
は、ＰＤＡとＰＤＢにて示す複数のフォトダイオードが
行方向（図中の横方向）及び列方向（図中の縦方向）に
沿ってマトリクス状に配列・形成されると共に、各列毎
に配列されるフォトダイオード群に隣接して垂直電荷転
送路！１〜ｊａｍが形成されている。

垂直電荷転送路１１〜１ｍの表面には、図中のＧｌ、Ｇ
２．Ｇ３．Ｇ４にて示すポリシリコン層から成るゲート
電極が積層され、例えば４相駆動方式に準じた駆動信号
φ□〜φｖ４が印加されることによって、垂直電荷転送
路！１〜！ｍ中にポテンシャル井戸（以下、ストレージ
エレメントという）とポテンシャル障壁を発生させて電
荷を転送させる。

尚、ゲート電極Ｇｌ、Ｇ４はフォトダイオードＰＤＡに
対向する位置にストレージエレメント又はポテンシャル
障壁を発生させるためにあり、ゲート電極Ｇ２．Ｇ３は
フォトダイオードＰＤＢに対向する位置に転送エレメン
ト又はポテンシャル障壁を発生させるために設けられて
いる。

又、各フォトダイオードＰＤＡとそれに隣接する垂直電
荷転送路のゲート電極Ｇｌ下の部分との間にトランスフ
アゲ−）Ｔｇｌ（図中では、符号Ｔｇｌで１か所だけ代
表して示す）が形成され、ゲート電極Ｇ１に所定電圧の
フィールドシフト信号が印加されるときにのみ導通状態
となる。又、各フォトダイオードＰＤＢとそれに隣接す
る垂直電荷転送路のゲート電極Ｇ３下の部分との間にト
ランスファゲートＴｇ２（図中では、符号Ｔｇ２で１か
所だけ代表して示す）が形成され、ゲート電極Ｇ３に所
定電圧のフィールドシフト信号が印加されるときにのみ
導通状態となる。

そして、奇数行に配列されるフォトダイ６オードＰＤＡ
に発生する画素信号が奇数フィールド、偶数行に配列さ
れるフォトダイオードＰＤＢに発生する画素信号が偶数
フィールドの画像に対応するものと定義されている。

更に、このように構成された受光領域の各垂直電荷転送
路！１〜２ｍの夫々の終端部に接続するように水平電荷
転送路ＨＣＣＤが形成され、水平電荷転送路ＨＣＣＤの
終端部に出力アンプＡＭＰが形成されている。

水平電荷転送路ＨＣＣＤは駆動信号φ□〜φｖ４に同期
した例えば２相駆動方式に準じた駆動信号φ□、φ８□
に同期して信号電荷を点）頃次に読み出す。

次に、かかる構造を有する電荷結合型固体撮像デバイス
の動作を第４図のタイミングチャートに基づいて説明す
る。

第４図において、期間ＴＡは奇数フィールドに該当する
画素信号を走査続出しするための奇数フィールド走査期
間、期間Ｔ□は偶数フィールドに該当する画素信号を走
査読出しするための偶数フィールド走査期間であり、夫
々の期間ＴＡ、Ｔ。

はＮＴＳＣ方式に準拠して１／６０秒に設定されている
。更に、期間Ｔｖｌｌが各フィールド走査期間の間に設
定された垂直ブランキング期間、期間ＴＨ！＋が水平ブ
ランキング期間である。

図中の時点ｔ０から期間ＴｖｌＯ間の垂直プランキング
期間中の所定時点１．において、ゲート電極Ｇｌに印加
する駆動信号φ９．に高電圧のフィールドシフト信号φ
１を重畳することによって全てのトランスファゲートＴ
ｇｌを導通状態にすることで、第５図中の時点も、に示
すポテンシャルプロフィールのように、フォトダイオー
ドＰＤＡの画素信号（（ＩＡとする）を垂直電荷転送路
！１〜１ｍのゲートＧ１下のストレージエレメントへ転
送する。

したがって、時点ｔ１以前の１／３０秒の間がフォトダ
イオードＰＤＡの露光期間であると同時に、時点１．か
ら開始する次の１／３０秒の期間（図中の時点ｔ１３ま
での期間）がフォトダイオードＰＤＡの次の露光期間と
なる。

次に、図中の時点ｔ２〜ｔ、の水平走査期間ＩＨにおい
て、垂直転送のための駆動信号φ９．〜φ１．を所定の
電圧レベルに固定した状態で、水平電荷転送路ＨＣＣＤ
が駆動信号φ旧、φＨ２に同期して水平電荷転送を行う
ことにより、１水平ライン分の画素信号を点順次に読み
出す。尚、この水平走査期間中の垂直電荷転送路！１〜
１ｍのポテンシャルプロフィールは、第５図中の時点ｔ
２〜ｔ、に示すように所定状態に固定される。

次に、時点ｔ３〜Ｌ４の水平ブランキング期間Ｔ□にお
いて、駆動信号φｖｌ〜φ□が４相駆動力式に準じて変
化することにより、垂直電荷転送路！１〜１ｍが画素信
号を全体的に１水平ライン分だけ水平電荷転送路ＨＣＣ
Ｄ側へ転送することで、次の１水平ライン分の画素信号
を水平電荷転送路ＨＣＣＤへ転送する。

そして、次の時点ｔ４〜ｔ、の水平走査期間ＩＨにおい
て、垂直転送のための駆動信号φ□〜φｖ４を所定の電
圧レベルに固定した状態で、水平電荷転送路ＨＣＣＤが
駆動信号φ９１．φＨ２に同期して水平電荷転送を行う
ことにより、次の１水平ライン分の画素信号を点順次に
読み出す。尚、この時点ｔ４〜ｔ５の水平走査期間中の
垂直電荷転送路１１〜１ｍのポテンシャルプロフィール
は、第５図中の時点ｔ４〜ｔ、に示すように所定状態に
固定される。

そして、上記時点ｔ３〜ｔ、にて代表する動作を、奇数
フィールドに該当する全ての画素信号が読み出されるま
で繰り返す。

奇数フィールドの走査読出しが完了（図中の時点Ｌ６て
完了したものとする）すると、次の垂直ブランキング期
間ＴＶＢの所定時点も、から偶数フィールド走査読出し
を開始する。

即ち、第４図中の所定時点ｔ、において、ゲート電極Ｇ
３に印加する駆動信号φ９．に高電圧のフィールドシフ
ト信号φ、を重畳することによって全てのトランスファ
ゲートＴｇ２を導通状態にすることで、第５図中の時点
ｔ、に示すポテンシャルプロフィールのように、フォト
ダイオードＰＤＢの画素信号（ｑａとする）を垂直電荷
転送路ｉ１〜！ｍのゲートＧ４下のストレージエレメン
トへ転送する。

従って、第４図中の時点Ｌ７以前の１／３０秒の間がフ
ォトダイオードＰＤＢの露光期間であると同時に、時点
ｔ、から開始する次の１／３０秒の期間がフォトダイオ
ードＰＤＢの次の露光期間となる。

次に、時点ｔ２〜１．で示したのと同様の処理を偶数フ
ィールド走査読出しの期間においても行うことにより、
偶数フィールドに該当する全ての画素信号ｑ、を読み出
す。尚、水平電荷転送路ＨＣＣＤが水平電荷転送動作を
行っているときは、例えば第５図中の時点ｔ６〜ｔ、や
時点ｔｌｌｌｌ〜ｔｌ＋に示すポテンシャルプロフィー
ルのように、垂直電荷転送路Ｉ！、Ｌ−１ｍは所定状態
で停止する。

そして、このような２回のフィールド走査読出しによっ
て１フレ一ム分の画素信号を得ることができ、例えば、
このような駆動方式による固体撮像デバイスを電子スチ
ルカメラの撮像部に通用する場合は、第４図に示す２回
のフィールド走査読出しで１フレームの静止画を撮像す
ることができ、又、電子ムービーカメラの撮像部に適用
する場合は、複数回にわたって連続的にフィールド走査
読出しを繰り返すことで、動画を撮像することができる
。

〔発明が解決しようとする課題〕

このような固体撮像デバイスの駆動方法にあっては、第
４図のタイミングチャート及び第５図のポテンシャルプ
ロフィールに示すように、水平走査期間ＩＨにおいて垂
直電荷転送路！１〜１ｍの転送動作を停止するときは、
奇数及び偶数フィールドのいずれのフィールド走査読出
し期間であっても、常にゲート電極Ｇｌ及びＧ４下のス
トレージエレメントに画素信号を保持し、ゲート電極Ｇ
２及びＧ３下をポテンシャル障壁としている。

このように、各フィールド走査読出しの全ての水平走査
期間でストレージエレメントとポテンシャル障壁を固定
化することで、次のような問題を招来していた。

まず第１に、奇数フィールドに該当するフォトダイオー
ドＰＤＡと偶数フィールドに該当するフォトダイオード
ＰＤＨに対して、設計時のレイアウトや製造時の製造条
件を等しくしても、従来の駆動方法によるフィールド走
査読出しを行うと、フォトダイオードＰＤＡの飽和電荷
量とフォトダイオードＰＤＢの飽和電荷量が相違すると
いう問題を生じる。

即ち、垂直電荷転送路のストレージエレメントの部分は
、第６図中の点線Ｐ１に示すように、ゲート表面のシリ
コン酸化膜（ＳｊＯ□）とｐウェル層の間の転送路の埋
込みチャネルの電位ψが高くなり、垂直電荷転送路のポ
テンシャル障壁の部分は、第６図中の実線Ｐ２に示すよ
うに、転送路の埋込みチャネルの電位ψが低くなる。そ
して、点線Ｐ１と実線Ｐ２から明らかなように、ストレ
ージエレメントが生じた場合には、ポテンシャル障壁の
場合よりもｐウェル層の一部分の電位が上昇することと
なる。

一方、画素に相当するフォトダイオードは例えばｎ型半
導体基板中に埋設されるｐウェル層の上面部にｎ゛型不
純物層を埋設することによって形成され、露光によって
フォトダイオードに集積する電荷が所定量に達する時は
、ｎ゛型不純物層とｐウェル層及びｎ型半導体基板によ
るｎ−ｐ−ｎのトランジスタ構造のｐウェル層部分が順
バイアス状態となり、飽和電荷をｎ型半導体基板へ排出
する。

そして、このような垂直電荷転送路の特性と上記ｎ−ｐ
−１の所謂ＶＯＤ構造の特性に鑑みて、夫々の相互作用
を調べると、隣にストレージエレメントが発生した場合
のフォトダイオードの下のｐウェル層の電位ψは、第６
図の点線Ｐ１に示す関係に基づいて、第７図の点線Ｐ１
で示したように上昇することとなるので、上記ＶＯＤ構
造は順バイアス状態になり易い状態となり、一方、隣に
ポテンシャル障壁が発生した場合のフォトダイオードの
下のｐウェル層の電位ψは、第７図の実線Ｐ２で示した
ように下がることとなるので、上記ＶＯＤ構造は順バイ
アス状態になり難い状態となる。

したがって、同一形状のフォトダイオードであっても、
垂直電荷転送路にストレージ、エレメントが生じている
場合と、ポテンシャル障壁が生じている場合とでは、集
積し得る最大電荷量に差が出、ることとなり、ダイナミ
ックレンジの変動などを引き起こすこととなる。

そして、このような関係において、第４図及び第５図に
示した従来の駆動方法を適用すると、垂直電荷転送路１
１〜１ｍが水平走査期間ＩＨで停止するときは、常にゲ
ート電極Ｇ１と０４下にストレージエレメントを発生さ
せると同時に、ゲート電極Ｇ２とＧ３下にポテンシャル
障壁を発生させるので、奇数フィールドに該当するフォ
トダイオードＰＤＡの電位分布は第７図の点線Ｐ１の状
態となり、偶数フィールドに該当するフォトダイオード
ＰＤＢの電位分布は第７図の実線Ｐ２の状態となり、フ
ォトダイオ−）”　Ｐ　Ｄ　Ａの最大飽和電荷量とフォ
トダイオードＰＤＢの最大飽和電荷量は相違することと
なる。したがって、フィールド走査読出しによって得ら
れた画素信号の輝度が夫々のフィールド間で差を生じる
こととなるので、画像を再生すると、フィールドフリッ
カ等の画質低下を招来することとなる。

第２の問題点は、垂直電荷転送路で画素信号を転送する
際に、画素信号に混入するスメア成分の量がフィールド
毎に相違することに起因して、再生画像にフィールドフ
リッカを生じる点にある。

即ち、スメア成分である不要電子は最も高電位の領域へ
移動する特性を有するので、ストレージエレメントの方
がポテンシャル障壁よりもスメア成分が混入するという
特性がある。

又、フォトダイオードの境界電位ψは露光によって画素
信号が増加するのに伴って、第８図の点線Ｐ３に示すよ
うに低下し、逆に、画素信号が少ないと同図中の実線Ｐ
４に示すように電位ψは上昇する。

このような条件において、第４図に示すタイミングの従
来のフィールド走査読出し方法を適用すると、奇数フィ
ールドに該当する画素信号ｑＡは、第４図の時点ｔ、で
フィールドシフトを行ってから１／６０秒の期間ＴＡで
走査読出しを行うと共に、水平走査期間ＩＨにおいて垂
直電荷転送路のストレージエレメントは常に奇数フィー
ルドに該当するフォトダイオードＰＤＡの隣に発生する
こととなる。一方、偶数フィールドに該当する画素信号
ｑ、は、第４図の時点む、でフィールドシフトを行って
から１／６０秒の期間Ｔ、で走査読出しを行うと共に、
水平走査期間ＩＨにおいて垂直電荷転送路のストレージ
エレメントは常に奇数フィールドに該当するフォトダイ
オードＰＤＡの隣に発生することとなる。

更に、奇数フィールドに該当するフォトダイオードＰＤ
Ａの露光は、時点ｔ、から開始して、ＴＡ　＋Ｔｌ＋の
１／３０秒の期間継続して行われるので、時点ｔ、の直
後はフォトダイオードＰＤＡに集積される画素信号量は
極めて少なく、時間の経過と共に増加することとなる。

したがって、奇数フィールドの走査読出し期間ＴＡにお
いてフォトダイオードＰＤＡに集積する画素信号の電荷
量と、偶数フィールドの走査読出し期間Ｔ８での画素信
号の電荷量と比較すると、明らかに期間Ｔｍでの画素信
号の電荷量の方が多くなる。

この結果、奇数フィールド走査読出しのときは、第８図
の実線Ｐ４に示す関係から、フォトダイオードＰＤＡの
電位が高くなるのでストレージエレメントへ混入するス
メア成分が比較的少なくなり、偶数フィールド走査読出
しのときは、第８図の点線Ｐ３に示す関係から、フォト
ダイオードＰＤＡＯｔ位が高くなるのでストレージエレ
メントへ混入するスメア成分が比較的多くなる。そして
、このフィールド走査読出しで得られた画素信号に基づ
いて画像を再生すると、各フィールドのスメア成分の混
入比の差からフィールドフリッカを生しることとなる。

本発明はこのような課題に鑑みて成されたものであり、
フィールド走査読出しの際に垂直電荷転送路及びフォト
ダイオードの動特性を均一化することで、フィールドフ
リッカの発生を減少させることを目的とする。

［課題を解決するための手段］ このような目的を達成するために本発明は、画素に相当
する複数の光電変換素子を行方向と列方向に沿ってマト
リクス状に形成すると共に、各列方向に並ふ光電変換素
子群に隣接して垂直電荷転送路を形成して成る受光領域
を有し、奇数行に位置する上記光電変換素子群を第１の
フィールド、偶数行に位置する上記光電変換素子群を第
２のフィールドに該当するものと定義してフィールド走
査続出しを行うインターライントランスファ方式の電荷
結合型固体撮像デバイスにおいて、上記第１のフィール
ド走査続出し期間の各水平走査期間中には、垂直電荷転
送路の奇数行に位置する光電変換素子に対向する位置に
ストレージエレメント、偶数行に位置する光電変換素子
に対向する位置にポテンシャル障壁を発生させ、第２の
フィールド走査読出し期間の各水平走査期間中には、垂
直電荷転送路の偶数行に位置する光電変換素子に対向す
る位置にストレージエレメント、奇数行に位置する光電
変換素子に対向する位置にポテンシャル障壁を発生させ
るように、垂直電荷転送路を駆動させることとした。

又、上記のインターライントランスファ方式の電荷結合
型固体撮像デバイスにおいて、上記第１のフィールド走
査読出し期間の各水平走査期間中には、垂直電荷転送路
の偶数行に位置する光電変換素子に対向する位置にスト
レージエレメント、奇数行に位置する光電変換素子に対
向する位置にポテンシャル障壁を発生させ、第２のフィ
ールド走査続出し期間の各水平走査期間中には、垂直電
荷転送路の奇数行に位置する光電変換素子に対向する位
置にストレージエレメント、偶数行に位置する光電変換
素子に対向する位置にポテンシャル障壁を発生させるよ
うに、垂直電荷転送路を駆動させるようにしてもよい。

〔作用〕

このような駆動方式によれば、夫々のフィールド走査期
間中の水平走査期間において、垂直電荷転送路のストレ
ージエレメントに混入するスメア成分と光電変換素子の
最大飽和電荷量がほぼ均一となるので、従来のようなフ
ィールドフリッカの発生を大幅に低減することができる
。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図に基づいて
説明する。尚、インターライントランスファ方式の電荷
結合型固体撮像デバイスは第３図と同様の構造を有し、
垂直電荷転送路１１〜１ｍの駆動信号φｖ１〜φ□は４
相駆動力式に準拠し、水平電荷転送路ＨＣＣＤの駆動信
号φ１．φ、、は２相駆動力式に準拠するものとする。

まず、第１図に基づいて走査読出し動作を説明する。尚
、第１図において、期間ＴＡは奇数フィールドに該当す
る画素信号を走査読出しするための奇数フィールド走査
期間、期間Ｔ、は偶数フィールドに該当する画素信号を
走査読出しするための偶数フィールド走査期間であり、
夫々の期間Ｔａ、ＴｓはＮＴＳＣ方式に準拠して１／６
０秒に設定されている。更に、期間ＴＶ、が各フィール
ド走査期間の間に設定された垂直ブランキング期間、期
間ＴＨＩが水平ブランキング期間である。

図中の時点ｔ０から期間ＴＶ、ｌの間の垂直ブランキン
グ期間中の所定時点１．において、ゲート電極Ｇ１に印
加する駆動信号φ□に高電圧のフィールドシフト信号φ
、を重畳することによって全てのトランスファゲートＴ
ｇｌを導通状態にすることで、第２図中の時点ｔ、に示
すポテンシャルプロフィールのように、フォトダイオー
ドＰＤＡの画素信号（ｑＡとする）を垂直電荷転送路！
１〜１ｍのゲートＧｌ下のストレージエレメントへ転送
する。

したがって、時点ｔ、以前の１／３０秒の間がフォトダ
イオードＰＤＡの露光期間であると同時に、時点ｔ、か
ら開始する次の１／３０秒の期間（図中の時点ｔ１３ま
での期間）がフォトダイオードＰＤＡの次の露光期間と
なる。

次に、図中の時点ｔ２〜ｔ、の水平走査期間ＩＨにおい
て、垂直転送のための駆動信号φ□〜φｖ４を所定の電
圧レベルに固定した状態で、水平電荷転送路ＨＣＣＤが
駆動信号φ□、φ８２に同期して水平電荷転送を行うこ
とにより、ｌ水平５４２分の画素信号を点順次に読み出
す。尚、この水平走査期間中の垂直電荷転送路１１〜１
ｍのポテンシャルプロフィールは、第２図中の時点ｔ２
〜ｔ、に示すように所定状態に固定される。即ち、駆動
信号はφ□＝φｖｍ＝）（、φＶ□＝φ１．＝Ｌに設定
される。

次に、時点ｔ３〜ｔ４の水平ブランキング期間Ｔ□にお
いて、駆動信号φ９．〜φ、４が４相駆動力式に準じて
変化することにより、垂直電荷転送路１１〜１ｍが画素
信号を全体的に１水平ライン分だけ水平電荷転送路ＨＣ
ＣＤ側へ転送することで、次の１水平ライン分の画素信
号を水平電荷転送路ＨＣＣＤへ転送する。

そして、次の時点ｔ、〜ｔ、の水平走査期間ＩＨにおい
て、垂直転送のための駆動信号φ９．〜φｖ４を先の時
点も２〜も、の間と同様の所定電圧レベルに固定した状
態で、水平電荷転送路ＨＣＣＤが駆動信号φ□、φＨ２
に同期して水平電荷転送を行うことにより、次の１水平
ライン分の画素信号を点順次に読み出す。尚、この時点
も、〜Ｌ５の水平走査期間中の垂直電荷転送路ｐ］〜＝
ｊ２ｍのポテンシャルプロフィールは、第２図中の時点
ｔ、〜ｔ、に示すように所定状態に固定される。

そして、上記時点ｔ３〜ｔ５にて代表する動作を、奇数
フィールドに該当する全ての画素信号が読み出されるま
で繰り返す。

奇数フィールドの走査読出しが完了（図中の時点も、で
完了したものとする）すると、次の垂直ブランキング期
間Ｔｖｍの所定時点ｔ　７から偶数フィールド走査読出
しを開始する。

即ち、第１図中の所定時点ｔ、Ｔにおいて、ゲート電極
Ｇ３に印加する駆動信号φｖ３に高電圧のフィールドシ
フト信号φ、を重畳することによって全てのトランスフ
ァゲートＴｇ２を導通状態にすることで、第２図中の時
点ｔ、に示すポテンシャルプロフィールのように、フォ
トダイオードＰＤＢの画素信号（ｑｍとする）を垂直電
荷転送路１１〜１ｍのゲートＧ４下のストレージエレメ
ントへ転送する。

従って、第１図中の時点ｔ７以前の１／３ｏ秒の間がフ
ォトダイオードＰＤＢの露光期間であると同時に、時点
ｔ、から開始する次の１／３ｏ秒の期間がフォトダイオ
ードＰＤＢの次の露光期間となる。

次に、時点も２〜ｔ６で示したのと同様の処理を偶数フ
ィールド走査続出しの期間においても行・うことにより
、偶数フィールドに該当する全ての画素信号ｑ８を読み
出す。尚、水平電荷転送路ＨＣＣＤが水平電荷転送動作
を行っているときは、例えば第２図中の時点ｕｓ””ｔ
ｑや時点ｔ、。〜ｔｌ＋に示すポテンシャルプロフィー
ルのように、垂直電荷転送路ρ工〜ｆｍは所定状態で停
止する。

そして、このような２回のフィールド走査読出しによっ
て１フレ一ム分の画素信号を得ることができ、例えば、
このような駆動方式による固体撮像デバイスを電子スチ
ルカメラの撮像部に適用する場合は、第１図に示す２回
のフィールド走査読出しで１フレームの静止画を撮像す
ることができ、又、電子ムービーカメラの撮像部に適用
する場合は、複数回にわたって連続的にフィールド走査
読出しを繰り返すことで、動画を撮像することができる
。

この実施例のように、各水平走査期間ＩＨにおける駆動
信号φ９．とφ９．の組の電圧レベルと、φｖ２とφｖ
３の組の電圧レベルを、奇数フィールド走査期間ＴＡの
ときと偶数フィールド走査期間Ｔ、の場合では逆にＬ７
ているので、垂直電荷転送路に発生するストレージエレ
メントの位置が、夫々のフィールド走査期間でずれるこ
ととなる。この結果、スト１ノ−ジエレメントによるフ
ォトダイオードへの影響が各フィールド走査期間で均一
になり、更に、フォトダイオードによるストレージエレ
メントへの影響も各フィールド走査期間で均一になる。

したがって、各フィールドのフォトダイオードの最大飽
和電荷量は均一となると共に、各フィールド走査期間で
画素信号に混入するスメア成分も均一となるので、再生
画像のフィールドフリッカの発生を大幅に低減すること
が出来る。

尚、第１図のタイミングチャートでは、奇数フィールド
走査期間Ｔ、の水平走査期間ＩＨ中は駆動信号φｖ１と
φｖ４を“Ｈ”′　φ９□とφｖ３を“Ｌ”とし、偶数
フィールド走査期間Ｔ８の水平走査期間ＩＨ中Ｊよ駆動
信号φ９．とφｖ４を°゛Ｌ”、φ９□とφｖ３を“′
Ｈ゛としたが、これとは逆に、奇数フィールド走査期間
ＴＡの水平走査期間ＩＨ中は駆動信号φｖ１とφｖ４を
’　Ｌ　”　、φＶＺとφｖ１を“Ｈ”とし、偶数フィ
ールド走査期間Ｔｌｌの水平走査期間ＩＨ中は駆動信号
φｖ１とφ、４を′Ｈ“、φ９□とφ９．を“Ｌパとし
てもよい。

〔発明の効果］ 以」二説明したように本発明の駆動方法によれば、夫々
のフィールド走査期間中の水平走査期間において、垂直
電荷転送路のストレージエレメントに混入するスメア成
分と光電変換素子の最大飽和電荷量がほぼ均一となるの
で、従来のようなフィールドフリッカの発生を大幅に低
減することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の駆動タイミングを示すタイミングチャ
ート、 第２図は第１図の適宜の時点に対応して示す垂直電荷転
送路のポテンシャルプロフィール、第３図はインターラ
イントランスファ方式の電荷結合型の固体撮像デバイス
の構造を示す説明図、第４図は従来の駆動タイミングを
示すタイミングチヤード、 第５図は第４図の適宜の時点に対応して示す垂直電荷転
送路のポテンシャルプロフィール、第６図、第７図及び
第８図は従来の問題点を説明するための説明図である。 図中の符号： ＰＤＡ、ＰＤＢ；フォトダイオード Ｇ１．、Ｇ２．Ｇ３．Ｇ４　；ゲート電極！１〜！ｍ；
垂直電荷転送路 ＨＣＣＤ　、水平電荷転送路 Ｔｇｌ、７ｇ２　ｉ　）ランスファゲートＡＭＰ、出力
アンプ 第 図 第 ５ 図 第 図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）画素に相当する複数の光電変換素子を行方向と列
   方向に沿ってマトリクス状に形成すると共に、各列方向
   に並ぶ光電変換素子群に隣接して垂直電荷転送路を形成
   して成る受光領域を有し、奇数行に位置する上記光電変
   換素子群を第１のフィールド、偶数行に位置する上記光
   電変換素子群を第２のフィールドに該当するものと定義
   してフィールド走査読出しを行うインターライントラン
   スファ方式の電荷結合型の固体撮像デバイスにおいて、
   前記第１のフィールド走査読出し期間の各水平走査期間
   中には、垂直電荷転送路の奇数行に位置する光電変換素
   子に対向する位置にストレージエレメント、偶数行に位
   置する光電変換素子に対向する位置にポテンシャル障壁
   を発生させ、第２のフィールド走査読出し期間の各水平
   走査期間中には、垂直電荷転送路の偶数行に位置する光
   電変換素子に対向する位置にストレージエレメント、奇
   数行に位置する光電変換素子に対向する位置にポテンシ
   ャル障壁を発生させるように、垂直電荷転送路を駆動さ
   せることを特徴とする固定撮像デバイス。
2. （２）画素に相当する複数の光電変換素子を行方向と列
   方向に沿ってマトリクス状に形成すると共に、各列方向
   に並ぶ光電変換素子群に隣接して垂直電荷転送路を形成
   して成る受光領域を有し、奇数行に位置する上記光電変
   換素子群を第１のフィールド、偶数行に位置する上記光
   電変換素子群を第２のフィールドに該当するものと定義
   してフィールド走査読出しを行うインターライントラン
   スファ方式の電荷結合型の固体撮像デバイスにおいて、
   前記第１のフィールド走査読出し期間の各水平走査期間
   中には、垂直電荷転送路の偶数行に位置する光電変換素
   子に対向する位置にストレージエレメント、奇数行に位
   置する光電変換素子に対向する位置にポテンシャル障壁
   を発生させ、第２のフィールド走査読出し期間の各水平
   走査期間中には、垂直電荷転送路の奇数行に位置する光
   電変換素子に対向する位置にストレージエレメント、偶
   数行に位置する光電変換素子に対向する位置にポテンシ
   ャル障壁を発生させるように、垂直電荷転送路を駆動す
   ることを特徴とする固体撮像デバイス。