JPH03295280A - 発光素子およびその製造方法と発光素子を用いたｌｅｄアレイおよびそのｌｅｄアレイを用いたｌｅｄプリンタ - Google Patents
発光素子およびその製造方法と発光素子を用いたｌｅｄアレイおよびそのｌｅｄアレイを用いたｌｅｄプリンタInfo
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- JPH03295280A JPH03295280A JP2097978A JP9797890A JPH03295280A JP H03295280 A JPH03295280 A JP H03295280A JP 2097978 A JP2097978 A JP 2097978A JP 9797890 A JP9797890 A JP 9797890A JP H03295280 A JPH03295280 A JP H03295280A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、化合物半導体を用いた発光素子およびその製
造方法と発光素子を用いたＬ Ｅ Ｄ （ＬｉｇｈｔＥ
ｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）アレイおよびそのＬＥＤ
アレイを用いたＬＥＤプリンタに関する。
造方法と発光素子を用いたＬ Ｅ Ｄ （ＬｉｇｈｔＥ
ｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）アレイおよびそのＬＥＤ
アレイを用いたＬＥＤプリンタに関する。
従来の技術
近年、■−ｖ化合物半導体を用いた発光素子が一般に普
及し始めている。以下、その構成について、第７図〜第
９図を参照しながら説明する。第７図に示すように、ｎ
形またはＰ形の化合物半導体基板４１上に形成されたｎ
形またはｎ形の化合物導体層４２、さらにその上面に形
成されたＰ形またはｎ形の化合物半導体層４３およびｐ
またはｎ側電極４４とｎまたはｐ側電極４５より構成さ
れており、電極４４と４５の間に電圧を加えることによ
り、化合物半導体層４２と４３間のｐ−ｎ接合部が発光
し、化合物半導体層４３を透過して照明を行っていた。
及し始めている。以下、その構成について、第７図〜第
９図を参照しながら説明する。第７図に示すように、ｎ
形またはＰ形の化合物半導体基板４１上に形成されたｎ
形またはｎ形の化合物導体層４２、さらにその上面に形
成されたＰ形またはｎ形の化合物半導体層４３およびｐ
またはｎ側電極４４とｎまたはｐ側電極４５より構成さ
れており、電極４４と４５の間に電圧を加えることによ
り、化合物半導体層４２と４３間のｐ−ｎ接合部が発光
し、化合物半導体層４３を透過して照明を行っていた。
第８図は第７図の発光素子を用いたＬＥＤプリンタヘッ
ドで、図に示すように回路導体層をその表面に設けた基
板５１上に、一定のピッチで発光領域５２を有するＬＥ
Ｄアレイチップ５３を金属ペーストにより一直線上に精
度良く配列し、さらに金属細線５４によりワイヤボンド
で実装し、第９図に示すように封止ガラス５５で封止し
てＬＥＤプリンタヘッド５６を作製し、このＬＥＤプリ
ンタヘッド５６と原稿５７の間に集束性ロンドレンズア
レイ５８を規定の距離をとって配置してＬＥＤプリンタ
を構成していた。
ドで、図に示すように回路導体層をその表面に設けた基
板５１上に、一定のピッチで発光領域５２を有するＬＥ
Ｄアレイチップ５３を金属ペーストにより一直線上に精
度良く配列し、さらに金属細線５４によりワイヤボンド
で実装し、第９図に示すように封止ガラス５５で封止し
てＬＥＤプリンタヘッド５６を作製し、このＬＥＤプリ
ンタヘッド５６と原稿５７の間に集束性ロンドレンズア
レイ５８を規定の距離をとって配置してＬＥＤプリンタ
を構成していた。
発明が解決しようとする課題
このような従来の発光素子では、ｐ側およびｎ側の電極
が上面と下面の別々の面に位置しており、実装の際にグ
イボンドやワイヤボンドなど複雑な工程を要していた。
が上面と下面の別々の面に位置しており、実装の際にグ
イボンドやワイヤボンドなど複雑な工程を要していた。
さらに、このような発光素子を用いた従来のＬＥＤプリ
ンタでは、ＬＥＤプリンタヘッド、集束性ロッドレンズ
アレイおよび原稿を所定の位置に調整して組立てる複雑
な工程を要し、コンパクト性にも欠けていた。
ンタでは、ＬＥＤプリンタヘッド、集束性ロッドレンズ
アレイおよび原稿を所定の位置に調整して組立てる複雑
な工程を要し、コンパクト性にも欠けていた。
本発明は上記課題を解決するもので実装を簡略化し、光
学的調整不要でコンパクト化可能な発光素子とその製造
方法およびその発光素子を用いたＬＥＤアレイおよびそ
のＬＥＤアレイを用いたＬＥＤプリンタを提供すること
を目的としている。
学的調整不要でコンパクト化可能な発光素子とその製造
方法およびその発光素子を用いたＬＥＤアレイおよびそ
のＬＥＤアレイを用いたＬＥＤプリンタを提供すること
を目的としている。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、一導電型の化合物
半導体基板上に形成されたその化合物半導体基板と同じ
導電型の化合物半導体層と、その化合物半導体層の所定
領域に形成されたその化合物半導体層と逆の導電型の発
光領域となる不純物拡散層と、その不純物拡散層上の所
定領域に形成された取出し電極と、化合物半導体層上の
所定領域に形成された取出し電極とで発光素子を構成し
たものである。
半導体基板上に形成されたその化合物半導体基板と同じ
導電型の化合物半導体層と、その化合物半導体層の所定
領域に形成されたその化合物半導体層と逆の導電型の発
光領域となる不純物拡散層と、その不純物拡散層上の所
定領域に形成された取出し電極と、化合物半導体層上の
所定領域に形成された取出し電極とで発光素子を構成し
たものである。
作用
上記本発明によれば、発光素子においてＰ側およびｎ側
両を極が同一平面（発光面）上にあるので、実装基板へ
実装の際、−度に実装基板の回路導体層の所定の位置に
フリップチップ実装方式等で直接実装が可能となり、高
密度実装および実装工程の簡略化、短時間化が可能とな
る。また、ＬＥＤプリンタにおいては、回路導体層およ
びレンズ系（ファイバアレイ、マイクロレンズ、導波路
等）を有する基板または回路導体層を有する充分薄い透
明フィルムにＬＥＤアレイ素子を所定の位置にフリップ
チップ実装することにより構成し、基板やフィルムに原
稿を密着させて、発光素子と原稿を１対１の対応で結ぶ
ことにより、高解像度で書き込みが可能で、しかも装置
自体のコンパクト化が実現できるものである。
両を極が同一平面（発光面）上にあるので、実装基板へ
実装の際、−度に実装基板の回路導体層の所定の位置に
フリップチップ実装方式等で直接実装が可能となり、高
密度実装および実装工程の簡略化、短時間化が可能とな
る。また、ＬＥＤプリンタにおいては、回路導体層およ
びレンズ系（ファイバアレイ、マイクロレンズ、導波路
等）を有する基板または回路導体層を有する充分薄い透
明フィルムにＬＥＤアレイ素子を所定の位置にフリップ
チップ実装することにより構成し、基板やフィルムに原
稿を密着させて、発光素子と原稿を１対１の対応で結ぶ
ことにより、高解像度で書き込みが可能で、しかも装置
自体のコンパクト化が実現できるものである。
実施例
以下、本発明の第１の実施例を第１図ａ、ｂを参照しな
がら説明する。
がら説明する。
同図において、１はＰ形ＧａＡｌＡｓ基板等からなる一
導電型の化合物半導体基板、２はその一導電型の化合物
半導体基板１に形成されたｐ形ＧａＡｌＡｓエピタキシ
ャル層（以下エビ層と略す）からなる一導電型の化合物
半導体基板１と同じ導電型の化合物半導体層、３はその
化合物半導体層２内の所定領域に形成されたｎ形拡散層
からなる化合物半導体層２と逆の導電型の発光領域とな
る不純物拡散層、４はその不純物拡散層３上の所定領域
に形成された取出し電極、５は化合物半導体層２上の所
定領域に形成された取出し電極である。
導電型の化合物半導体基板、２はその一導電型の化合物
半導体基板１に形成されたｐ形ＧａＡｌＡｓエピタキシ
ャル層（以下エビ層と略す）からなる一導電型の化合物
半導体基板１と同じ導電型の化合物半導体層、３はその
化合物半導体層２内の所定領域に形成されたｎ形拡散層
からなる化合物半導体層２と逆の導電型の発光領域とな
る不純物拡散層、４はその不純物拡散層３上の所定領域
に形成された取出し電極、５は化合物半導体層２上の所
定領域に形成された取出し電極である。
以上のように構成された発光素子の製造方法および動作
原理について説明する。
原理について説明する。
まず、水平ブリッジマン法やグレイデイエンドフリージ
ー（Ｇｒａｄｉｅｎｔ Ｆｒｅｅｚｅ）法等を用い、直
径約１．５〜２．０インチφのｐ形ＧａＡｌＡｓ単結晶
を作製する。この時用いるアクセプタ不純物としては、
Ｚｎ （亜鉛）を採用する。この単結晶を厚さ約０．２
閣にスライスしてｐ形ＧａＡｌＡｓ基板等からなる一導
電型の化合物半導体基板ｌを作製する０次に液相エピタ
キシャル成長技術により先に作製した一導電型の化合物
半導体基板１上にＰ形ＧａＡｌＡｓエピ層からなる一導
電型の化合物半導体基板１と同じ導電型の化合物半導体
層２を厚さ約０．１５閣程度形成する。この時のアクセ
プタ不純物もＺｎを採用する。
ー（Ｇｒａｄｉｅｎｔ Ｆｒｅｅｚｅ）法等を用い、直
径約１．５〜２．０インチφのｐ形ＧａＡｌＡｓ単結晶
を作製する。この時用いるアクセプタ不純物としては、
Ｚｎ （亜鉛）を採用する。この単結晶を厚さ約０．２
閣にスライスしてｐ形ＧａＡｌＡｓ基板等からなる一導
電型の化合物半導体基板ｌを作製する０次に液相エピタ
キシャル成長技術により先に作製した一導電型の化合物
半導体基板１上にＰ形ＧａＡｌＡｓエピ層からなる一導
電型の化合物半導体基板１と同じ導電型の化合物半導体
層２を厚さ約０．１５閣程度形成する。この時のアクセ
プタ不純物もＺｎを採用する。
さらにこの化合物半導体層２上に、拡散マスクとしてＣ
ＶＤ法またはスパッタ法によりＡＩｔｏ３、Ｓｉ３Ｎ４
、リンガラス等の絶縁物薄膜を形成し、所定の位置に窓
を開け、ｎ形不純物拡散層３を深さ約５０μｍで形成す
る。この時の拡散源としてはＴｅ （テルル）を用いる
。
ＶＤ法またはスパッタ法によりＡＩｔｏ３、Ｓｉ３Ｎ４
、リンガラス等の絶縁物薄膜を形成し、所定の位置に窓
を開け、ｎ形不純物拡散層３を深さ約５０μｍで形成す
る。この時の拡散源としてはＴｅ （テルル）を用いる
。
次に、蒸着およびホトエツチングの技術により化合物半
導体層２上にｎ側の取出し電極５と、ｎ形不純物拡散層
３上にｎ側の取出し電極４を形成する。電極材料として
は、Ｐ側の取出し電極５には、Ａｕ （金）とＢｅ （
ベリリウム）との合金、ｎ側の取出し電極４には、Ａｕ
とＳｉ （ソリコン）との合金をそれぞれ用いた。
導体層２上にｎ側の取出し電極５と、ｎ形不純物拡散層
３上にｎ側の取出し電極４を形成する。電極材料として
は、Ｐ側の取出し電極５には、Ａｕ （金）とＢｅ （
ベリリウム）との合金、ｎ側の取出し電極４には、Ａｕ
とＳｉ （ソリコン）との合金をそれぞれ用いた。
このようにして作製された発光素子は、両電極間に電圧
をかけることにより、ｎ形の化合物半導体１ｉ２とｎ形
の不純物拡散層３との間のｐ−ｎ接合面に電流が流れ、
発光し、その光がｎ形不純物拡散層３を透して外部へ導
かれ照明を行う。
をかけることにより、ｎ形の化合物半導体１ｉ２とｎ形
の不純物拡散層３との間のｐ−ｎ接合面に電流が流れ、
発光し、その光がｎ形不純物拡散層３を透して外部へ導
かれ照明を行う。
以下、本発明の第２の実施例を第２図、第３図を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第２図は、本発明の第２の実施例におけるＬＥＤアレイ
の平面図、第３図はそのＬＥＤアレイを用いたＬＥＤプ
リンタの断面図である。
の平面図、第３図はそのＬＥＤアレイを用いたＬＥＤプ
リンタの断面図である。
第２図において、１１は第１図における一導電型の化合
物半導体基板１上に形成されたその化合物半導体基板１
と同じ導電型の化合物半導体層２に相当するものである
。１２は化合物半導体層１１の所定領域に形成された化
合物半導体層１１と逆の導電型の一列に並ぶ複数個の発
光領域となる不純物拡散層群、１３はその各不純物拡散
層上の所定領域に形成された取出し電極群、１４は化合
物半導体Ｊｉｌｌ上の各不純物拡散層１２に対応した所
定領域に形成された取出し電極である。
物半導体基板１上に形成されたその化合物半導体基板１
と同じ導電型の化合物半導体層２に相当するものである
。１２は化合物半導体層１１の所定領域に形成された化
合物半導体層１１と逆の導電型の一列に並ぶ複数個の発
光領域となる不純物拡散層群、１３はその各不純物拡散
層上の所定領域に形成された取出し電極群、１４は化合
物半導体Ｊｉｌｌ上の各不純物拡散層１２に対応した所
定領域に形成された取出し電極である。
このようにして製作されたＬＥＤアレイ１５を第３図に
示すように、個々の発光部面積より各々の断面積が小さ
い複数個の光ファイバアレイ１６を厚み方向に貫通させ
て埋め込んだ基板１７上にフリップチンブ方弐で実装す
る。ただしこの基板１７表面の所定部分には、Ａｕおよ
びＡｇ −Ｐｄを厚膜印刷法により回路導体層として形
成しており、それと第２図における取出し電極１３．１
４の位相を合せて行う。
示すように、個々の発光部面積より各々の断面積が小さ
い複数個の光ファイバアレイ１６を厚み方向に貫通させ
て埋め込んだ基板１７上にフリップチンブ方弐で実装す
る。ただしこの基板１７表面の所定部分には、Ａｕおよ
びＡｇ −Ｐｄを厚膜印刷法により回路導体層として形
成しており、それと第２図における取出し電極１３．１
４の位相を合せて行う。
また一般に発光部となる不純物拡散１’ｉ１２は８ｄｏ
ｔｓ／■または１６ｄｏｔｓ／ｍ等で形成されることが
多い。
ｔｓ／■または１６ｄｏｔｓ／ｍ等で形成されることが
多い。
またフリンブチノプ実装方式には、アクリレート系の光
硬化型絶縁樹脂を用いて、その硬化時の収縮応力により
ＬＥＤアレイの電極と基板の電極とを圧着して接続する
方式を採用した。これに関しては、はんだバンプ方式で
も同様な実装が可能である。また光ファイバアレイ１６
を構成するファイバは、コアとそのまわりに形成したク
ラッドの外表面に、本発明はさらにそのまわりに形成し
た遮光体より成っており、直径は発光部面積より充分小
さい（〜２５μｍφ）。
硬化型絶縁樹脂を用いて、その硬化時の収縮応力により
ＬＥＤアレイの電極と基板の電極とを圧着して接続する
方式を採用した。これに関しては、はんだバンプ方式で
も同様な実装が可能である。また光ファイバアレイ１６
を構成するファイバは、コアとそのまわりに形成したク
ラッドの外表面に、本発明はさらにそのまわりに形成し
た遮光体より成っており、直径は発光部面積より充分小
さい（〜２５μｍφ）。
最後に、ＬＥＤアレイ１５を保護するために、シリコー
ン樹脂をコーティング樹脂１８として、デイスペンサに
より塗布し、硬化させた。
ン樹脂をコーティング樹脂１８として、デイスペンサに
より塗布し、硬化させた。
このように作製したＬＥＤプリンタについては、発光面
からの光を遮光体を有するファイバアレイ１６を透して
クロストークなく原稿１９に導くことにより、高解像度
での書き込みが実現できる。
からの光を遮光体を有するファイバアレイ１６を透して
クロストークなく原稿１９に導くことにより、高解像度
での書き込みが実現できる。
なお、ここで用いたファイバアレイ１６の代わりに、第
４図、第５図に示すように、発光面となる不純物拡散領
域１２と１対１の対応で接するようなマイクロレンズ（
第４図）または導波路（第５図）を用いてもよい、第４
図において、２１は発光面となる不純物拡散領域１２と
１対１の対応で接するように、発光面不純物拡散領域１
２と同程度の大きさで、等ピッチに並べられたマイクロ
レンズ、２２は発光面から発せられた光をクロストーク
なく原稿へ導くための遮光体である。また第５図におい
て、２３は導波路で、その導波路２３としてコアの外表
面に遮光体を含有したクラッド２４を設けている。
４図、第５図に示すように、発光面となる不純物拡散領
域１２と１対１の対応で接するようなマイクロレンズ（
第４図）または導波路（第５図）を用いてもよい、第４
図において、２１は発光面となる不純物拡散領域１２と
１対１の対応で接するように、発光面不純物拡散領域１
２と同程度の大きさで、等ピッチに並べられたマイクロ
レンズ、２２は発光面から発せられた光をクロストーク
なく原稿へ導くための遮光体である。また第５図におい
て、２３は導波路で、その導波路２３としてコアの外表
面に遮光体を含有したクラッド２４を設けている。
以下、本発明の第３の実施例について第６図を参照しな
がら説明する。同図において、第２図、第３図と同一部
分には同一番号を付して説明を省略し、本発明の特徴と
なる部分について説明する。
がら説明する。同図において、第２図、第３図と同一部
分には同一番号を付して説明を省略し、本発明の特徴と
なる部分について説明する。
すなわち、本発明の特徴は、表面に回路導体層（図示せ
ず）を有する透明フィルム３１を用いることであり、そ
の表面の所定の位置にＬＥＤアレイ１５がフリップチッ
プ実装方式で実装されている。
ず）を有する透明フィルム３１を用いることであり、そ
の表面の所定の位置にＬＥＤアレイ１５がフリップチッ
プ実装方式で実装されている。
このように作製したＬＥＤプリンタについては、発光面
となる不純物拡散層１２からの光を、充分薄い約５０μ
ｍの厚さの透明フィルム３１を透過して直接レンズ系な
しで原稿１９に導くことにより書き込みが実現できる、
いわゆる完全密着型のＬＥＤプリンタである。
となる不純物拡散層１２からの光を、充分薄い約５０μ
ｍの厚さの透明フィルム３１を透過して直接レンズ系な
しで原稿１９に導くことにより書き込みが実現できる、
いわゆる完全密着型のＬＥＤプリンタである。
発明の効果
以上の実施例から明らかなように本発明によれば、一導
電型の化合物半導体基板上に形成されたその化合物半導
体基板と同じ導電型の化合物半導体層と、その化合物半
導体層の所定領域に形成されたその化合物半導体層と逆
の導電型の発光領域となる不純物拡散層と、その不純物
拡散層上の所定領域に形成された取出し電極と、化合物
半導体層上の所定領域に形成された取出し電極とで発光
素子を構成するので、実装を簡略化し、光学的に調整が
不要でコンパクト化可能な発光素子を提供できる。
電型の化合物半導体基板上に形成されたその化合物半導
体基板と同じ導電型の化合物半導体層と、その化合物半
導体層の所定領域に形成されたその化合物半導体層と逆
の導電型の発光領域となる不純物拡散層と、その不純物
拡散層上の所定領域に形成された取出し電極と、化合物
半導体層上の所定領域に形成された取出し電極とで発光
素子を構成するので、実装を簡略化し、光学的に調整が
不要でコンパクト化可能な発光素子を提供できる。
第１図（ａ） （ｂ）は本発明の第１の実施例の発光素
子の断面図と平面図、第２図は本発明の第２の実施例の
ＬＰ、Ｄアレイの平面図、第３図はそのＬＥＤアレイを
用いたＬＥＤプリンタの断面図、第４図（ａ） （ｂ）
は本発明の第２の実施例において光ファイバアレイの代
りにマイクロレンズを用いたＬＥＤプリンタの平面図と
断面図、第５図（ａ）（ｂ）は同じように導波路を用い
たＬＥＤプリンタの平面図と断面図、第６図は本発明の
第３の実施例の完全密着型ＬＥＤプリンタの断面図、第
７図は従来の発光素子の断面図、第８図は従来のＬＥＤ
プリンタにおけるＬＥＤプリンタヘッドの平面図、第９
図は同ＬＥＤプリンタヘッドを用いた従来のＬＥＤプリ
ンタの断面図である。 １・・・・・・一導電型の化合物半導体基板、２・・・
・・・同じ導電型の化合物半導体層、３・・・・・・逆
の導電型の発光領域となる不純物拡散層、４．５・・・
・・・取出し電極。
子の断面図と平面図、第２図は本発明の第２の実施例の
ＬＰ、Ｄアレイの平面図、第３図はそのＬＥＤアレイを
用いたＬＥＤプリンタの断面図、第４図（ａ） （ｂ）
は本発明の第２の実施例において光ファイバアレイの代
りにマイクロレンズを用いたＬＥＤプリンタの平面図と
断面図、第５図（ａ）（ｂ）は同じように導波路を用い
たＬＥＤプリンタの平面図と断面図、第６図は本発明の
第３の実施例の完全密着型ＬＥＤプリンタの断面図、第
７図は従来の発光素子の断面図、第８図は従来のＬＥＤ
プリンタにおけるＬＥＤプリンタヘッドの平面図、第９
図は同ＬＥＤプリンタヘッドを用いた従来のＬＥＤプリ
ンタの断面図である。 １・・・・・・一導電型の化合物半導体基板、２・・・
・・・同じ導電型の化合物半導体層、３・・・・・・逆
の導電型の発光領域となる不純物拡散層、４．５・・・
・・・取出し電極。
Claims (8)
- （１）一導電型の化合物半導体基板上に形成されたその
化合物半導体基板と同じ導電型の化合物半導体層と、そ
の化合物半導体層の所定領域に形成されたその化合物半
導体層と逆の導電型の発光領域となる不純物拡散層と、
その不純物拡散層上の所定領域に形成された取出し電極
と、前記化合物半導体層上の所定領域に形成された取出
し電極とを有する発光素子。 - （２）一導電型の化合物半導体基板上にエピタキシャル
成長技術によりその化合物半導体基板と同じ導電型の化
合物半導体層を形成する工程と、その化合物半導体層上
の所定領域にその化合物半導体層と逆の導電型の発光領
域となる不純物拡散層を形成する工程と、その不純物拡
散層上の所定領域に取出し電極を形成する工程と前記化
合物半導体層上の所定領域に取出し電極を形成する工程
とを有する発光素子の製造方法。 - （３）一導電型の化合物半導体基板上に形成されたその
化合物半導体基板と同じ導電型の化合物半導体層とその
化合物半導体層の所定領域に形成されたその化合物半導
体層と逆の導電型の一列に並ぶ複数個の発光領域となる
不純物拡散層群と、その各不純物拡散層上の所定領域に
形成された取出し電極群と、前記化合物半導体層上の前
記各不純物拡散層に対応した所定領域に形成された取出
し電極群とを有するＬＥＤアレイ。 - （４）発光部面積より断面積が小さい光ファイバアレイ
を厚み方向に貫通させて埋め込んだ基板の一主面に形成
された複数の回路導体層と、その回路導体層の所定部に
実装された請求項（３）記載のＬＥＤアレイとを有する
ＬＥＤプリンタ。 - （５）光ファイバアレイを構成するコア部の外側のクラ
ッドの外表面に遮光体を設けた請求項（４）記載のＬＥ
Ｄプリンタ。 - （６）光ファイバアレイに代えて発光領域と１対１に対
応するマイクロレンズを埋め込んだ請求項（４）記載の
ＬＥＤプリンタ。 - （７）光ファイバアレイに代えてコアの外表面に遮光体
を含有したクラッドを設けた導波路を埋め込んだ請求項
（４）記載のＬＥＤプリンタ。 - （８）所定の厚みを有する透明基板の一主面に形成され
た複数の回路導体層と、その回路導体層の所定部に実装
された請求項（３）記載のＬＥＤアレイとを有する完全
密着型のＬＥＤプリンタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2097978A JPH03295280A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 発光素子およびその製造方法と発光素子を用いたｌｅｄアレイおよびそのｌｅｄアレイを用いたｌｅｄプリンタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2097978A JPH03295280A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 発光素子およびその製造方法と発光素子を用いたｌｅｄアレイおよびそのｌｅｄアレイを用いたｌｅｄプリンタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03295280A true JPH03295280A (ja) | 1991-12-26 |
Family
ID=14206752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2097978A Pending JPH03295280A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 発光素子およびその製造方法と発光素子を用いたｌｅｄアレイおよびそのｌｅｄアレイを用いたｌｅｄプリンタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03295280A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI707466B (zh) * | 2019-07-23 | 2020-10-11 | 國立中興大學 | 亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6012086U (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-26 | 松下電器産業株式会社 | 蓄熱体 |
| JPS62261465A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光プリンタヘツド |
| JPS6388810A (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 超電導マグネツト |
-
1990
- 1990-04-13 JP JP2097978A patent/JPH03295280A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6012086U (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-26 | 松下電器産業株式会社 | 蓄熱体 |
| JPS62261465A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光プリンタヘツド |
| JPS6388810A (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 超電導マグネツト |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI707466B (zh) * | 2019-07-23 | 2020-10-11 | 國立中興大學 | 亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置 |
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