JPH0330320A

JPH0330320A - 気相化学反応生成装置のロードロック機構

Info

Publication number: JPH0330320A
Application number: JP16427689A
Authority: JP
Inventors: Masao Sugino; 杉野　将雄
Original assignee: M B K MAIKUROTETSUKU KK
Current assignee: M B K MAIKUROTETSUKU KK
Priority date: 1989-06-27
Filing date: 1989-06-27
Publication date: 1991-02-08

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、気相化学反応生成（ＣＶＤ）装置に関し、さ
らに詳しくは、かかる装置における反応生成室内を気密
状態の保持するための気甲機横に関するものである。

〔従来の技術〕

気相化学反応生成装置としては、縦型低圧気相科学反応
生成（ＬＰＣＶＤ）装置が知られており、この装置は半
導体の製造プロセスに於いて、現在、最重要な技術の一
つとなっている。この装置の代表的な構造例は、第７図
に示すようになっている。

すなわち、反応室２Ａは、外周ヒーターｌにより囲繞さ
れた石英管２の内部空間であり、この石英管２は、真空
シール用の０リング５Ａを介して、ステンレス製のマニ
ホールド６により支持されており、さらにこのマニホー
ルド６は、シール５Ｂを介してステンレス製の支持プレ
ート９に固定されている。半導体基板３は石英キャリア
４に装填され、この石英キャリア４は、ステンレス製の
シ−ルプレート１０により支持されている。シールプレ
ートｉｏには、上下動支持部１１が直結されており、上
下動機構１１′により、上下に移動される。このシール
プレート１０が上端に移動したときには、シール５Ｃに
より、支持プレート９との間で真空シールが形成される
ようになっている。

石英管２、マニホールド６及びシールプレート１０によ
って真空室が区画形成されており、この真空室内は、真
空排気ロアから真空排気系７′により真空排気され、通
常、反応生成プロセス中は、この真空室内の圧力が０．
５Ｔｏｒｒ程度に保たれるようになっている。反応ガス
はガス導入口８から導入され、この反応ガス雰囲気中で
基板３が外周ヒーター１によって加熱されることにより
熱科学反応が生じ、基板３の表面上に各種の薄膜が生成
される。

また、従来においては１、石英管を二重にした二重前方
法の構造も知られているが、本質的には、本例の一重管
タイブと反応生成に関しては、同一であるので、ここで
は言及しない。

このような構造の縦型ＬＰＣＶＤ装置においては、反応
室内にシリコン基板等を装填した石英キャリアを挿入す
る際、あるいはプロセス処理終了後に反応室内から石英
キャリアを取り出す際に、反応室内を一旦大気圧に戻す
必要ががある。しかる後に、石英キャリアの挿入、取り
出しを行なわなければ従って、この際に高温状態の基板
が大気（空気）にさらされ、かつ反応室内部にも空気が
混入してしまうおそれがある。この結果、以下のような
問題点が生ずる。すなわち、基板を取り出す際に、高温
に加熱された基板等の表面が空気中の酸素および水分に
よって酸化されてしまう。また、反応室内の石英管内壁
に耐着している反応生成物が同様に酸化されて、パーテ
ィクル発生の原因となる。更には基板、石英キャリアを
反応室内に収容した際にも反応室内の残留空気により、
基板表面がプロセス処理前に酸化されてしまう。

これらの問題点を解決するために、既に、反応室の他に
前室を有する２室方式のロードロック機構が提案されて
おり、その代表的な構造例を第８図に示しである。図に
おいて、石英管２ｍに囲まれた反応室２１の形状は、上
述した第　図の例と同様であるが、この場合、マニホー
ルド６＃の直下には、ゲートバルブ２２が設けられてお
り、このゲートバルブ２２の下方には、真空シール２３
を介して前室用真空室２４が設置されており、この真空
室２４の内部が前室２４′となっており、この前室２４
′は、真空排気口２５から真空排気系２５′により真空
排気されるようになっている。

このように、この例では、反応室２１と前室２４′とは
、ゲートバルブ２２によ゛り遮断できる構造となってい
る。従って、基板の挿入、取り出しは、上下動機構２６
により、石英キャリア４＃を降下させて、図において破
線で示す下方位置２７迄移動させ、次にゲートバルブ２
２を閉じて反応室を密閉し、しかる後に、前室２４′を
一旦大気圧に戻して、前室ドア２８を開いてから行なう
ようになっている。

一方、基板を装着した石英キャリア４＃を反応室２１に
収容するには、前室ドア２日を閉じて、前室２４′を真
空排気し、前室２４′内が充分な真空圧力に達した後に
、ゲートバルブ２２を開き、上下動機ｔＩ２６によりシ
ールプレート１０＃を上昇させるシーケンスとなる。

この２室方法ロードロツク構造の問題点は次の通りであ
る。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、このような２室方式のロードロック機構
においても次のような問題点が依然として残っている。

■　基板の装着、取り出しの際には、前室内をいったん
大気圧に戻さなければならないため、基板装着後に、再
度真空引きしても、前室内に空気が成る程度残留してし
まうことは避けられない。即ち、例えば空気の平均分子
存在数が２．６８ＸｌＯ”ケ／Ｃ艷とした場合には、１
０−ｈ程度の高真空状態に到達したとしても、尚ｉｏ”
ケ／Ｃ−程度の空気分子が、この前室内に残留すること
になり、これによる基板表面などの酸化は避けられない
。

■　上下動機構部が前室の内部に設置されているので、
この機械的駆動部からの金属汚染物質、及びパーティク
ル等が発生し、基板表面に耐着してしまう。

この発明の課題は、このような従来の問題点に着目し、
空気の混入及び残留を極力回避でき、また機械的駆動部
による汚染やパーティクルの発生も極力回避できるよう
になった気相化学反応生成装置のロードロック機構を実
現することにある。

（課題を解決するための手段）上記の課題を達成するために、本発明の気相化学反応生
成装置においては、基板の装着および取り出しを行うた
めの前室と、基板表面に化学反応生成プロセスにより薄
膜を形成するための反応生成室との間に、中間室を形成
した３室構成を採用して、この中間室を、前室が基板の
装着および取り出しのための大気開放された場合におい
ても、反応生成室は大気側とは完全に分離した気密状態
にするためのバッファ室として機能させるようにしてい
る。

また、本発明においては、前室および反応生成室の間で
基板を搬送させる搬送手段を構成する部材を極力中間室
の外部に配置する構成を採用し、これによって、このよ
うな搬送手段を構成する各部材から発生するパーティク
ルなどが基板表面に付着することを回避するようにして
いる。

すなわち、本発明における気相化学反応生成装置のロー
ドロック機構は、基板を出し入れするための開閉部を備
え、この開閉部を閉鎖した場合には実質的な気密状態と
なる前室と、前記基板の表面上に薄膜を形成するための
実質的に気密状態の反応生成室と、前記前室および反応
生成室のそれぞれ連通した前室側連通口および反応生成
室側連通口および、これらの連道口を密閉する密閉手段
を備えた実質的に気密状態の中間室と、前記開閉部を介
して前記前室内に入れられた前記基板を前記中間室を通
って前記反応生成室内に搬送すると共に、この反応生成
室内で処理された後の前記基板を前記中間室を通って前
記前室内に戻す基板搬送手段とを有することを特徴とし
ている。

また、本発明において上記の基板搬送手段は、前記基板
を装着する基板装着部と、この基板装着部を前記前室側
連通口を通して前記前室および前記中間室の間を往復動
させると共に、この装着部を前記反応生成室側連通口を
通して前記反応生成室および前記中間室の間を往復動さ
せる第１の駆動部と、この第１の駆動部によって前記前
室側連通口から前記中間室内に移動された前記基板装着
部を前記反応生成室連通口の側に移動させると共に、前
記反応生成室側連通口から前記中間室内に移動された前
記基板装着部を前記前室側連通口の側に移動させる第２
の駆動部とを有している。そして、これらの第１および
第２の駆動部を構成する駆動源は前記中間室の外部に配
置され、この駆動源からの駆動力を前記基板装着部に伝
達する伝達部材は、前記中間室を形成する外壁に形成し
た貫通孔を通って前記中間室内に延びている。さらには
、この貫通孔と前記中間室の内部との間は、前記伝達部
材の外周に配置され、この伝達部材の移動方向に向けて
伸縮自在となったベローズと、このベローズと前記伝達
部材との間に配置したシール手段とによって、実質的に
気密状態となるように区画されている。

〔実施例〕

以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。

全１１１戊第１図ないし第３図には本例のＣＶＤ装置を示しである
。

これらの図に示すように、装置３１はステンレススティ
ールからなる円筒形をした中間室３２と、この中間室３
２の上壁３２ａ上において、その上面の中心に対して点
対称な位置にそれぞれ垂直に配置された前室３３および
反応生成室３４とを有している。

前室３３は上端が閉鎖された四角形の筒形状となってお
り、その開口した下端は、中間室の上壁３２ａに開けた
開口に気密状態で連通しており、この部分が前室と中間
室とを連通ずる前室側連通口３５とされている。前室３
３の一方の外周側壁には、基板３６の出し入れを行うた
めの開口３３ａおよびこの開口を密閉するためのドア３
３ｂが配置されている。また、この開口よりも下方の位
置には、前室３３内を真空状態にするための真空排気ボ
ート３３ｃが形成されており、このボートは真空排気系
３７の側に連通している。

反応生成室３４の構成は、従来のものと同様であるので
その詳細な説明はここでは省略する。この反応生成室３
４の下端開口は、中間室の上壁３２ａに開けた開口に気
密状態で連通しており、この部分が反応生成室と中間室
とを連通ずる反応生成室側連通口３８とされている。こ
の連通口３８の上方位置には、真空排気ボート３４ａが
形成されており、この真空排気ボート３４ａは真空排気
系３９に連通している。

一方、中間室３２においても、その外壁の途中位置に真
空排気ボート３２Ｃが形成されており、このボートは真
空排気系４１に連通している。この中間室３２の上壁３
２ａの中央部分は上方に向けて円筒形状に突出しており
、この円筒突出部３２ｄの中央部を貫通して上下方向に
向けてセンターシャフト４２が配置されている。このセ
ンターシャフト４２の下端には、これと直交した状態で
支持ビーム４３が固定されている。この支持ビーム４３
の上面には、上記の前室側連通口および反応生成室側連
通口の中心に対応する位置において、垂直に支持ロッド
４４ａ、４４ｂが固定されており、これらの支持ロッド
の上端には、基板３６を搬送するための石英製のキャリ
ア４５ａ、４５ｂが支持されている。また、上記の支持
ロッド４４ａ、４４ｂにおける下端部分には上記の連通
口３５．３８よりも大径のディスクプレート４６ａ。

４６ｂが形成されており、これらのプレートの上面には
それぞれ連通口３５．３８の外周縁に当接可能な真空シ
ール用の０リング４７ａ、４７ｂが取付けられている。

さらに、中間室内に位置するセンターシャフト４２の外
周には、このシャフトの軸線方向に伸縮可能なステンレ
ススティール製の筒状ベロース５１が配置されており、
このベローズの上端は円筒突出部の内側面に密着固定さ
れ、その下端は、回転磁気シールユニット５２を介して
センターシャフト４２の外周上に支持されている。

上記のセンターシャフト４２は、後述する駆動機構によ
って、その軸線方向に沿って第１図に示す下端位置Ａか
ら想像線で示す上端位置Ｂまでの間を昇降される。また
、その軸線を中心として、一方のキャリア４５ａが前室
側連通口３５に対応している位置Ｃと、このキャリア４
５ａが他方の反応生成室側連通口３８に対応する位置り
との間を旋回するように回転移動される。センターシャ
フト４２が下端位ＩＡから上方に移動すると、これに支
持されているキャリア４５ａ、４５ｂは、それぞれ連通
口３５．３８を通って前室３３および反応生成室３４内
に挿入される。センタシャフト４２がその上端位置に到
ると、第１図において想像線で示すように、キャリア４
５ａ、４５ｂは第１図において想像線で示す位置となり
、ディクプレート４６ａ、４６ｂのＯリング４７ａ、４
７ｂがそれぞれ連通口３５．３８の外周部に押しつけら
れて、ディクプレートによって、それぞれの連通口３５
．３日の密閉状態が形成される。

次に、第２図および第３図を参照してセンターシャフト
４２を上下移動および回転させるための駆動系を説明す
る。これらの図に示すように、センターシャフト４２を
昇降させるための駆動系、すなわちキャリア４５ａ、４
５ｂを昇降させるための駆動系は、中間室３２の外側位
置において垂直に配置した一対の油圧シリンダユニット
６１．６２と、これらのユニットの作動ロッド６１ａ。

６２ａの先端間に架は渡した上下動ビーム６３と、この
ビーム６３の移動を案内するための一対の垂直ガイドビ
ーム６４ａ、６４ｂとを有している。

上下動ビーム６３はセンターシャフトの上端部分を支持
しており、シリンダユニットの作動ロッド６１ａ、６２
ａが伸縮することによって、センタシャフト４２はその
下端位置Ａから上端位置Ｂまでの間を移動される。

一方、センタシャフト４２を回転させるための駆動系、
すなわちキャリア４５ａ、４５ｂを旋回させるための駆
動系は、上下動ビーム６３に支持されたモータ６５と、
この出力軸の回転をセンタシャフト４２に伝達するため
の減速歯車列６６を有している。

七本例のＣＶＤ装置の動作シーケンスは次のようになる ■　初期状態は、前室３３、中間室３２、及び反応室３
４の王室ともセンタシャフト４２をその上位置已に設定
して、キャリア４５ａ、４５ｂを、第２図に想像線で示
すように、それぞれ前室３３、反応室３４内に位置させ
ておく。

■　先ず、前室３３を大気圧に戻してから、前室のドア
３３ｂを開放し、キャリア４５ａに対して第１番目のロ
ットの基板３６のローディングを行ない、ローディング
が完了したら、前室のドア３３ｂを閉じて、前室３３を
真空排気系３７によって真空引きする。

■　前室３３が高真空状態に達したら、昇降駆動系によ
りキャリア４５ａ、４５ｂを第２図において実線で示す
下端位置迄降下させる。

■　次に、回転駆動系により、センターシャフト４２を
１８０度回転させ、キャリア４５ａが反応室３４の垂直
下方位置に、又、これと連動するキャリア４５ｂが前室
３３の直下位置に設定する。

■　キャリア４５ａ、４５の位置が入れ換わったら、昇
降駆動系により、キャリア４５ａ、４５ｂを上方に移動
させ、それぞれを反応室３４および前室３３内に収容す
る。

■　この後、キャリア４５ａに装填されている第１０ツ
トの基板３６に対しては、反応室３４内でＣＶＤプロセ
スを行ない、キャリア４５ｂが収容されている前室３３
は大気圧に戻す。

■　前室３３が大気圧になったら、前室のドアー３３ｂ
を開け、キャリア４５ｂに対して、第２番目のロットの
基板のローディングを行なう。

■　この第２０ツト基板のローディングが終了したら、
前室のドア３３ｂを閉じて、前室３３を真空引きする。

■　前室３３が高真空状態に達した後は、反応室３４に
おいて第１０ツト基板のＣＶＤプロセスが終了する迄、
このまま待機状態となる。

［相］　この後、第１０ツト基板のＣＶＤプロセス処理
が終了したら、同様の手順で、゛昇降および、回転駆動
系によりキャリア４５ａ、４５ｂの位置の入れ一換えを
行ない、第２０ツトａ板が装填されているキャリア４５
ｂを反応室３４内に、又、第１０ツト基板が装填されて
いるキャリア４５ａを前室３３内へとそれぞれ収容する
。

■　キャリア４５ａが前室３３内に収容されたら、前室
３３を大気圧に戻し、前室のドア３３１）を開けて、第
１０ツトの基板のアンローディングを行ない、次にこの
キャリア４５ａに対して、第３番目のロットの基板のロ
ーディングを行なう。

■　第３０ツト基板のローディング終了後、前室ドア３
３ｂを閉じ、前室３３を真空引きし、第２０ツト基板の
ＣＶＤプロセスが終了する迄、待機状態となる。

以下、このようにして、連続的にロット基板のＣＶＤプ
ロセスが続けられる。

以上のような本例のＣＶＤ装置によれば、次のような効
果が得られる。

■　ＣＶＤ装置のロードロック機構として、前室、中間
室、反応室の３室構造をとることにより、この中間室は
、常時、高真空状態に保つことができ、このため、反応
室内への空気の混入が極端に少なくなり、空気酸化によ
るパーティクル発生が避けられ、かつ基板を反応室内へ
入れる際、又、取り出す際にも、中間室内高真空中で行
なえるため、基板表面の酸化が避けられる。

■　昇降および回転駆動系を中間室の外部に配置するこ
とにより、機械駆動部からの汚染物質、パーティタルな
どの発生が避けられる。

■　キャリアを２式使用したことにより、一方でＣＶＤ
プロセス中に、他方では、基板のローディング、アンロ
ーディングを行なうことが可能となり、生産性が高めら
れる。

■　キャリアを支持しているステンレススティール製の
シールプレート自体が、各室間の真空シール部として作
用するため、高価で、かつ耐熱性が悪く、又、故障が多
いゲートバルブが不要となり、装置の保守維持性が良く
なる。

■　真空引きと、大気圧に戻す真空引きサイクルは、前
室内のみに限られ、この前室の容量は、比較的小さくで
きるため、２室方式ロードロック機横に比べてエネルギ
ー効率が良く、装置の運転コストを低減できる。

■　本発明の構造では、必ずしも真空を使用しなくても
良く、真空状態にする代わり、反応室、中間室、前室内
に、所要のプロセスに応じた適当な雰囲気ガス（例えば
Ｎ、、Ａｒ等）を共通にあるいは各々単独に使用するこ
ともでき、さらに、各室内の圧力も真空から１気圧以上
迄、自由に設定出来るため、広範なプロセスに対して応
用可能である。

■　前室は、独立した真空チェンバーとなっているため
、この前室内に於いて、無水ＨＦエツチング等の前処理
を基板に対して行なうことも可能である。

皿至皇上旦】上述の実施例では、キャリアを２式使用した構造でとし
たが、本発明は、この他に、単独あるいはさらに多数の
キャリアを使用する構成のものにも適用できることは勿
論である。

第４図にはキャリアを１弐のみ使用した場合の説明用概
念図を示すが、この場合、前室Ａｔと反応室Ｂ１との間
の移動距離を小さくできるため、昇降、回転駆動系の導
入部Ｃ１を含めた中間室ＤＩの寸法を小さくできる利点
がある。

又、第５図には、キャリアを３室使用した概念図を示す
が、この場合には、前室Ａ２で基板のローディング、ア
ンローディング、前室Ａ３では基板の前処理プロセス、
そして、反応室Ｂ２ではＣＶＤプロセスを同時に行なう
ことができる。更に、この様な概念をさらに進めて、同
心円上に複数の前室及び反応室を配置しく例えば、第１
の前室、第２の前室、第１の反応室、第２の反応室）連
続的にマルチレイヤーＣＶＤプロセスを行なうことも可
能となる。

さらにまた、第６図には、キャリアを４式使用し２個の
前室と２個の反応室を有する構成を示しであるが、この
様にする事により、生産性を２倍にする事が出来る。

一方、本発明は、実施例としてあげた、縦型ＬＰＧＶＤ
装置への応用の他にも、エピタキシャル成長、有機金属
ＣＶＤ、タングステン等の金属ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ
、［１−Ｖ族ＣＶＤ、拡散炉プロセス、及びその他のプ
ロセス装置のロードロック機構として広範な応用が可能
である。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明においては、ＣＶＤ装置の
ロードロック機構として、前室、中間室および反応室の
３室構成を採用しているので、中間室を常時高真空状態
に保持することによって、反応室内への空気の侵入を極
力回避することが可能になり、空気酸化によるパーティ
クルの発生を回避できるという効果が得られる。また、
このような高真空状態の中間室から基板を反応室内に人
れ、また反応室内から基板は高真空状態の中間室に取り
出されるので、基板表面の酸化を回避できるという効果
が得られる。

また、本発明においては、基板を搬送するキャリアの駆
動系を構成する部材を極力中間室の外側に配置できる構
造を採用しているので、これらの機械駆動部から発生し
たパーティクル等によって基板表面が汚染されてしまう
ことを最小限度に抑えることができるという効果が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のＣＶＤ装置を示す上面図、
第２図は第１図の装置を■−■線に沿って切断した部分
を示す概略断面図、第３図は第１図の装置を■−ｍ線に
沿って切断した部分を示す概略断面図、第４図ないし第
６図は第１図の装置の変形例を示す説明図、第７図およ
び第８図は従来のＣＶＤ装置の構成を示す概略断面図で
ある。符号の説明３１・・・ＣＶＤ装置３２・−・中間室３３・・・前室３４・・・反応室３５−前室側連通口３６・・・基板３７．３９．４１・・・真空排気系３８・・・反応室側遠道口４２・・−センタシャフト４３・・−支持ビーム４４ａ、４４ｂ・・支持ロッド４５ａ、４５ｂ・・・キャリア４６ａ、４６ｂ・・・シールプレー４７　ａ　、　　４７　ｂ・・・Ｏリング５１・・・ベ
ローズ５２・・・回転磁気ユニット６１．６２・・・シリンダユニット６３・・・・上下動ビーム６４ａ、６４に＋・−ガイ６５・・・一回転モータ６６・・・歯車列。ドシャフトト第１図Ｅ← 第７図（２Ａ第２図第３図第５図第４図Ｃ／第６図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）実質的に酸素の存在しない真空雰囲気中で、シリ
コンウェーハ等の基板表面上に気相化学生成反応を利用
して薄膜を形成する気相化学反応生成装置において、前記基板を出し入れするための開閉部を備え、この開閉
部を閉鎖した場合には実質的な気密状態となる前室と、前記基板の表面上に薄膜を形成するための実質的に気密
状態の反応生成室と、前記前室および反応生成室のそれぞれ連通した前室側連
通口および反応生成室側連通口および、これらの連通口
を密閉する密閉手段を備えた実質的に気密状態の中間室
と、前記開閉部を介して前記前室内に入れられた前記基板を
前記中間室を通って前記反応生成室内に搬送すると共に
、この反応生成室内で処理された後の前記基板を前記中
間室を通って前記前室内に戻す基板搬送手段と、を有することを特徴とする気相化学反応生成装置のロー
ドロック機構。
（２）請求項第１項に記載のロードロック機構において
、前記基板搬送手段は、前記基盤を装着する基盤装着部と、この基盤装着部を前
記前室側連通口を通して前記前室および前記中間室の間
を往復動させると共に、この装着部を前記反応生成室側
連通口を通して前記反応生成室および前記中間室の間を
往復動させる第１の駆動部と、この第１の駆動部によっ
て前記前室側連通口から前記中間室内に移動された前記
基板装着部を前記反応生成室連通口の側に移動させると
共に、前記反応生成室側連通口から前記中間室内に移動
された前記基板装着部を前記前室側連通口の側に移動さ
せる第２の駆動部とを有しており、前記第１および第２の駆動部を構成する駆動源は前記中
間室の外部に配置され、この駆動源からの駆動力を前記
基板装着部に伝達する伝達部材は、前記中間室を形成す
る外壁に形成した貫通孔を通って前記中間室内に延びて
おり、この貫通孔と前記中間室の内部との間は、前記伝
達部材の外周に配置され、この伝達部材の移動方向に向
けて伸縮自在となったベローズと、このベローズと前記
伝達部材との間に配置したシール手段とによって、実質
的に気密状態となるように区画されていることを特徴と
する気相化学反応生成装置のロードロック機構。
（３）請求項第２項に記載のロードロック機構において
、前記第１および第２の駆動部は、前記伝達部材をその
軸線方向に往復移動させる第１の駆動源と、前記伝達部
材をその軸線の廻りに回転させる第２の駆動源と、前記
伝達部材の前記中間室内側の先端部に支持された旋回プ
レートと、この旋回プレートに支持された前記前室側連
通口および前記反応生成室側連通口を密閉可能なシール
部と、前記基板装着部を前記旋回プレート上に支持する
支持部材とを有しており、前記第２の駆動源による前記
伝達部材の回転によって、前記旋回プレート上に支持さ
れた前記基板装着部は前記前室側連通口および前記反応
生成室側連通口のそれぞれを介して前記前室および前記
反応生成室内に挿入可能な位置に旋回されて位置決めさ
れ、前記第１の駆動源による前記伝達部材の往復移動に
よって、前記第２の駆動源によって位置決めされた前記
基板装着部は、前記中間室内から前記前室側連通口ある
いは前記反応生成室側連通口を通って、前記前室内ある
いは前記反応生成室内に位置するように位置決めされる
ようになっており、前記第１の駆動源によって前記基板装着部が前記前室あ
るいは前記反応生成室内に位置決めされたときには、前
記旋回プレートによって支持された前記シール部は、前
記前室側連通口あるいは前記反応生成室側連通口の外周
部に当接して、前記前室側連通口あるいは前記反応生成
室側連通口を密閉状態に保持するようになっていること
を特徴とする気相化学反応生成装置のロードロック機構
。
（４）請求項第３項に記載のロードロック機構において
、前記旋回プレート上には複数個の前記基板装着部が支
持され、これらの基板装着部の個数に対応する個数の前
記前室および前記反応生成室が配置されており、前記第１の駆動源によって、これらの複数の基板装着部
は、前記中間室内において、一定の順序で前記複数の前
室および反応生成室に対応する位置に位置決めされるよ
うになっていることを特徴とする気相化学反応生成装置
のロードロック機構。