JPH0330355A

JPH0330355A - Ｌｃｄ基板の処理方法

Info

Publication number: JPH0330355A
Application number: JP1165100A
Authority: JP
Inventors: Kimiharu Matsumura; 松村　公治; Yuji Kamikawa; 裕二上川
Original assignee: Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1989-06-27
Filing date: 1989-06-27
Publication date: 1991-02-08
Anticipated expiration: 2013-01-19
Also published as: JP2700198B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】【産業上の利用分野】

この発明は、基板等の被処理体の処理方法に関する。

【従来の技術】

例えば、半導体製造工程において、フォトレジスト膜を
介して下地のエツチングが行われて微細加工の終了した
半導体ウェーハやＬＣＤ基板等の被処理基板については
、マスクに用いた上記レジスト膜を、この基板表面から
除去する必要がある。このような場合のフォトレジスト膜の除去処理例として
、従来から、アッシング処理が行われている。この種のアッシング装置のうち、オゾンを含有するガス
を用いたものとして、例えば特開昭５２−２０７６６号
広報に開示された装置が知られている。これは、例えばＬＣＤ基板を搬送してチャンバー内の加
熱板上に載置して、真空吸引により固定しながらＬＣＤ
基板を例えば抵抗加熱ヒータによって加熱するとともに
、ＬＣＤ基板の上方に複数のアッシングガス噴出口を備
えたガス拡散板を設け、上記アッシングガス噴出口から
ＬＣＤ基板表面にアッシングガスを噴射して、このガス
を基板表面に被着された有機高分子のフォトレジストに
作用させ、灰化して除去するものである。

【発明が解決しようとする課題】

ところで、通常、真空チャックパターン（真空吸引のた
めの溝パターン）は、処理対象基板の形状（例えばＬＣ
Ｄ基板の場合には正方形又は長方形）や基板サイズに対
応して、加熱板に１種類固定して形成されて用いられる
。このため、彼処Ｆ！！基板の種類が変わった場合、被処
理基板の大きさが上記処理対象基板の大きさよりも大き
ければ真空吸引に間）ｍはないが、被処理基板の大きさ
が小さくなったり、その形状が上記真空チャックパター
ンに適合しなくなった場合には、その加熱板では、その
被処理基板を真空吸引して固定できなくなり、別個の異
なる真空チャックパターンを形成した加熱板を用いる必
要があり、非常に不便であった。この発明は以上の点に鑑み、同一の処理装置で、形状や
サイズの異なる被処理体を処理できる被処理体処理方法
を提供しようとするものである。

【課題を解決するための手段】

この発明による被処理体処理方法は、被処理体よりも大きい形状のトレイを用意し、このトレ
イに上記被処理体をセットして、処理終了まで、このト
レイを上記被処理体と一体として扱うようにしたことを
特徴とする。

【作用】

この発明による方法を用いれば、トレイに被処理基板が
セットされたものを、一体として処理終了まで扱うので
、トレイの形状及びサイズのみを処理装置は考慮すれば
良い。したがって、種類が異なり、形状及びサイズが異
なる被処理体を同一の処理装置で処理することが可能に
なる。

【実施例】

以下、この発明による被処理体処理方法をアッシング処
理装置に適用した場合の一実施例を図を参照しながら説
明する。第４図は、この実施例のアッシング装置を示し、アッシ
ング用反応チャンバー１内には、処理対象物２が載置さ
れる加熱板３と、この加熱板３に対向するようにガス拡
散板４が設けられている。加熱板３は、例えばＳＵＳやアルミニウムからなる金属
板からなり、図示しないが加熱手段として例えば抵抗発
熱ヒータが内蔵されており、その上面に載置された処理
対象物２を加熱可能に構成されている。そして、この加熱板３には、基板昇降装置１４に接続さ
れた複数本例えば３本のビン１５が加熱板３を貫通する
如く設けられており、処理対象物２のロード・アンロー
ド時には、これらのビン１５上に処理対象物２を保持す
るよう構成されている。また、この加熱板３には処理対象物２を真空吸引するた
めの真空チャックパターンとしての空気抜き用溝が形成
されている。また、ガス拡散板４には、加熱板３上に載置された処理
対象物２との間隔を所望の距離に設定可能とするように
拡散板昇降装置５が接続されている。また、ガス拡散板４には、図示しないが処理ガス（オゾ
ンを含むガス）を噴出させるための開口の例としての噴
出用スリットと、排気ガスを排出させるための開口の例
として、排気用スリットとが交互に多数設けられている
。そして、その噴出用スリットには、流量調節装置６を介
して、昇圧装置７が接続されている。この昇圧装置７と
しては、例えばプランジャー・ポンプ、ベローズポンプ
、ダイヤフラムポンプ等の昇圧ポンプが使用できる。そ
して、このＨ圧Ｓ’＜　Ｍ７には、酸素供給装置８から
供給される酸素からオゾンを発生させるオゾン発生装置
９と、２次ガス供給装置１０から供給される２次ガスを
励起する２次ガス励起装置１１が接続されている。オゾン発生装置９としては、例えば無声放電、コロナ放
電、グロー放電等によってオゾンを発生させる装置等を
用いることができる。一方、ガス拡散板４の排気用スリットは、圧力調節装置
１２及び排ガス除害装置１３を介して例えば工場排気系
等に接続されている。そして、アッシング用チャンバー１の側方の両側には、
ロード用開閉機構１６及びアンロード用開閉機構１７が
設けられている。ロード用開閉機構１６の側方には、こ
のロード用開閉機構１７から処理対象物２をチャンバー
１内にロードするための基板搬送装置１８が設けられて
おり、この基板搬送装置１８の側方には、プリヒート用
チャンバー２０が設けられている。また、アッシング用
チャンバー１のアンロード用開閉機構１７の側方には、
このアンロード用開閉機構１７から処理対染物２をアン
ロードするための、図示しない基板搬送装置及びクーリ
ングプレートが設けられている。そして、プリヒート用チャンバー２０内には、前述の加
熱板３と同様に構成された加熱板２３が設けられる。そ
して、アッシング用チャンバー１内と同様に、基板昇降
装置２４に接続された複数本、例えば３本のピン２５が
、この加熱板２３を貫通するように設けられ、処理対象
物のロード・アンロード時には、これらのビン２５上に
被処理基ｋを保持するよう構成されている。また、この
プリヒート用チャンバー２０は、減圧力装置２６を介し
て工場排気系などに接続されている。また、プリヒート用チャンバー２０の側部には、ロード
用開閉機構２１及びアンロード用開閉機横２２が設けら
れる。そして、ロード用開閉機構２１の側方には図示し
ない基板搬送装置及びセンダーが設けられている。そして、センダーには、この例では多数枚のしＣＤ、！
！板が、それぞれ例えば正方形のトレイにセットされた
状態で収納されている。第１図は、このトレイの一例の平面図、第２図はその側
面図、第３図は第１図のＡ−Ａ断面図である。この例のトレイ３０は、例えば１辺が２００１１１１の
正方形をしており、厚さが例えば４　ｍ１１のアルミニ
ューム製板からなっている。このトレイ３０の中央部に
は、被処理基板としてのＬＣＤ基板の形状及びサイズに
応じて、例えば１辺が１３０ｍ−の正方形状で、深さが
例えば１１１の四部３１が形成されている。この場合、
この正方形四部３１の中心位置とトレイ３０の中心位置
とは一致している。また、この四部３１の底部は研磨されて鏡面仕上げされ
ている。そして、この四部３１には、この凹部３１と中
心位置が一致し１辺の長さが例えば１００龍の正方形の
各辺の位置において、例えば幅１−−５深さ１　ｍｍの
溝３２が、形成されている。そして、溝３２の各近位置の中央には、トレイ３０の裏
面に向かう直径１　＋１ｍの貫通孔３３．３４゜３５．
３６が設けられている。一方、このトレイ３０の裏面には、トレイ３０と中心位
置が一致し１辺の長さが例えば５２ｍｍの正方形の各辺
の位置において、例えば幅３＋ｕｓ深さ１關の溝３７が
設けられている。この溝３７は、加熱板３に形成された
真空チャックパターンの真空吸引用の溝パターンに対応
したものとされている。もっとも、溝３７は、加熱板３
の真空吸引用の溝パターンと全（一致している必要はな
い。そして、溝３７の各近位置の中央部が貫通孔３３〜
３６と、連通溝３８．３９，４０．４１を介して連通さ
れている。以上のような構成のトレイ３０の凹部３１に、１辺が１
３０關の正方形ＬＣＤ基板を嵌合してセットして一体と
し、この一体としたトレイを処理対象物２として後述の
ような処理に供する。また、例えば１辺の長さが１３０　ａｍの正方形ＬＣＤ
基板よりも小さい、例えば１辺の長さが１００　ｍｍの
正方形ＬＣＤ２！板を処理対象とする場合には、第５図
及び第６図に示すようなトレイ５０が用いられる。すな
わち、このトレイ５０は、その外形寸法及びその裏面の
溝５７のパターンは、前記トレイ３０と同一であるが、
その表面に形成された凹部５１は、これにセットされる
ＬＣＤ基板に応じて、１辺の長さが１００順の正方形状
とされる。そして、この四部５１には、トレイ３０と同
様に、例えば１辺の長さが８０ＩＩ１ｍの正方形の各近
位置において、例えば幅１ｍｍ、深さ１１１の溝５２が
形成される。そして、この溝５２は、この溝５２の各近
位置の中央に設けられた貫通孔５３゜５４．５５．５６
及びトレイ５０の裏面に設けられた連通溝５８．５９．
６０．６１を介してこの裏面の溝５７に連通されている
。そして、１辺の長さが１００　ｍｓ＋の正方形ＬＣＤ
基板を、このトレイ５０の凹部５１に嵌合してセットし
、これを−体として処理対象物２として処理に供する。以上のように、トレイ３０，５０の凹部３１゜５１及び
その凹部内に形成される溝３２．５２は、トレイ３０，
５０にセットする被処理体の形状及び大きさによって変
えられるが、トレイ３０．５０の大きさ、その裏面の溝
パターン３７．５７は同−である。以上のような構成の装置において、この実施例では次の
ようにしてＬＣＤ基板のアッシング処理が行われる。この場合、図示しないセンダーには、上述したように、
トレイ３０，５０に処理対象であるＬＣＤ基板がセット
されたものが多数枚収納されている。そして、ＬＣＤ基
板は、前述したように、このトレイにセットされた状態
で一体として、以下に述べるアッシング処理の終了まで
扱われる。すなわち、先ず、センダーから図示しない搬送装置によ
り、例えば１辺の長さが１３０　ｍｍの正方形ＬＣＤ基
板がセットされたトレイ３０をプリヒート用チャンバー
２０のロード用開閉機構２１の側方へ搬送する。そして、予め、プリヒート用チャンバー２０内の加熱板
２３を所定温度例えば５０〜１５０℃に加熱し、プリヒ
ート条件を整えておき、プリヒート条件が整うと、ロー
ド用開閉機構２１を開として、プリヒート用チャンバー
２０内へＬＣＤ基板がセットされたトレイ３０を搬入し
、加熱板２３上に載置する。このとき、基板昇降装置２
４により、予めビン２５を加熱１！２２３上に突出させ
ておく。そして、搬送装置の搬送アームを挿入してＬＣ
Ｄ基板がセットされたトレイ３０をこのビン２５上に載
置し、搬送アームを後退させた後、ビン２５を下降させ
て加熱板２３上にこのト１ノイ３０を載置する。そして
、加熱板２３を介して真空吸引する。すると、このとき
、トレイ３０の裏面の溝３７一連通１カ３８，３９．４
０．４１−貫通孔３３．３４，３５，３６４レイ３０の
表面の四部３１内の；め３２と、連通されているので、
この真空吸引により、ＬＣＤ基板がトレイ３０に吸着さ
れると共に、トレイ３０が加熱板２３上に吸むされて固
定される。しかる後、減圧装ｆｆ１２６によりプリヒートチャンバ
ー２０内を所定の圧力、例えば０．１〜１０Ｔｏｒｒｌ
１度に減圧し、トレイ３０にセットされたしＣＤ基板の
プリヒート処理を行なう。このプリヒート処理により、
例えばＬＣＤ基板表面に被着されたフォトレジスト中の
溶剤を効率良く、短時間で除去することができるととも
に、基板を予め加熱しておくことで、後述するアッシン
グ処理における基板加熱時間を短縮することができる。このプリヒート処理は、例えば数分間行う。プリヒート処理が終了すると、アンロード用開閉機構２
２を開として、基板搬送装置ｆ１８によりプリヒートチ
ャンバー２０からＬＣＤ基板がセットされたトレイ３０
を搬出する。プリヒート処理の間、アッシング用チャンバー１におい
ては、例えば加熱板３を予め所定温度、例えば１５０〜
２５０℃に加熱しておく。また、連続処理の場合には、
アッシング処理のスルーブツトに合わせてプリヒート処
理を終えた被処理体を直ちにアッシング用チャンバー１
内に搬入できるように準備しておく。そして、アッシング用チャンバー１で次の被処理体の受
入準備が完了している場合には、ロード用開閉機構１６
を開として、基板搬送装置１−８によりプリヒート処理
を終えたＬＣＤ基板がセットされたトレイ３０をこのア
ッシング用チャンバー１内に搬入する。この搬入時、アッシング用チャンバー１では、予め拡散
板昇降装置５によりガス拡散板４を上昇させておき、加
熱板３とガス拡散板４との間に十分な間隙を設けておく
。そして、基板昇降装置１４によりビン１５を加熱板３
上に突出させておき、基板搬送装置１８からピン］５上
にト１ノイ３０を受は渡す。この後、基板搬送装置１８
の搬送アームを後退させ、基板昇降装置１４によりビン
１５を下降させて加熱板３上にト１／イ３０を載置し、
前述と同様にしてトレイ３０及びこのトレイ３０にセッ
トされたＬＣＤ基板を真空吸引して加熱板３上に固定す
る。また、拡散板昇降装置５によりガス拡散板４とＬＣ
Ｄ基板がセットされたトレイ３０との間隔を所定間隔に
設定する。しかる後、アッシング用チャンバー１では、加熱板３に
よりトレイ３０にセットされたＬＣＤ、！！板を加熱す
るとともに、オゾン発生装置９から供給されるオゾンを
含むガスと、２次ガス励起装置１１から供給される励起
された２次ガスとを、昇圧装置７によって例えば２〜２
０ａｔａ程度に昇圧し、流量調節装置６により例えば３
〜３０１／ｍｉｎの流量に調節しながらガス拡散板４の
噴出用スリットからＬＣＤ基板に向けて噴出させるとと
もに、排気用スリットから排気し、高圧アッシング処理
を行なう。なお、排ガス内に残存するオゾンは、排ガス除害装置１
３によって分解された後、工場排気系等に送られる。ま
た、排気は、圧力調節装置１２によってアッシング用チ
ャンバー１内の圧力を上記所定圧力（例えば２〜２０ａ
ｔａ）に保持するように制御しながら行なう。そして、例えば所定時間の処理あるいは排出ガス中の成
分を検出することにより、処理終了を検知する等して高
圧アッシング処理の終了を検知すると、高圧アッシング
終了処理を行なう。この後、アッシング用チャンバー１内に不活性ガス例え
ば窒素ガスをパージして、前述のロード時の逆の手順で
アンロード用開閉機ｔｌｉｌ１７からＬＣＤＭ板がセッ
トされたトレイ３０を搬出する。そして、例えば図示しないクーリングプレート上にＬＣ
Ｄ基板がセットされたトレイ３０を載置してクーリング
処理を行う。クーリング処理が終了すると、図示しない
搬送装置によりＬＣＤ基板がセットされたトレイ３０を
図示しないレシーバへ搬送し、１枚のＬＣＤ基板につい
ての処理を終了する。そして、トレイ３０にセットされたＬＣＤ５板より小さ
い、例えば１辺の長さが１００　＋ｎの正方Ｊ杉Ｌ　Ｃ
Ｄ　基板に対し、アッシング処理を行うときは、トレイ
５０にその小さいＬＣＤ基板をセットし、それをセンダ
ーに収納し、前述と全く同様にして、プリヒートチャン
バー２０及びアッシング用チャンバー１に順次搬送して
アッシング処理を行う。なお、このようにサイズの異なるＬＣＤ基板をアッシン
グ処理するとき、アッシング処理ガスをその基板サイズ
に応じて効率良く基板表面に供給するため、ガス拡散板
４を次のように構成しても良い。すなわち、この場合、ガス拡散板４は、第７図に示すよ
うに、拡散板本体４Ａと、アダプター４Ｂとから構成し
、本体４Ａとアダプター４Ｂとは、例えばねじ止めする
。そして、被処理体の大きさに応じてアダプター４Ｂを
交換して、効率の良い処理ガス噴射を行えるようにする
ため、反応チャンバー１の、例えば上面板は、第７図に
示すように開閉可能に支持されており、アダプター４Ｂ
を交換することができるようにしている。第８図は、拡散板本体４Ａをアダプター４Ｂとの接続面
７０側から見た図で、処理ガス（オゾンを含むガス）を
噴出させるための開口の例としての噴出用スリット７１
と、排気ガスを排出させるための開口の例としての排気
用スリット７２とが交互に多数設けられている。一方、アダプター４Ｂには、拡散板本体４Ａにねじ止め
したとき、噴出用スリット７１及び排気用スリット７２
の位置と一致するようにガス拡散スリット７３を設け、
ガスの給排流路が拡散板本体４Ａと連結するようにして
いる。そして、この場合、アダプター４Ｂとしては、そ
のガス拡散スリット７３の本数及び長さが、処理対象で
あるＬＣＤＩＡ板の大きさに応じて異なるものを用意す
る。すなわち、大きなＬＣＤ基板に対しては、例えば第９図
に示すように、その大きさに応じて、本数が多く、しか
も長さの長い複数のガス拡散スリット４３１が形成され
たアダプター４Ｂ、が、拡散板本体４Ａに対してねじ止
めされて用いられる。また、小さなＬＣＤ基板に対しては、例えば第１０図に
示すように、その大きさに応じて、本数が少なく、しか
も長さが短い複数の拡散スリット４３２が形成されたア
ダプター４８２が、拡散板本体４Ａに対してねじ止めさ
れて用いられる。以上のようにして、アダプター４Ｂを被処理体の大きさ
に応じて交換することにより、被処理体の大きさに応じ
てガス拡散領域を規定することができるので、無駄無く
、効率の良い処理ガス供給を、被処理体に対して行うこ
とができる。なお、被処理体としては、上述の例のＬＣＤ基板に限ら
ず、半導体ウェーハのほか、ガラス基板上に設けるフォ
トマスク、プリント基板など種々適用可能であることは
言うまでもない。また、この発明はアッシング装置に限らず、成膜装置、
エツチング装置、露光装置等、被処理体である半導体基
板などを搬送し、チャックに真空吸引して固定するよう
な全ての装置に適用可能である。

【発明の効果】

以上説明したように、この発明によれば、同−形状及び
同一サイズのトレイに被処理体をセットして、処理終了
まで、両者を一体として取り扱うようにしたので、同一
の処理装置で形状や大きさのことなる被処理体を良好に
処理することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明による方法に使用するトレイの一例の
平面図、第２図はその側面図、第３図は第１図のＡ−Ａ
断面図、第４図はこの発明による方法が適用される処理
装置の一例を示す図、第５図及び第６図はこの発明によ
る方法に使用するトレイの他の例の平面図及び側面図、
第７図〜第１０図は第４図例の一部の池の構成を説明す
るための図である。１．２０；チャンバー２；処理対象物３．２３．加熱阪４；ガス拡散板１６．２１；ロード用開閉機構１７．２２；アンロード用開閉機溝３０．５０；）レイ３１．５１；基板かセットされる四部

Claims

【特許請求の範囲】

被処理体よりも大きいトレイを用意し、このトレイに上
記被処理体をセットして、処理終了まで、このトレイを
上記被処理体と一体として扱うようにしたことを特徴と
する被処理体処理方法。