JPH0330488A

JPH0330488A - 半導体光源のファセット反射能低減方法および装置

Info

Publication number: JPH0330488A
Application number: JP2154171A
Authority: JP
Inventors: William C Rideout; ウィリアム・シー・ライダウト; Elliot Eichen; エリオット・アイケン
Original assignee: GTE Laboratories Inc
Current assignee: Verizon Laboratories Inc
Priority date: 1989-06-16
Filing date: 1990-06-14
Publication date: 1991-02-08
Also published as: US4872180A; CA2017732A1; EP0403308A3; EP0403308A2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野〕本発明は、オプトエレクトロニクス部品に関し、特定す
ると半導体レーザ増幅器およびスーパールミネッセンス
発光ダイオードのような導波管構造を採用するオプトエ
レクトロニクス部品のファセット反射能を減するための
新規な方法に関する。

［従来技術８発明の課題ル −ザ増幅器は、伝送および交換システムにおける損失を
克服し、受信機感度を増すことを含め、将来の光フアイ
バ通信システムにおいて多くの可能な応用を有する。非
常に低いファセット反射能を達成することが困難である
ことは分かっているが、これは高品質半導体レーザ増幅
器を製造する上で、非常に重要である。

半導体レーザ増幅器に関する現在の研究の努力は、特定
の主要な増幅器特性の性能の向上に起因してファセット
反射能の低減に絞られている。理想的な進行波増幅器に
おいては、到来光は増幅器の一側に入り、伝搬中に利得
を得て、他剤から損失なく送出される。残念ながら、増
幅器から得られる利得は制約される。これは、増幅器が
、レーザ動作に必要な正の光フィードバックを避けねば
ならず、さらに詳しく言うと、レーザ動作中に示される
Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔ共鳴を回避しなければならない
からである。このような共鳴は、利得を強く波長依存性
にするからである。フィードバック機構は、デバイスフ
ァセットに存する反射能の程度ににより影響を受けるか
ら、低ファセット反射能は、Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔ共
鳴を抑制しかつ高品質の増幅器性能を得る上において非
常に重要である。さらに、増幅器の雑音性能は、ファセ
ット反射能の減少とともに改善される。

従来２つの形式のアプローチが、半導体増幅器ファセッ
トの反射能を減するのに使用された。すなわち、反射防
止材料によるファセットの被覆とファセットの傾斜であ
る。　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ１９８
７、において、Ｚａｈ等は、増幅器導波管に帰還結合さ
れる反射光の量を低減することによって、Ｆａｂｒｙ−
Ｐｅｒｏｔ共鳴を抑制する傾斜ファセットを有する二重
チャンネルリッジ導波管進行波増幅器ｆＴＷＡ）を開示
している。この増幅器は、傾斜ファセット構造で約２Ｘ
ｌＯ−’の残留モデル反射能を達成し、他方１％反射防
止被覆を両ファセット面に被着したときには、１０−４
の値への反射能の−１の低減が生じた。傾斜ファセット
および反射防止被覆の組合せは、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ、　１９８８．におけるＺａｈ当に
より開示されたＧａＩｎＡｓＰ近進行波（ＮＴＶ）レー
ザ増幅器にも現われれるが、これは実験的に５．８　Ｘ
ＩＯ”’の低ファセット反射能を実験的に示している。

しかしながら、この値は、多数の理由のため再現的に達
成するのが困難であった。

１つの理由は、厚さおよび屈折率の誤差に対するファセ
ットの感性に関係し、そしてこの場合最良の結果は、フ
ァセット出力のその場での監視を使用して各ファセット
を個々に被覆するという高価なプロセスによって得られ
た。さらに、ファセット被覆の反射能は、周囲の影響に
起因して時間とともに劣化する可能性がある。加えて、
傾斜ファセットは、活動寸法の非常に正確な制御で初め
て、その反射能を小さく作ることができ、そしてこれは
やはり、従来技術では小収量の低反射能デバイスしか得
られないことを示している。

最近、３ＸＩＯ−１１程度の低い反射能を達成し得る新
しい改良された光増幅器構造が、Ｅ　１ｅｃｔｒｏｎｉ
ｃｓＬｅｔｔｅｒｓ、　１９８９　　にＣｈａ等により
開示された。この進行波光増幅器は、出力光信号が現わ
れ光ファイバに結合される増幅器ファセット面に隣接す
る窓ファセット領域の存在によって上述の従来形式の増
幅器から区別される０反射防止被覆が、窓の外部ファセ
ットの窓−空気界面に被着される。不都合なことに、増
幅器は、反射防止被覆の被着と関連する上述の製造の問
題に加えて、窓ファセットーファイバ界面に大きな結合
損失８ｄｂの大きな結合損失を受ける。

本発明の主たる目的は、従来技術の上述およびその他の
不利な点を排除することである。

本発明の特定の目的は、反射防止物質を被着することな
く導波管構造に基づくオブトエ１／クトロニクス部品の
ファセット反射能を減するための新規な方法を提供する
ことである。

本発明の他の特定の目的は、デバイスのファセットに屈
折率整合端部キャップ領域を有しかつ傾斜線幾何形態を
有し、追加の結合損失を導入することなく超低反射能を
達成する光増幅器を提供することである。

本発明のさらに特定の目的は、再現性をもって得られる
超低反射能を可能にし、それにより多量生産を実現可能
にする光増幅器を提供することである。

［発明の概要コ本発明の一側面に従えば、２つの相対する主ファセット
面および傾斜導波管構造を有する半導体物質本体が、半
導体レーザ増幅器のようなオプトエレクトロニクスデバ
イスを形成するように製造される。主ファセット面の各
々に隣接して再成長端部キャップ領域が形成されるが、
この各再成長端部キャップ領域は、導波管構造体の実効
屈折率に概等しい屈折率を有する誘電体物質より成る。

この屈折率整合の特徴は、各主ファセット面と対応して
隣接する端部キャップ領域との間の界面における反射を
最小にする。端部キャップ領域は非導波管性であるから
、それぞれの端部キャップ領域の外側ファセット面およ
び空気間の界面において反射される光の非常に少量の光
しか、導波管に帰還結合されず、増幅器の実効ファセッ
ト反射能を大幅に減する。さらに、導波管は外側ファセ
ット面に関して傾斜されているから、反射光は導波管か
らずらされ、実効ファセット反射能をさらに減する。

上述のオプトエレクトロニクスデバイスは、ファセット
反射能を低減する対応する方法により製造され、したが
って　　２つの相対する主ファセット面および傾斜導波
管構造体を有する半導体物質の本体を提供する段階を備
える。形成段階は、第１主ファセット面に隣接して第１
の再成長端部キャップを配置し、第２主ファセット表面
に隣接して第２の再成長キャップ領域を配置する。上記
の端部キャップ領域は、両者とも導波管構造体の実効屈
折率に概等しい屈折率を有し、それにより各主ファセッ
ト面とそれぞれの端部キャップ領域との界面における反
射を最小にする。導波管は外側ファセット面に関して傾
斜されているから、反射光は導波管からずらされず、し
たがって導波性構造体中に帰還結合され、それにより低
実効ファセット反射能をもたらす。

［実施例］本発明は、導波管構造体を採用するオプトエレクトロニ
クスデバイスのファセット反射能を減する方法に関し、
半導体レーザ増幅器として第１図に例示されている。レ
ーザ増幅器が例示の目的で示されているが、スーパール
ミネセンス発光ダイオードのような他の半導体デバイス
も、本明細書に記述される方法を合体し得、本発明の技
術思想内にあることは斯界に精通したものには明らかで
ある。

増幅器１６は、二重チャンネルリッジ導波管光増幅器を
形成するように半導電性領域１５を横切って長手方向に
形成されるリッジ導波管構造体１２を有する半導体物質
本体１５より成る。本発明にしたがって反射能を低減す
る方法の１側面においては、導波管は、半導電性本体１
５の長手方向軸線から予定された角度にて配向される。

この種の増幅器を製造する技術は、技術的に周知である
。

この傾斜導波管増幅器構造体の反射能は、反射能を低減
するための新規な方法の他の側面に関して後述されるよ
うにさらに低減される。

増幅器１６の入力端部１３には、増幅器１６のファセッ
ト１７にバルク（非導波管性）物質が再成長され、第１
の端部キャップ領域ｌＯを形成する。同様に、出力端部
１４には、ファセット１８に非導波管性物質が再成長さ
れ、第２の端部キャップ領域１１を形成している。明瞭
にするため、増幅器１６のファセット１７および１８は
、以後増幅器一端部キャップ界面として言及する。何故
ならば、両ファセットは、増幅器のそれぞれの端部およ
び対応する再成長端部キャップ領域間の境界として作用
するからである。端部キャップ領域は、その領域におけ
る光信号の実質的な吸収を防ぐため、導波管のバンドギ
ャップよりも十分に高いバンドギャップを有する物質よ
り成る。さらに、各端部キャップ領域におけるバルク物
質は、導波管の実効屈折率に非常に近い屈折率を有する
。この結果、光が端部キャップ１０から導波管１２に入
るときには増幅器一端部キャップ界面１７から、また導
波管１２から端部キャップ１１に入るときには増幅器一
端部キャップ界面１８から非常に小さい反射しか生じな
い、これは、界面１７を打つ相当量の自然放出が導波管
１２中にすｍ還反射されるのを防ぎ、増幅器の品質劣化
を避けるから、界面１７において重要である。さらに、
傾斜された幾何形態は、導波管１２から端部キャツブ領
域ｌｌ中に現われる光を、ある角度で界面１９を打たせ
、領域１１中に伝搬する反射光が、導波管１２から十分
い変位された点にて界面１８を打つようにし、それによ
り導波管中へ最小の反射結合しか許容しない。

レーザが動作中、光入力信号は端部キャップ領域１０に
入り、導波管１２に実質的に結合される前に、増幅器一
端部キャップ界面１７中を通過する。導波管１２中を伝
搬し光利得を得た後、増幅された信号は、増幅器一端部
キャップ界面１８に遭遇するが、導波管１２に対する端
部キャップ領域１１の屈折率整合に起因してやはり非常
に小さい反射しか生じない。非反射光は端部キャップ領
域１１中を伝搬し、端部キャップ−空気界面１９にて強
く反射される。しかしながら、端部キャップ領域ｌｌ内
の光は導波されず、導波管および外側ファセット間の角
度だけ導波管から変位されているから、反射波のうちの
非常に僅かしか増幅器に帰還結合されず、かくして実効
ファセット反射能は大幅に減ぜられる。開示された増幅
器のファセット反射能に関する性能は、反射が生じ得る
上述の２面、すなわち増幅器一端部キャップ界面および
端部キャップ−空気界面における光の挙動の分析を必要
とする。したがって、端部キャップ１１に対して両反射
源の分析について論述されるが、これは端部キャップ領
域１０にも適用し得る。

第２ａ図は、光信号が増幅器一端部キャップ界面１８に
て導波管１２から現われ、その後端部キャップ−空気界
面１９から強く反射されるときの光信号の経路を例示す
るのに使用される端部キャップ領域１１の斜視図である
。指示されるように、光信号の代表的サンプルは、増幅
器一端部キャップ界面１８を打ち、ビームスポットを形
成する。このスポットは、端部キャップ１１と導波管１
２との屈折率整合のため最小にしか反射されない、端部
キャップ領域１１の非導波管性特性のため、光のウェー
ブフロント２５は、端部キャップ１１中を伝搬するとき
分散せしめられ、端部キャップ−空気界面１９にてビー
ムスポット２２と成る。反射されたウェーブフロント２
３は、端部キャップ１１中を増幅器に向かって逆伝撤す
るとき分散し、界面１８に達するときビームスポット２
４を形成する。導波管は外側ファセット面１９に関して
傾斜されているから、反射ウェーブフロント２３は導波
管から横方向に変位された点にてファセット１８を打つ
。導波管１２およびビームスポット２４間のこの非整合
は、反射されたウェーブフロントが導波管に帰還結合さ
れるのを防ぐから重要である。第２ｂ図に関する以下の
論述は、計算された反射能測定値を示すグラフとともに
、両界面１８および１９における反射のさらに詳細な分
析を提示するものである。

第２ｂ図に示されるように、端部キャップ−空気界面１
９から増幅器１６へ反射されるウェーブフロント２３の
・帰還結合は、距離２Ｄ、ここでＤは端部キャップ領域
１１の厚さである、により分離される２つの導波管の結
合に等価である。しかして２つの導波管は、２θＲｍｇ
の角度的非整合を有し、　２０ｓｉｎθＲ０，の横方向
非整合を有する。上に論述し第２ｂ図に図示されるよう
に、反射されたウェブフロント２３の、界面１８に沿う
導波管１２からの２０ｓｉｎθ８．８の変位は、最小量
の反射光しか導波管に帰還結合せしめない０反射の分析
は、端部キャップ−空気界面からのフレネルの反射に起
因する追加の損失環を含む、この分析は、第３図により
補足される。しかして、この図は、代表的増幅器導波管
の実効屈折率が３．３５そしてモード半径が０．５ミク
ロンの場合において、ガウスのビーム理論を使用してｌ
Ｏｏ（曲線３１）および１５”　（曲線３２）の波長傾
斜角に対する反射能対りのグラフを示すものである。

第３図は、端部キャップ−空気界面により惹起される反
射能が、再成長領域の厚さ（Ｄ）の増大とともに非常に
急速に落下することを明瞭に示している。ｌＯｏの傾斜
ファセットに対して、反射をｌＸ＋０”’以下に減する
ためには、９ミクロンの再成長物質が必要とされ、他方
１５°の傾斜ファセットに対しては、３ミクロンの再成
長物質しか必要とされない。端部キャップ領域の厚さは
、端部キサップ１１中を伝搬する光ビームが分散するの
を防ぐように上限を有する。分散すると、光学的ビーム
が再成長領域の面に達し、それにより散乱損失を引き起
こし、出力ファイバへの結合を非常に難しくする程度に
もなるので、それを防ぐような上限を有する。代りに、
端部キャップ領域の厚さは、端部キャップ−空気界面に
て反射される光を適当に変位し、最小量の光しか導波管
中に帰還結合されないようにするに十分厚くしなければ
ならない。

上述の分析は、実際には、端部キャップ−空気界面の反
射能が、再成長領域の厚さを制御することによって任意
に小さくできることを示している。したがって、再成長
端部キャップをもつレーザ増幅器の反射能は、以下に論
述されるように、増幅器一端部キャップ界面の反射能に
主として依存することになろう。

第２ｂ図を再度参照すると、角度θＡｍｐにおけるファ
セットの反射能は、やはりファセット界面からのフレネ
ル反射の余分の損失項を含めて、角度２θＡａＰの２つ
のスラブ導波管としてそれをモデル化することによって
計算される。このモデルは、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｌ
ｉｇｈｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、　Ｖｏｌ、　Ｎｏ、
２１９８９年２月発行、の’Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　Ｌ
ｏｓｓ　ｏｆ　ＬｅｓｅｒＭｏｄｅ　Ｆｒｏｍ　Ｔｉ１
ｔｅｄ　Ｅｎｄ　Ｍｉｒｒｏｒ」と題するＤＭａｒｃｕ
ｓｅの論文に記述されている。代表的導波管ファセット
の場合、この追加のフレネル損失はたった０、３に過ぎ
ないが、本発明における増幅器−端部キャップ界面の場
合、この損失は、はぼ５ｘ１０−Ｓへとほとんど４桁の
大きさ増加する。こねは、再成長端部キャップ領域を有
する１ノ一ザ増幅器の再現可能な超低反射能における重
要な要素である。

第１図の増幅器に関連して、増幅器一端部キャップ界面
の反射能が、ｌＯｏ（曲線４１）および１５″（曲線４
２）の傾斜角に対して増幅器活動幅の関数として第４図
に示されているが、ここて代表的導波管の実効屈折率が
３．３５で再成長領域の屈折率が３．３１と仮定される
。指示されるように、ｌＯ″′の傾斜角を有するファセ
ットの反射率は、適当に広い活動領域の場合つねにｌＸ
ｌ０−８以下となろう。

反射能を低減するための開示された方法および第１図の
付随の実施例の非常に望まし特徴は、再成長端部キャッ
プをもつレーザ増幅器への単一モードファイバの結合が
、従来形式のレーザ増幅器と全く同様であるということ
である。ビームは、−変可成長領域１１から現われると
、通、常のレーザ外界と同じ角度に屈折するから、従来
のレーザ増幅器に対して使用されたのと同様のテイバお
よびレンズ付きファイバが、再成長端部キャップを有す
るレーザ増幅器に結合するのに使用できよう。

本明細書において図示説明されたものは、下記の特徴を
有するように増幅器を製造することによって光増幅器の
ファセット反射能を減する新規な方法である。すなわち
、（１）増幅器の主ファセット面の両方に形成されたバ
ルク再成長端部キャップ領域、（２）傾斜導波管幾何形
態および（３）端部キャップ領域の導波管への屈折率整
合の特徴である。この新規な方法で製造された増幅器は
、従来形式のデバイスに存する問題のある薄膜反射防止
被覆技術の使用を回避しつつ、極度に低いファセット反
射能（＜１．０−’）を達成し得る。本発明は主として
半導体レーザ増幅器の製潰に関係するが、バルク再成長
端部キャップ領域の使用は、低反射能ファセットを必要
とする他の半導体デバイスに等しく適用される。

［効果］要約すると、ファセット反射能を低減するこの方法は、
すべての他の方法に優る下記の重要な利点を有する。

１）超低反射能（’＜　ＩＸ　１．０”’）が再現性を
もって得られる。

２）開示された方法を採用するデバイスは、多■生産に
向いている。

３）ファセシト被覆段階が必要とされない。

４）ファセット反射能が、波長および分極に不感知であ
る。これは、反射防止被覆を使用する増幅器ではそうで
はない。

５）非常に安定な反射能が示された。

６）従来形式のレーザ増幅器に比して、追加の結合損失
が起こらない。

上に上げた最後の点は、本明細書において先に論述され
たＣｈａ等により開示された従来形式の増幅器の結合能
力に関して重要である。Ｃｈ　ａ等は、Ｇａ１ｎＡｓＰ
の活性領域を有する従来の様式で製造された半導体光増
幅器に隣接してＩｎＰの５０ミクロン長の窓領域を形成
し、それにより伝搬する光ビームをデバイスの表面から
散乱せしめるが、これが増幅器により示される８ｄＢの
容認し難い結合損失の一因となった。これに対比して、
本願発明の増幅器は、傾斜導波管を作り、端部キャップ
をより短くすることによって、より良好な結合性能をも
たらす。

以上本発明を好ましい実施例について説明したが、当技
術に精通したものであれば、本発明の技術思想から逸脱
することなく種々の変化変更をなし得ることは明らかで
あろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に従う再成長端部キャップ領域を有する
レーザ増幅器の斜視図、第２ａ図は端部キャップ領域の
ファセットの一ファセットから反射される光路を示す第
１図のレーザ増幅器の正面図５第２ｂ図は第２ａ図に例
示される反射光路イｆ示す第１図のレーザ増幅器の上面
図、第３図は第１図の１ノ一ザ増幅器に対する異なる導
波管領斜角における再成長領域の厚さに対する端部キャ
ップ−空気界面の反射能の比較を示すグラフ、第４図は
第１図のレーザ増幅器に対する異なる導波管領斜角度に
おける再成長領域の厚さに対する増幅器一端部キャップ
界面の反射能の比較を示すグラフである。Ｏ１２３４５第１端部キャップ領域第２端部キャップ領域導波管入力端部出力端部半導電性領域　６　ｚ　７８土曽幅器増幅器一端部キャップ界面（又はファセット）増幅器一端部キャップ界面（又はファセット）１３−ン／ｒ二同風間弘志１４ｆ、／　’ Ｉρｉｔ）、ｉ。Ｆ″ｉｃｅ　２ａ。Ｆ皇ｉｃ１．２ｂ。Ｄ（３・口／）Ｆ″１−ｃｌ、　３゜佑転喝、′Ｓ−コ、）Ｆ”ｉｃｌ、　４゜

Claims

【特許請求の範囲】

（１）第１および第２の対向する主ファセット面を有す
る半導体物質本体と、前記第１主ファセット面に隣接す
る第１の最成長端部キャップ領域と、前記第２主ファセ
ット面に隣接する第２の再成長端部キャップ領域とを備
え、前記半導体物質本体が、前記第１および第２主ファ
セット面に垂直に配向された前記本体の長手方向軸線に
関して傾斜されかつ入力光信号がその中を伝搬する導波
管構造体を含み、前記第１端部キャップ領域および前記
第１主ファセット面間の境界が、内側端部キャップファ
セット界面であり、前記第１端部キャップ領域が、前記
の関連する内側端部キャップファセット界面に相対した
外側端部キャップファセットを有し、前記第２端部キャ
ップ領域および前記第２主ファセット面間の境界が、内
側端部キャップファセット界面であり、前記第２端部キ
ャップ領域が、前記の関連する内側端部キャップファセ
ット界面に相対する外側端部キャップファセットを有し
ており、前記第１および第２端部キャップ領域が、前記
導波管構造体の実効屈折率に概等しい屈折率を有し、そ
れにより前記第１再成長端部キャップ領域の内側端部キ
ャップファセット界面および前記第２再成長端部キャッ
プ領域の内側端部キャップファセット界面の両者に低減
されたファセット反射能を提供し、前記第１および第２
再成長端部キャップ領域が、該端部キャップ領域におけ
る光信号の実質的な吸収を防止するため、導波管構造体
のバンドキャップエネルギより十分に高いバンドギャッ
プエネルギを有する非導波管性物質から製造され、そし
て前記傾斜された導波管が、前記外側端部キャップファ
セットの一ファセットから前記のそれぞれの端部キャッ
プ領域内に反射され得る前記光信号の一部が、一度前記
端部キャップファセットの１つを打つたら、前記導波管
構造体と十分に非整合にせしめ、前記の反射された信号
の最少量しか、前記導波管構造体に帰還結合されず、そ
れによりオプトエレクトロニクスデバイスの実効ファセ
ット反射能を低減するようにしたことを特徴とするオプ
トエレクトロニクスデバイス。
（２）前記半導体物質本体が、半導体レーザ増幅器を形
成する特許請求の範囲第１項記載のオプトエレクトロニ
クスデバイス。
（３）前記半導体物質本体がスーパールミネセンス発光
ダイオードを形成する特許請求の範囲第１項記載のオプ
トエレクトロニクスデバイス。
（４）前記再成長端部キャップ領域の一方の領域の外側
端部キャップファセットに結合され、前記導波管構造体
を介して伝搬される出力光信号を受信するための単一モ
ードファイバを備える特許請求の範囲第１項記載のオプ
トエレクトロニクスデバイス。
（５）前記内側端部キャップファセット界面のおよびが
反射防止被覆を有している特許請求の範囲第１項記載の
オプトエレクトロニクスデバイス。
（６）第１および第２の対向する主ファセット面を有す
る半導体物質本体を提供し、前記第１主ファセット面に
隣接して第１の再成長端部キャップ領域を形成し、前記
第２主ファセット面に隣接して第２の再成長端部キャッ
プ領域を形成する諸段階を備え、前記半導体物質本体が
、前記第１および第２主ファセット面に垂直に配向され
た前記本体の長手方向軸線に関して傾斜されかつ入力光
信号がその中を伝搬する導波管構造体を含み、前記第１
端部キャップ領域および前記第１主ファセット面間の境
界が、内側端部キャップファセット界面であり、前記第
１端部キャップ領域が、前記の関連する内側端部キャッ
プファセット界面に相対した外側端部キャップファセッ
トを有し、前記第２端部キャップ領域および前記第２主
ファセット面間の境界が、内側端部キャップファセット
界面であり、前記第２端部キャップ領域が、前記の関連
する内側端部キャップファセット界面に相対する外側端
部キャップファセットを有しており、前記第１および第
２端部キャップ領域が、前記導波管構造体の実効屈折率
に概等しい屈折率を有しており、それにより前記第１再
成長端部キャップ領域の内側端部キャップファセット界
面および前記第２再成長端部キャップ領域の内側端部キ
ャップファセット界面の両者に低減されたファセット反
射能を提供し、前記第１および第２再成長端部キャップ
領域が、該端部キャップ領域における光信号の実質的な
吸収を防止するため、導波管構造体のバンドキャップエ
ネルギより十分に高いバンドギャップエネルギを有する
非導波管性物質から製造され、そして前記傾斜された導
波管が、前記外側端部キャップファセットの一ファセッ
トから前記のそれぞれの端部キャップ領域内に反射され
得る前記光信号の一部が、一度前記端部キャップファセ
ットの１つを打ったら、前記導波管構造体から十分に変
位せしめられ、前記の反射された信号の最少量しか、前
記導波管構造体に帰還結合されず、それによりオプトエ
レクトロニクスデバイスの実効ファセット反射能を低減
することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス
のファセット反射能低減方法。
（７）反射防止物質のフィルムを前記各主ファセット面
に被着することを含む特許請求の範囲第６項記載のファ
セット反射能低減方法。