JPH0330829A - ガス流通路の清掃方法 - Google Patents

ガス流通路の清掃方法

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JPH0330829A
JPH0330829A JP16261189A JP16261189A JPH0330829A JP H0330829 A JPH0330829 A JP H0330829A JP 16261189 A JP16261189 A JP 16261189A JP 16261189 A JP16261189 A JP 16261189A JP H0330829 A JPH0330829 A JP H0330829A
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JP
Japan
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gas
raw material
cleaning
gas flow
automatic
Prior art date
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Pending
Application number
JP16261189A
Other languages
English (en)
Inventor
Renkai Hino
日野 連海
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Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01413Reactant delivery systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/80Feeding the burner or the burner-heated deposition site
    • C03B2207/81Constructional details of the feed line, e.g. heating, insulation, material, manifolds, filters

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  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、例えば光ファイバー母材酸いは半導体素子等
の製造に用いる原料ガス供給装置のガス供給路の如き、
途中に機器が接続されているガス流通路の清掃方法に関
するものである。
[従来の技術] 従来のこの種の原料ガス供給装置では、第3図に示すよ
うに、気密な原料タンク1には大気中の酸素又は水分と
反応するS i Cfl 4 、G e Cj24等の
原料液2が収容されている。原料タンク1の外周には、
原料液2を気化するためのヒータ等の加熱手段3が取り
付けられている。これら原料タンク1及び加熱手段3に
て原料ガス供給源4が構成されている。原料タンク1内
の上部空間5には、原料液2の気化により得られた原料
ガスが原料タンク1の温度における蒸気圧で満たされる
ようになっている。原料タンク1内の上部空間5と供給
相手である図示しない反応装置との間には、原料ガスを
その蒸気圧を利用して供給するガス流通路6が設けられ
ている。ガス流通路6には、開閉弁7、自動開閉弁8.
マスフローコントローラの如き流量制御器9等の機器が
接続されている。自動開閉弁8と流量制御器9との間に
は、配管10が接続され、該配管10には自動開閉弁1
1が接続されていて\該配管10を通してパージ用の窒
素ガスが供給されるようになっている。自動開閉弁11
は自動開閉弁8と連動し、原料供給中は、自動開閉弁8
が開で、自動開閉弁11が閉となって、原料ガスを反応
装置に供給するようになっている。
原料供給をしていない原料ガス供給停止中には、自動開
閉弁8を閉、自動開閉弁11を開として、ガス流通路6
中に加圧窒素ガスを流し、該ガス流通路6の加圧ガスパ
ージを行っている。
[発明が解決しようとする課題] 上記の如き原料ガス供給装置では、非常に高濃度の原料
ガスが流量制御器9を有するガス流通路6内を流れる。
一方便用される原料ガスは、酸素や水分と容易に反応し
、強い腐食性ガスや粉状の生成物質を発生しく例えば、
SiCλ4+2H20−+5i02:生成物質+4HC
,g:腐食性ガス)、ガス流通路6内の詰りゃ腐食の原
因となる問題点がある。特に、流量制御器9として使用
されるマスフローコントローラは、流量制御のため微小
なオリフィス状の流路と、微動往復弁により出入口間の
圧力損失をコントロールしているため、上記の腐食や粉
末生成物質により正常な制御ができなくなると共に、腐
食保護のためには高価で複雑なものが必要となる問題点
がある。
このような事故防止のため、前述したように原料ガスの
供給停止中に、流量制御器9を有するガス流通路6内の
加圧ガスパージを行なっているが、このような加圧ガス
パージでは清掃効果が不十分であり、このため流量制御
器9を中心とした定期的な部品交換が必要となり、装置
の稼動停止を余儀なくされている。
本発明の目的は、機器が途中に接続されているガス流通
路内の清掃を従来より効果的に行なうことができるガス
流通路の製造方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するための本発明の詳細な説明すると
、本発明に係るガス流通路の清掃方法は、途中に機器が
接続されているガス流通路内を真空引きすることにより
清掃を行なうことを特徴とする。
[作用コ 本発明者等の種々の実験の結果、機器が途中に接続され
ているガス流通路内の清掃は、加圧ガスパージよりも真
空引きのほうが清掃効果が遥かに良いことを見出した。
このため、ガスの供給停止時に、機器が途中に接続され
ているガス流通路内を真空引きし、正常なガスの流通を
妨げる付着物質及び残留ガスを吸引して除去する。
[実施例コ 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。なお、前述した第3図と対応する部分には同一符号を
つけて示している。
第1図は、本発明の方法を実施できる原料ガス供給装置
の第1実施例を示したものである。本実施例の原料ガス
供給装置は、マスフローコントローラの如き流量制御器
9から図示しない反応装置に至るガス流通路6に自動開
閉弁12が接続されている。また、この自動開閉弁12
と流量制御器9との間のガス流通路6には、自動開閉弁
13を介して真空ポンプの如き清掃用真空引き機構14
が接続され、該清掃用真空引き機構14で真空引きされ
た排ガスは図示しない排ガス処理装置に供給されるよう
になっている。更に、自動開閉弁12を経て反応装置に
至るガス流通路6の部分には、配管15が接続され、該
配管15には自動開閉弁16が接続されている。
表−1 このような原料ガス供給装置は、原料ガスの供給中は、
表−1に示すように自動開閉弁8,12を開、自動開閉
弁13.16を閉として原料ガス供給源4からガス流通
路6を経て反応装置に原料ガスを供給し、その供給量を
流量制御器9で制御する。
原料ガス・の供給停止中は、表−1に示すように自動開
閉弁8,12を閉、自動開閉弁13.16を開とし、清
掃用真空引き機構14を作動させ、自動開閉弁8,12
間の流量制御器9を含むガス流通路6内の真空引きをし
、残留している原料ガス及び正常な流量制御を妨げる付
着物質を吸引して除去する。
第2図は、本発明の方法を実施できる原料ガス供給装置
の第2実施例を示したものである。本実施例の原料ガス
供給装置においては、自動開閉弁13と清掃用真空引き
機構14とに並列にバイパス配管17が設けられ、該バ
イパス配管17には自動開閉弁18が接続されている。
また、自動開閉弁8と流量制御器9との間のガス流通路
6には、配管10が接続され、該配管10には自動開閉
弁11が接続されている。
このような原料ガス供給装置は、原料ガスの供給中は、
表−2に示すように自動開閉弁8,12を開、自動開閉
弁11.13.18.16を閉として原料ガス供給源4
からガス流通路6を経て反応装置に原料ガスを供給し、
その供給量を流量制御器9で制御する。
原料ガスの供給停止中は、真空引きと加圧ガスパージと
を交互に行なって、清掃を行なう。真空引きは、自動開
閉弁13.16を開、自動開閉弁8.12.11.18
を閉とし、清掃用真空引き機構14を作動させ、自動開
閉弁8,12間の流量制御器9を含むガス流通路6内を
真空引きをし、残留している原料ガス及び正常な流量制
御を妨げる付着物質を吸引して除去する。
加圧ガスパージは、自動開閉弁11.18.16を開と
し、自動開閉弁8.12.13を閉として、配管10.
15から不活性ガスの如き加圧ガスを送って、流量制御
器9を含むガス流通路6内の加圧ガスパージを行なう。
この場合・、真空引きと加圧ガスパージは、例えば5分
間真空引き、1分間加圧ガスパージの割合で交互に数回
繰り返す。
特に、本実施例のように真空引きと加圧ガスパージとを
交互に繰り返すと、真空引きから加圧ガスパージ、或い
は加圧ガスパージから真空引きに切替わるときの圧力差
により、ガス流通路内の付着物質をより効果的に清掃で
きる。
なお、上記実施例では、流量制御器を有するガス流通路
の清掃について説明したが、ガス流通路に接続されてい
る機器としては制御器に限らず、圧力計等の計測器、或
いは弁等であってもよい。
これらの機器のガス流通部分に付着する付着物質を、本
発明の方法により効率よく清掃することができる。
また、上記実施例では、ガスの供給を行なうガス流通路
の清掃について説明したが、ガスの排出を行なうガス流
通路等の清掃にも本発明は同様に適用である。
[発明の効果コ 以上説明したように本発明に係るガス流通路の清掃方法
は、機器が途中に接続されているガス流通路を真空引き
することにより行うので、加圧ガスパージより効率よく
付着物質の清掃及び排ガスを行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明の方法を実施する原料ガス供
給装置の第1.第2実施例の系統図、第3図は従来の原
料ガス供給装置の系統図である。 1・・・原料タンク、2・・・原料液、3・・・加熱手
段、4・・・原料ガス供給源、5・・・上部空間、6・
・・ガス流通路、8,11,12,13,16.18・
・・自動開閉弁、9・・・流量制御器、10.15・・
・配管、14・・・真空引き機構、17・・・バイパス
配管。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 途中に機器が接続されているガス流通路内を真空引きす
    ることにより清掃を行なうことを特徴とするガス流通路
    の清掃方法。
JP16261189A 1989-06-27 1989-06-27 ガス流通路の清掃方法 Pending JPH0330829A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000205499A (ja) * 1999-01-18 2000-07-25 Air Liquide Japan Ltd 液体供給装置及び液体供給装置におけるパ―ジ方法
JP2006052424A (ja) * 2004-08-10 2006-02-23 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置及び薄膜形成方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000205499A (ja) * 1999-01-18 2000-07-25 Air Liquide Japan Ltd 液体供給装置及び液体供給装置におけるパ―ジ方法
JP2006052424A (ja) * 2004-08-10 2006-02-23 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
US8518181B2 (en) 2004-08-10 2013-08-27 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus and film forming method

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