JPH033239A - ポリイミド系樹脂膜のエッチング方法、その方法を用いた配線構造体および被エッチング材の処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、ポリイミド系樹脂膜のエツチング方法、それ
を用いた配線構造体および被エツチング材の処理方法に
関する。

Ｃ従来の技術］ ポリイミド系樹脂は耐熱性、成形性、機械特性、寸法安
定性等が優れているために、配線基板の絶縁体として、
好ましく用いられている。

このポリイミド系樹脂のエツチング方法には、大別して
、酸素や四塩化フッ素などのガスを用いたドライエツチ
ングと、溶剤を使用するウェットエツチングがある。

ドライエツチングは、真空状態に上記ガスを封入するた
めに、ウェットエツチングと比較して、装置が大がかり
となり、また１手間がかがるため、量産性に劣る。この
ため、実用的には、ウェットエツチングが採用されてい
る。

ウェットエツチングは、従来、例えば特開昭５６−１２
５８５８号、同６１−８３２３５号公報等に記載されて
いるように、ポリイミド系樹脂膜の上に、ポジ型もしく
はネガ型のレジスト膜を作り、これをエツチングマスク
として、塩基性エツチング液を用いて、ポリイミド樹脂
膜を選択的にエツチングすることにより、行われている
。

この時、ポリイミド系樹脂は、エツチング液と接触２反
応して表面層に変質層を生じ、この変質層がエツチング
液に溶解してエツチングが進行する。

［発明が解決しようとする課題］ 上記変質層は、強塩基性溶液によって、ポリイミド系樹
脂が分解、反応した結果生じた低分子量のポリイミド系
樹脂あるいはイミド環の開裂した樹脂と考えられる。こ
のような、低分子量のポリイミド系樹脂あるいはイミド
環の開裂した樹脂は、強塩基性溶液に浸されると必ず生
ずるものであり、エツチング後も除去されなかった変質
層は残っている。

しかし、この変質層が残っていると、ポリイミド系樹脂
膜の絶縁膜としての信頼性が低下する。

特に、多層配線構造体の層間絶縁膜として用いられる時
、エツチングによりパターン形成したポリイミド系樹脂
膜上に配線構造体の上層配線導体が形成されると、配線
導体が変質層と接触し、配線導体の腐食やポリイミド系
樹脂膜の絶縁特性等の信頼性低下を引き起こしやすく、
素子の信頼性を低下する。

このため、素子の信頼性が望まれる基板に使用するには
、不十分であり、特に、近年開発が進められている大型
計算機用等の薄膜多層基板では、致命的な欠陥となる。

そこで、本発明の第１の目的は、エツチング後もポリイ
ミド系樹脂の表面層に残存する変質層を除去することが
できる、ポリイミド系樹脂のエツチング方法を提供する
ことにある。第２の目的は、上記方法を用いた配線構造
体と被エツチング材の処理方法を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明の第１の目的は、 本発明の目的は、基板上に形成されたポリイミド系樹脂
膜に、レジスト膜パターンを形成し、該レジスト膜パタ
ーンをマスクとして、エツチング液にて前記ポリイミド
系樹脂膜を選択エツチングする方法において、前記エツ
チング液が前記ポリイミド樹脂膜上に生じる変質膜を、
有機溶剤にて、除去することを特徴とするポリイミド系
樹脂膜のエツチング方法によって達成される。

他の見地によれば、本発明は、基板上に形成した絶縁膜
に、レジスト膜パターンを形成し、該レジスト膜パター
ンをマスクとして、第一のエツチング液にて前記絶ａ膜
をエツチングし、その後さらに、第二のエツチング液に
より絶縁膜露出部を処理することを特徴とする絶縁膜の
エツチング方法を提供する。

前記第二のエツチング液は、第一のエツチング工程にお
いて接触により生じた絶縁膜露出部面部の変質層に対し
て、選択性を有することが好ましい。

さらに、本発明の第二の目的は、本発明の配線構造体は
、上記ポリイミド系樹脂膜のエツチング方法にてエツチ
ングされたポリイミド系樹脂膜が、層間絶縁膜として、
積層されている配線構造体によって達成される。

他の見地によれば、本発明の配線構造体は、エツチング
により開口を形成した絶縁膜を有する配線構造体におい
て、前Ｒｎｍ膜が、エツチングによる変質層を実質的に
含まないことを特徴とする配線構造体を提供する。

本発明の被エツチング材の処理方法は、被エツチング材
がエツチングより、露出表面部に変質層を生じる場合に
一般的に用いることができる。

本発明に用いられる有機溶剤は、変質層を除去する溶剤
であれば、特に、限定されることはないが、非プロトン
性極性溶剤および／またはポリアミンから選択されるこ
とが好ましい。

好ましく用いられる非プロトン性極性溶剤には、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシ
ド、Ｎ−アセチル−ε−カプロラクタム、１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリジノン、１，２−ジメトキシエタ
ン、１．２−ジェトキシエタン、ｌ−アセトキシ−２−
メトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、トリエチレングリコールジメチルエーテル等が挙げ
られる。

また、ポリアミン類としては、エチレンジアミン、キシ
レンジアミン、トリメチレンジアミン、ヘキサメチレン
ジアミン等が挙げられる。

なかでも、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ。

Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エ
チレンジアミンが好ましい。

有機溶剤は、単独あるいは数種類の混合系として用いる
。

処理方法は、有機レジストの現像処理方法として周知の
ものである、浸漬処理、デイツプ処理、スプレー処理等
が挙げられる。

浸漬処理は、ボｒノイミド系樹脂膜がエツチングされた
基板を、処理液中に浸漬するものである。

デイツプ処理は基板上に処理液を乗せ、スプレー処理は
基板上に処理液をスプレーで噴霧する。

これらの処理方法を、単独あるいは組み合わせて使用す
る。

本発明では、ポリイミド系樹脂膜の表面処理で用いた有
機溶剤を除去するために、洗浄および／または加熱を行
うことが好ましい。洗浄には、メチルアルコール、エチ
ルアルコール、イソプロピルアルコール等のアルコール
や水を用いる。加熱は、２００〜４５０℃にて行う。

このようにして、使用した、有機溶剤を樹脂膜中から除
くことにより、残留している有機溶剤が引き起こす、ポ
リイミド系樹脂膜の局所的脆弱化を防止できる。

処理温度は、２０℃以上、有機溶剤の沸点未満の範囲で
あることが好ましい。さらに、好ましくは３０℃以上、
１２０℃以下である。　２０℃未満の温度では、変質層
を十分に除去することができない。また、沸点を越える
と有機溶剤が揮発し、作業環境上、適さない。

ポリイミド系樹脂膜表面層の処理は、エツチング後、エ
ツチングマスクであるレジストを剥離する前に行っても
よいし、剥離する後に行ってもよい。

しかしながら、この処理工程は、一般的には、レジスト
剥離後に１組み入れることが好ましい。

これは、ポリイミド系樹脂膜が、レジスト剥離液に触れ
ることで、変質層表面での液交換が速く起こるために、
変質層の除去が効率良く進むためである。

本発明でいう配線基板は、単層あるいは多層どちらでも
構わない。

変質層が、実質的に除去されているかは、ＩＲ。

ＦＴ−ＩＲ等の検出手段を用いることができる。

エツチング前および表面処理後において、ポリイミド構
造特有のＣ＝○、Ｃ−Ｎ結合を示すピーク強度と、イミ
ド結合以外の結合、たとえば、芳香環のＣ＝Ｃ結合、あ
るいは、変質層に特に強く見られる一ＮＨ−結合のピー
ク強度との相対強度の変化で判断する。表面処理後の相
対強度値が、エツチング前の相対強度値の３７４以上で
あるならば、実質的に除去されている。

また、変質層が実質的に除去されている配線基板の絶縁
破壊電圧は、２５０Ｖ／μｍ以上を示す。

（以下余白） ポリイミド系樹脂膜のエツチング液としては。

ヒドラジンヒトラードとポリアミンの混合物から成る塩
基性溶剤が好適である。ポリアミンとしては、具体的に
エチレンジアミン、キシレンジアミン、トリメチレンジ
アミン、ヘキサメチレンジアミンが挙げられ、エチレン
ジアミン、キシレンジアミンは安価なので好適である。

配合割合はヒドラジンヒトラード９０〜３ｏ容量％と残
りがポリアミンであるものが望ましい、ヒドラジンヒト
ラードが９０容量％より多いと、ポリイミド系樹脂膜が
膨潤し、パターン変形が発生しやすくなる。

また３０容量％より少ないとエツチング速度が低下し、
作業効率上適していない。

上記組成のエツチング液を用いてエツチングを行なう時
の液温は１５℃〜６０℃、好ましくは２５℃〜５０℃が
良い、液温が１５℃未満であるとエツチング速度が著し
く低下し、作業効率上適していない、また、６０℃を越
えるとパターン変形が発生しやすくなる。

本発明で用いるレジスト膜としては、有機系又は無機系
のものが挙げられる。有機系レジストとしては、ポリイ
ミド系樹脂膜のエツチング液耐性を有するものであれば
、何れのものでも使用可能である。市販レジストとして
は、０ＤＵＲ。

ＯＭＲ−８３，０ＮＮＲ（東京応化（株）爬）等が知ら
れている。

上記有機系レジストをポリイミド系樹脂膜上に塗布する
方法としては、スピンナを用いたスピンコーティング法
、または浸漬、噴霧、印刷等の手段が用いられる。有機
系レジストは周知のフォトリソグラフィーによって、容
易に所望のパターンを形成することができる。

無機系レジストは金属材料をエツチングマスクとして用
いる。具体的には、アルミニウム、チタン、銅、銅−ニ
ッケル合金、クロム、タングステン、モリブデンなどが
材料として挙げられるが、ポリイミド系樹脂膜のエツチ
ング液耐性を有するものであれば、何れのものでも使用
可能である。

これらの金属材料は、蒸着法、スパッタリング法等によ
って膜形成が行なわれる。

さらに、フォトリソグラフィーによって、フォトレジス
トの所望のパターンを形成する。

［作　用］ 塩基性のエツチング剤でエツチングされた、ポリイミド
系樹脂の表面石には、主として低分子量のポリイミド系
樹脂あるいはイミド環の開裂した樹脂からなる、変質層
が生じている。

本発明では、有機溶剤がこの変質層を溶解する。

こうして、変質層が引き起こす、配線導体の腐食等によ
る性能低下や、絶縁特性の低下を防止し、素子の信頼性
の向上を達成する。

有機溶剤としては、非プロトン性極性溶剤および／また
はポリアミンから選択される少なくとも１種類が好まし
く使用される。これらの溶剤は、ポリイミド系樹脂を侵
すことなく、変質層を選択的に除去することができる。

有機溶剤にて処理されたポリイミド系樹脂膜を洗浄およ
び／または加熱する場合には、有機溶剤が残留していな
い、樹脂膜を得ることができる。

このようにして、残留有機溶剤によるポリイミド系樹脂
膜の局所的脆弱化を防止できる。

有機溶剤による処理が、２０”Ｃ以上、有機溶剤の沸点
未満の条件内で、行われる場合には、効率良く変質層の
溶解除去が進む。また、有機溶剤が揮発しないため１作
業環境がよい。

［実施例コ 実施例１ シリコンウェハ上に下部電極として、ＡＱ蒸着膜を厚さ
２μｍ形成した後、その上に、日立化成工業（株）製の
登録商標ＰＩＱのポリイミド前駆体ワニスをスピン塗布
し、この基板を、２００℃で３０分間、続いて４００℃
で６０分間加熱して厚さ約５．０μｍのポリイミド膜を
得た。

次に、上記基板をヒドラジンヒトラード−エチレンジア
ミン（無水）の７０：３０（容量％）混合溶液から成る
エツチング液に３０℃で浸漬し、前述のポリイミド膜を
約２．２μｍ全面エツチングし、続いて純水で洗浄して
、エツチング時にエツチング液と反応して、ポリイミド
膜の表層に生成している変質層を含んだ、厚さ約２．８
μｍのポリイミド膜を得た。

基板をさらに、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドに１００
℃で３０分間浸漬して、続いて純水で洗浄し、エツチン
グ時にエツチング液と反応してポリイミド膜の表層に生
じた変質層を除去した。これにより、厚さ約２．０μｍ
のポリイミド膜を得た９次に、上記ポリイミド膜上に、
上部電極としてＡＱ膜を基板加熱をせずに室温で真空蒸
着して、厚さ３．５μｍのＡＱ蒸着膜を形成した。

上記の方法で１００個の試験素子を製造し、これを用い
て絶縁破壊電圧を測定した。この結果。

試験素子の９０％以上で上記ポリイミド膜が３００Ｖ／
μｍ以上の破壊電圧を示した。

比較例 実施例１と同様に、厚さ２μｍのＡＱ蒸着下部電極を形
成しているシリコンウェハ上に、ＰＩＱのポリイミド前
駆体ワニスをスピン塗布し、この基板を２００℃で３０
分間、続いて４００℃で６０分間加熱して厚さ約４．２
μｍのポリイミド膜を得た。

次に、上記基板を、ヒドラジンヒトラード−エチレンジ
アミン（無水）の７０：３０（容量％）混合液から成る
エツチング液に３０”Ｃで浸漬し、前述のポリイミド膜
を約２．２μ】全面エツチングし、続いて純水で洗浄し
て、エツチング時にエツチング液と反応してポリイミド
膜の表層に生じる変質層を含む、厚さ約２．０μｍのポ
リイミド膜を得た。

次に、上記ポリイミド膜上に上部電極としてＡＱ膜を基
板加熱をせずに室温で真空蒸着して、厚さ３．５μｍの
Ａ、Ｑ蒸着膜を形成した。

上記の方法で１００個の試験素子を製造し、これを用い
て絶縁破壊電圧を測定した。この結果、試験素子の９０
％以上で上記ポリイミド膜の絶縁破壊電圧は１００Ｖ／
μｍ以下の値しか示さなかった。

実施例２〜４ 変質層を除去する有機溶剤を、実施例２は、非プロトン
系溶剤であるＮ−メチル−２−ピロリドン、実施例３は
、同系のジメチルスルオキシドを用いた以外は、実施例
１と同様にして、試験素子を作製した。

実施例４は、上記有機溶剤として、ポリアミンであるエ
チレンジアミンを用い、基板をエチレンジアミンに３０
℃、３０分間浸漬した以外は、実施例１と同様にして、
試験素子を作製した。

実施例２〜４で作製した試験素子を、実施例１と同様な
方法で、絶縁破壊電圧を測定し、試験素子の９０％以上
が３００Ｖ／μｍ以上の破壊電圧を示した。

実施例５ 実施例１と同様の方法で、変質層を含んだポリイミド膜
を得た後、実施例４と同様の方法で、基板を、ポリアミ
ンであるエチレンジアミンに１００℃で３０分間浸漬し
て、続いて純水で洗浄し、変質層を除去した。

さらに、この基板を３５０℃で３０分間加熱して厚さ約
２．０μｍのポリイミド膜を得た。

次に、上記ポリイミド膜上に上部電極としてＡＱ膜を基
板加熱をせずに室温で真空蒸着して。

厚さ３．５μｍのＡｎ蒸着膜を形成した。

上記の方法で１００個の試験素子を形成し、これを用い
て絶縁破壊電圧を測定した。この結果、実施例１と同様
に試験素子の９５％以上で上記ポリイミド膜が３００Ｖ
／μｎ１以上の破壊電圧を示した。

実施例６ 第１図（ａ）に示すように、シリコンウェハ基板１上に
日立化成工業（株）製の登録商標ＰＩＱのポリイミド前
開体ワニスをスピン塗布し、上記基板を２００”Ｃで３
０分間加熱して厚さ４μｍのポリイミド膜を得た。この
操作を再度繰り返し、最後に４００℃で６０分間加熱し
１て厚さ８μｍのポリイミド樹脂膜２を形成した。

次に、第１図（ｂ）に示すように、ポリイミド樹脂膜２
上に東京応化工業（株）製のネガ型レジスト０ＮＮＲ−
２０（粘度１４０センチボイス）をスピン塗布し、上記
基板を１００℃で３０分間プリベークして厚さ２μｍの
レジスト膜３を形成した。

次に、第１図（ｃ）に示すように、所定のパターン形成
用ネガ型マスク（図示せず）を用いて、上記基板を密着
被覆し、５００Ｗ高圧水銀灯を有する露光装置で露光し
た。続いて、東京応化工業（株）製の０ＮＮＲ−２０専
用現像液にて現像し、未露光部の除去、専用リンス液で
のリンスを行い、１５０℃で３０分間ポストベークして
、５０μｍ幅の抜きパターン３ａを得た。

次に、第１図（ｄ）に示すように、レジストパターン３
ａをエツチングマスクとして、エツチング液でポリイミ
ド系樹脂膜２を選択的にエツチング除去し、続いて純水
で洗浄した。この時のエツチング条件は、ヒドラジンヒ
トラード−エチレンジアミン（無水）の７０：３０（容
量％）混合溶液に３０℃で５０分間浸漬するものであっ
た。

次に、第１図（ｅ）に示すように上記基板を東京応化工
業（株）製の商品名５０２（レジスト剥離液）に１００
℃で１０分間浸漬後、リンスして。

レジスト３を剥離した。

次に、上記基板を非プロトン性極性溶媒であるＮ、Ｎ−
ジメチルアセトアミドに１００℃で３０分間浸漬して、
続いて純水で洗浄し、エツチング時にエツチング液と反
応してポリイミド系樹脂膜の表層に生成している変質層
を除去し、信頼性を高めたポリイミド系樹脂膜を得た。

上記の方法で、１００個の配線基板を製造し、これを用
いて＃！Ａ縁破壊電圧を測定した。この結果、９０％以
上の配線基板が、３００Ｖ／μ重以上の破壊電圧を示し
た。

実施例７〜９ 変質膜を除去する有＠溶剤として、実施例７は、非プロ
トン性極性溶剤のＮ−メチル−２−ピロリドンを、実施
例８は、同系のジメチルスルオキシドを用いた以外は、
実施例６と同様にして、配線基板を製造した。

実施例９は、上記有機溶剤として、ポリアミンであるエ
チレンジアミンを用い、配線基板をエチレンジアミンに
３０℃、４０分間浸漬した以外は、実施例６と同様にし
て配線基板を製造した。

実施例７〜９で製造した配線基板を、実施例６と同様な
方法で、絶縁破壊電圧を測定し、実施例６と同様の結果
を得た。

実施例１０ 第２図（ａ）に示すように、シリコンウェハ基板１上に
日立化成工業（株）製の登録商標ＰＩＱのポリイミド前
訃体ワニスをスピン塗布し、上記基板を２００℃で３０
分間加熱して厚さ４μｍのポリイミド膜を得た。この操
作を再度繰り返し、最後に４００℃で６０分間加熱して
、厚さ８μｍのポリイミド樹脂膜２を形成した。その上
に、ポリイミド樹脂膜２上にスパッタリングによって、
厚さ　０．８μｍのアルミニウム膜４を形成した。

次に、第２図（ｂ）に示すように、アルミニウム膜から
成るエツチングマスク形成の前処理として。

アルミニウム膜４上にフォトレジストとして東京応化工
業（株）製の商品名ＯＭＲ−８３（ネガ型レジスト）を
スピン塗布し、８５°Ｃで３０分間プリベークして厚さ
１．５μｍのレジスト膜５を形成した。

次に、第２図（ｃ）に示すように、所定のパターン形成
用ネガ型マスク（図示せず）を用いて、周知のフォトリ
ソグラフィー技術によって、５０μ１１＠の抜きパター
ン５ａを得た。

次いで、第２図（ｄ）に示すように、上記フォトレジス
ト膜のパターン５ａをマスクとして、アルミニウム膜４
をエツチングして、フォトレジスト膜のパターン５ａを
アルミニウム膜４に転写し、アルミニウム膜パターン４
ａを得た。アルミニウム膜４のエツチングは、上記基板
を、リン酸７０容、硝酸２５容、酢酸５容から成るエツ
チング液に浸漬して、アルミニウム膜４の露出部分を選
択的にエツチングして行なった。

次いで、第２図（ｅ）に示すように上記基板を東京応化
工業（株）Ｉｌの商品名５ｏ２（レジスト剥離液）に、
１００℃で１０分間浸漬し、リンスして、レジスト膜の
パターン５ａを剥離した。

次いで、第２図（ｆ）に示すように、アルミニウム膜パ
ターン４ａをエツチングマスクとして、エツチング液で
ポリイミド系樹脂膜２を選択的にエツチング除去した後
、続いて純水で洗浄した。この時のエツチング条件は、
ヒドラジンヒトラード−エチレンジアミン（無水）の７
０：３０（容量％）混合溶液に、３０℃で５０分間浸漬
するものであった。

次に、上記基板を、非プロトン性極性溶媒であるＮ、Ｎ
−ジメチルアセトアミドに１００℃で３０分間浸漬して
、続いて純水で洗浄し、エツチング時にエツチング液と
反応してポリイミド系樹脂膜の表層に生成している変質
層を除去した。

次に、第２図（ｇ）に示すように、上記基板を前述のア
ルミニウム膜エツチング液に浸漬してアルミニウム膜パ
ターン４ａを除去して、変質層を除去した信頼性の高い
ポリイミド系樹脂膜を得た。

上記の方法で、１００個の配線基板を製造し、これを用
いて絶縁破壊電圧を測定した。この結果、９０％以上の
配線基板が、３００Ｖ／μｍ以上の破壊電圧を示した。

実施例１２〜１４ 変質膜を除去する有機溶剤を、実施例１２は、非プロト
ン性極性溶剤のＮ−メチル−２−ピロリドン、実施例１
３は、同系のジメチルスルオキシドを用いた以外は、実
施例１１と同様にして配線基板を製造した。

実施例１４は、上記有機溶剤として、ポリアミンである
エチレンジアミンを用い、配線基板をエチレンジアミン
に３０℃、４０分間浸漬した以外は、実施例１１と同様
にして配線基板を製造した。

実施例１２〜１４で製造した配線基板を、実施例１１と
同様な方法で、絶縁破壊電圧を測定し、実施例１１と同
様な結果を得た。

実施例１５ まず、第３図（ａ）に示すようにアルミナ基板６の上下
の電気的導通を得るために、あらかじめ基板内部の貫通
孔にタングステン柱８を設け、更にその表面に、ニッケ
ルメッキした導体層７を持つアルミナ基板６を準備した
。

上記基板上に、日立化成工業（株）製に登録商標ＰＩＱ
のポリイミド前睡体ワニスをスピン塗布し、上記基板を
２００℃で３０分間、次いで、３５０℃で３０分間加熱
して厚さ４μｍのポリイミド硬化膜を得た。この操作を
３回繰り返して、厚さ１２　μ陽のポリイミド樹脂膜２
を形成した。

次に、第３図（ｂ）に示すように、導体層７の上部が開
口部となるポリイミド樹脂膜パターンを得た。この時の
パターン形成条件は、実施例６と同材料、同条件で、レ
ジスト膜を形成、パターン化し、次いで、導体層７の上
部が、開口部となるようにポリイミド樹脂膜をエツチン
グし、パターンを形成した。この時、レジスト膜の露光
には１：１投影露光装置を用いた。

また、ポリイミド樹脂膜のエツチング液も実施例６と同
材料を用いた。

続いて、非プロトン性極性溶媒であるＮ、Ｎ−ジメチル
アセトアミドに１００℃で６０分間浸漬して、続いて純
水で洗浄し、エツチング時に、エツチング液と反応して
ポリイミド系樹脂膜の表層に生成している変質層を除去
し、信頼性を高めたポリイミド樹脂膜パターンを得た。

次に、第３図（Ｃ）に示すように、基板全面に、厚さ３
μｍのアルミニウム膜をスパッタリングにより形成し、
次いでレジストとして東京応化工業（株）製の商品名０
ＦＰＲ（ポジ型レジスト）を用いてレジストパターン（
図示せず）を形成し、これをマスクとし、アルミエツチ
ング液としてリン酸７５容、硝酸１０容、酢酸１５容か
ら成るエツチング液を用いてエツチングし、下地導体層
７との導通を有する、第１のアルミ配線層パターン９を
形成した。

次に、第３図（ｄ）に示すように、アルミ配線層の上部
が選択的に開口部となるように、上記第３図（ｂ）工程
と同様の方法によって、第２のポリイミド樹脂膜パター
ン２−２を形成した。そして、下部導体屡（第１のアル
ミ配線層パターン９）との導通を得るために、第２のポ
リイミド樹脂膜パターンの開口部上に、配線が位置する
ように、第２のアルミ配線層パターン９−２を、上記と
同様の方法によって、形成した。

これを繰り返して、アルミ配線層として９〜９−４から
なる４層、ポリイミド樹脂膜として２〜２−４からなる
４層の薄膜多層配線基板を作成した。

上記の方法で、１００個の配線基板を製造し、これを用
いて絶縁破壊電圧を測定した。この結果、９０％以上の
配線基板が、３００Ｖ／μｍ以上の破壊電圧を示した。

［発明の効果コ 以上のように、本発明は、エツチング時に、エツチング
液と反応してポリイミド系樹脂膜の表面に生成する変質
層を除去する。

こうして、変質層が引き起こす、配線導体の腐食等によ
る性能低下や、絶縁特性の低下を防止し、素子の信頼性
の向上を達成できる。

従って、本発明を、半導体素子や薄膜多Ｎ基板等の絶縁
膜のエツチング工程に利用すれば、信頼性の高い絶＃膜
を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図および第３図は、本発明を用いた配線基
板の製造工程を概説する断面図である。 １・・・基板、２・・・ポリイミド系樹脂膜、３・・・
レジスト、３ａ・・・レジストパターン、４・・・アル
ミニウム膜、４ａ・・・アルミニウム膜パターン、５・
・・レジスト、５ａ・・・レジストパターン、６・・・
アルミナ基板、７・・・ニッケル層、８・・・タングス
テン層、９・・・アルミ配線。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に形成されたポリイミド系樹脂膜に、レジス
   ト膜パターンを形成し、該レジスト膜パターンをマスク
   として、エッチング液にて前記ポリイミド系樹脂膜をエ
   ッチングする方法において、前記エッチング液により前
   記ポリイミド樹脂膜上に生じる変質膜を、有機溶剤にて
   、除去することを特徴とするポリイミド系樹脂膜のエッ
   チング方法。 ２、前記有機溶剤が、非プロトン性極性溶剤および／ま
   たはポリアミンから選択される少なくとも１種類である
   ことを特徴とする請求項１記載のポリイミド系樹脂膜の
   エッチング方法。 ３、前記有機溶剤にて処理されたポリイミド系樹脂膜が
   、洗浄および／または加熱されることを特徴とする請求
   項１または２記載のポリイミド系樹脂膜のエッチング方
   法。 ４、前記有機溶剤による処理が、２０℃以上、有機溶剤
   の沸点未満で行われることを特徴とする請求項１、２ま
   たは３記載のポリイミド系樹脂膜のエッチング方法。 ５、基板上に形成した絶縁膜に、レジスト膜パターンを
   形成し、該レジスト膜パターンをマスクとして、第一の
   エッチング液にて前記絶縁膜をエッチングし、その後さ
   らに、第二のエッチング液により絶縁膜露出部を処理す
   ることを特徴とする絶縁膜のエッチング方法。 ６、前記第二のエッチング液は、第一のエッチング工程
   において接触により生じた絶縁膜露出表面部の変質層に
   対して、選択性を有することを特徴とする請求項５記載
   の絶縁膜のエッチング方法。 ７、請求項１、２、３または４記載のポリイミド系樹脂
   膜のエッチング方法にてエッチングされたポリイミド系
   樹脂膜が、層間絶縁膜として、積層されている配線構造
   体。 ８、エッチングにより開口を形成した絶縁膜を有する配
   線構造体において、前記絶縁膜が、エッチングによる変
   質層を実質的に含まないことを特徴とする配線構造体。 ９、エッチング工程において、被エッチング材露出表面
   部に生じた変質層を、該変質層に対して選択的に作用す
   る有機溶剤により処理することを特徴とする被エッチン
   グ材の処理方法。