JPH033361A - 混成集積化一次元光電変換素子アレイ - Google Patents
混成集積化一次元光電変換素子アレイInfo
- Publication number
- JPH033361A JPH033361A JP1138163A JP13816389A JPH033361A JP H033361 A JPH033361 A JP H033361A JP 1138163 A JP1138163 A JP 1138163A JP 13816389 A JP13816389 A JP 13816389A JP H033361 A JPH033361 A JP H033361A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal output
- wiring
- photoelectric conversion
- optical signal
- electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、混成集積化一次元光電変換素子アレイに関す
る。より詳細には、本発明は、画像読み取りに使用する
一次元のイメージセンサ素子アレイにおいて、特に原稿
からの反射光を受光する密着読み取りに適した混成集積
化一次元光電変換素子アレイの新規な構成に関する。
る。より詳細には、本発明は、画像読み取りに使用する
一次元のイメージセンサ素子アレイにおいて、特に原稿
からの反射光を受光する密着読み取りに適した混成集積
化一次元光電変換素子アレイの新規な構成に関する。
従来の技術
ファクシミリ送信機などにおける原稿の画像読み取りデ
バイスとして、嘗では、ＩＣセンサと称されるＭＯＳや
ＣＣＤなどの一次元光電変換素子アレイが使用されてい
た。これに対して、近年、原稿幅と光電変換素子アレイ
幅とを１対１で対応させた、所謂密着型イメージセンサ
が実用化されている。この方式のイメージセンサは、縮
小光学系の光路が不要であり、また、縮小光学系の使用
において不可避な微妙な調整も必要ないので、送信機の
小型化並びに低価格化を大きく推進すると共に、読み取
りデバイスの使用を容易なものとしている。
バイスとして、嘗では、ＩＣセンサと称されるＭＯＳや
ＣＣＤなどの一次元光電変換素子アレイが使用されてい
た。これに対して、近年、原稿幅と光電変換素子アレイ
幅とを１対１で対応させた、所謂密着型イメージセンサ
が実用化されている。この方式のイメージセンサは、縮
小光学系の光路が不要であり、また、縮小光学系の使用
において不可避な微妙な調整も必要ないので、送信機の
小型化並びに低価格化を大きく推進すると共に、読み取
りデバイスの使用を容易なものとしている。
第３図は、上述のような密着形イメージセンサに使用さ
れる光電変換素子アレイの典型的な構成例を示す図であ
る。
れる光電変換素子アレイの典型的な構成例を示す図であ
る。
同図に示すように、この光電変換素子アレイは、透明ガ
ラス基板１上のアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ
と記載する）光導電層に成膜パターンとして形成された
共通電極２および個別電極３とセンサ素子部４とを備え
ている。通常は、これらの構成要素の表面に塗布された
ポリイミド絶縁層と、更にその上に成膜された上層配線
導体、マトリクス配線部５、出力信号配線部６および駆
動ＩＣ配置部７を備えている。
ラス基板１上のアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ
と記載する）光導電層に成膜パターンとして形成された
共通電極２および個別電極３とセンサ素子部４とを備え
ている。通常は、これらの構成要素の表面に塗布された
ポリイミド絶縁層と、更にその上に成膜された上層配線
導体、マトリクス配線部５、出力信号配線部６および駆
動ＩＣ配置部７を備えている。
共通電極２および個別電極３と上層配線とは、ポリイミ
ド絶縁層に設けたスルーホール８を通して接続されてい
る。また、駆動ＩＣ配置部７には駆動ＩＣ９が接着剤で
固着され、信号出力線６と駆動ＩＣ９とはボンディング
ワイヤ１０１ごより接続されている。
ド絶縁層に設けたスルーホール８を通して接続されてい
る。また、駆動ＩＣ配置部７には駆動ＩＣ９が接着剤で
固着され、信号出力線６と駆動ＩＣ９とはボンディング
ワイヤ１０１ごより接続されている。
以上のように構成された光電変換素子アレイは、画像光
をセンサ素子部４で受光し、その強弱によって変化する
個別電極３と共通電極２との間の微弱な電流を、出力信
号配線部６を通して駆動ＩＣ９で増幅し、走査信号とし
て出力している。
をセンサ素子部４で受光し、その強弱によって変化する
個別電極３と共通電極２との間の微弱な電流を、出力信
号配線部６を通して駆動ＩＣ９で増幅し、走査信号とし
て出力している。
発明が解決しようとする課題
上述のように構成された密着型イメージセンサに使用さ
れる光電変換素子アレイにおけるセンサ素子部４は、読
み取る原稿の幅と同一寸法である。
れる光電変換素子アレイにおけるセンサ素子部４は、読
み取る原稿の幅と同一寸法である。
例えば、Ａ４判の原稿を読み取るためのセンサでは、光
電変換素子アレイの幅は２１６＋＋＋ｍとなる。
電変換素子アレイの幅は２１６＋＋＋ｍとなる。
ここで、第３図からも判るように、光電変換素子部４か
ら駆動ＩＣ９までの出力信号配線部６は、対応するセン
サの位置によってそれぞれ異なっている。即ち、透明ガ
ラス基板１の幅寸法やパターン設計によって異なるが、
出力信号配線部６の配線長は、Ａ４判用の光電変換素子
アレイの場合で１ｍｍから１２０Ｉ！Ｉａ＋程度の範囲
でばらつぐ。従って、駆動ＩＣ９の各入力端子には、そ
れぞれ対接地容量の異なった配線系が接続されることに
なる。このため、駆動ＩＣ９に入力される光信号は、対
接地容量のばらつきに依存する雑音が混入し、Ｓ／Ｎが
劣化する。特に、黒原稿を読み取る時は、電流値が小さ
いのでこれが顕著になる。
ら駆動ＩＣ９までの出力信号配線部６は、対応するセン
サの位置によってそれぞれ異なっている。即ち、透明ガ
ラス基板１の幅寸法やパターン設計によって異なるが、
出力信号配線部６の配線長は、Ａ４判用の光電変換素子
アレイの場合で１ｍｍから１２０Ｉ！Ｉａ＋程度の範囲
でばらつぐ。従って、駆動ＩＣ９の各入力端子には、そ
れぞれ対接地容量の異なった配線系が接続されることに
なる。このため、駆動ＩＣ９に入力される光信号は、対
接地容量のばらつきに依存する雑音が混入し、Ｓ／Ｎが
劣化する。特に、黒原稿を読み取る時は、電流値が小さ
いのでこれが顕著になる。
このような、出力信号配線部６の配線長のばらつきに起
因する特性の劣化は、電気的に補正することも可能であ
るが、この場合、付加的な回路を必要とする上に、装置
のコストの上昇が不可避となる。
因する特性の劣化は、電気的に補正することも可能であ
るが、この場合、付加的な回路を必要とする上に、装置
のコストの上昇が不可避となる。
そこで、本発明は、上記従来技術の問題点を解決し、簡
素な構成で高性能を実現した廉価な混成集積化一次元光
電変換素子アレイの新規な構成を提供することをその目
的としている。
素な構成で高性能を実現した廉価な混成集積化一次元光
電変換素子アレイの新規な構成を提供することをその目
的としている。
課題を解決するための手段
即ち、本発明に従うと、絶縁性基板上に形成された複数
の光電変換素子と、該光電変換素子の駆動回路と、該光
電変換素子をそれぞれ該駆動回路に接続する複数の光信
号出力配線を含む光信号出力配線部とを搭載した混成集
積化一次元光電変換素子アレイにおいて、前記光信号出
力配線部と前記光電変換素子とを各々接続する出力端子
電極の下方に層間絶縁層を介して形成され、各光信号出
力配線と所望の対向面積で対向した部分を有する接地電
極を備えることを特徴とする混成集積化一次元光電変換
素子アレイが提供される。
の光電変換素子と、該光電変換素子の駆動回路と、該光
電変換素子をそれぞれ該駆動回路に接続する複数の光信
号出力配線を含む光信号出力配線部とを搭載した混成集
積化一次元光電変換素子アレイにおいて、前記光信号出
力配線部と前記光電変換素子とを各々接続する出力端子
電極の下方に層間絶縁層を介して形成され、各光信号出
力配線と所望の対向面積で対向した部分を有する接地電
極を備えることを特徴とする混成集積化一次元光電変換
素子アレイが提供される。
ここで、本発明の好ましい一実施態様に従うと、前記出
力端子電極と前記接地電極との間に間挿される層間絶縁
層は、前記光電変換素子を構成するマ） ＩＪクス配線
を搭載した層間絶縁層と同一の絶縁層である。
力端子電極と前記接地電極との間に間挿される層間絶縁
層は、前記光電変換素子を構成するマ） ＩＪクス配線
を搭載した層間絶縁層と同一の絶縁層である。
作用
本発明に係る混成集積化一次元光電変換素子アレイは、
光信号出力配線部の出力端子電極下に、層間絶縁層を介
して接地電極を配置したことをその主要な特徴としてい
る。
光信号出力配線部の出力端子電極下に、層間絶縁層を介
して接地電極を配置したことをその主要な特徴としてい
る。
本発明に係る光電変換素子アレイでは、光信号出力配線
部の下方に層間絶縁層を介して接地電極を備えているの
で、この接地電極と各光信号出力配線との間の容量を適
切に設定することによって、各光信号出力配線の対接地
容量を調節して光信号出力配線相互間の対接地容量のば
らつきを補正することができる。
部の下方に層間絶縁層を介して接地電極を備えているの
で、この接地電極と各光信号出力配線との間の容量を適
切に設定することによって、各光信号出力配線の対接地
容量を調節して光信号出力配線相互間の対接地容量のば
らつきを補正することができる。
即ち、前述した従来の光電変換素子アレイの構成に対し
て、本発明に係る光電変換素子アレイは、信号を読み出
す駆動ＩＣの入力端子の対接地容量を均一化して光信号
のＳ／Ｎを改善している。
て、本発明に係る光電変換素子アレイは、信号を読み出
す駆動ＩＣの入力端子の対接地容量を均一化して光信号
のＳ／Ｎを改善している。
以下、図面を参照して本発明をより具体的に説明するが
、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎず、本発明の技
術的範囲を何ら限定するものではない。
、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎず、本発明の技
術的範囲を何ら限定するものではない。
実施例１
第１図（ａ）および（５）は、それぞれ、本発明に従う
光電変換素子アレイの構成例を示す断面図および平面図
である。
光電変換素子アレイの構成例を示す断面図および平面図
である。
同図に示すように、この光電変換素子アレイは、表面に
ａ−３ｉ光導電体層２０を形成された透明ガラス基板１
１と、ａ−３ｉ光導電体層２０上に形成された共通電極
１２、個別電極１３および接地配線２１からなる第１の
導体層を形成と、これら第１導体層を覆う感光性ポリイ
ミド膜２２と、更に、ポリイミド膜２２上に形成された
マトリクス配線部１５、駆動ＩＣ設置部１７および信号
出力配線部１６からなる第２導体層とを備えている。ポ
リイミド膜２２には、必要に応じてスルーホール１８が
形成されている。また、駆動ＩＣ１９は、駆動ＩＣＣ設
置部子７上搭載されて、ボンディングワイヤ３０によっ
て各配線と接続されている。
ａ−３ｉ光導電体層２０を形成された透明ガラス基板１
１と、ａ−３ｉ光導電体層２０上に形成された共通電極
１２、個別電極１３および接地配線２１からなる第１の
導体層を形成と、これら第１導体層を覆う感光性ポリイ
ミド膜２２と、更に、ポリイミド膜２２上に形成された
マトリクス配線部１５、駆動ＩＣ設置部１７および信号
出力配線部１６からなる第２導体層とを備えている。ポ
リイミド膜２２には、必要に応じてスルーホール１８が
形成されている。また、駆動ＩＣ１９は、駆動ＩＣＣ設
置部子７上搭載されて、ボンディングワイヤ３０によっ
て各配線と接続されている。
ここで、各信号出力配線１６の光電変換素子を構成する
共通電極１２との接続点近傍には、局部的に配線幅を大
きくした対向電極部２３を設け、ポリイミド膜を介して
接地電極２５と対向させている。
共通電極１２との接続点近傍には、局部的に配線幅を大
きくした対向電極部２３を設け、ポリイミド膜を介して
接地電極２５と対向させている。
尚、以上のような構成の本実施例に係る光電変換素子ア
レイは、Ａ４判の原稿読み取りに使用できる８素子／
ｍａ＋の光電変換素子アレイであり、個別電極１３およ
び共通電極１２の本数は、それぞれ１７２８本および１
０８本である。また、マトリクス配線部１５の構成は、
１０８ Ｘ １６であり、信号出力配線１６は１０８本
配置されている。
レイは、Ａ４判の原稿読み取りに使用できる８素子／
ｍａ＋の光電変換素子アレイであり、個別電極１３およ
び共通電極１２の本数は、それぞれ１７２８本および１
０８本である。また、マトリクス配線部１５の構成は、
１０８ Ｘ １６であり、信号出力配線１６は１０８本
配置されている。
このような構造の混成集積化一次元光電変換素子アレイ
は、各信号出力配線１６が、駆動ＩＣ１９までの距離の
差異による不揃いが発生するために、浮遊容量がその配
線長に依存してばらついている。
は、各信号出力配線１６が、駆動ＩＣ１９までの距離の
差異による不揃いが発生するために、浮遊容量がその配
線長に依存してばらついている。
今、例えば信号出力配線１６０幅が０．１ｍｍであり、
透明ガラス基板１１の長さが２３０ｍｍ程度であるとす
ると、浮遊容量は０．１ｐＦ〜５ ｐＦ程度の範囲でそ
れぞれ寄生している。
透明ガラス基板１１の長さが２３０ｍｍ程度であるとす
ると、浮遊容量は０．１ｐＦ〜５ ｐＦ程度の範囲でそ
れぞれ寄生している。
そこで、配線長の短い信号出力配線１６の対向電極部２
３の下の接地電極２５の面積を大きくし、逆に配線長の
長い信号出力配線１６の対向電極に対応する接地電極２
５の面積は小さくすることによって、上述のような浮遊
容量のばらつきを補正することができ、結果として、各
信号出力配線の対接地容量は均等化される。
３の下の接地電極２５の面積を大きくし、逆に配線長の
長い信号出力配線１６の対向電極に対応する接地電極２
５の面積は小さくすることによって、上述のような浮遊
容量のばらつきを補正することができ、結果として、各
信号出力配線の対接地容量は均等化される。
従って、対接地容量のばらつきによる固定パターン雑音
源が解消され、画像光を読み出す時のＳ／Ｎ比が著しく
改善される。また、外部の信号処理回路に補正回路も不
用なので、この回路は廉価に接続することができる。
源が解消され、画像光を読み出す時のＳ／Ｎ比が著しく
改善される。また、外部の信号処理回路に補正回路も不
用なので、この回路は廉価に接続することができる。
実施例２
第２図は、本発明に係る光電変換素子アレイの他の構成
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
同図に示すように、この光電変換素子アレイは、透明ガ
ラス基板３１上に形成された、マトリクス配線部３５、
光電変換素子部３４、接地配線電極部４１、出力配線端
子部３６を備えている。また、この透明ガラス基板３１
に隣接する駆動ＩＣ基板５１上に搭載された駆動ＩＣ２
９と、この駆動ＩＣ２９と透明基板３１上の光電変換素
子部３４とを接続する長さの不揃いな複数の信号出力配
線５６はを備えている。
ラス基板３１上に形成された、マトリクス配線部３５、
光電変換素子部３４、接地配線電極部４１、出力配線端
子部３６を備えている。また、この透明ガラス基板３１
に隣接する駆動ＩＣ基板５１上に搭載された駆動ＩＣ２
９と、この駆動ＩＣ２９と透明基板３１上の光電変換素
子部３４とを接続する長さの不揃いな複数の信号出力配
線５６はを備えている。
透明ガラス基板３１と駆動ＩＣ基板５１とは、図示して
いない透明支持板上に対向して配置され、各出力配線端
子部３６と信号出力配線５６とはボンディングワイヤ４
０により接続されている。尚、透明ガラス基板３１上の
接地配線電極部４１には、駆動ＩＣ基板５１の信号出力
配線部５６の浮遊容量ばらつきを補正するた−めの対向
電極部５５が形成されている。
いない透明支持板上に対向して配置され、各出力配線端
子部３６と信号出力配線５６とはボンディングワイヤ４
０により接続されている。尚、透明ガラス基板３１上の
接地配線電極部４１には、駆動ＩＣ基板５１の信号出力
配線部５６の浮遊容量ばらつきを補正するた−めの対向
電極部５５が形成されている。
以上のように構成された混成集積化一次元光電変換素子
アレイは、実施例１に示した一体に構成された光電変換
素子アレイと全く同様に機能する他、駆動ＩＣ基板５１
にはプリント板などの廉価な基板材を使用できる、一方
、高価な透明ガラス基板３１０幅寸法を小さくすること
ができるので、更に低コスト化が可能になる。
アレイは、実施例１に示した一体に構成された光電変換
素子アレイと全く同様に機能する他、駆動ＩＣ基板５１
にはプリント板などの廉価な基板材を使用できる、一方
、高価な透明ガラス基板３１０幅寸法を小さくすること
ができるので、更に低コスト化が可能になる。
発明の詳細
な説明したように、本発明に係る混成集積化一次元光電
変換素子アレイは、各信号出力配線長に対応した対向電
極と、これに対向した接地配線とを設けることにより、
各センサからの光信号出力配線の対接地容量を均等化口
で信号出力配線部の配線長の不揃いによる寄生容量ばら
つきを補正している。従って、付加回路等や複雑な信号
処理なしに雑音混入を低減し、光電変換特性の向上を実
現している。
変換素子アレイは、各信号出力配線長に対応した対向電
極と、これに対向した接地配線とを設けることにより、
各センサからの光信号出力配線の対接地容量を均等化口
で信号出力配線部の配線長の不揃いによる寄生容量ばら
つきを補正している。従って、付加回路等や複雑な信号
処理なしに雑音混入を低減し、光電変換特性の向上を実
現している。
このような本発明に係る光電変換素子アレイを使用する
ことにより高性能な密着センサが廉価に供給され、ファ
クシミリ装置の原稿読み取りデバイス等に使用すること
によって、低価格で小型のファクシミリ装置等の廉価な
画像処理／通信装置を製造することが可能となる。
ことにより高性能な密着センサが廉価に供給され、ファ
クシミリ装置の原稿読み取りデバイス等に使用すること
によって、低価格で小型のファクシミリ装置等の廉価な
画像処理／通信装置を製造することが可能となる。
第１図（ａ）およびら）は、それぞれ、本発明に係る光
電変換素子アレイの構成例を示す断面図および平面図で
あり、 第２図は、本発明に係る光電変換素子アレイの他の構成
例を示す平面図であり、 第３図は、従来の光電変換素子アレイの典型的な構成を
示す平面図である。 〔主な参照番号〕 １．１１．３１・・・透明ガラス基板、２．１２・・・
・・共通電極、 ３．１３・・・・・個別電極、 ４．１４．３４・・・光電変換素子部、５．１５．３５
・ ６．１６．５６・ ７．１７・ ・ ・ ８．１８・ ・ ・ ９．１９．２９・ １０．３０．４０・ ２０・ ・ ・ ・ ・ ２１．４１・ ２２・ ・ ・ ２３．３６・ ２５．５５・ ５１・ ・ ・ マトリクス配線部、 信号出力配線部、 駆動ＩＣ設置部、 スルーホール、 駆動ＩＣ１ 接続用ボンディングワイヤ、 アモルファスシリコン （ａ−３ｉ）半導体層、 接地配線、 ポリイミド絶縁層、 対向電極、 接地電極、 駆動ＩＣ基板
電変換素子アレイの構成例を示す断面図および平面図で
あり、 第２図は、本発明に係る光電変換素子アレイの他の構成
例を示す平面図であり、 第３図は、従来の光電変換素子アレイの典型的な構成を
示す平面図である。 〔主な参照番号〕 １．１１．３１・・・透明ガラス基板、２．１２・・・
・・共通電極、 ３．１３・・・・・個別電極、 ４．１４．３４・・・光電変換素子部、５．１５．３５
・ ６．１６．５６・ ７．１７・ ・ ・ ８．１８・ ・ ・ ９．１９．２９・ １０．３０．４０・ ２０・ ・ ・ ・ ・ ２１．４１・ ２２・ ・ ・ ２３．３６・ ２５．５５・ ５１・ ・ ・ マトリクス配線部、 信号出力配線部、 駆動ＩＣ設置部、 スルーホール、 駆動ＩＣ１ 接続用ボンディングワイヤ、 アモルファスシリコン （ａ−３ｉ）半導体層、 接地配線、 ポリイミド絶縁層、 対向電極、 接地電極、 駆動ＩＣ基板
Claims (1)
- 絶縁性基板上に形成された複数の光電変換素子と、該光
電変換素子の駆動回路と、該光電変換素子をそれぞれ該
駆動回路に接続する複数の光信号出力配線を含む光信号
出力配線部とを搭載した混成集積化一次元光電変換素子
アレイにおいて、前記光信号出力配線部と前記光電変換
素子とを各々接続する出力端子電極の下方に層間絶縁層
を介して形成され、各光信号出力配線と所望の対向面積
で対向した部分を有する接地電極を備えることを特徴と
する混成集積化一次元光電変換素子アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138163A JPH033361A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 混成集積化一次元光電変換素子アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138163A JPH033361A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 混成集積化一次元光電変換素子アレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH033361A true JPH033361A (ja) | 1991-01-09 |
Family
ID=15215500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1138163A Pending JPH033361A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 混成集積化一次元光電変換素子アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH033361A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7167284B2 (en) | 2001-11-13 | 2007-01-23 | Rohm Co., Ltd. | Image sensor head provided with separate CCD sensor chip and driver chip |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP1138163A patent/JPH033361A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7167284B2 (en) | 2001-11-13 | 2007-01-23 | Rohm Co., Ltd. | Image sensor head provided with separate CCD sensor chip and driver chip |
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