JPH033407A - 超高周波領域で利用し得る利得調整可能な増幅器 - Google Patents
超高周波領域で利用し得る利得調整可能な増幅器Info
- Publication number
- JPH033407A JPH033407A JP11501190A JP11501190A JPH033407A JP H033407 A JPH033407 A JP H033407A JP 11501190 A JP11501190 A JP 11501190A JP 11501190 A JP11501190 A JP 11501190A JP H033407 A JPH033407 A JP H033407A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- adjustable
- gain
- mmic
- impedance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- PLFFHJWXOGYWPR-HEDMGYOXSA-N (4r)-4-[(3r,3as,5ar,5br,7as,11as,11br,13ar,13bs)-5a,5b,8,8,11a,13b-hexamethyl-1,2,3,3a,4,5,6,7,7a,9,10,11,11b,12,13,13a-hexadecahydrocyclopenta[a]chrysen-3-yl]pentan-1-ol Chemical compound C([C@]1(C)[C@H]2CC[C@H]34)CCC(C)(C)[C@@H]1CC[C@@]2(C)[C@]4(C)CC[C@@H]1[C@]3(C)CC[C@@H]1[C@@H](CCCO)C PLFFHJWXOGYWPR-HEDMGYOXSA-N 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/02—Manually-operated control
- H03G3/14—Manually-operated control in frequency-selective amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/0052—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using diodes
- H03G1/0058—PIN-diodes
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は超高周波領域で、中間周波数(考えをまとめる
ため70から 140メガヘルツとする)において、並
びに無線周波数(例えば1ギガヘルツの周辺の)又は低
周波(例えば10メガヘルツ)において利用し得る、利
得調整可能な増幅器に係る。
ため70から 140メガヘルツとする)において、並
びに無線周波数(例えば1ギガヘルツの周辺の)又は低
周波(例えば10メガヘルツ)において利用し得る、利
得調整可能な増幅器に係る。
受信回線網においては、情報の再生に必要な復調器は正
確に機能するため一定レベルで動作開始されなければな
らない。
確に機能するため一定レベルで動作開始されなければな
らない。
逆に受信レベルは流量、受信部分の形態(交さ形式、ケ
ーブルの形式、等々)又は伝播消失の関数として数デシ
ベル変化することができる。そこで利得調節可能な増幅
器は利得の自動又は手動制御を備える必要がある。
ーブルの形式、等々)又は伝播消失の関数として数デシ
ベル変化することができる。そこで利得調節可能な増幅
器は利得の自動又は手動制御を備える必要がある。
可調整利得は伝統的に、復調器に先行する増幅回線網内
に挿入された調整可能の減衰器を用いて実行される。こ
の種の減衰器は減衰の関数としての振幅/周波数特性に
おいて一次性を保持しなければならず、さらに高入力レ
ベルについては相互変調妨害線を生じてはならない。
に挿入された調整可能の減衰器を用いて実行される。こ
の種の減衰器は減衰の関数としての振幅/周波数特性に
おいて一次性を保持しなければならず、さらに高入力レ
ベルについては相互変調妨害線を生じてはならない。
従来用いられている増幅チャンネルは一般に、この可変
減衰器に先行する定利得増幅器を含む。
減衰器に先行する定利得増幅器を含む。
このことは減衰器の比較的重要な雑音係数を隠蔽し、且
つ低い受信電界での低すぎるレベルを避けるために必要
であることが分かっている。
つ低い受信電界での低すぎるレベルを避けるために必要
であることが分かっている。
これらの古典的な装置については、入力レベルの動特性
が大きいときに問題が生じる。何故ならば同一チャンネ
ルが、低入力レベルについても高入力レベルについても
相互変調妨害線を発生することなく作動することができ
なければならないからである。
が大きいときに問題が生じる。何故ならば同一チャンネ
ルが、低入力レベルについても高入力レベルについても
相互変調妨害線を発生することなく作動することができ
なければならないからである。
中間周波数(70から 140メガヘルツ)で通常用い
られる可変減衰器の主な形式は次の通りである。
られる可変減衰器の主な形式は次の通りである。
φリング形変調器
二重格子電界効果トランジスタへの接続・PINダイオ
ードへの接続。
ードへの接続。
上記の最初の2つの形式については、飽和点が最大減衰
について最も低い状態にあり(これに対して受信レベル
は最高)、これは理想的ではない。
について最も低い状態にあり(これに対して受信レベル
は最高)、これは理想的ではない。
逆にPINダイオードの減衰器は受信レベルでは感度が
低く、しかし減衰の関数としてのそれらの振幅/周波数
特性はあまり一次性ではない。さらにそれらは大きな動
特性を得たいと望むならば実現がかなりめんどうである
。
低く、しかし減衰の関数としてのそれらの振幅/周波数
特性はあまり一次性ではない。さらにそれらは大きな動
特性を得たいと望むならば実現がかなりめんどうである
。
要するに用いられる減衰器の形式に関わりなく、入力に
配置された定利得増幅器は高入力レベルについては飽和
し、低い受信レベルについてはあまりにも低すぎる利得
を持つ危険がある。
配置された定利得増幅器は高入力レベルについては飽和
し、低い受信レベルについてはあまりにも低すぎる利得
を持つ危険がある。
本発明は外部制御によって調整可能な利得の増幅器を提
案することによってこれらの欠点を是正することを目的
としており、この増幅器は調整可能の減衰器を使用して
おらず、かつ1つ又は数個のMM I C(Monol
ithic IJicrov*wc InjeHrxt
edCircaN即ち超高周波モノリシック集積回路)
増幅器を使用することによって容易に集積化が可能であ
る。問題になるのは利得調整可能の増幅器の種類であっ
て、この種の増幅器は良く知られた電圧−電流逆反応原
理(入力電圧から出力電流につり合う電圧を差引く)を
利用している。本増幅器は少なくとも1つのMMIC増
幅器を含む少なくとも1段の増幅段より成り、設計者に
よりアースに接続するために提案されたその端子が、一
方では増幅すべき交流信号の通過に逆ってMMIC増幅
モジュールのバイアス回路を閉じる少なくとも1つの衝
撃自己誘導によってアースされており、他方では外部か
ら調節可能な値のインピーダンスが従続する分離容量に
よってアースされている。
案することによってこれらの欠点を是正することを目的
としており、この増幅器は調整可能の減衰器を使用して
おらず、かつ1つ又は数個のMM I C(Monol
ithic IJicrov*wc InjeHrxt
edCircaN即ち超高周波モノリシック集積回路)
増幅器を使用することによって容易に集積化が可能であ
る。問題になるのは利得調整可能の増幅器の種類であっ
て、この種の増幅器は良く知られた電圧−電流逆反応原
理(入力電圧から出力電流につり合う電圧を差引く)を
利用している。本増幅器は少なくとも1つのMMIC増
幅器を含む少なくとも1段の増幅段より成り、設計者に
よりアースに接続するために提案されたその端子が、一
方では増幅すべき交流信号の通過に逆ってMMIC増幅
モジュールのバイアス回路を閉じる少なくとも1つの衝
撃自己誘導によってアースされており、他方では外部か
ら調節可能な値のインピーダンスが従続する分離容量に
よってアースされている。
場合によって、この調整可能のインピーダンスは純粋に
手動的な調整インピーダンス(レオスタットのような)
によって構成されても、あるいはそのバイアス電圧によ
ってインピーダンスが調節されるPINダイオードによ
って構成されてもよく、従ってこの利得調節の可能な増
幅器の自動利得制御が可能である。
手動的な調整インピーダンス(レオスタットのような)
によって構成されても、あるいはそのバイアス電圧によ
ってインピーダンスが調節されるPINダイオードによ
って構成されてもよく、従ってこの利得調節の可能な増
幅器の自動利得制御が可能である。
いずれにせよ、以下に添付図面を参照して本発明の非限
定的な幾つかの具体例を説明することによって本発明が
よ(理解され、その利点及びその他の特徴も明らかとな
るであろう。
定的な幾つかの具体例を説明することによって本発明が
よ(理解され、その利点及びその他の特徴も明らかとな
るであろう。
第1図を参照すれば、MMIC増幅器は集積回路又は「
チップ」5の形で表わされ、次の4つの接近端子を含む
。
チップ」5の形で表わされ、次の4つの接近端子を含む
。
・チップ上に一般に2及び4で示した2つの端子は、図
示の通りアースされていなければならない。
示の通りアースされていなければならない。
・一般に1で示した入力端子は、結合容量6を介して増
幅するための交流信号(無線周波数ほか)受信端子7と
接続されるようになっている。
幅するための交流信号(無線周波数ほか)受信端子7と
接続されるようになっている。
・一般に3で示した出力端子は、結合容量8を介して交
流出力端子9に接続されることができ、さらにバイアス
抵抗11及び衝撃自己誘導10 (周波数に応じて任意
)を介して12において印加される直流バイアス+Vc
を受取る。
流出力端子9に接続されることができ、さらにバイアス
抵抗11及び衝撃自己誘導10 (周波数に応じて任意
)を介して12において印加される直流バイアス+Vc
を受取る。
次に第2図を参照すれば、この同じMMIC増幅器5は
、電圧−電流形の調節可能な逆反応をつくり出すため(
入力電圧から出力電流につり合う電圧を差引()、様々
な方法で使用される。
、電圧−電流形の調節可能な逆反応をつくり出すため(
入力電圧から出力電流につり合う電圧を差引()、様々
な方法で使用される。
実際に、もし入力回路(端子lの上流側)及び端子3上
の出力(又はバイアス)回路が変化しないままであれば
、反対に端子2及び4は設計者の定める通り直接にアー
スされない。端子4は衝撃自己誘導13を横切ってアー
スと結合し、この自己誘導はチップ5の直流バイアス回
路の接続を可能にしながら、増幅すべき交流電圧に対し
て準無限インピーダンスを形成し、他方では端子2は、
例えばレオスタットとして取付けられた電位差計によっ
て構成される可変抵抗器15が従続する直流電流の停止
容量14を通ってアースに接続される。
の出力(又はバイアス)回路が変化しないままであれば
、反対に端子2及び4は設計者の定める通り直接にアー
スされない。端子4は衝撃自己誘導13を横切ってアー
スと結合し、この自己誘導はチップ5の直流バイアス回
路の接続を可能にしながら、増幅すべき交流電圧に対し
て準無限インピーダンスを形成し、他方では端子2は、
例えばレオスタットとして取付けられた電位差計によっ
て構成される可変抵抗器15が従続する直流電流の停止
容量14を通ってアースに接続される。
抵抗15の値を手動的に調整することによって、増幅器
5上の逆反応度が調節され、こうしてその利得が修正さ
れ、同時に広範囲の無飽和作動を実現する電圧−電流逆
反応の利点を保持することができる。
5上の逆反応度が調節され、こうしてその利得が修正さ
れ、同時に広範囲の無飽和作動を実現する電圧−電流逆
反応の利点を保持することができる。
第2図では、可変抵抗15は本発明方法の概括の理解の
ため図示されている。この種の抵抗は実施的には低周波
数(例えばおよそ10メガヘルツの周辺の)用としての
み考えられていることが明らかである。
ため図示されている。この種の抵抗は実施的には低周波
数(例えばおよそ10メガヘルツの周辺の)用としての
み考えられていることが明らかである。
さらに高い周波数のためには、この可変抵抗15を第3
図に参照番号16で示したようなPINダイオードに代
替することが有利である。このPINダイオード16の
抵抗は端子40に印加される電圧Vを変化させることに
よって可変にされ、さらに抵抗17を介してこれにバイ
アスをかける。この方法はより高い周波数(中間周波数
、さらに最小限度の注意を払うならば無線周波数であっ
てもよい)で作動するばかりでな(、補助端子40に印
加された制御電圧Vの働きによってこの増幅器の利得の
自動制御をも可能にするという利点を示す。
図に参照番号16で示したようなPINダイオードに代
替することが有利である。このPINダイオード16の
抵抗は端子40に印加される電圧Vを変化させることに
よって可変にされ、さらに抵抗17を介してこれにバイ
アスをかける。この方法はより高い周波数(中間周波数
、さらに最小限度の注意を払うならば無線周波数であっ
てもよい)で作動するばかりでな(、補助端子40に印
加された制御電圧Vの働きによってこの増幅器の利得の
自動制御をも可能にするという利点を示す。
この可調整増幅器の一実施例を第4図に示す。
ここで問題なのは2段増幅器であって、これはかなり重
要な動特性(約30デシベルの周辺の)を可能にする。
要な動特性(約30デシベルの周辺の)を可能にする。
またこれらの2段増幅器は、直流式に給電されるから電
力消費を切りつめることができる。
力消費を切りつめることができる。
第4図の増幅器は符号18及び19で示す2つのMMI
C増幅器を含み、入力及び出力端子のそれぞれ7及び9
間に縦続接続される。第2MMIC19の出力端子3は
前述のように結合容量8を介して出力端子9と結盲囁に
さらに衝撃自己誘導10(容量20によってアースに減
結合された)及びバイアス抵抗11を介して供給端子に
(直流電圧子Vcを受取る)と結合される。
C増幅器を含み、入力及び出力端子のそれぞれ7及び9
間に縦続接続される。第2MMIC19の出力端子3は
前述のように結合容量8を介して出力端子9と結盲囁に
さらに衝撃自己誘導10(容量20によってアースに減
結合された)及びバイアス抵抗11を介して供給端子に
(直流電圧子Vcを受取る)と結合される。
この増幅器19の端子4は衝撃自己誘導21及び33(
これもまた容量22によってアースに減結合されている
)を介して第1MMIC18の出力端子3に接続され、
他方では第1MMICの端子4は衝撃自己誘導23によ
ってアースされ、これによって2つのMMIC19及び
18の直列バイアス回路をループ接続する。
これもまた容量22によってアースに減結合されている
)を介して第1MMIC18の出力端子3に接続され、
他方では第1MMICの端子4は衝撃自己誘導23によ
ってアースされ、これによって2つのMMIC19及び
18の直列バイアス回路をループ接続する。
別の観点からすれば、MMIClBの出力3は結合容量
24を介してMMIC19の入力1に接続される。
24を介してMMIC19の入力1に接続される。
第3図の増幅器の場合のように、MMIC増幅器18及
び1gの端子2はそれぞれ結合容量25及び26及びP
INダイオード27及び28を介してアースと結合する
。これらのPINダイオードの制御電圧Vは、直列衝撃
自己誘導2g及び並列容量30への共通減結合回路並び
に各バイアス抵抗31及び32を介して端子4Gに印加
される。
び1gの端子2はそれぞれ結合容量25及び26及びP
INダイオード27及び28を介してアースと結合する
。これらのPINダイオードの制御電圧Vは、直列衝撃
自己誘導2g及び並列容量30への共通減結合回路並び
に各バイアス抵抗31及び32を介して端子4Gに印加
される。
先述の通り、制御電圧VはPINダイオード27及び2
8の抵抗を調節し、従ってこの2段増幅器の総利得を調
節する。この接続方法は2つの13dBのMMIC増幅
器によって実現され、利得の関数として振幅/周波数応
答として一次性のおよそ30dll(+ 1adnから
一12dB)の動特性を保証し、さらに飽和現象なしに
最小利得について+SdBmの入力レベルを可能にする
。
8の抵抗を調節し、従ってこの2段増幅器の総利得を調
節する。この接続方法は2つの13dBのMMIC増幅
器によって実現され、利得の関数として振幅/周波数応
答として一次性のおよそ30dll(+ 1adnから
一12dB)の動特性を保証し、さらに飽和現象なしに
最小利得について+SdBmの入力レベルを可能にする
。
本発明装置は70から 140メガヘルツの間の中間周
波数の受信チャネル内のマイクロ波中継回線又は地上局
で使用することができる。同様に超高周波導入規則を守
るという条件で、例えば1ギガヘルツの無線周波チャン
ネルで使用することもできる。この場合、MMICモノ
リシック回路へのPINダイオードの集積化が強く推奨
される。こうして1段又は数段の、端子の1つに制御電
圧Vを印加することによって利得調整可能のMMICモ
ノリシック増幅器が得られる。
波数の受信チャネル内のマイクロ波中継回線又は地上局
で使用することができる。同様に超高周波導入規則を守
るという条件で、例えば1ギガヘルツの無線周波チャン
ネルで使用することもできる。この場合、MMICモノ
リシック回路へのPINダイオードの集積化が強く推奨
される。こうして1段又は数段の、端子の1つに制御電
圧Vを印加することによって利得調整可能のMMICモ
ノリシック増幅器が得られる。
勿論、本発明は以上説明した実施例に限定されず、例え
ば各使用MMIC増幅器の端子2及び4を1つにまとめ
ることによって他の等偏形式で実現することができる。
ば各使用MMIC増幅器の端子2及び4を1つにまとめ
ることによって他の等偏形式で実現することができる。
本発明は利得が自動又は手ツク増幅器の実現にその最も
有利な適用を適用を見出す。第4図は2段増幅器の実施
例を示すが、好ましくは第4図の増幅器の場合と同様に
直列に給電される2段以上の増幅器を含むことも勿論可
能であろう。
有利な適用を適用を見出す。第4図は2段増幅器の実施
例を示すが、好ましくは第4図の増幅器の場合と同様に
直列に給電される2段以上の増幅器を含むことも勿論可
能であろう。
第1図は従来のMMIC増幅器の接続図、第2図は手動
調整で単段形増幅器である本発明調整可能増幅器の接続
図、第3図は外部電圧によって自動調整が可能な第2図
の増幅器の変形例の接続図、及び第4図は2段増幅形可
調整増幅器の実行図である。 2.4・・・・・・端子、 5・・・・・・モノリシ
ックマイクロ波集積回路増幅器モジュール、13・・・
・・・衝撃自己インダクタンス、15.lIi・・・・
・・可変インピーダンス、■・・・・・・外部バイアス
電圧。 動制御される端子40をもつ集積化されたモノリシ41
−
調整で単段形増幅器である本発明調整可能増幅器の接続
図、第3図は外部電圧によって自動調整が可能な第2図
の増幅器の変形例の接続図、及び第4図は2段増幅形可
調整増幅器の実行図である。 2.4・・・・・・端子、 5・・・・・・モノリシ
ックマイクロ波集積回路増幅器モジュール、13・・・
・・・衝撃自己インダクタンス、15.lIi・・・・
・・可変インピーダンス、■・・・・・・外部バイアス
電圧。 動制御される端子40をもつ集積化されたモノリシ41
−
Claims (5)
- (1)超高周波領域で利用し得る利得調整可能な増幅器
であって、少なくとも1つのMMIC増幅器を含む少な
くとも1段の増幅器より成り、設計者により普通はアー
スに接続するために提案されるその端子が、一方では増
幅すべき交流信号の通過に逆らってMMICモジュール
のバイアス回路を閉じる少なくとも1つの衝撃自己誘導
によってアースされており、他方では外部から調節可能
な値のインピーダンスが従続する分離容量によってアー
スされていることを特徴とする増幅器。 - (2)設計者によって各々をアースするために提案され
る2つの分離された端子を含む少なくとも1つのMMI
Cを利用しており、これらの端子の一方が前記衝撃自己
誘導によってアースされ、他方が前記調節可能のインピ
ーダンスが従続する前記分離容量によってアースされて
いることを特徴とする請求項1に記載の利得調整可能な
増幅器。 - (3)調節可能なインピーダンスがPINダイオードで
あって、そのインピーダンスが外部バイアス電圧の適用
によって調節可能にされることを特徴とする請求項1に
記載の利得調整可能な増幅器。 - (4)1つ又は数個のMMICモジュールのモノリシッ
ク回路上に、外部電圧による利得制御端子と共に集積化
されるようにして実現されることを特徴とする請求項3
に記載の利得調整可能な増幅器。 - (5)少なくとも2段の縦続接続された増幅器を含んで
おり、増幅器各々が調節可能のインピーダンスに先述の
ように結合したMMICモジュールを含むこと、またこ
れらのモジュールのすべてが、第1段の出力端子に結合
された第2段のMMICモジュールの自己誘導と接地回
路とを含んで直列に給電され、且つ後続段がある場合に
は以下同様の順序で継続されることを特徴とする請求項
1から4のいずれか一項に記載の利得調整可能な増幅器
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8905697 | 1989-04-28 | ||
| FR8905697A FR2646574B1 (fr) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | Amplificateur a gain reglable, utilisable dans le domaine des hyperfrequences |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH033407A true JPH033407A (ja) | 1991-01-09 |
Family
ID=9381263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11501190A Pending JPH033407A (ja) | 1989-04-28 | 1990-04-27 | 超高周波領域で利用し得る利得調整可能な増幅器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH033407A (ja) |
| AU (1) | AU626062B2 (ja) |
| FR (1) | FR2646574B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008011482A (ja) * | 2006-05-29 | 2008-01-17 | Alps Electric Co Ltd | 高周波回路 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2204333A5 (ja) * | 1972-10-20 | 1974-05-17 | Thomson Csf | |
| DE3210453C2 (de) * | 1982-03-22 | 1995-05-04 | Telefunken Microelectron | Signal-Eingangsschaltung |
| CA1201775A (en) * | 1982-07-19 | 1986-03-11 | Yukio Akazawa | Monolithic integrated circuit device including ac negative feedback type high frequency amplifier circuit |
| JPS60181913U (ja) * | 1984-05-14 | 1985-12-03 | アルプス電気株式会社 | 利得制御回路 |
| GB2177274B (en) * | 1984-10-01 | 1988-10-26 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Amplifier for high frequency signal |
-
1989
- 1989-04-28 FR FR8905697A patent/FR2646574B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-04-27 AU AU53971/90A patent/AU626062B2/en not_active Ceased
- 1990-04-27 JP JP11501190A patent/JPH033407A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU626062B2 (en) | 1992-07-23 |
| FR2646574A1 (fr) | 1990-11-02 |
| FR2646574B1 (fr) | 1991-07-05 |
| AU5397190A (en) | 1990-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5152004A (en) | Procedure for forming low power levels in a radio telephone transmitter | |
| EP0472330B1 (en) | Transmission output control circuit | |
| US5994963A (en) | Amplifier circuit and multistage amplifier circuit | |
| US6181206B1 (en) | Low noise RF amplifier with programmable gain | |
| US20110121881A1 (en) | Multiple input / gain stage gilbert cell mixers | |
| CA2189712C (en) | Variable gain amplifying device | |
| US4456889A (en) | Dual-gate MESFET variable gain constant output power amplifier | |
| US6265942B1 (en) | Low power gain controlled amplifier with high dynamic range | |
| US6922556B2 (en) | System and method for establishing a bias current using a feedback loop | |
| US6744308B1 (en) | System and method for establishing the input impedance of an amplifier in a stacked configuration | |
| US4591805A (en) | Adaptive bandwidth amplifier | |
| EP1526638B1 (en) | Variable gain amplifier | |
| US6118991A (en) | Device including a broadband amplifier circuit | |
| US5302868A (en) | Method and apparatus for providing a representation of an input voltage at a disabled voltage multiplier's output | |
| US2936424A (en) | Transistor amplifier | |
| JPH10126179A (ja) | 利得制御回路及び方法 | |
| JPH033407A (ja) | 超高周波領域で利用し得る利得調整可能な増幅器 | |
| US6369644B1 (en) | Filter circuit | |
| US5548830A (en) | Dual-band frequency-selective attenuator for automatic gain control | |
| US5918166A (en) | Level control circuit for portable radio communication apparatus | |
| US6388529B2 (en) | Grounded emitter amplifier and a radio communication device using the same | |
| US6693492B2 (en) | Variable gain low-noise amplifier and method | |
| US3418591A (en) | Low noise amplifier with minimum cross modulation distortion | |
| US6320425B1 (en) | Dual FET differential voltage controlled attenuator | |
| JPH0936677A (ja) | 可変利得増幅・減衰器及びそれを有するモノリシックic |