JPH0334645B2 - - Google Patents
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- JPH0334645B2 JPH0334645B2 JP56207960A JP20796081A JPH0334645B2 JP H0334645 B2 JPH0334645 B2 JP H0334645B2 JP 56207960 A JP56207960 A JP 56207960A JP 20796081 A JP20796081 A JP 20796081A JP H0334645 B2 JPH0334645 B2 JP H0334645B2
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- foil
- corrosion
- aluminum
- corroded
- channels
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/055—Etched foil electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/04—Etching of light metals
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電解コンデンサに用いる大きい有効表
面を有するアルミニウム箔、この大きい有効表面
を有するアルミニウム箔の製造方法およびこのア
ルミニウム箔からなる少なくとも１個の電極から
構成された電解コンデンサに関する。
面を有するアルミニウム箔、この大きい有効表面
を有するアルミニウム箔の製造方法およびこのア
ルミニウム箔からなる少なくとも１個の電極から
構成された電解コンデンサに関する。
一般に、電解コンデンサ箔を形成するには、先
づアルミニウム箔を腐食して、箔の金属材料にチ
ヤンネルを形成し、これにより箔の表面を増大
し、しかる後に箔を陽極酸化してチヤンネル壁の
外側におよびそれに沿う表面に酸化物層を形成す
る。厚い酸化物層を得るか、または薄い酸化物層
を得るかは酸化物層を形成する際の形成電圧の高
さによるもので、これにより低い範囲から高い範
囲にわたる種々のキヤパシタンスが得られる。高
電圧箔とは約200V以上の電圧で形成される厚い
酸化物層を有し、低電圧箔とは約120V以下の電
圧で形成される薄い酸化物層を有する。すなわ
ち、厚い酸化物層（低いキヤパシタンス）を得る
場合には、チヤンネル全体が酸化物で充填され、
キヤパシタンスに貢献しなくなるので、これを防
止するために、チヤンネルを広くする必要があ
る。これに対して、後者の低電圧箔では有効表面
を拡大するチヤンネルが前者の高電圧箔における
チヤンネルより狭くできる。このため、高電圧箔
は低電圧箔より広いチヤンネルを有する粗い多孔
構造を有している。それ故、高電圧箔の場合より
も低電圧箔の場合により大きい有効な表面を得る
ことができる。
づアルミニウム箔を腐食して、箔の金属材料にチ
ヤンネルを形成し、これにより箔の表面を増大
し、しかる後に箔を陽極酸化してチヤンネル壁の
外側におよびそれに沿う表面に酸化物層を形成す
る。厚い酸化物層を得るか、または薄い酸化物層
を得るかは酸化物層を形成する際の形成電圧の高
さによるもので、これにより低い範囲から高い範
囲にわたる種々のキヤパシタンスが得られる。高
電圧箔とは約200V以上の電圧で形成される厚い
酸化物層を有し、低電圧箔とは約120V以下の電
圧で形成される薄い酸化物層を有する。すなわ
ち、厚い酸化物層（低いキヤパシタンス）を得る
場合には、チヤンネル全体が酸化物で充填され、
キヤパシタンスに貢献しなくなるので、これを防
止するために、チヤンネルを広くする必要があ
る。これに対して、後者の低電圧箔では有効表面
を拡大するチヤンネルが前者の高電圧箔における
チヤンネルより狭くできる。このため、高電圧箔
は低電圧箔より広いチヤンネルを有する粗い多孔
構造を有している。それ故、高電圧箔の場合より
も低電圧箔の場合により大きい有効な表面を得る
ことができる。
本発明は、特に低電圧箔に関するものである。
英国特許第１、169、234号明細書には腐食した
高電圧箔およびその製造方法について記載してい
る。この場合、形成された腐食箔は箔の中央部に
延びる広いチヤンネルが形成された構造を有し、
このために箔は非腐食出発材料に比べてその強度
の大部分が失われる結果となる。
高電圧箔およびその製造方法について記載してい
る。この場合、形成された腐食箔は箔の中央部に
延びる広いチヤンネルが形成された構造を有し、
このために箔は非腐食出発材料に比べてその強度
の大部分が失われる結果となる。
本発明の目的は、アルミニウム材料を腐食除去
する際、腐食が表面から材料中に進行してチヤン
ネルを形成し、誘電体層を化成により付与するこ
とによってキヤパシタンスを増大した大きい有効
表面を有するアルミニウムの低電圧箔を提供する
ことである。
する際、腐食が表面から材料中に進行してチヤン
ネルを形成し、誘電体層を化成により付与するこ
とによってキヤパシタンスを増大した大きい有効
表面を有するアルミニウムの低電圧箔を提供する
ことである。
本発明は箔の表面からその内部に延在するチヤ
ンネルを設けることにより大きい有効表面を有す
る電解コンデンサ用アルミニウム箔において、前
記チヤンネルは0.1〜0.3μｍの平均直径、チヤン
ネル方向を変えることにより形成された少なくと
も1μｍ以下の直線部分および5μｍ以上の全長を
有し、および前記箔の全表面にわたり両面からほ
ぼ等しい深さに腐食させることにより箔の断面中
央部に形成された15μｍ以上の厚さの非腐食区域
からなることを特徴とする。
ンネルを設けることにより大きい有効表面を有す
る電解コンデンサ用アルミニウム箔において、前
記チヤンネルは0.1〜0.3μｍの平均直径、チヤン
ネル方向を変えることにより形成された少なくと
も1μｍ以下の直線部分および5μｍ以上の全長を
有し、および前記箔の全表面にわたり両面からほ
ぼ等しい深さに腐食させることにより箔の断面中
央部に形成された15μｍ以上の厚さの非腐食区域
からなることを特徴とする。
驚くべきほど大きい有効表面を有する本発明の
箔の構造は顕微鏡によって容易に確認できる。す
なわち、第２図に示す本発明による腐食箔のチヤ
ンネル（細孔）を有する箔の腐食構造は第３図に
示す従来法による腐食箔の直線状の腐食構造とは
区別することができる。
箔の構造は顕微鏡によって容易に確認できる。す
なわち、第２図に示す本発明による腐食箔のチヤ
ンネル（細孔）を有する箔の腐食構造は第３図に
示す従来法による腐食箔の直線状の腐食構造とは
区別することができる。
上述するように、本発明の電解コンデンサ用ア
ルミニウム箔において、これに形成するチヤンネ
ルの直径は0.1〜0.3μｍの範囲の平均直径にする
必要がある。0.1μｍより小さい直径のチヤンネル
は反復形成する方法がないために実際に形成する
ことができない。これに対して、0.3μｍより大き
い直径のチヤンネルにする場合には、有効表面が
有効箔に対して小さくなりすぎ、実用上、望まし
くなくなる。一般に、チヤンネルは箔に深く形成
せず、チヤンネルの全長を長くして大きい表面積
を得るようにする。換言すれば、チヤンネルは多
くの彎曲部分を有するようにする。このために、
チヤンネルの直線部分の長さを少なくとも1μｍ
以下にする必要があり、例えば後述するように従
来2.7±0.5μｍであったものを本発明の実施例に
よれば0.63μｍにすることができる。チヤンネル
の長さは箔の有効表面に直接に関係し、実用上、
有効表面を十分に大きくするために5μｍ以上に
する必要がある。また、本発明においては有効表
面を大きくしかつ箔の強度を保持するために、箔
の腐食後中央部に非腐食区域を残留させる。この
厚さは、箔を曲げおよび巻く場合に十分な強さが
得られるようにするために、15μｍ以上にする必
要があり、本発明の実施例では25μｍである。
ルミニウム箔において、これに形成するチヤンネ
ルの直径は0.1〜0.3μｍの範囲の平均直径にする
必要がある。0.1μｍより小さい直径のチヤンネル
は反復形成する方法がないために実際に形成する
ことができない。これに対して、0.3μｍより大き
い直径のチヤンネルにする場合には、有効表面が
有効箔に対して小さくなりすぎ、実用上、望まし
くなくなる。一般に、チヤンネルは箔に深く形成
せず、チヤンネルの全長を長くして大きい表面積
を得るようにする。換言すれば、チヤンネルは多
くの彎曲部分を有するようにする。このために、
チヤンネルの直線部分の長さを少なくとも1μｍ
以下にする必要があり、例えば後述するように従
来2.7±0.5μｍであったものを本発明の実施例に
よれば0.63μｍにすることができる。チヤンネル
の長さは箔の有効表面に直接に関係し、実用上、
有効表面を十分に大きくするために5μｍ以上に
する必要がある。また、本発明においては有効表
面を大きくしかつ箔の強度を保持するために、箔
の腐食後中央部に非腐食区域を残留させる。この
厚さは、箔を曲げおよび巻く場合に十分な強さが
得られるようにするために、15μｍ以上にする必
要があり、本発明の実施例では25μｍである。
有効表面に関する箔の品質は化成（forming）
後、例えば陽極酸化による誘電体酸化物皮膜の形
成後、cm2当りのキヤパシタンスによって測定す
る。
後、例えば陽極酸化による誘電体酸化物皮膜の形
成後、cm2当りのキヤパシタンスによって測定す
る。
腐食により箔の１cm2について除去されるアルミ
ニウム量、すなわち、箔の１cm2について除去され
るアルミニウムの平均量をあらわすアルミニウム
腐食除去量（ds、×10-4cm3）に対するキヤパシタ
ンスの関係を第１図に示している。箔の腐食が長
くなるほど、アルミニウム腐食除去量が多くな
り、キヤパシタンスが高くなる。cm2当りのかかる
アルミニウム腐食除去量（ds）は腐食前および後
における箔の重量損失から容易に計算することが
できる。
ニウム量、すなわち、箔の１cm2について除去され
るアルミニウムの平均量をあらわすアルミニウム
腐食除去量（ds、×10-4cm3）に対するキヤパシタ
ンスの関係を第１図に示している。箔の腐食が長
くなるほど、アルミニウム腐食除去量が多くな
り、キヤパシタンスが高くなる。cm2当りのかかる
アルミニウム腐食除去量（ds）は腐食前および後
における箔の重量損失から容易に計算することが
できる。
更に、陰極箔の有効表面は陽極箔の有効表面と
同等の大きさであることが一層重要である。すな
わち、このような場合にのみ完成コンデンサの
CVの最適値が得られる。有効表面とは腐食チヤ
ンネルの内面を含む腐食後の箔の表面である。
同等の大きさであることが一層重要である。すな
わち、このような場合にのみ完成コンデンサの
CVの最適値が得られる。有効表面とは腐食チヤ
ンネルの内面を含む腐食後の箔の表面である。
本発明においては、20Vで化成した後のアルミ
ニウム腐食除去量が１cm2当り平均50×10-4cm3（１
cm2当り平均50μｍの厚さが除去される）の箔の場
合１cm2当り少なくとも59μF／cm2のキヤパシタン
スを有するのに対して、同じ条件下での従来法に
よる箔は45μF／cm2以下であった。
ニウム腐食除去量が１cm2当り平均50×10-4cm3（１
cm2当り平均50μｍの厚さが除去される）の箔の場
合１cm2当り少なくとも59μF／cm2のキヤパシタン
スを有するのに対して、同じ条件下での従来法に
よる箔は45μF／cm2以下であった。
また、第１図は既知の箔と比較して細孔容量を
dsの関数として本発明による拡大された有効表面
を有する箔のキヤパシタンスCsを示している。
dsの関数として本発明による拡大された有効表面
を有する箔のキヤパシタンスCsを示している。
この化成プロセスは五硼酸アンモニウムの２％
水溶液で行い、最初、化成電圧（forming
voltage）は0.01V／ｓの一定速度で０から20Vの
値に増加させ、次いで電流が20Vで最初の値の20
％に減少するまでかかる電圧に維持する。
水溶液で行い、最初、化成電圧（forming
voltage）は0.01V／ｓの一定速度で０から20Vの
値に増加させ、次いで電流が20Vで最初の値の20
％に減少するまでかかる電圧に維持する。
キヤパシタンスは、また五硼酸アンモニウムの
２％水溶液において100Hzで測定する。
２％水溶液において100Hzで測定する。
本発明における箔について測定した測定点は第
１図に角印で示し、従来法による箔の測定点を丸
印で示している。また、第１図中の破線は本発明
により得た箔について測定したキヤパシタンス値
を従来法により得た箔のキヤパシタンス値と区別
するために示しており、また垂直な直線は本発明
において実用に適する腐食箔（直線の右側）を短
時間腐食（僅かな除去量（ds））した実用に適さ
ないような腐食箔と区別するために示している。
１図に角印で示し、従来法による箔の測定点を丸
印で示している。また、第１図中の破線は本発明
により得た箔について測定したキヤパシタンス値
を従来法により得た箔のキヤパシタンス値と区別
するために示しており、また垂直な直線は本発明
において実用に適する腐食箔（直線の右側）を短
時間腐食（僅かな除去量（ds））した実用に適さ
ないような腐食箔と区別するために示している。
実用上、充分な有効表面積を得るには、第１図
より少なくとも25×10-4cm3のアルミニウム腐食除
去量（ds）が得られるまでの時間、陽極腐食す
る。
より少なくとも25×10-4cm3のアルミニウム腐食除
去量（ds）が得られるまでの時間、陽極腐食す
る。
第２および第３図のそれぞれは72000倍率で顕
微鏡観察した本発明および従来法における箔の代
表的な細孔の輪郭の投影図を示している。
微鏡観察した本発明および従来法における箔の代
表的な細孔の輪郭の投影図を示している。
第２図および３図に示す投影図は透過電子顕微
鏡におけるレプリカ技術（replica technique）
によって撮ったものである。このレプリカ技術で
は腐食箔における細孔に酸化により酸化アルミニ
ウムを形成するか、または細孔に合成樹脂を充填
する。しかる後に、アルミニウム金属を溶解して
除去するようにする。合成樹脂を使用する場合に
は、炭素を蒸着によりレプリカ上に被着し、しか
る後に合成樹脂を溶解するようにする。また、第
２および３図は独立チヤンネル（細孔）を示して
いる。第２図は72000倍率で撮影したもので方向
を連続的に1μｍごとに少なくとも１回変えた細
孔を示しており、この大きさは0.1〜0.3μｍの平
均直径、方向を変えることにより生ずる少なくと
も1μｍ以下の直線部分および5μｍ以上の平均長
さを有している。40個のチヤンネルの直線部分の
平均長さは0.63μｍ±0.22μｍであり、また78個の
チヤンネルの平均直径は0.20μｍ±0.06μｍであっ
た。
鏡におけるレプリカ技術（replica technique）
によって撮ったものである。このレプリカ技術で
は腐食箔における細孔に酸化により酸化アルミニ
ウムを形成するか、または細孔に合成樹脂を充填
する。しかる後に、アルミニウム金属を溶解して
除去するようにする。合成樹脂を使用する場合に
は、炭素を蒸着によりレプリカ上に被着し、しか
る後に合成樹脂を溶解するようにする。また、第
２および３図は独立チヤンネル（細孔）を示して
いる。第２図は72000倍率で撮影したもので方向
を連続的に1μｍごとに少なくとも１回変えた細
孔を示しており、この大きさは0.1〜0.3μｍの平
均直径、方向を変えることにより生ずる少なくと
も1μｍ以下の直線部分および5μｍ以上の平均長
さを有している。40個のチヤンネルの直線部分の
平均長さは0.63μｍ±0.22μｍであり、また78個の
チヤンネルの平均直径は0.20μｍ±0.06μｍであっ
た。
第３図は直流電流による従来の腐食プロセスに
特有の直線状チヤンネルを示している。この直線
状チヤンネルの寸法を測定した場合に、2.7±
0.5μｍの長さおよび0.18±0.05μｍの断面を有する
ことを確かめた。
特有の直線状チヤンネルを示している。この直線
状チヤンネルの寸法を測定した場合に、2.7±
0.5μｍの長さおよび0.18±0.05μｍの断面を有する
ことを確かめた。
本発明における箔の構造は腐食条件、すなわち
35〜300Hzの範囲の断続繰返し周波数および500〜
2000μsecの範囲のパルス幅を有する断続直流電流
で60〜95℃の範囲の温度で電解溶液中で陽極腐食
して得ることができ、１例として塩化物を含有し
かつ少なくとも100ｍΩ／cm（100ｍＳ／cm）の導
電率（δ）を有する電解溶液中で0.5〜3A／cm2の
範囲の断続直流電流に関する腐食電流密度で、箔
表面の１cm2当り少なくとも平均25μｍの厚さのア
ルミニウムが除去されるまで、すなわち、アルミ
ニウム腐食除去量が箔表面１cm2当り少なくとも25
×10-4cm3となるまでの長時間にわたり腐食を行う
ことによって形成することができる。
35〜300Hzの範囲の断続繰返し周波数および500〜
2000μsecの範囲のパルス幅を有する断続直流電流
で60〜95℃の範囲の温度で電解溶液中で陽極腐食
して得ることができ、１例として塩化物を含有し
かつ少なくとも100ｍΩ／cm（100ｍＳ／cm）の導
電率（δ）を有する電解溶液中で0.5〜3A／cm2の
範囲の断続直流電流に関する腐食電流密度で、箔
表面の１cm2当り少なくとも平均25μｍの厚さのア
ルミニウムが除去されるまで、すなわち、アルミ
ニウム腐食除去量が箔表面１cm2当り少なくとも25
×10-4cm3となるまでの長時間にわたり腐食を行う
ことによって形成することができる。
上述する腐食条件において、断続繰返し周波数
を300Hzより大きくする場合にはチヤンネルの直
線部分が得られなくなり、35Hzより小さくする場
合にはチヤンネルの直線部分が1μｍより大きく
なる。このために、断続繰返し周波数は35〜300
Hzの範囲にし、特に50、100および150Hzにおいて
良好な結果が得られる。また、パルス幅を
500μsecより小さく選定する場合には形成される
チヤンネルは直線状になり、2000μsecより大きく
選定する場合には形成されるチヤンネルの数が多
くなり、チヤンネルの全長が短くなり、低い容量
箔になる。従って、パルス幅は500〜2000μsecの
範囲にし、特に750、1000、1250、1500および
1750μsecにおいて良好な結果が得られる。また、
腐食処理を行う温度を60℃より低くする場合には
形成するチヤンネルの幅が0.3μｍより広くなる。
また、反応熱のために60℃より低い温度に保つ冷
却手段が必要となる。これに対して、95℃より高
くする場合には、沸騰現象が生じ、望ましくな
い。また、電解液の導電率は、100ｍＳ／cmより
低くする場合には電解液におけるエネルギーの散
逸が不利益になる程、大きくなる。それ故、100
ｍＳ／cm以上にする必要があり、例えば実施例で
は、250ｍＳ／cmにする。また、断続直流電流を
0.5A／cm2より低くする場合および3A／cm2より高
くする場合のいずれの場合においてもチヤンネル
幅が0.3μｍより広くなり、箔の容量が実用になら
ない程、低くなりすぎる。更に、3A／cm2より高
くする場合には、チヤンネルの形成に多くの浅い
ピツトが生じて不規則になる。従って、導電率は
0.5〜3A／cm2の範囲にする必要があり、例えば実
施例では1.7A／cm2にしている。
を300Hzより大きくする場合にはチヤンネルの直
線部分が得られなくなり、35Hzより小さくする場
合にはチヤンネルの直線部分が1μｍより大きく
なる。このために、断続繰返し周波数は35〜300
Hzの範囲にし、特に50、100および150Hzにおいて
良好な結果が得られる。また、パルス幅を
500μsecより小さく選定する場合には形成される
チヤンネルは直線状になり、2000μsecより大きく
選定する場合には形成されるチヤンネルの数が多
くなり、チヤンネルの全長が短くなり、低い容量
箔になる。従って、パルス幅は500〜2000μsecの
範囲にし、特に750、1000、1250、1500および
1750μsecにおいて良好な結果が得られる。また、
腐食処理を行う温度を60℃より低くする場合には
形成するチヤンネルの幅が0.3μｍより広くなる。
また、反応熱のために60℃より低い温度に保つ冷
却手段が必要となる。これに対して、95℃より高
くする場合には、沸騰現象が生じ、望ましくな
い。また、電解液の導電率は、100ｍＳ／cmより
低くする場合には電解液におけるエネルギーの散
逸が不利益になる程、大きくなる。それ故、100
ｍＳ／cm以上にする必要があり、例えば実施例で
は、250ｍＳ／cmにする。また、断続直流電流を
0.5A／cm2より低くする場合および3A／cm2より高
くする場合のいずれの場合においてもチヤンネル
幅が0.3μｍより広くなり、箔の容量が実用になら
ない程、低くなりすぎる。更に、3A／cm2より高
くする場合には、チヤンネルの形成に多くの浅い
ピツトが生じて不規則になる。従って、導電率は
0.5〜3A／cm2の範囲にする必要があり、例えば実
施例では1.7A／cm2にしている。
上述する腐食条件は実験的に得られた数値であ
り、上記各条件の上限および下限値の範囲を越え
る場合には、上述する本発明において特有の構
造、すなわち、0.1〜0.3μｍの平均直径、1μｍ以
下の直線部分および5μｍ以上の平均長さを有す
るチヤンネルおよび15μｍ以上の非腐食区域の中
央部（コア）を有する高いキヤパシタンス値を有
する低電圧箔を得ることができない。
り、上記各条件の上限および下限値の範囲を越え
る場合には、上述する本発明において特有の構
造、すなわち、0.1〜0.3μｍの平均直径、1μｍ以
下の直線部分および5μｍ以上の平均長さを有す
るチヤンネルおよび15μｍ以上の非腐食区域の中
央部（コア）を有する高いキヤパシタンス値を有
する低電圧箔を得ることができない。
損失量は腐食後、箔の重量の損失を測定するこ
とによって容易に確かめることができる。
とによって容易に確かめることができる。
次に、箔を製造する本発明の実施例について説
明する。
明する。
実施例
厚さ100μｍで純度99.99％のアルミニウム箔を
次に示す条件で陽極腐食した。
次に示す条件で陽極腐食した。
電解溶液 ：25％食塩溶液（δ＝250ｍＳ／cm）
温度 ：75℃
腐食時間 ：53秒
電流密度 ：170A／ｄm2
断続周波数：100Hz
パルス幅 ：1000μsec
パルス波型：矩形
パルス波高：105％、すなわち、直流腐食電流
の順方向パルスの大きさを100％とした場合、
この腐食電流の方向をこれらパルスの間で逆転
し、これら逆方向電流のパルス波高が上記腐食
電流方向におけるパルス波高の大きさの５％に
相当する。
の順方向パルスの大きさを100％とした場合、
この腐食電流の方向をこれらパルスの間で逆転
し、これら逆方向電流のパルス波高が上記腐食
電流方向におけるパルス波高の大きさの５％に
相当する。
上述するように、使用する腐食電流は、パルス
高100％の直流に対して逆方向の電流が５％以下
と極めて小さいので、ここでは厳密に云えば交流
ではあるが陽極腐食と表現する。
高100％の直流に対して逆方向の電流が５％以下
と極めて小さいので、ここでは厳密に云えば交流
ではあるが陽極腐食と表現する。
得られた箔は50×10-4cm3のds（すなわち箔表面
のcm2当りの平均腐食除去量）を有し、また25μｍ
の非腐食区域（コア）が残留した。
のcm2当りの平均腐食除去量）を有し、また25μｍ
の非腐食区域（コア）が残留した。
得られた箔の構造は第２図に示すようなコア構
造および上述するパラメータ有することを確め
た。
造および上述するパラメータ有することを確め
た。
五硼酸アンモニウムの２％水溶液において20V
で化成した後、64.5μF／cm2のキヤパシタンスを測
定した。
で化成した後、64.5μF／cm2のキヤパシタンスを測
定した。
巻回型アルミニウム箔コンデンサを普通の手
段、すなわち、腐食陰極箔および腐食および化成
（formed）陽極−箔を挿入紙箔と巻き、形成した
巻体を五硼酸アンモニウム−グリコールを含有す
る電解液に含浸し、この含浸巻体をハウジングに
装着し、後成形（postforming）して製造した。
本発明における腐食箔を用いることによってハウ
ジングの寸法を従来の陽極箔を使用する同じ型の
コンデンサの容積の約20％減少することができ
た。
段、すなわち、腐食陰極箔および腐食および化成
（formed）陽極−箔を挿入紙箔と巻き、形成した
巻体を五硼酸アンモニウム−グリコールを含有す
る電解液に含浸し、この含浸巻体をハウジングに
装着し、後成形（postforming）して製造した。
本発明における腐食箔を用いることによってハウ
ジングの寸法を従来の陽極箔を使用する同じ型の
コンデンサの容積の約20％減少することができ
た。
第１図は本発明における大きい有効表面を有す
るアルミニウム箔の腐食除去量（ds）に対するキ
ヤパシタンス（Cs）を既知のアルミニウム箔と
比較して示しているグラフ、第２図は本発明にお
けるアルミニウム箔の表面を透過電子顕微鏡
（72000倍率）で撮った腐食箔の独立チヤンネル
（細孔）の輪郭を示す投影図、および第３図は第
２図と同様にして撮った従来法で得た直線状独立
チヤンネルの輪郭を示す投影図である。
るアルミニウム箔の腐食除去量（ds）に対するキ
ヤパシタンス（Cs）を既知のアルミニウム箔と
比較して示しているグラフ、第２図は本発明にお
けるアルミニウム箔の表面を透過電子顕微鏡
（72000倍率）で撮った腐食箔の独立チヤンネル
（細孔）の輪郭を示す投影図、および第３図は第
２図と同様にして撮った従来法で得た直線状独立
チヤンネルの輪郭を示す投影図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 箔の表面からその内部に延在するチヤンネル
を設けることにより大きい有効表面を有する電解
コンデンサ用アルミニウム箔において、前記チヤ
ンネルは0.1〜0.3μｍの平均直径、チヤンネル方
向を変えることにより形成された少なくとも1μ
ｍ以下の直線部分および平均5μｍ以上の全長を
有し、および前記箔の全表面にわたり両面からほ
ぼ等しい深さに腐食されることにより箔の断面中
央部に形成された15μｍ以上の厚さの非腐食区域
からなることを特徴とする電解コンデンサ用アル
ミニウム箔。 ２ 35〜300Hzの範囲の断続繰返し周波数および
500〜2000μsecの範囲のパルス幅を有する断続直
流電流により60〜95℃の範囲の温度で塩化物を含
有し、かつ少なくとも100ｍΩ／cm（100ｍＳ／
cm）の導電率を有する電解液中で0.5〜3A／cm2の
範囲の断続直流電流に関する腐食電流密度で箔表
面の１cm2当り少なくとも25×10-4cm3のアルミニウ
ム腐食除去量（ds）が得られるまでの時間、陽極
腐食して0.1〜0.3μｍの平均直径、チヤンネル方
向を変えることにより形成された少なくとも1μ
ｍ以下の直線部分および5μｍ以上の平均長さを
有するチヤンネル、および箔の全表面にわたり両
面からほぼ等しい深さに腐食されることにより箔
の断面中央部に形成された15μｍ以上の厚さの非
腐食区域からなる大きい有効表面を有するアルミ
ニウム箔を製造することを特徴とする電解コンデ
ンサ用アルミニウム箔の製造方法。 ３ 0.1〜0.3μｍの平均直径、チヤンネル方向を
変えることにより形成された少なくとも1μｍ以
下の直線部分および5μｍ以上の平均長さを有す
るチヤンネル、および箔の全表面にわたり両面か
らほぼ等しい深さに腐食されることにより箔の断
面中央部に形成された15μｍ以上の厚さの非腐食
区域からなる大きい有効表面を有するアルミニウ
ム箔、および該箔に化成により形成された誘電体
酸化物層から少なくとも陽極箔を構成したことを
特徴とする電解コンデンサ。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8006998A NL8006998A (nl) | 1980-12-23 | 1980-12-23 | Aluminiumfolie voor elektrolytische kondensatoren. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57132322A JPS57132322A (en) | 1982-08-16 |
| JPH0334645B2 true JPH0334645B2 (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=19836367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56207960A Granted JPS57132322A (en) | 1980-12-23 | 1981-12-22 | Aluminum foil for electrolytic condenser and method of producing same |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4484252A (ja) |
| EP (1) | EP0054990B1 (ja) |
| JP (1) | JPS57132322A (ja) |
| KR (1) | KR890005361B1 (ja) |
| CA (1) | CA1193997A (ja) |
| DE (1) | DE3165281D1 (ja) |
| NL (1) | NL8006998A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6079707A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ |
| JPS60170927A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-04 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| JPS61113800A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-05-31 | Hitachi Condenser Co Ltd | 金属箔のエツチング方法 |
| JPH0620030B2 (ja) * | 1984-11-19 | 1994-03-16 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
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| US4689475A (en) * | 1985-10-15 | 1987-08-25 | Raychem Corporation | Electrical devices containing conductive polymers |
| ATE52547T1 (de) * | 1985-11-25 | 1990-05-15 | Alusuisse Lonza Services Ag | Verfahren zur herstellung einer teildurchlaessigen membran. |
| US4801785A (en) * | 1986-01-14 | 1989-01-31 | Raychem Corporation | Electrical devices |
| DE3911814A1 (de) * | 1989-04-11 | 1990-10-18 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen einer aufgerauhten aluminiumfolie |
| DE3914000C2 (de) * | 1989-04-27 | 1994-04-14 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer aufgerauhten Aluminiumfolie |
| WO1995020231A1 (en) * | 1994-01-20 | 1995-07-27 | Tovarischestvo S Ogranichennoi Otvetstvennostju 'amadeus' | Electrical accumulator |
| US5922215A (en) * | 1996-10-15 | 1999-07-13 | Pacesetter, Inc. | Method for making anode foil for layered electrolytic capacitor and capacitor made therewith |
| WO1999027361A1 (en) * | 1997-11-20 | 1999-06-03 | Esa, Inc. | Electrochemical analysis system |
| CN1954396A (zh) * | 2004-03-08 | 2007-04-25 | 维世－Bc元件公司 | 高电容量的电解电容器箔、其制造方法以及电解电容器 |
| CN105977029B (zh) * | 2016-05-26 | 2019-01-04 | 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 | 一种控制铝箔隧道孔长度及其一致性的发孔腐蚀方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1564486A1 (de) * | 1951-01-28 | 1970-03-19 | Paehr Dr Hans Werner | Verfahren zum Vergroessern der wirksamen Oberflaeche von Aluminiumelektroden oder -folien fuer Elektrolytkondensatoren |
| GB902827A (en) * | 1959-02-20 | 1962-08-09 | British Aluminium Co Ltd | Improvements in or relating to the treatment of aluminium |
| CH387800A (de) * | 1961-08-30 | 1965-02-15 | Alusuisse | Verfahren zur Oberflächenvergrösserung von Elektrodenfolien für Elektrolytkondensatoren |
| BE622454A (ja) * | 1961-09-15 | |||
| FR1337522A (fr) * | 1962-08-24 | 1963-09-13 | Ind De L Aluminium Sa | Procédé d'accroissement de la surface des feuilles minces pour électrodes de condensateurs électrolytiques |
| NL7410690A (nl) * | 1974-01-25 | 1975-07-29 | Siemens Ag | Gelegeerde aluminiumfoelie voor hoogvolt-elec- trolytcondensatoren. |
| JPS5125439A (ja) * | 1974-08-28 | 1976-03-02 | Fujitsu Ltd | |
| JPS51142442A (en) * | 1975-06-04 | 1976-12-08 | Fujitsu Ltd | Method of producing porous anodic elements of aluminum |
| JPS51142441A (en) * | 1975-06-04 | 1976-12-08 | Fujitsu Ltd | Method of producing porous anodic elements of aluminum |
-
1980
- 1980-12-23 NL NL8006998A patent/NL8006998A/nl not_active Application Discontinuation
-
1981
- 1981-11-25 EP EP81201307A patent/EP0054990B1/en not_active Expired
- 1981-11-25 DE DE8181201307T patent/DE3165281D1/de not_active Expired
- 1981-12-09 US US06/328,874 patent/US4484252A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-12-17 CA CA000392547A patent/CA1193997A/en not_active Expired
- 1981-12-19 KR KR1019810005008A patent/KR890005361B1/ko not_active Expired
- 1981-12-22 JP JP56207960A patent/JPS57132322A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR830008364A (ko) | 1983-11-18 |
| KR890005361B1 (ko) | 1989-12-23 |
| EP0054990B1 (en) | 1984-08-01 |
| US4484252A (en) | 1984-11-20 |
| JPS57132322A (en) | 1982-08-16 |
| NL8006998A (nl) | 1982-07-16 |
| CA1193997A (en) | 1985-09-24 |
| DE3165281D1 (en) | 1984-09-06 |
| EP0054990A1 (en) | 1982-06-30 |
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