JPH0334887A - Data recording medium - Google Patents

Data recording medium

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JPH0334887A
JPH0334887A JP1169612A JP16961289A JPH0334887A JP H0334887 A JPH0334887 A JP H0334887A JP 1169612 A JP1169612 A JP 1169612A JP 16961289 A JP16961289 A JP 16961289A JP H0334887 A JPH0334887 A JP H0334887A
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JP
Japan
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recording layer
recording
layer
information
amorphous
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Application number
JP1169612A
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Japanese (ja)
Inventor
Katsumi Suzuki
克己 鈴木
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To facilitate the high speed crystallization and amorphous conversion of a recording layer and to make a one-beam over-write system possible and to obtain a good over-write characteristics by constituting the recording layer of In, Sb and Te and specifying the compositional ratio of In, Sb and Te. CONSTITUTION:A substrate 1 is formed of a transparent material low in a change with the elapse of time, for example, glass or a resin such as polycarbonate. A protective layer 2, a recording layer 3, a protective layer 4, a reflecting layer 5 and a resin layer 6 are formed on the substrate 1 in this order. The recording layer 3 is formed from an alloy having a composition represented by (In100-xSbx)100-yTey (wherein x and y are respectively atomic% and x is 45<=x<=50 and y is 25<=y<=45). The alloy of this composition satisfies high speed crystallization and amorphous conversion and a one-beam over-write system becomes possible.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の閂的] (産業上の利用分野) この発明は、レーザビーム等の光ビームを照射すること
により記録層に結晶相と非晶質相との間の相変化を生じ
させて情報を情報を記録又は消去することができる光デ
ィスク等の情報記録媒体に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Key Points of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention provides a method for forming a phase between a crystalline phase and an amorphous phase in a recording layer by irradiating a light beam such as a laser beam. The present invention relates to an information recording medium such as an optical disk that can record or erase information by causing a change.

(従来の技術及び発明が解決しようとする課題) 従来より、情報の消去が可能な光ディスクとして相変化
型のものが知られている。このような相変化型の光ディ
スクにおいては、記録層に照atするレーザビームの照
射条件により、記録層の照射部分を相異なる2つの構造
状態の間で可逆的に変化させることにより情報を記録・
消去する。
(Prior Art and Problems to be Solved by the Invention) Phase change type optical discs have been known as optical discs from which information can be erased. In such phase-change optical discs, information is recorded and recorded by reversibly changing the irradiated portion of the recording layer between two different structural states depending on the irradiation conditions of the laser beam that irradiates the recording layer.
to erase.

このような光ディスクに使用される材料としては、例え
ばTe、Ge、TeGe、I nSe。
Examples of materials used for such optical discs include Te, Ge, TeGe, and InSe.

5bSe、5bTe等の半導体、半導体化合物、又は金
属間化合物が知られている。これらは、レザビームの照
射条件により、結晶相及び非晶質相の2つの状態をとり
得、各状態における複素屈折率N=n−ikが相違する
。レーザビムによる熱処理で記録層のレーザビーム照射
部分の状態を結晶相と非晶質相との間で可逆的に変化さ
せて消去可能な光メモリとする着想は、S、R,0vs
hinsky等によって堤案されている(Meiall
urgical  Transactions  2 
.641  (1971))  。
Semiconductors, semiconductor compounds, or intermetallic compounds such as 5bSe and 5bTe are known. These can take two states, a crystalline phase and an amorphous phase, depending on the laser beam irradiation conditions, and the complex refractive index N=n-ik in each state is different. The idea of creating an erasable optical memory by reversibly changing the state of the laser beam irradiated portion of the recording layer between a crystalline phase and an amorphous phase through laser beam heat treatment is based on S, R, 0 vs.
It has been proposed by Hinsky et al.
surgical transactions 2
.. 641 (1971)).

これによれば、レーザビームの照a・を条件により、照
U=J部分を選択的にに結晶及び非晶質のいずれかの状
態にし、再生相レーザビームの照射による反射率の相違
によってこれら2つの状態を区別して情報の再14−を
行う。情報を記録する場合には、記録層にその材料の融
点を超える温度に加熱可能な高パワーで短いパルス幅の
レーザビームを照射して照射部分を溶融急冷し、非晶質
の記録ピットを形成する。また、記録された情報を消去
する場合には、記録層材料の結晶化温度を超える温度に
加熱「iJ能なパTノーで比較的長いパルス幅のレーザ
ビムを照射して徐冷し、記録ピットを結晶状態に戻す。
According to this, depending on the laser beam irradiation conditions, the irradiated portion U=J is selectively made into either a crystalline or amorphous state, and these states are determined by the difference in reflectance caused by the reproduction phase laser beam irradiation. The information is re-processed 14- by distinguishing between the two states. When recording information, the recording layer is irradiated with a high-power, short-pulse laser beam that can heat the recording layer to a temperature exceeding the melting point of the material, melting and rapidly cooling the irradiated area to form amorphous recording pits. do. In addition, when erasing recorded information, it is necessary to heat the recording layer material to a temperature exceeding the crystallization temperature. returns to crystalline state.

このような情報の記録・消去は、急冷非晶質化を行うた
めの円形スポットのレーザビームと、徐冷結晶化を↑−
Jうための長楕円形スポットの消失用のレー→ノ”ビー
ムとを用いる2ビ一ム方式で行われる。
Recording and erasing of such information is possible using a circular spot laser beam for rapid cooling to amorphous and ↑− for slow cooling to crystallize.
It is carried out using a two-beam method using an oblong elliptical spot for J and a beam for vanishing.

しかしなから、この上うな2ビ一ム方式では、光学系が
複雑となり、特に、長楕円スポットをディスクのスパイ
ラル状のトランクに追従させることが困難なため、複雑
な機(:111か必要どなる。
However, in the 2-beam system, the optical system is complicated, and in particular, it is difficult to make the long elliptical spot follow the spiral trunk of the disk, making it difficult to use a complicated machine (:111). .

そこで、記録と消去とを1つのレー′す”ビームで行う
1ビ一ム方式の研究が進められている。この1ビ一ム方
式においては原理的にオーバーライドを容易に行うこと
ができる。オーバーライドとは、重−のレーザビームか
ら赦剃されるレーザビームを2段階のパワーレベルFl
y(消火)及びPい(記録)(1)W>PE)の間でパ
ワー変調し5、これにより既に記録された情報を/j′
1大しながら新しい情報を重ね書きする方式のことであ
る。このように1ビームのレーザでオーバーライドを行
う方式は1ビ一ムオーバライド方式ど称されCいる。
Therefore, research is underway on a 1-beam system in which recording and erasing are performed using a single laser beam.In principle, overrides can be easily performed in this 1-beam system.Override means that the laser beam that is shaved from the heavy laser beam is adjusted to two levels of power level Fl.
The power is modulated between y (extinguishing) and P (recording) (1) W>PE)5, thereby changing the already recorded information to /j'
This is a method of overwriting new information while increasing the number of pages. This method of performing override using one beam of laser is called a one-beam override method.

]ビーム方式は、」二連した2ビ一ム方式における他の
欠点をも角q消することかできる。
] beam system can also eliminate other drawbacks of the two-beam system.

しかしながら、1−ビームオーバーライド方式を相変化
型記録層に適用する場合には、以下のような困難性を伴
う。すなわち、記録層のビーム照射部分が非晶質状態に
なるか結晶状態になるかは照射されるレーザビー!、の
パワーの大きさのみで決定されるから、情報の消火にお
いて徐冷結晶化を行・うことかできない。つまり、非晶
質化と同じ程度の短い時間で結晶化を行なわなければな
らない。
However, when applying the 1-beam override method to a phase change recording layer, the following difficulties arise. In other words, whether the beam-irradiated portion of the recording layer becomes amorphous or crystalline depends on the irradiated laser beam! , it is not possible to use slow cooling crystallization to extinguish information. In other words, crystallization must be carried out in as short a time as amorphization.

また、情報を記録する場合にも記録用ビームのパワーレ
ベルはtli夫用パワーレベルに重畳されているため、
非昂質記タ、Aピットが形成されるべき部分の周辺部分
が消去用バ「ノーレベルのレーザによって熱せられ、急
冷されに<<、非晶質の記録ピットの形成が困難である
Also, when recording information, the power level of the recording beam is superimposed on the tli beam power level, so
In non-crystalline recording, it is difficult to form amorphous recording pits because the area around the area where the A pits are to be formed is heated by the non-level laser of the erasing bar and rapidly cooled.

このように、相変化型の記録層において]ビムオーハー
ライトは困難性を伴うため、これを可能にする記録層材
料として実用可能なものは未た殆ど見出たされていない
のか現状である。
As described above, BIM-oherite is difficult to produce in a phase-change recording layer, and at present very few practical recording layer materials have been found that make this possible. .

この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
1ビームオーバーライドか可能であり、特性が良好な情
報記録媒体を提供することを1」的とする。
This invention was made in view of such circumstances, and
The objective is to provide an information recording medium that is capable of one-beam override and has good characteristics.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) この発明に係る情報記録媒体は、基板と、光ビームの照
射条件により結晶相と非晶質相との間で可逆的に11つ
選択的に相変化する記iA 1mとを有する情報記録媒
体であって、前記記録層は、(In+oo−x Sbx
 ) 100−y Te、  (たたし、Xyは夫々原
子%て表されており、夫々45≦x≦50.25≦y≦
45の範囲内である)で表される組成の合金で形成され
ていることを特徴とする。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) An information recording medium according to the present invention reversibly selectively switches between a crystalline phase and an amorphous phase depending on the substrate and the irradiation conditions of the light beam. An information recording medium having a phase change of iA 1m, wherein the recording layer has (In+oo-x Sbx
) 100-y Te, (T, Xy are each expressed as atomic %, and each 45≦x≦50.25≦y≦
45)).

(作 用) 記録層がIn、Sb、Teで構成され、これらが前述の
組成比で存作する記録層は高速結晶化及び非晶質化か容
易である。従って、記録部分を非晶質化の際と同程度に
急冷しても消失かり能であり、また、非晶質の記録ピッ
トを容易に形j戊することかできる。このため、1ビ一
ムオーバーライド方式が111能となり、良好なオーバ
ーライド特性を得ることかできる。
(Function) A recording layer composed of In, Sb, and Te in the above-mentioned composition ratio can be easily crystallized at high speed and made amorphous. Therefore, even if the recorded portion is rapidly cooled to the same extent as when it is made amorphous, it is still possible to erase the recorded portion, and it is also possible to easily form amorphous recorded pits. Therefore, the 1-beam override method becomes 111 times more efficient, and good override characteristics can be obtained.

(実施例) 以下、この発明について具体的に説明する。(Example) This invention will be explained in detail below.

第1削は、この発明の実施例に係る情報記録媒体を示す
断面図である。基板1−は透明で経時変化か少ない(イ
料、例えばガラス、又はポリカーホネトのような樹脂て
形成されている。基板1上には保護層2、記録層3、保
護層4、反射層5、及び樹脂層6かこの順に形成されて
いる。
The first cut is a sectional view showing an information recording medium according to an embodiment of the present invention. The substrate 1 is transparent and does not change easily over time (it is made of a material such as glass or a resin such as polycarbonate).On the substrate 1 there are a protective layer 2, a recording layer 3, a protective layer 4, a reflective layer 5, and resin layer 6 are formed in this order.

保護層2.4は無機誘電体材料で形成されており、以下
のような機能を有している。
The protective layer 2.4 is made of an inorganic dielectric material and has the following functions.

O)レー→ノ゛ビームを記録層3に照射した際に、その
照射部分か蒸発して穴が形成されることを防止する機能
O) A function to prevent the formation of holes due to evaporation of the irradiated portion when the recording layer 3 is irradiated with a laser beam.

■記録層3にレーザビームを11((射した際に、所望
の和食化か生じるように記録層3の温度をコントロール
する機能。
■A function to control the temperature of the recording layer 3 so that the desired Japanese food is produced when the laser beam is irradiated onto the recording layer 3.

■光学的な干渉を利用して再/、I=信号をエンノ\ン
スする機能。
■A function that uses optical interference to re/ennoise the I=signal.

反削層5は、AI等の全屈て形成されており、再生用の
レーザビームを反射させ、保護層4と共働して再生(≧
号をエンノ\ンスする機能をイ、f【2ている。
The anti-cutting layer 5 is formed of a fully bent material such as AI, and reflects the laser beam for reproduction, and cooperates with the protective layer 4 to prevent reproduction (≧
I, f [2] have the function to ennoble the issue.

樹脂層6は、例えば紫外線硬化樹脂で形f戊されており
、傷等か発生ずることをIv]、11する機能ををして
いる。
The resin layer 6 is formed of, for example, an ultraviolet curing resin, and has the function of preventing scratches and the like from occurring.

なお、保護層2,4、反射層5及び樹脂層6は設けるこ
とが好ましいが、必すしも設置ノる必要はない。
Although it is preferable to provide the protective layers 2 and 4, the reflective layer 5, and the resin layer 6, it is not necessary to provide them.

記録層3は、 (I n +oo−1S b+、 ) +oo−y T
 e y  (たたし、Xyは夫々原子%て表され−C
おり、夫々45≦x≦50.25≦y≦45の範囲内で
ある)で表される。t、II成の含金て形J戊されてい
る。この組成は、第2図の斜線で示す範囲内であり、こ
のよう14紹成の合金は1鵠速結晶化及び非晶質化を満
足し、]ビムオーバライトか可能となる。以ド、その理
山について説明する。
The recording layer 3 is (I n +oo-1S b+, ) +oo-y T
e y (where, Xy is each expressed as atomic % -C
and is within the range of 45≦x≦50.25≦y≦45). The metal-containing parts of T and II are shaped like J. This composition is within the range shown by diagonal lines in FIG. 2, and such an alloy of 14-14 satisfies rapid crystallization and amorphization, making it possible to perform BIM overwriting. Below, I will explain the rationale.

I n−3b系において、I n 5LIS b 5L
l金屈間化合物は結晶化速度か極めて速いことは既に知
られている。本廟発明者の実験によれば、その結晶化速
度は45 n5ccであった。従って、このIn1.S
b、。金属間化合物をベースにしたi11戒であれば、
高速結晶化が可能である。一方、In5゜5b5o全5
o化合物よりもsbか多い組成では、過剰なsbが析出
することにより結晶化速度か著しく遅< ’:’Nる。
In the I n-3b system, I n 5LIS b 5L
It is already known that the crystallization rate of l-gold intercalation compounds is extremely fast. According to the experiments of the present inventor, the crystallization rate was 45 n5cc. Therefore, this In1. S
b. If the i11 precept is based on intermetallic compounds,
High-speed crystallization is possible. On the other hand, In5゜5b5o all 5
In a composition in which there is more sb than in the o compound, the excessive sb precipitates, resulting in a significantly slow crystallization rate.

これに刻してI nが過剰の場合には、このようなこと
はない。従って、In5゜Sb、。金属間化合物のみな
らず、これよりも若干Inを過剰にした組成において結
晶化速度を速くすることかできる。すなわち、I n 
+oo−8Sb、において45≦x≦50の範囲の合金
をベスにずれば、品速粘晶化か可能である。しかしなか
ら、このような組成の合金は、結晶化速度は速いがゆえ
に、非晶質化が困難である。ところが、本願発明者の検
討の結果、この組成の合金に対して25乃至45原子%
の範囲で非晶質化が容易なカルコゲン系の材料であるT
eを添加することにより、非晶質化か容易となり、しか
も、結晶化速度が速い(約15nsec)純Teの効果
が現れるため、高結晶化速度が維持されることが判明し
た。
This will not happen if I n is in excess. Therefore, In5°Sb,. The crystallization rate can be increased not only by intermetallic compounds but also by compositions with a slight excess of In. That is, I n
+oo-8Sb, if the alloy in the range of 45≦x≦50 is shifted to the base, high-speed viscocrystallization is possible. However, since the alloy with such a composition has a fast crystallization rate, it is difficult to make it amorphous. However, as a result of study by the inventor of the present application, it was found that 25 to 45 atomic percent of the alloy with this composition.
T is a chalcogen-based material that can be easily amorphized within the range of
It has been found that by adding e, it becomes easier to make the material amorphous, and the effect of pure Te, which has a fast crystallization rate (approximately 15 nsec), appears, so that a high crystallization rate is maintained.

従って、記録層3を前述のような組成にすることにより
、高速粘晶化及び非晶質化を満足し、1ビムオーハライ
I・か1iJ能となる。
Therefore, by making the recording layer 3 have the above-mentioned composition, high-speed viscocrystallization and amorphousization can be achieved, and the recording layer 3 can have a performance of 1 B or 1 iJ.

次に、以」二のように構成される情報記録媒体の製造方
法の例について説明する。先ず、」1r、板1をスパッ
タリング装置の真空チャンバ内に設置し、チャンバ内を
高真空にする。次いで、チャンノ・内こアルゴンガスを
導入し、例えばSin、、て形成されたターゲットのア
ルゴンスパッタリンクを失施する。これにより拙板]上
に保護層2か形成される。
Next, an example of a method for manufacturing an information recording medium configured as described below will be described. First, the plate 1 is placed in a vacuum chamber of a sputtering device, and the inside of the chamber is brought to a high vacuum. Next, argon gas is introduced into the chamber to remove the argon sputter link on the target formed by, for example, Sin. As a result, a protective layer 2 is formed on the board.

チャンバ内を同じ雰囲気に錐t4j したまま、記録層
の各構成元素でつくられたターゲットの3元同時スパッ
タリング、又は予め得ようとする記録層組成に調節され
た合金ターゲットのスパッタリングによって記録層3を
形成する。
While the chamber is kept in the same atmosphere t4j, the recording layer 3 is formed by three-dimensional simultaneous sputtering of targets made of each constituent element of the recording layer, or by sputtering of an alloy target adjusted in advance to the composition of the recording layer to be obtained. Form.

その後、保護層2と同様にして保護層4を形成する。史
に、所望の全屈ターゲットをスパッタリングして反射層
5を形成する。
Thereafter, a protective layer 4 is formed in the same manner as the protective layer 2. First, the reflective layer 5 is formed by sputtering a desired total refraction target.

その後、基板をスパッタリング装置から外して、0 スピンコード法により反射層5の上に紫外線硬化樹脂を
塗−/Ii L、、これに紫外線を照射して樹脂層6を
形成する。
Thereafter, the substrate is removed from the sputtering apparatus, and an ultraviolet curable resin is coated on the reflective layer 5 by the zero spin code method, and the resin layer 6 is formed by irradiating ultraviolet rays.

次に、このように構成される情報記録媒体における初期
化、並びに情報のオーバーライド及び再生について説明
する。
Next, initialization, overriding and reproduction of information in the information recording medium configured as described above will be explained.

初期化 記録層3は成膜直後には通常非晶質であるから、非晶質
の記録マークを形成できるようにするために、この記録
層3にレーザビートを連続光照射して記録層を結晶化温
度以上に昇温した後、徐冷し、結晶相に相変化させる。
The initialization recording layer 3 is usually amorphous immediately after film formation, so in order to form amorphous recording marks, the recording layer 3 is irradiated with continuous laser beat light to form the recording layer. After raising the temperature above the crystallization temperature, it is slowly cooled to change the phase to a crystalline phase.

記録(オーバーライド) 情報の記録に際しては、第3図に示すように、レベルが
高い記録用レベルPWとこれよりもレベルか低い消去用
パワーPE、との間でパワー変Jηしてレーザビームを
記録層3に照射する。1回目の記録ではPwにより記録
のみを行い記録層3に記録マーク9を形成する。2回目
以降は、従前に記録されている情報をP8のパワーで消
去しながら1 新しい情報を重書きする。光ディスクの場合は、ディス
クを所定速度で回転しながら、重書きしたい領域にPW
のパワーの記録ビームを照射する。
Recording (Override) When recording information, as shown in Fig. 3, the laser beam is recorded by changing the power Jη between the recording level PW, which is a high level, and the erasing power PE, which is a level lower than this level. Irradiate layer 3. In the first recording, only recording is performed using Pw to form recording marks 9 on the recording layer 3. From the second time onwards, the previously recorded information is erased using the power of P8 while new information is overwritten. In the case of an optical disc, while rotating the disc at a predetermined speed, apply the PW to the area you want to overwrite.
irradiates a recording beam with a power of

そして、記録用ビームが照射されない部分には消去用パ
ワーPEのビームか照射されることになる。
Then, the portions that are not irradiated with the recording beam are irradiated with the beam of the erasing power PE.

これにより、PEが照射された部分では従i’+ijの
Jiミ品質記録マーク9が結晶相に相変化して情報が消
去され、Pwが照射された部分は非晶質に相変化して記
録マーり9が形成される。
As a result, in the part irradiated with PE, the JI quality recording mark 9 of sub-i'+ij changes to a crystalline phase and the information is erased, and in the part irradiated with Pw, the phase changes to an amorphous state and the information is recorded. Marriage 9 is formed.

再  生 情報の再生に関しては、P、より更にパワーが小さいレ
ーザビームを記録層3に照射し、記録マク9と非記録部
分との反対光強度の差を光電変換素子により検出するこ
とによりなされる。
Reproduction Information is reproduced by irradiating the recording layer 3 with a laser beam whose power is even smaller than P, and by detecting the difference in the intensity of the opposite light between the recording mask 9 and the non-recorded portion using a photoelectric conversion element. .

次に、この実施例に基いて、失踪に光ディスクを作成し
て特性を評他しだ結果について説明する。
Next, based on this example, an optical disc was created and its characteristics were evaluated.The results will be described below.

3几のスパッタリング装置の真空チャンバ内にグループ
付のボリカーボネー1・製の直径5インチのディスク状
基板をセラ)・シ、S i 02ターゲツトにラジオフ
リークエンシー(R,F、)パワ]2 を投入してアルゴンガスのスパッタリングを行い、払板
上に保護層として厚みか約600ÅのSin2層を成膜
した。
A 5-inch diameter disk-shaped substrate made of polycarbonate with a group was placed in the vacuum chamber of a 3-liter sputtering device, and radio frequency (R, F,) power]2 was applied to the Si02 target. Argon gas was sputtered to form a Si2 layer with a thickness of approximately 600 Å on the cleaning plate as a protective layer.

次に、In、。5b5o全5o化合物ターゲットと純T
eターゲットにR,F  パワーを投入してアルゴンガ
ス中の同時スパッタリングを行い、厚みが約400大の
記録層を成膜した。この際に、記録層の組成が(I n
 100−x S bx ) +00−y T e y
で表される所定の組成となるように、予めR,Fパワー
を調節しておいた。
Next, In. 5b5o all 5o compound target and pure T
Simultaneous sputtering in argon gas was performed by applying R and F powers to the e-target to form a recording layer approximately 400 mm thick. At this time, the composition of the recording layer is (I n
100-x S bx ) +00-y Te y
The R and F powers were adjusted in advance so as to have a predetermined composition expressed by .

その後、再度5in2のアルゴンスパッタリングを行い
 記録層上に厚みが約600ÅのSin、保護層を成膜
17た。
Thereafter, 5 in 2 argon sputtering was performed again to form a protective layer of Sin with a thickness of about 600 Å on the recording layer 17.

更に、AuターゲットにR,F、パワーを投入してアル
ゴンスパッタリングを行い、S i O2保護層の」二
に、再生信号をエンハンスするためのAu反力・1層を
約200Åの厚みで成膜した。
Furthermore, R, F, and power were applied to the Au target and argon sputtering was performed to form an Au reaction layer with a thickness of about 200 Å on the second side of the SiO2 protective layer to enhance the reproduction signal. did.

その後、このディスクをスパッタリング装置から取り出
し、スピナーにセットして紫外線硬化樹脂を約10 f
t mの厚みでスピンコードし、紫外線3 を照射して硬化させ、樹脂層を形成した。
Then, take out this disk from the sputtering device, set it on a spinner, and apply about 10 f of ultraviolet curing resin.
The resin layer was spin-coded to a thickness of t m and cured by irradiation with ultraviolet rays 3 to form a resin layer.

以上のようにして記録層の組成を種々に炭化させた複数
の光ディスクサンプルを作成した。記録層の組成は以下
の通りである。
In the manner described above, a plurality of optical disk samples with recording layers having various carbonized compositions were prepared. The composition of the recording layer is as follows.

ザンプルA?!7 :  (I n 5LIS t)y
;o) 1OLl−F T e +(y−20,25,
30,35,45,50)サンプルB群;  (1n5
5sb、+li) 100−+ Tey(y=20.2
5,30,35,45.50)サンプルC群;  (I
 n52sb48) 10oy Tey(y=20.2
5,30,35,45.50)サンプルD群;  (r
 n4ssb、2) too−F ′rey(y=20
.25,30,35,45.50)サンプルE群;  
(I n、+、S bs5) +00−Y Te。
Sample A? ! 7: (I n 5 L I S t) y
;o) 1OLl−F T e +(y−20,25,
30,35,45,50) Sample B group; (1n5
5sb, +li) 100-+ Tey (y=20.2
5,30,35,45.50) Sample C group; (I
n52sb48) 10oy Tey (y=20.2
5, 30, 35, 45. 50) Sample D group; (r
n4ssb, 2) too-F'rey(y=20
.. 25, 30, 35, 45. 50) Sample E group;
(I n, +, S bs5) +00-Y Te.

(y=20.25,30,35.45.50)なお、こ
れら35枚のディスクサンプルは、記録層の組成以外は
全て同一の条件で作成した。
(y=20.25, 30, 35.45.50) These 35 disk samples were created under the same conditions except for the composition of the recording layer.

次に、これらのサンプルを1−80 Or、p、mで同
転させつつ、以下のような手順で動特性評価(7た。
Next, while rotating these samples at 1-80 Or, p, m, the dynamic characteristics were evaluated (7) using the following procedure.

(a)先ず、記録層面におけるパワーか1.4 m W
の連続発光のレーザ光にて、成膜直後非晶質の記4 iJ層のトラックを結晶化させた。この場合に、この部
分か完全に結晶化するように、同一トラックを3回レー
ザビームでなぞった。
(a) First, the power at the recording layer surface is 1.4 mW
Tracks of the 4 iJ layer, which was amorphous immediately after film formation, were crystallized using continuous laser light. In this case, the same track was traced three times with a laser beam so that this portion was completely crystallized.

(b)次いて、笛3図に示すようなオーバーライド波形
のパルスレーザにより。先ず1回[」の記録を行った。
(b) Then, using a pulsed laser with an override waveform as shown in Figure 3. First, recording was performed once.

この場合に、パワー1.8mWで周波数4 M H,z
 、デユーティ−比50%の記録用パルスにより、上述
の結晶化したトラック」二に情報を記録した。なお、消
火用のバイアスパワーは1、4 m Wとした。
In this case, the power is 1.8 mW and the frequency is 4 MH,z
Information was recorded on the above-mentioned crystallized track by a recording pulse having a duty ratio of 50%. Note that the bias power for extinguishing fire was 1.4 mW.

記録後、記録層のグループに0.8mWの再生用レーザ
ビームを照射し7て記録した情報を再生した。その再生
信号をA/D変損してスペクトロアナライザにてC/N
値を41す定した。
After recording, the group of recording layers was irradiated with a 0.8 mW reproducing laser beam to reproduce the recorded information. The reproduced signal is A/D modified and C/N is processed by a spectroanalyzer.
The value was set to 41.

(C)記録パルスの周波数を5 M Hz 、デユーテ
ィ−比50%に変化させた以外は上述のオーバライド波
形と同様の条件のパルスレーザを、1回]−1の記録を
行ったグループに照射しオーバーライドを行った。
(C) A pulsed laser with the same conditions as the override waveform described above, except that the recording pulse frequency was changed to 5 MHz and the duty ratio was 50%, was irradiated onto the group that had been recorded once]-1. An override was performed.

オーバーライド後、記録層のグループに再び5 O18mWの再生用レーザビームを照射して記録された
情報を再生し、その再生信号をA / I)変換し、ス
ペクトロアナライザにてC/N値を測定した。また、従
前の周波数4 M Hzての記載、AマークのC/N値
をfllll定し、従前の記録マークがどの程度消去さ
れたかを消去度として測定した。その結果を第4図乃至
第8図に示す。第4図乃至第8図は、横軸にTe含有量
をとり、縦軸にC/N値及び消去度をとって、これらの
関係を示すグラフであり、夫々A群乃至E群について示
すものである。
After overriding, the recording layer group was again irradiated with a 5O18mW reproduction laser beam to reproduce the recorded information, the reproduced signal was A/I) converted, and the C/N value was measured with a spectroanalyzer. . Further, the C/N value of the A mark was determined at the previous frequency of 4 MHz, and the extent to which the previous recorded mark was erased was measured as the degree of erasure. The results are shown in FIGS. 4 to 8. Figures 4 to 8 are graphs showing the relationship between Te content on the horizontal axis and C/N value and erasure degree on the vertical axis, and are shown for Groups A to E, respectively. It is.

ここでいうC/N値及び消去度について、第9図を参照
して説明する。第9図(a)に示すように1回日の記録
(4MHz)後の再生信号のC/N値をAとし、(b)
に示すように、オーバーライド(5M Hz )後の再
生信号のC/N値をB、オーバーライド後の第1回目の
記録の消去残り信号のC/N値をBとした場合に、11
3−Aか消去度であり、CかC/N値である。
The C/N value and erasure degree referred to here will be explained with reference to FIG. 9. As shown in Figure 9(a), the C/N value of the reproduced signal after one day of recording (4MHz) is A, and (b)
As shown in , if the C/N value of the reproduced signal after overriding (5 MHz) is B, and the C/N value of the erased remaining signal of the first recording after overriding is B, then 11
3-A is the degree of erasure, and C is the C/N value.

第4図乃至第8図において、C/N値か30dB以上、
消失値か一20dB以下となれば良好6 なオーバーライド特性と↑り断し、それ以外の値であれ
ば特性不十分と”lit断した。このようにして特性か
良好と判断された組成をQ印、特性不十分と111断さ
れた組成をX印として、第10図に示す組成図に記載し
た。
In Figures 4 to 8, the C/N value is 30 dB or more,
If the extinction value is -20 dB or less, it is judged as having good override characteristics, and if it is any other value, it is judged as having insufficient characteristics.In this way, compositions judged to have good characteristics are judged as having good override characteristics. The compositions marked with "111" as having insufficient properties are marked with "X" and are shown in the composition diagram shown in FIG.

第10図から明かなように、記ti層の組成を(,1r
1+oo8S bt ) +00−y Te、と表した
場合に、45≦x≦50.25≦y≦45であれば良好
なオーバーライド特性が得られることが確認された。
As is clear from FIG. 10, the composition of the Ti layer is (,1r
1+oo8S bt ) +00-y Te, it was confirmed that good override characteristics can be obtained if 45≦x≦50.25≦y≦45.

し発明の効果] この発明によれば、記録層の組成を (In+oo−x sb、 ) 100−y Te、 
 (たたし、Xyは夫々原子%て表されており、夫々4
5≦x≦50.25≦y≦45の範囲内である)とした
ので、記録層を高速で結晶化させることができ、月つ非
晶質化が容易となる。従って、良好なオーバライド特性
を得ることができる。
Effect of the invention] According to the invention, the composition of the recording layer is (In+oo-x sb, ) 100-y Te,
(T, Xy are each expressed as atomic %, and each is 4
5≦x≦50.25≦y≦45), the recording layer can be crystallized at high speed, and it is easy to make the recording layer amorphous. Therefore, good override characteristics can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の実施例に係る情報記録媒体〕 7 を示す断面図、第2図はこの発明の情報記録媒体の記録
層組成を示す1 n −3b−T e系組成図、第3図
は単一ビームによるパワー受調のオーバーライドを行う
際のレーザパワーを示す図、第4図乃至第8図は記録層
組成とオーバーライド特性との関係を示すグラフ、第9
図はオーバーライドの際のC/N値及び消去度を説明す
るための図、第10図は実験によって得られたオーバー
ライド特性の良悪を示すIn−3b−Te系組成図であ
る。 ]、基板、2,4:保護層、3.記録層、5;反射層、
6.樹脂層。
FIG. 1 is a sectional view showing an information recording medium according to an embodiment of the present invention; FIG. 2 is a 1 n -3b-Te system composition diagram showing the recording layer composition of the information recording medium of the present invention; The figure shows the laser power when overriding power modulation with a single beam, Figures 4 to 8 are graphs showing the relationship between recording layer composition and override characteristics, and Figure 9 shows the relationship between recording layer composition and override characteristics.
The figure is a diagram for explaining the C/N value and erasure degree during override, and FIG. 10 is an In-3b-Te system composition diagram showing the quality of override characteristics obtained through experiments. ], substrate, 2, 4: protective layer, 3. Recording layer, 5; reflective layer,
6. resin layer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基板と、光ビームの照射条件により 結晶相と非晶質相との間で可逆的に且つ選択的に相変化
する記録層とを有する情報記録媒体であって、前記記録
層は、 (In_1_0_0_−_xSb_x)_1_0_0_
−_yTe_y(ただし、x、yは夫々原子%で表され
ており、夫々45≦x≦50、25≦y≦45の範囲内
である)で表される組成の合金で形成されていることを
特徴とする情報記録媒体。
(1) An information recording medium comprising a substrate and a recording layer whose phase changes reversibly and selectively between a crystalline phase and an amorphous phase depending on light beam irradiation conditions, the recording layer comprising: (In_1_0_0_-_xSb_x)_1_0_0_
-_yTe_y (where x and y are each expressed in atomic % and are within the ranges of 45≦x≦50 and 25≦y≦45, respectively). Characteristic information recording media.
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