JPH0335557A - カラーフィルタの製造方法 - Google Patents
カラーフィルタの製造方法Info
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- JPH0335557A JPH0335557A JP1171559A JP17155989A JPH0335557A JP H0335557 A JPH0335557 A JP H0335557A JP 1171559 A JP1171559 A JP 1171559A JP 17155989 A JP17155989 A JP 17155989A JP H0335557 A JPH0335557 A JP H0335557A
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- color filter
- layer
- silicon ladder
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- ladder polymer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、カラーフィルタの製造方法に関するもので
ある。
ある。
第２図は特開昭６１−１６４２５８号公報に示された従
来のカラーフィルタの製造方法を示す断面図であり、図
において、１は半導体基板、４はスクライブ線（ダイシ
ング線）、５は平坦化層、６は第１色目の染色樹脂層、
７は中間層、８は第２色目の染色樹脂層、９は保護層、
１０はフォトレジスト層、１１はＤｅｅｐ ＵＶ感光領
域、１３は第３の染色樹脂層である。
来のカラーフィルタの製造方法を示す断面図であり、図
において、１は半導体基板、４はスクライブ線（ダイシ
ング線）、５は平坦化層、６は第１色目の染色樹脂層、
７は中間層、８は第２色目の染色樹脂層、９は保護層、
１０はフォトレジスト層、１１はＤｅｅｐ ＵＶ感光領
域、１３は第３の染色樹脂層である。
また、第３図は特開昭６２−２９９０７０号公報に示さ
れたもので、これはスクライブ部の凹部４を高分子樹脂
材で埋めたもので、そのため平坦化パターン２が設けら
れている。その他は上記と同様、５は平坦化層、６は第
１色目の染色樹脂層、７は中間層、８は第２色目の染色
樹脂層、９は保ａ１層である。また、３１はｐ型シリコ
ン基板、３２はｐｎ接合フォトダイオード、３３はパッ
シベーション膜である。
れたもので、これはスクライブ部の凹部４を高分子樹脂
材で埋めたもので、そのため平坦化パターン２が設けら
れている。その他は上記と同様、５は平坦化層、６は第
１色目の染色樹脂層、７は中間層、８は第２色目の染色
樹脂層、９は保ａ１層である。また、３１はｐ型シリコ
ン基板、３２はｐｎ接合フォトダイオード、３３はパッ
シベーション膜である。
これら従来技術におけるカラーフィルタの製造フローに
ついて説明する。
ついて説明する。
第２図において、半導体基板１上にまず平坦化層５が形
成され（第２図（ａ）参照）、次いで被染色材がコート
され、リソグラフィーの手法により所望のパターンが形
成される。それを染色したものが第１色目の染色樹脂［
６である（第２図（ｂ）参照）このフローを繰返して第
２図（ｄ）を作る。次いで平坦化層５．中間層７．保護
層９を除去するためにマスクとなるフォトレジスト層ｌ
Ｏを形成する（第２図（ｅ）参照）。これをマスクとし
てＤｅｅｐ ｔｌＶ光を照射してポンディングパッド（
第１図の３に相当、第２図には図示せず）及びスクライ
ブ線４に沿ってポジレジストｌＯを除去する。こうして
できたのが第２図（ｆ）である。
成され（第２図（ａ）参照）、次いで被染色材がコート
され、リソグラフィーの手法により所望のパターンが形
成される。それを染色したものが第１色目の染色樹脂［
６である（第２図（ｂ）参照）このフローを繰返して第
２図（ｄ）を作る。次いで平坦化層５．中間層７．保護
層９を除去するためにマスクとなるフォトレジスト層ｌ
Ｏを形成する（第２図（ｅ）参照）。これをマスクとし
てＤｅｅｐ ｔｌＶ光を照射してポンディングパッド（
第１図の３に相当、第２図には図示せず）及びスクライ
ブ線４に沿ってポジレジストｌＯを除去する。こうして
できたのが第２図（ｆ）である。
第３図は上述の第２図で説明したフィルタ工程に入る前
にスクライブ線４に高分子樹脂を使い、平坦化パターン
２を形成したものである。その後の工程は第２図と同様
である。
にスクライブ線４に高分子樹脂を使い、平坦化パターン
２を形成したものである。その後の工程は第２図と同様
である。
従来のカラーフィルタの製造方法ではポンディングパッ
ド及びスクライブ線４を抜くためにフォトレジスト層１
０の形成工程及び除去工程が必要であるという問題があ
った。また、平坦化パターン２があるときはスクライブ
線４上には厚い樹脂層（２＋５＋７＋９）があり、これ
をドライエツチングで抜くためには厚いフォトレジスト
層１０が必要となり、パターンの形成上において加工精
度が良くないという問題があった。
ド及びスクライブ線４を抜くためにフォトレジスト層１
０の形成工程及び除去工程が必要であるという問題があ
った。また、平坦化パターン２があるときはスクライブ
線４上には厚い樹脂層（２＋５＋７＋９）があり、これ
をドライエツチングで抜くためには厚いフォトレジスト
層１０が必要となり、パターンの形成上において加工精
度が良くないという問題があった。
この発明は上記のような従来のものの問題点を解消する
ためになされたもので、樹脂層の加工精度を向上できる
とともに工程を簡略化できるカラーフィルタの製造方法
を得ることを目的とする。
ためになされたもので、樹脂層の加工精度を向上できる
とともに工程を簡略化できるカラーフィルタの製造方法
を得ることを目的とする。
この発明に係るカラーフィルタの製造方法は、シリコン
ラダーポリマを、カラーフィルタの構成材料、又は平坦
化カラーパターン、フォトレジスト層等のカラーフィル
タ工程中の加工用材料またはフィルタの構成材料に使用
するようにしたものである。
ラダーポリマを、カラーフィルタの構成材料、又は平坦
化カラーパターン、フォトレジスト層等のカラーフィル
タ工程中の加工用材料またはフィルタの構成材料に使用
するようにしたものである。
本発明において用いるシリコンラダーポリマは無機ポリ
マであり、酸素プラズマによるドライエッチ耐性がフォ
トレジスト（有機ポリマ）より優れており、また透明で
ある。これをエツチング用マスクとして用いた時にはエ
ツチングが容易で、工程終了後にシリコンラダーポリマ
を剥離する必要がなく、フィルタ工程が簡略化できる。
マであり、酸素プラズマによるドライエッチ耐性がフォ
トレジスト（有機ポリマ）より優れており、また透明で
ある。これをエツチング用マスクとして用いた時にはエ
ツチングが容易で、工程終了後にシリコンラダーポリマ
を剥離する必要がなく、フィルタ工程が簡略化できる。
またこれは透明であるためフィルタの構成材料として使
用することもでき、かつこれを他の工程におけるマスク
としても使用できる。
用することもでき、かつこれを他の工程におけるマスク
としても使用できる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例によるカラーフィルタの製
造方法を示す０図において、半導体基板１上にスクライ
ブ線４、およびそれを埋めている平坦化パターン２が設
けられている（第１図（ａ）参照）、その上に順次、平
坦化層５．第１色目の染色樹脂層６．中間層７．第２色
目の染色樹脂層８゜保護層９が設けられており（第１図
（ｂ）参照）、さらにその上にシリコンラダーポリマ１
２のパターンが形成されている。そして上記平坦化パタ
ーン２、平坦化層５．中間層７．保１１１１９は有機ポ
リマからなっている。
造方法を示す０図において、半導体基板１上にスクライ
ブ線４、およびそれを埋めている平坦化パターン２が設
けられている（第１図（ａ）参照）、その上に順次、平
坦化層５．第１色目の染色樹脂層６．中間層７．第２色
目の染色樹脂層８゜保護層９が設けられており（第１図
（ｂ）参照）、さらにその上にシリコンラダーポリマ１
２のパターンが形成されている。そして上記平坦化パタ
ーン２、平坦化層５．中間層７．保１１１１９は有機ポ
リマからなっている。
次に本製造方法について説明する０本発明で用いるシリ
コンラダーポリマとしては、特開昭５７＝１８７２９号
公報でその製造方法が示されているポリフェニルシルセ
スオキサン（ＰＰＳＱと略す）などが適当である。
コンラダーポリマとしては、特開昭５７＝１８７２９号
公報でその製造方法が示されているポリフェニルシルセ
スオキサン（ＰＰＳＱと略す）などが適当である。
第１図（ａ）の状態から、有機ポリマを使用して中間Ｉ
１１．第２色目の染色樹脂層８．保護層９を積層する（
第１図（ｂ）参照）。
１１．第２色目の染色樹脂層８．保護層９を積層する（
第１図（ｂ）参照）。
次いでシリコンラダーポリマを１μｍ塗布した後、通常
のノボラック系ポジレジストを用いて所望のパターンを
形成した後、ポジレジストパターンをマスクとしてアニ
ーソール（キシレンとのン昆合溶媒が好ましい）を用い
てウェットエツチングしてパターニングを行う。そして
このシリコンラダーポリマ１２を使用してダイシングラ
イン４上。
のノボラック系ポジレジストを用いて所望のパターンを
形成した後、ポジレジストパターンをマスクとしてアニ
ーソール（キシレンとのン昆合溶媒が好ましい）を用い
てウェットエツチングしてパターニングを行う。そして
このシリコンラダーポリマ１２を使用してダイシングラ
イン４上。
及びポンディングパッド３上を抜いたパターンを形成す
る（第１図（Ｃ）参照）。
る（第１図（Ｃ）参照）。
次に酸素プラズマを用いて保護層９．中間層７゜平坦化
層５．平坦化パターン２をエツチングにより除去する（
第１図（ｄ）参照）ことにより、本カラーフィルタが完
成する。シリコンラダーポリマはこのドライエッチの際
にエツチングされにくいため薄い膜厚でよく、従って加
工精度を向上でき、しかも透明のため工程終了後に剥離
する必要がないためフィルタ工程が簡単になる。
層５．平坦化パターン２をエツチングにより除去する（
第１図（ｄ）参照）ことにより、本カラーフィルタが完
成する。シリコンラダーポリマはこのドライエッチの際
にエツチングされにくいため薄い膜厚でよく、従って加
工精度を向上でき、しかも透明のため工程終了後に剥離
する必要がないためフィルタ工程が簡単になる。
次にこの発明の第２の実施例を第４図について説明する
。
。
上記第１の実施例では平坦化パターン２に有機ポリマを
使用したが、これにシリコンラダーポリマを用いても良
い。この場合、上記実施例で行ったように酸素プラズマ
による除去は平坦化層５まで行い、平坦化パターン（シ
リコンラダーポリマ）２の除去は溶解除去により行う。
使用したが、これにシリコンラダーポリマを用いても良
い。この場合、上記実施例で行ったように酸素プラズマ
による除去は平坦化層５まで行い、平坦化パターン（シ
リコンラダーポリマ）２の除去は溶解除去により行う。
即ち、まず第４図（ａ）は第１図（Ｃ）と同じようにシ
リコンラダーポリマのパターン１２を形成したものであ
る。平坦化パターン２は本第２の実施例においてはシリ
コンラダーポリマによってできている。
リコンラダーポリマのパターン１２を形成したものであ
る。平坦化パターン２は本第２の実施例においてはシリ
コンラダーポリマによってできている。
次に酸素プラズマによって保護層９．中間Ｊｌｉ７゜平
坦化層５を抜く（第４図（ｂ）参照）。
坦化層５を抜く（第４図（ｂ）参照）。
最後にシリコンラダーポリマでできた平坦化パターン２
を溶解除去しく第４図（Ｃ）参照）、本カラーフィルタ
を完成する。
を溶解除去しく第４図（Ｃ）参照）、本カラーフィルタ
を完成する。
この場合、スクライブラインに相当する凹部にシリコン
ラダーポリマを埋め込むようにしたので、この平坦化層
の除去をウェットエツチングで容易に行なうことができ
る。
ラダーポリマを埋め込むようにしたので、この平坦化層
の除去をウェットエツチングで容易に行なうことができ
る。
次にこの発明の第３の実施例を第５図について説明する
。
。
本第３の実施例では、平坦化層５．中間層７゜保護層９
にシリコンラダーポリマを用い、また平坦化パターン２
に有機ポリマを使用しており、この場合は、まずシリコ
ンラダーポリマを溶解除去するためのポジレジストｌＯ
を形成する（第５図（ａ）参照）。
にシリコンラダーポリマを用い、また平坦化パターン２
に有機ポリマを使用しており、この場合は、まずシリコ
ンラダーポリマを溶解除去するためのポジレジストｌＯ
を形成する（第５図（ａ）参照）。
次いで上記溶解除去を行う（第５図（ｂ）参照）。
次にポジレジストＩＯを剥離して酸素プラズマで平坦化
パターン２を除去する（第５図（Ｃ）参照）。
パターン２を除去する（第５図（Ｃ）参照）。
この場合、シリコンラダーポリマが透明であることを利
用して平坦化層５．中間層７．保護層９を構成するフィ
ルタ部材として使用でき、またシリコンラダーポリマが
酸素プラズマに対して耐性があるので新たにマスクを形
成する必要はない。
用して平坦化層５．中間層７．保護層９を構成するフィ
ルタ部材として使用でき、またシリコンラダーポリマが
酸素プラズマに対して耐性があるので新たにマスクを形
成する必要はない。
以上のように、この発明に係るカラーフィルタの製造方
法によれば、カラーフィルタの構成材料又は加工用材料
にシリコンラダーポリマを使用したので、エツチングが
容易で加工精度が良いパターンが得られる効果がある。
法によれば、カラーフィルタの構成材料又は加工用材料
にシリコンラダーポリマを使用したので、エツチングが
容易で加工精度が良いパターンが得られる効果がある。
第１図は本発明の一実施例によるカラーフィルタの製造
方°法を示す図で、第１図（ａ）は平坦化層を形成した
状態を示す図、第１図（ｂ）はフィルタの積層を完了し
た状態を示す図、第１図（Ｃ）はエツチングマスクとな
るシリコンラダーポリマのパターンを形成した状態を示
す図、第１図（ｄ）はエツチング後の完成した状態をそ
れぞれ示す図である。 第２図は第１の従来例のフォトレジストを用いてエツチ
ングした状態を示す図である。 第３図はスクライブ線を平坦化パターンで埋めてからフ
ィルタの積層を行なう第２の従来例を示す図である。 第４図は本発明の第２の実施例を示す図である。 第５図は本発明の第３の実施例を示す図である。 図において、ｌは半導体基板、２は平坦化パターン、３
はポンディングパッド、４はスクライブ線、５は平坦化
層、６は第１色目の染色樹脂層、７は中間層、８は第２
色目の染色樹脂層、９は保護層、１０はフォトレジスト
層、１１はＤｅｅｐ ｕＶ感光領域、１２はシリコンラ
ダーポリマ、１３は第３色目の染色樹脂層である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
方°法を示す図で、第１図（ａ）は平坦化層を形成した
状態を示す図、第１図（ｂ）はフィルタの積層を完了し
た状態を示す図、第１図（Ｃ）はエツチングマスクとな
るシリコンラダーポリマのパターンを形成した状態を示
す図、第１図（ｄ）はエツチング後の完成した状態をそ
れぞれ示す図である。 第２図は第１の従来例のフォトレジストを用いてエツチ
ングした状態を示す図である。 第３図はスクライブ線を平坦化パターンで埋めてからフ
ィルタの積層を行なう第２の従来例を示す図である。 第４図は本発明の第２の実施例を示す図である。 第５図は本発明の第３の実施例を示す図である。 図において、ｌは半導体基板、２は平坦化パターン、３
はポンディングパッド、４はスクライブ線、５は平坦化
層、６は第１色目の染色樹脂層、７は中間層、８は第２
色目の染色樹脂層、９は保護層、１０はフォトレジスト
層、１１はＤｅｅｐ ｕＶ感光領域、１２はシリコンラ
ダーポリマ、１３は第３色目の染色樹脂層である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）光受光部等を形成した半導体基板上にカラーフィ
ルタを形成する際、 カラーフィルタの加工用材料、又はカラーフィルタの構
成材料としてシリコンラダーポリマを用いたことを特徴
とするカラーフィルタの製造方法。 - （２）光受光部等を形成した半導体基板上にカラーフィ
ルタを形成する際、 カラーフィルタの平坦化パターン、平坦化層、中間層、
保護層を有機ポリマで形成し、 この有機ポリマを加工するマスク材料としてシリコンラ
ダーポリマを用いたことを特徴とする請求項１記載のカ
ラーフィルタの製造方法。 - （３）光受光部等を形成した半導体基板上にカラーフィ
ルタを形成する際、 基板の凹部を埋める加工をする材料としてシリコンラダ
ーポリマを使用し、 カラーフィルタを構成する平坦化層、中間層、保護層の
透明材料として透明有機ポリマを使用したことを特徴と
する請求項１記載のカラーフィルタの製造方法。 - （４）光受光部等を形成した半導体基板上にカラーフィ
ルタを形成する際に、 一基板の凹部を埋める材料として有機ポリマを使用し、 カラーフィルタを構成する平坦化層、中間層、保護層の
透明材料としてシリコンラダーポリマを使用したことを
特徴とする請求項１記載のカラーフィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1171559A JPH0335557A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | カラーフィルタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1171559A JPH0335557A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | カラーフィルタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0335557A true JPH0335557A (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15925384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1171559A Pending JPH0335557A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | カラーフィルタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0335557A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521771A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Sharp Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JPWO2019111919A1 (ja) * | 2017-12-06 | 2020-12-24 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS613120A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-09 | Dainippon Ink & Chem Inc | カラ−液晶表示用装置 |
| JPS61256731A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-14 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS62190871A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-21 | Matsushita Electronics Corp | カラ−固体撮像装置の製造方法 |
| JPS62299070A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Matsushita Electronics Corp | カラ−固体撮像装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-07-03 JP JP1171559A patent/JPH0335557A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS613120A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-09 | Dainippon Ink & Chem Inc | カラ−液晶表示用装置 |
| JPS61256731A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-14 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS62190871A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-21 | Matsushita Electronics Corp | カラ−固体撮像装置の製造方法 |
| JPS62299070A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Matsushita Electronics Corp | カラ−固体撮像装置の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521771A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Sharp Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JPWO2019111919A1 (ja) * | 2017-12-06 | 2020-12-24 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
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