JPH0335607A - 一定利得及び高周波で所定の入力インピーダンスを有する広帯域増幅器 - Google Patents
一定利得及び高周波で所定の入力インピーダンスを有する広帯域増幅器Info
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、広帯域電圧増幅器に関し、特にビデオ・テ
ープ・レコーダ（ＶＴＲ）の磁気読み出しヘッドのよう
な誘導性部品からの信号を処理するようにした増幅器に
関する。
ープ・レコーダ（ＶＴＲ）の磁気読み出しヘッドのよう
な誘導性部品からの信号を処理するようにした増幅器に
関する。
（従来の技術）
第１図は増幅器Ａの入力端子２に接続された誘導性部品
１を概要的に示す。この増幅器Ａは入力端子２と出力端
子３との間の電圧を増幅する。この増幅器Ａは、前記増
幅器とみなすことができ、他の部品からなる増幅回路の
入力段をなす。
１を概要的に示す。この増幅器Ａは入力端子２と出力端
子３との間の電圧を増幅する。この増幅器Ａは、前記増
幅器とみなすことができ、他の部品からなる増幅回路の
入力段をなす。
第２図は増幅器Ａの通常の実施例を示す。増幅器Ａは、
一第１の端子１２を抵抗旧を介して出力端子３に接続し
、第２の端子１３を接地した電源１１と、−ベースを入
力端子２に接続し、コレクタを出力端子３に接続し、エ
ミッタを接地したＮＰＮバイポーラ型のトランジスタＴ
と、 一前記トランジスタＴのコレクタとベースとの間に接続
された抵抗Ｒ２と を備えている。
、第２の端子１３を接地した電源１１と、−ベースを入
力端子２に接続し、コレクタを出力端子３に接続し、エ
ミッタを接地したＮＰＮバイポーラ型のトランジスタＴ
と、 一前記トランジスタＴのコレクタとベースとの間に接続
された抵抗Ｒ２と を備えている。
電源１１は抵抗旧及びＲ２を介してトランジスタＴをバ
イアスするのに用いられる。
イアスするのに用いられる。
増幅器Ａの電圧利得Ｇｌは、
Ｇ１・（△Ｖ／ＶＴ） （旧／（［旧＋（Ｒ２／β）］
） （１）と表わされる。ただし、 ＶＴは温度に依存した係数、 ■は出力端子３の電圧と入力端子２の電圧との間の差電
圧、 βはトランジスタＴの利得であり、コレクタ電流ＩＣと
ベース電流ＩＢとの間の比に等しい。
） （１）と表わされる。ただし、 ＶＴは温度に依存した係数、 ■は出力端子３の電圧と入力端子２の電圧との間の差電
圧、 βはトランジスタＴの利得であり、コレクタ電流ＩＣと
ベース電流ＩＢとの間の比に等しい。
通常、抵抗旧及びＲ２が一定しているときは、電圧利得
Ｇ１がβに依存していることは明らかである。実際には
、この利得βがあるトランジスタから他のトランジスタ
のものに容易に変化する。
Ｇ１がβに依存していることは明らかである。実際には
、この利得βがあるトランジスタから他のトランジスタ
のものに容易に変化する。
実際には、利得βが非常に薄いベースの厚さに依存して
いるので、高精度で定めたり、再現することができない
。
いるので、高精度で定めたり、再現することができない
。
従って、第２図の回路では、製造の際にトランジスタＴ
の利得βに関連する抵抗Ｒ２を設けていた。このような
形式の抵抗はベース・ピンチ抵抗と呼ばれているが、こ
れを製造するために、トランジスタのベース領域と同時
に（ベース領域に）第１の拡散を行なう。次いで、同一
の特性を有する浅い付加的な領域をトランジスタのエミ
ッタ領域と同時に拡散する。その抵抗値は２つの拡散の
下限間の厚さに依存している（ビンが形成されている）
。同様に、利得βはベース領域の下限とエミッタ領域の
下限との間の厚さに依存している。
の利得βに関連する抵抗Ｒ２を設けていた。このような
形式の抵抗はベース・ピンチ抵抗と呼ばれているが、こ
れを製造するために、トランジスタのベース領域と同時
に（ベース領域に）第１の拡散を行なう。次いで、同一
の特性を有する浅い付加的な領域をトランジスタのエミ
ッタ領域と同時に拡散する。その抵抗値は２つの拡散の
下限間の厚さに依存している（ビンが形成されている）
。同様に、利得βはベース領域の下限とエミッタ領域の
下限との間の厚さに依存している。
従って、抵抗Ｒ２は利得βに比例して変化する。
そのときは、増幅器Ａの電圧利得Ｇ１は利得βに依存し
ないものとなる。
ないものとなる。
しかし、一定した電圧利得を形成することは、Ｒ２に比
例した増幅器の入力インピーダンスス１（Ｚ］・Ｒ２・
ＶＴ／ΔＶ）が増幅器間で再現可能な方法によって定め
られないことを意味する。
例した増幅器の入力インピーダンスス１（Ｚ］・Ｒ２・
ＶＴ／ΔＶ）が増幅器間で再現可能な方法によって定め
られないことを意味する。
このように入力インピーダンスに再現性がないというこ
とは、ビデオ・テープ・レコーダの磁気読み出しヘッド
からの信号を増幅する際に無視できない欠点となる。実
際に、増幅器の入力端子に印加される信号の周波数は、
広い周波数帯域内、例えば１００ＫＨｚと１ＯＫＨｚと
の間で容易に変化する。
とは、ビデオ・テープ・レコーダの磁気読み出しヘッド
からの信号を増幅する際に無視できない欠点となる。実
際に、増幅器の入力端子に印加される信号の周波数は、
広い周波数帯域内、例えば１００ＫＨｚと１ＯＫＨｚと
の間で容易に変化する。
その場合に、磁気読み出しヘッドのインピーダンスは実
質的に可変のものであり、前置増幅器の人力インピーダ
ンスと同程度のものとなる。その結果、前置増幅器の実
効インピーダンスは定まらず、製造ロット間で再現性の
ないものとなる。
質的に可変のものであり、前置増幅器の人力インピーダ
ンスと同程度のものとなる。その結果、前置増幅器の実
効インピーダンスは定まらず、製造ロット間で再現性の
ないものとなる。
この発明の目的は、広帯域で増幅器間において一定の電
圧利得が得られ、かつ高周波で低人力インピーダンスが
得られることにある。
圧利得が得られ、かつ高周波で低人力インピーダンスが
得られることにある。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、入力端子と出力端子との間に、ベースを入
力端子に接続し、コレクタを出力端子に接続し、エミッ
タを接地し、前記出力端子を第１の抵抗を介して電源に
接続したバイポーラ型のトランジスタと、前記出力端子
と前記トランジスタとの間に接続され、前記トランジス
タの電流利得と共に抵抗値を変化させる第２の抵抗と、
前記第２の抵抗と並列に接続されたコンデンサと、前記
第２の抵抗と前記ｌ・ランジスタのベースとの間に接続
された第３の抵抗とを備えた広帯域増幅器を提供するこ
とにより達成される。
力端子に接続し、コレクタを出力端子に接続し、エミッ
タを接地し、前記出力端子を第１の抵抗を介して電源に
接続したバイポーラ型のトランジスタと、前記出力端子
と前記トランジスタとの間に接続され、前記トランジス
タの電流利得と共に抵抗値を変化させる第２の抵抗と、
前記第２の抵抗と並列に接続されたコンデンサと、前記
第２の抵抗と前記ｌ・ランジスタのベースとの間に接続
された第３の抵抗とを備えた広帯域増幅器を提供するこ
とにより達成される。
好ましいものとして、前記増幅器のインピーダンスが確
定し、かつ高周波で低くなるように、第３の抵抗の値は
、前記第２の抵抗の値より実質的に小さくされる。
定し、かつ高周波で低くなるように、第３の抵抗の値は
、前記第２の抵抗の値より実質的に小さくされる。
この発明の前記目的、他の目的、構成及び効果は、付図
に示す以下の好ましい一実施例の詳細な説明から明らか
となる。
に示す以下の好ましい一実施例の詳細な説明から明らか
となる。
（実施例）
第３図はこの発明による増幅器の一実施例を示す。第２
図に示すように、この実施例では、入力端子２と出力端
子３との間に、一端を抵抗旧を介して出力端子３に接続
し、他端を接地している電源１１が備えられている。ト
ランジスタＴは、そのベースを入力端子２に接続し、そ
のコレクタを出力端子３に接続し、そのエミッタを接地
している。
図に示すように、この実施例では、入力端子２と出力端
子３との間に、一端を抵抗旧を介して出力端子３に接続
し、他端を接地している電源１１が備えられている。ト
ランジスタＴは、そのベースを入力端子２に接続し、そ
のコレクタを出力端子３に接続し、そのエミッタを接地
している。
更に、ベース・ピンチ型の抵抗Ｒ２はその第１の端子を
出力端子３に接続している。しかし、入力端子２の第２
の端子とトランジスタＴのベースとの間には、直列に抵
抗Ｒ３が付加されている。
出力端子３に接続している。しかし、入力端子２の第２
の端子とトランジスタＴのベースとの間には、直列に抵
抗Ｒ３が付加されている。
コンデンサＣも抵抗Ｒ２と並列に接続されている。
電源１１は抵抗旧、Ｒ２及びＲ３を介してトランジスタ
Ｔをバイアスさせている。この増幅器Ａの電圧利得Ｇ２
は、 Ｇ２：（ΔＶ／ＶＴ） ｆ旧／ ［旧＋ （Ｒ２＋Ｒ３
）／β］＋ （２）により表わされる。抵抗Ｒ２の値
はβに比例しており、抵抗Ｒ３の値より大きくなるよう
に選択される。これらの抵抗として例えば、Ｒ２・１５
０にΩ、Ｒ３＝３０にΩである。従って、式（２）では
Ｒ２に対してＲ３を無視することができるので、式（２
）は実質的に式（１）と同一となる。従って、電圧利得
Ｇ２はβにほとんど影響されない。
Ｔをバイアスさせている。この増幅器Ａの電圧利得Ｇ２
は、 Ｇ２：（ΔＶ／ＶＴ） ｆ旧／ ［旧＋ （Ｒ２＋Ｒ３
）／β］＋ （２）により表わされる。抵抗Ｒ２の値
はβに比例しており、抵抗Ｒ３の値より大きくなるよう
に選択される。これらの抵抗として例えば、Ｒ２・１５
０にΩ、Ｒ３＝３０にΩである。従って、式（２）では
Ｒ２に対してＲ３を無視することができるので、式（２
）は実質的に式（１）と同一となる。従って、電圧利得
Ｇ２はβにほとんど影響されない。
更に、増幅器Ａの入力インピーダンスＺ２は、周波数Ｗ
の関数として、 Ｚ２ （Ｗ） ＝ （ＶＴ／ΔＶ［Ｒ３＋Ｒ２／（１＋
Ｒ２Ｃｗ）］ （３）により表わされる。
の関数として、 Ｚ２ （Ｗ） ＝ （ＶＴ／ΔＶ［Ｒ３＋Ｒ２／（１＋
Ｒ２Ｃｗ）］ （３）により表わされる。
高周波数ではＲ２Ｃｗの値が１より大となり、入力イン
ピーダンスス２は、 Ｚ２ （Ｗ） ＝ （ＶＴ／ΔＶ ［Ｒ３］となる。入
力インピーダンスス２はＲ２と無関係なものとなり、Ｒ
３のみに依存している。
ピーダンスス２は、 Ｚ２ （Ｗ） ＝ （ＶＴ／ΔＶ ［Ｒ３］となる。入
力インピーダンスス２はＲ２と無関係なものとなり、Ｒ
３のみに依存している。
抵抗Ｒ３は確定され、かつ再現性のある値であるので、
前置増幅器は、抵抗Ｒ２を選択することにより一定電圧
利得を有しく従って、確定した雑音電流を有し）、また
抵抗Ｒ３の選択により、高周波において入力インピーダ
ンスが確定され、かつ再現性を有するものが達成される
。
前置増幅器は、抵抗Ｒ２を選択することにより一定電圧
利得を有しく従って、確定した雑音電流を有し）、また
抵抗Ｒ３の選択により、高周波において入力インピーダ
ンスが確定され、かつ再現性を有するものが達成される
。
低周波のときの５００Ωと、１０ＭＨｚのときの１００
０Ωとの間でインピーダンスが容易に変化する読み出し
ヘッドについて数値例を示すと、 旧＝ １．２にΩ Ｒ２＝ １．５０にΩ Ｒ３＝ ３０にΩ Ｃ＝ｌＯｐＦ を選択することができる。
０Ωとの間でインピーダンスが容易に変化する読み出し
ヘッドについて数値例を示すと、 旧＝ １．２にΩ Ｒ２＝ １．５０にΩ Ｒ３＝ ３０にΩ Ｃ＝ｌＯｐＦ を選択することができる。
次いで、β＝５０、ΔＶ＝４．４Ｖ及びＶＴ＝０．０２
６Ｖのときは周波数が約１００ＫＨｚを超えると、Ｒ２
Ｃｗの値が１より大きくなる。また、入力抵抗が一定の
約２００Ωとなり、かつ電圧利得は実質的に５０に等し
くなる。
６Ｖのときは周波数が約１００ＫＨｚを超えると、Ｒ２
Ｃｗの値が１より大きくなる。また、入力抵抗が一定の
約２００Ωとなり、かつ電圧利得は実質的に５０に等し
くなる。
以上で説明したこの発明は、当該技術分野に習熟する者
にとって明らかな多数の変形及び修飾が可能である。増
幅器は、例えばＮＰＮ トランジスタの代りに、 ＰＮ
Ｐバイポーラ・トランジスタを用いることにより構成し
てもよい。更に、付加的なバイポーラ・トランジスタは
、トランジスタＴのコレクタと出力端子との間に直列に
付加されて（トランジスタＴはカスケードに接続されて
いる）、高周波動作させることができる。
にとって明らかな多数の変形及び修飾が可能である。増
幅器は、例えばＮＰＮ トランジスタの代りに、 ＰＮ
Ｐバイポーラ・トランジスタを用いることにより構成し
てもよい。更に、付加的なバイポーラ・トランジスタは
、トランジスタＴのコレクタと出力端子との間に直列に
付加されて（トランジスタＴはカスケードに接続されて
いる）、高周波動作させることができる。
第１図は誘導性部品に接続された増幅器を示す簡単な回
路図、 第２図は従来技術による増幅器の回路図、第３図はこの
発明による増幅器の回路図である。 ２・・・入力端子、 ３・・出力端子、１１・・・
電源、 Ｃ・コンデンサ、旧−Ｒ３・・・抵抗、
Ｔ・・・トランジスタ。
路図、 第２図は従来技術による増幅器の回路図、第３図はこの
発明による増幅器の回路図である。 ２・・・入力端子、 ３・・出力端子、１１・・・
電源、 Ｃ・コンデンサ、旧−Ｒ３・・・抵抗、
Ｔ・・・トランジスタ。
Claims (3)
- （１）前記入力端子と前記出力端子との間に、ベースを
入力端子（２）に接続し、コレクタを出力端子（３）に
接続し、エミッタを接地し、前記出力端子を第１の抵抗
（旧）を介して電源に接続したバイポーラ・トランジス
タ（Ｔ）と、 前記出力端子と前記トランジスタのベースとの間に接続
され、前記トランジスタの電流利得（β）と共に抵抗値
を変化させる第２の抵抗（Ｒ２）とを有する広帯域増幅
器において、 前記広帯域増幅器は更に、 前記第２の抵抗と並列に接続されたコンデンサ（Ｃ）と
、 前記第２の抵抗と前記トランジスタのベースとの間に接
続された第３の抵抗（Ｒ３）とを備えていることを特徴
とする広帯域増幅器。 - （２）請求項１記載の広帯域増幅器において、前記第３
の抵抗（Ｒ３）の値は、前記増幅器のインピーダンスが
高周波で低くなるように、前記第２の抵抗（Ｒ２）の値
より小さくしたことを特徴とする広帯域増幅器。 - （３）請求項１記載の広帯域増幅器において、前記第２
の抵抗（Ｒ２）はベース・ピンチ型のものであることを
特徴とする広帯域増幅器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8908567 | 1989-06-23 | ||
| FR8908567A FR2648967B1 (fr) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | Amplificateur large bande a gain constant et a impedance d'entree determinee a haute frequence |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0335607A true JPH0335607A (ja) | 1991-02-15 |
| JP3024173B2 JP3024173B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=9383173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2163003A Expired - Fee Related JP3024173B2 (ja) | 1989-06-23 | 1990-06-22 | 一定利得及び高周波で所定の入力インピーダンスを有する広帯域増幅器 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5045810A (ja) |
| EP (1) | EP0404697B1 (ja) |
| JP (1) | JP3024173B2 (ja) |
| KR (1) | KR910002102A (ja) |
| AT (1) | ATE97769T1 (ja) |
| DE (1) | DE69004747T2 (ja) |
| FR (1) | FR2648967B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19623128A1 (de) * | 1996-06-10 | 1997-12-11 | Index Werke Kg Hahn & Tessky | Arbeitsspindel |
| US6433611B1 (en) * | 2000-03-24 | 2002-08-13 | Sige Microsystems Inc. | Voltage level shifting circuit |
| DE102010044592B4 (de) * | 2010-09-07 | 2018-08-30 | Atmel Corp. | Schaltung und Verfahren zur Verstärkung eines über eine Antenne empfangenen Empfangssignals |
| BR112021013236A2 (pt) * | 2019-01-31 | 2021-09-14 | Nv Bekaert Sa | Cabo de aço com revestimento de latão enriquecido com partículas de ferro |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3379988A (en) * | 1964-12-04 | 1968-04-23 | Atomic Energy Commission Usa | Complementary pair feedback amplifier |
| GB1155076A (en) * | 1967-09-07 | 1969-06-18 | Standard Telephones Cables Ltd | Amplifier For Electric Signals |
| US3534281A (en) * | 1969-02-03 | 1970-10-13 | Gen Electric | Soft saturating transistor amplifier |
| CA1042079A (en) * | 1974-09-24 | 1978-11-07 | Clayton L. Sturgeon | Linear amplifier utilizing transistor switching |
| JPS55121715A (en) * | 1979-03-13 | 1980-09-19 | Pioneer Electronic Corp | Feedback amplifier |
-
1989
- 1989-06-23 FR FR8908567A patent/FR2648967B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-06-19 AT AT90420289T patent/ATE97769T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-06-19 DE DE69004747T patent/DE69004747T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-06-19 EP EP90420289A patent/EP0404697B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-21 KR KR1019900009221A patent/KR910002102A/ko not_active Withdrawn
- 1990-06-22 US US07/542,383 patent/US5045810A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-22 JP JP2163003A patent/JP3024173B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910002102A (ko) | 1991-01-31 |
| ATE97769T1 (de) | 1993-12-15 |
| DE69004747D1 (de) | 1994-01-05 |
| FR2648967B1 (fr) | 1995-04-21 |
| JP3024173B2 (ja) | 2000-03-21 |
| US5045810A (en) | 1991-09-03 |
| DE69004747T2 (de) | 1994-06-01 |
| EP0404697A1 (fr) | 1990-12-27 |
| EP0404697B1 (fr) | 1993-11-24 |
| FR2648967A1 (fr) | 1990-12-28 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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