JPH0335854B2 - - Google Patents
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- JPH0335854B2 JPH0335854B2 JP61060389A JP6038986A JPH0335854B2 JP H0335854 B2 JPH0335854 B2 JP H0335854B2 JP 61060389 A JP61060389 A JP 61060389A JP 6038986 A JP6038986 A JP 6038986A JP H0335854 B2 JPH0335854 B2 JP H0335854B2
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
電子機器等に広く使用される単安定マルチバイ
ブレータに関する。
ブレータに関する。
(従来の技術)
第4図は従来から使用されている単安定マルチ
バイブレータの具体的な構成例を示す回路図であ
り、また、第5図は第4図示の単安定マルチバイ
ブレータの動作説明用の波形図である。第4図に
示されている単安定マルチバイブレータにおい
て、1は入力トリガパルスa(第5図のa)が供
給される信号入力端子、2は単安定マルチバイブ
レータの出力信号h(第5図のh)の出力端子で
あり、また3はセツトリセツトフリツプフロツ
プ、4は抵抗R1とコンデンサC1によつて構成
されている時定数回路、5は比較器、9はインバ
ータ、Q1は時定数回路4におけるコンデンサC
1の蓄積電荷を放電するトランジスタ、Vrefは
比較器5の反転入力端子に与える基準電圧源であ
つて、前記した信号入力端子1はセツトリセツト
フリツプフロツプ3のセツト端子Sに接続されて
おり、また、前記したセツトリセツトフリツプフ
ロツプ3のQバー端子はインバータ9の入力側と
トランジスタQ1のベースとに接続されている。
バイブレータの具体的な構成例を示す回路図であ
り、また、第5図は第4図示の単安定マルチバイ
ブレータの動作説明用の波形図である。第4図に
示されている単安定マルチバイブレータにおい
て、1は入力トリガパルスa(第5図のa)が供
給される信号入力端子、2は単安定マルチバイブ
レータの出力信号h(第5図のh)の出力端子で
あり、また3はセツトリセツトフリツプフロツ
プ、4は抵抗R1とコンデンサC1によつて構成
されている時定数回路、5は比較器、9はインバ
ータ、Q1は時定数回路4におけるコンデンサC
1の蓄積電荷を放電するトランジスタ、Vrefは
比較器5の反転入力端子に与える基準電圧源であ
つて、前記した信号入力端子1はセツトリセツト
フリツプフロツプ3のセツト端子Sに接続されて
おり、また、前記したセツトリセツトフリツプフ
ロツプ3のQバー端子はインバータ9の入力側と
トランジスタQ1のベースとに接続されている。
前記したトランジスタQ1のエミツタは接地さ
れており、また、トランジスタQ1のコレクタは
時定数回路4のコンデンサC1の非接地端子と比
較器5の非反転入力端子とに接続されている。前
記した比較器5の出力は、前記したセツトリセツ
トフリツプフロツプ3のリセツト端子に接続され
ている。前記したインバータ9の出力側には出力
端子2が接続されている。
れており、また、トランジスタQ1のコレクタは
時定数回路4のコンデンサC1の非接地端子と比
較器5の非反転入力端子とに接続されている。前
記した比較器5の出力は、前記したセツトリセツ
トフリツプフロツプ3のリセツト端子に接続され
ている。前記したインバータ9の出力側には出力
端子2が接続されている。
前記のように構成されている第4図示の単安定
マルチバイブレータの動作は次のとおりである。
信号入力端子1に対して第5図のaに示されてい
る時刻t1に、入力トリガパルスaが供給される
と、前記の入力トリガパルスaによつてセツトリ
セツトフリツプフロツプ3が時刻t1にセツトさ
れると、それのQバー端子の出力信号gが第5図
のgのように時刻t1にハイレベルの状態からロ
ーレベルの状態に変化する。
マルチバイブレータの動作は次のとおりである。
信号入力端子1に対して第5図のaに示されてい
る時刻t1に、入力トリガパルスaが供給される
と、前記の入力トリガパルスaによつてセツトリ
セツトフリツプフロツプ3が時刻t1にセツトさ
れると、それのQバー端子の出力信号gが第5図
のgのように時刻t1にハイレベルの状態からロ
ーレベルの状態に変化する。
それにより、前記したセツトリセツトフリツプ
フロツプ3のQバー端子の出力信号gが与えられ
ているトランジスタQ1は、時刻t1にそれまで
の導通状態から非導通状態に変化するために、時
定数回路4のコンデンサC1には、時刻t1から
抵抗R1を通して充電が開始され、前記のコンデ
ンサC1の端子電圧Vcは時刻t1から時定数回
路4の時定数に従つて次第に上昇して行く。
フロツプ3のQバー端子の出力信号gが与えられ
ているトランジスタQ1は、時刻t1にそれまで
の導通状態から非導通状態に変化するために、時
定数回路4のコンデンサC1には、時刻t1から
抵抗R1を通して充電が開始され、前記のコンデ
ンサC1の端子電圧Vcは時刻t1から時定数回
路4の時定数に従つて次第に上昇して行く。
また、前記したセツトリセツトフリツプフロツ
プ3のQバー端子の出力信号gが与えられている
インバータ9の出力信号hは、時刻t1にそれま
でのローレベルの状態からハイレベルの状態に変
化する。そして、前記のように時刻t1以降に次
第に上昇している時定数回路4のコンデンサC1
の端子電圧Vc(第5図のVc)が、時刻t2に比
較器5の反転入力端子に与えられている基準電圧
Vrefに達すると、比較器5からは時刻t2にハ
イレベルの出力信号i(第5図のi)が出力され
て、それが前記したセツトリセツトフリツプフロ
ツプ3のリセツト端子Rに与えられるので、セツ
トリセツトフリツプフロツプ3は時刻t2にリセ
ツトされる。
プ3のQバー端子の出力信号gが与えられている
インバータ9の出力信号hは、時刻t1にそれま
でのローレベルの状態からハイレベルの状態に変
化する。そして、前記のように時刻t1以降に次
第に上昇している時定数回路4のコンデンサC1
の端子電圧Vc(第5図のVc)が、時刻t2に比
較器5の反転入力端子に与えられている基準電圧
Vrefに達すると、比較器5からは時刻t2にハ
イレベルの出力信号i(第5図のi)が出力され
て、それが前記したセツトリセツトフリツプフロ
ツプ3のリセツト端子Rに与えられるので、セツ
トリセツトフリツプフロツプ3は時刻t2にリセ
ツトされる。
それで、セツトリセツトフリツプフロツプ3の
Qバー端子の出力信号gは第5図のgのように時
刻t2にローレベルの状態からハイレベルの状態
に変化する。前記したセツトリセツトフリツプフ
ロツプ3のQバー端子の出力信号gが与えられて
いるトランジスタQ1は、時刻t2にそれまでの
非導通状態から導通状態に変化するために、時定
数回路4のコンデンサC1はそれの非接地端子側
が、時刻t2にトランジスタQ1のコレクタ・エ
ミツタ間によつて接地に接続され、前記のコンデ
ンサC1の端子電圧Vcは時刻t2から略々接地
電位になされる。
Qバー端子の出力信号gは第5図のgのように時
刻t2にローレベルの状態からハイレベルの状態
に変化する。前記したセツトリセツトフリツプフ
ロツプ3のQバー端子の出力信号gが与えられて
いるトランジスタQ1は、時刻t2にそれまでの
非導通状態から導通状態に変化するために、時定
数回路4のコンデンサC1はそれの非接地端子側
が、時刻t2にトランジスタQ1のコレクタ・エ
ミツタ間によつて接地に接続され、前記のコンデ
ンサC1の端子電圧Vcは時刻t2から略々接地
電位になされる。
また、前記したセツトリセツトフリツプフロツ
プ3のQバー端子の出力信号gが与えられている
インバータ9の出力信号hは、時刻t2にそれま
でのハイレベルの状態からローレベルの状態に変
化する。前記の動作は時刻t3に入力トリガパル
スaが信号入力端子1に供給されたときにも同様
に行なわれるから、第4図に示されている単安定
マルチバイブレータは、それの信号入力端子1に
対して入力トリガパルスaが供給される度毎に前
記したような動作を行なうことにより、所定のパ
ルス巾の出力信号hを出力端子2に送出する。
プ3のQバー端子の出力信号gが与えられている
インバータ9の出力信号hは、時刻t2にそれま
でのハイレベルの状態からローレベルの状態に変
化する。前記の動作は時刻t3に入力トリガパル
スaが信号入力端子1に供給されたときにも同様
に行なわれるから、第4図に示されている単安定
マルチバイブレータは、それの信号入力端子1に
対して入力トリガパルスaが供給される度毎に前
記したような動作を行なうことにより、所定のパ
ルス巾の出力信号hを出力端子2に送出する。
(発明が解決しようとする問題点)
ところで、第4図示の構成を有する従来の単安
定マルチバイブレータの出力信号のパルス巾は、
信号入力端子1に入力トリガパルスaが供給され
てトランジスタQ1が導通状態から非導通状態に
変化した時点から、時定数回路4におけるコンデ
ンサC1の端子電圧Vcが比較器5の基準電圧
Vrefに達した時点までの期間に対応するものと
なつている。ところがトランジスタQ1が導通し
ている状態における時定数回路4のコンデンサC
1の端子電圧Vcは接地電位ではなく、導通状態
となされているトランジスタQ1のコレクタとエ
ミツタ間に現われる飽和電圧となつており、ま
た、トランジスタQ1が導通状態から実際に非導
通状態に変化する時点は、トランジスタの少数キ
ヤリアの蓄積時間だけ遅延するのであるが、前記
の飽和電圧や少数キヤリアの蓄積時間などは温度
の変化に従つて変化するから、第4図示の従来構
成の単安定マルチバイブレータの出力信号のパル
ス巾は温度の変化によつて変化することになる。
それで、温度の変化によつてもパルス巾が変化し
ない出力信号を発生させることのできる単安定マ
ルチバイブレータの実現が望まれた。
定マルチバイブレータの出力信号のパルス巾は、
信号入力端子1に入力トリガパルスaが供給され
てトランジスタQ1が導通状態から非導通状態に
変化した時点から、時定数回路4におけるコンデ
ンサC1の端子電圧Vcが比較器5の基準電圧
Vrefに達した時点までの期間に対応するものと
なつている。ところがトランジスタQ1が導通し
ている状態における時定数回路4のコンデンサC
1の端子電圧Vcは接地電位ではなく、導通状態
となされているトランジスタQ1のコレクタとエ
ミツタ間に現われる飽和電圧となつており、ま
た、トランジスタQ1が導通状態から実際に非導
通状態に変化する時点は、トランジスタの少数キ
ヤリアの蓄積時間だけ遅延するのであるが、前記
の飽和電圧や少数キヤリアの蓄積時間などは温度
の変化に従つて変化するから、第4図示の従来構
成の単安定マルチバイブレータの出力信号のパル
ス巾は温度の変化によつて変化することになる。
それで、温度の変化によつてもパルス巾が変化し
ない出力信号を発生させることのできる単安定マ
ルチバイブレータの実現が望まれた。
(問題点を解決するための手段)
本発明は時定数回路と、反転入力端子に対して
前記した時定数回路の出力電圧が与えられるとと
もに非反転入力端子には基準電圧V1が与えられ
るようになされている第1の比較器と、非反転入
力端子に対して前記した時定数回路の出力電圧が
与えられるとともに反転入力端子にはV2<V1
の関係にある基準電圧V2が与えられるようにな
されている第2の比較器と、入力トリガパルスに
よつてセツトされるとともに前記した第1の比較
器の出力によつてリセツトされる第1のセツトリ
セツトフリツプフロツプと、前記した第1のセツ
トリセツトフリツプフロツプの出力信号に基づい
て時定数回路をリセツトする手段と、入力トリガ
パルスによつてセツトされるとともに少なくとも
前記した第2の比較器の出力が与えられる論理回
路の出力によつてリセツトされる第2のセツトリ
セツトフリツプフロツプと、前記した第2のセツ
トリセツトフリツプフロツプの出力端子から出力
信号を得るようにする手段とを備えてなる単安定
マルチバイブレータを提供するものである。
前記した時定数回路の出力電圧が与えられるとと
もに非反転入力端子には基準電圧V1が与えられ
るようになされている第1の比較器と、非反転入
力端子に対して前記した時定数回路の出力電圧が
与えられるとともに反転入力端子にはV2<V1
の関係にある基準電圧V2が与えられるようにな
されている第2の比較器と、入力トリガパルスに
よつてセツトされるとともに前記した第1の比較
器の出力によつてリセツトされる第1のセツトリ
セツトフリツプフロツプと、前記した第1のセツ
トリセツトフリツプフロツプの出力信号に基づい
て時定数回路をリセツトする手段と、入力トリガ
パルスによつてセツトされるとともに少なくとも
前記した第2の比較器の出力が与えられる論理回
路の出力によつてリセツトされる第2のセツトリ
セツトフリツプフロツプと、前記した第2のセツ
トリセツトフリツプフロツプの出力端子から出力
信号を得るようにする手段とを備えてなる単安定
マルチバイブレータを提供するものである。
(実施例)
以下、添付図面を参照して本発明の単安定マル
チバイブレータの具体的な内容について詳細に説
明する。第1図は本発明の単安定マルチバイブレ
ータの一実施例のブロツク回路図であつて、この
第1図に示されている単安定マルチバイブレータ
において、1は入力トリガパルスa(第2図のa)
が供給される信号入力端子、2は単安定マルチバ
イブレータの出力信号f(第2図のf)の出力端
子であり、また3は第1のセツトリセツトフリツ
プフロツプ、4は第2のセツトリセツトフリツプ
フロツプ、5は第1の比較器、6は第2の比較
器、7は抵抗R1とコンデンサC1とによつて構
成されている時定数回路、Q1は時定数回路7に
おけるコンデンサC1の蓄積電荷を放電させるト
ランジスタ、V1,V2は基準電圧源、G1はノ
アゲート、G2はアンドゲートである。
チバイブレータの具体的な内容について詳細に説
明する。第1図は本発明の単安定マルチバイブレ
ータの一実施例のブロツク回路図であつて、この
第1図に示されている単安定マルチバイブレータ
において、1は入力トリガパルスa(第2図のa)
が供給される信号入力端子、2は単安定マルチバ
イブレータの出力信号f(第2図のf)の出力端
子であり、また3は第1のセツトリセツトフリツ
プフロツプ、4は第2のセツトリセツトフリツプ
フロツプ、5は第1の比較器、6は第2の比較
器、7は抵抗R1とコンデンサC1とによつて構
成されている時定数回路、Q1は時定数回路7に
おけるコンデンサC1の蓄積電荷を放電させるト
ランジスタ、V1,V2は基準電圧源、G1はノ
アゲート、G2はアンドゲートである。
前記した信号入力端子1に供給された入力トリ
ガパルスaは第1,第2のセツトリセツトフリツ
プフロツプ3,4のセツト端子Sに与えられると
ともに、ノアゲートG1に対してもそれの一入力
として供給される。また、前記した第1のセツト
リセツトフリツプフロツプ3のQ端子からの出力
信号b(第2図のb)はトランジスタQ1のベー
スに供給されるとともにノア回路G1の一方入力
としても供給されている。また、前記した第2の
セツトリセツトフリツプフロツプ4のQ端子は出
力信号の出力端子2に接続されている。
ガパルスaは第1,第2のセツトリセツトフリツ
プフロツプ3,4のセツト端子Sに与えられると
ともに、ノアゲートG1に対してもそれの一入力
として供給される。また、前記した第1のセツト
リセツトフリツプフロツプ3のQ端子からの出力
信号b(第2図のb)はトランジスタQ1のベー
スに供給されるとともにノア回路G1の一方入力
としても供給されている。また、前記した第2の
セツトリセツトフリツプフロツプ4のQ端子は出
力信号の出力端子2に接続されている。
前記したトランジスタQ1のエミツタは接地さ
れており、また、トランジスタQ1のコレクタは
時定数回路7のコンデンサC1の非接地側の端子
と抵抗R1との接続点と、第1の比較器5の非反
転入力端子と、第2の比較器6の非反転入力端子
とに接続されている。
れており、また、トランジスタQ1のコレクタは
時定数回路7のコンデンサC1の非接地側の端子
と抵抗R1との接続点と、第1の比較器5の非反
転入力端子と、第2の比較器6の非反転入力端子
とに接続されている。
また、前記した第1の比較器5の非反転入力端
子には基準電圧源V1から基準電圧V1が供給さ
れており、第1の比較器5はそれの反転入力端子
に供給される前記したコンデンサC1の端子電圧
Vcと前記した基準電圧V1との比較出力、すな
わち、第2図のcに示されているような出力信号
cを第1のセツトリセツトフリツプフロツプ3の
リセツト端子Rに供給する。
子には基準電圧源V1から基準電圧V1が供給さ
れており、第1の比較器5はそれの反転入力端子
に供給される前記したコンデンサC1の端子電圧
Vcと前記した基準電圧V1との比較出力、すな
わち、第2図のcに示されているような出力信号
cを第1のセツトリセツトフリツプフロツプ3の
リセツト端子Rに供給する。
前記した第2の比較器6の反転入力端子には基
準電圧源V2から基準電圧V2が供給されてお
り、第2の比較器6はそれの非反転入力端子に供
給される前記したコンデンサC1の端子電圧Vc
と前記した基準電圧V2との比較出力、すなわ
ち、第2図のdに示されているような出力信号d
をアンドゲートG2へ、それの一方入力信号とし
て供給する。
準電圧源V2から基準電圧V2が供給されてお
り、第2の比較器6はそれの非反転入力端子に供
給される前記したコンデンサC1の端子電圧Vc
と前記した基準電圧V2との比較出力、すなわ
ち、第2図のdに示されているような出力信号d
をアンドゲートG2へ、それの一方入力信号とし
て供給する。
前記したアンドゲートG2の他方入力として
は、前記したノアゲートG1の出力信号が供給さ
れ、アンドゲートG2からの出力信号e(第2図
のe)は第2のセツトリセツトフリツプフロツプ
4のリセツト端子Rに供給される。
は、前記したノアゲートG1の出力信号が供給さ
れ、アンドゲートG2からの出力信号e(第2図
のe)は第2のセツトリセツトフリツプフロツプ
4のリセツト端子Rに供給される。
前記した各基準電圧源V1,V2の電圧値V
1,V2はV2>V1の関係を満足するように設
定されるのである。なお電源Vccの電圧Vccが前
記した基準電圧V2よりも高い電圧であることは
当然である。
1,V2はV2>V1の関係を満足するように設
定されるのである。なお電源Vccの電圧Vccが前
記した基準電圧V2よりも高い電圧であることは
当然である。
前記のように構成されている第1図示の単安定
マルチバイブレータの動作は次のとおりである。
信号入力端子1に対して第2図のaに示されてい
る入力トリガパルスaが供給される時刻t1以前
において、第1,第2のセツトリセツトフリツプ
フロツプ3,4はリセツトされている状態にあ
り、第1のセツトリセツトフリツプフロツプ3の
Q端子の出力信号bは第2図のbに示されている
ようにローレベルの状態のため、、トランジスタ
Q1は不導通となされているから、時定数回路7
におけるコンデンサC1は、電源Vccから抵抗R
1を介して充電されている状態にあり、コンデン
サC1の端子電圧Vcは第2図のVcに示されてい
るように電源Vcc電圧値Vccとなつている。
マルチバイブレータの動作は次のとおりである。
信号入力端子1に対して第2図のaに示されてい
る入力トリガパルスaが供給される時刻t1以前
において、第1,第2のセツトリセツトフリツプ
フロツプ3,4はリセツトされている状態にあ
り、第1のセツトリセツトフリツプフロツプ3の
Q端子の出力信号bは第2図のbに示されている
ようにローレベルの状態のため、、トランジスタ
Q1は不導通となされているから、時定数回路7
におけるコンデンサC1は、電源Vccから抵抗R
1を介して充電されている状態にあり、コンデン
サC1の端子電圧Vcは第2図のVcに示されてい
るように電源Vcc電圧値Vccとなつている。
また、この状態において第1の比較器5の反転
入力端子には、非反転入力端子に与えられている
基準電圧V1に対してVcc>V1の関係にあるコ
ンデンサC1の端子電圧Vc=Vccが供給されて
いるから、第1の比較器5の出力信号cは第2図
のcに示されているようにローレベルであり、し
たがつて、第1のセツトリセツトフリツプフロツ
プ3はリセツト状態を保持している。
入力端子には、非反転入力端子に与えられている
基準電圧V1に対してVcc>V1の関係にあるコ
ンデンサC1の端子電圧Vc=Vccが供給されて
いるから、第1の比較器5の出力信号cは第2図
のcに示されているようにローレベルであり、し
たがつて、第1のセツトリセツトフリツプフロツ
プ3はリセツト状態を保持している。
また、時刻t1以前の状態において、第2の比
較器6の非反転入力端子には、反転入力端子に与
えられている基準電圧V2に対してVcc>V2の
関係にあるコンデンサC1の端子電圧Vc=Vcc
が供給されているから、第2の比較器6の出力号
dは第2図のdに示されているようにハイレベル
の状態になつており、また時刻t1以前の状態に
おいてはノアゲートG1の2つの入力は共にロー
レベルであるために、ノアゲートG1の出力はハ
イレベルの状態になつていて、アンドゲートG2
の出力eは第2図のeに示されているようにハイ
レベルの状態となり、したがつて、第2のセツト
リセツトフリツプフロツプ4はリセツトされた状
態になされていて、それのQ端子は第2図のfに
示されているようにローレベルの状態にある。
較器6の非反転入力端子には、反転入力端子に与
えられている基準電圧V2に対してVcc>V2の
関係にあるコンデンサC1の端子電圧Vc=Vcc
が供給されているから、第2の比較器6の出力号
dは第2図のdに示されているようにハイレベル
の状態になつており、また時刻t1以前の状態に
おいてはノアゲートG1の2つの入力は共にロー
レベルであるために、ノアゲートG1の出力はハ
イレベルの状態になつていて、アンドゲートG2
の出力eは第2図のeに示されているようにハイ
レベルの状態となり、したがつて、第2のセツト
リセツトフリツプフロツプ4はリセツトされた状
態になされていて、それのQ端子は第2図のfに
示されているようにローレベルの状態にある。
信号の入力端子1に対して時刻t1に入力トリ
ガパルスaが供給されると、第1のセツトリセツ
トフリツプフロツプ3がセツトされて、それのQ
端子からの出力信号bがハイレベルとなり、トラ
ンジスタQ1を非導通の状態から導通状態に変化
させるとともに、ノアゲートG1の出力をハイレ
ベルの状態からローレベルの状態に変化させる。
ガパルスaが供給されると、第1のセツトリセツ
トフリツプフロツプ3がセツトされて、それのQ
端子からの出力信号bがハイレベルとなり、トラ
ンジスタQ1を非導通の状態から導通状態に変化
させるとともに、ノアゲートG1の出力をハイレ
ベルの状態からローレベルの状態に変化させる。
前記のようにノアゲートG1の出力側に現われ
たローレベルの信号によつて、アンドゲートG2
の出力側はハイレベルの状態からローレベルの状
態に変化して、第2のセツトリセツトフリツプフ
ロツプ4はリセツトが解除され、それにより前記
した第2のセツトリセツトフリツプフロツプ4は
入力トリガパルスaによつてセツトされて、それ
のQ端子の出力信号fは第2図のfのように時刻
t1にローレベルの状態からハイレベルの状態に
変化する。
たローレベルの信号によつて、アンドゲートG2
の出力側はハイレベルの状態からローレベルの状
態に変化して、第2のセツトリセツトフリツプフ
ロツプ4はリセツトが解除され、それにより前記
した第2のセツトリセツトフリツプフロツプ4は
入力トリガパルスaによつてセツトされて、それ
のQ端子の出力信号fは第2図のfのように時刻
t1にローレベルの状態からハイレベルの状態に
変化する。
前記のように時刻t1にローレベルの状態から
ハイレベルの状態に変化した第1のセツトリセツ
トフリツプフロツプ3の出力信号bが供給される
ことによつて、既述のように時刻t1に不導通の
状態から導通の状態に変化したトランジスタQ1
は、時定数回路7のコンデンサC1の蓄積電荷を
急速に放電させるから、コンデンサC1の端子電
圧は第2図のVcに示されているように急速に低
下する。
ハイレベルの状態に変化した第1のセツトリセツ
トフリツプフロツプ3の出力信号bが供給される
ことによつて、既述のように時刻t1に不導通の
状態から導通の状態に変化したトランジスタQ1
は、時定数回路7のコンデンサC1の蓄積電荷を
急速に放電させるから、コンデンサC1の端子電
圧は第2図のVcに示されているように急速に低
下する。
第2の比較器6の非反転入力端子に供給されて
いるコンデンサC1の端子電圧Vcが第2の比較
器6の反転入力端子に供給されている基準電圧V
2に達した時刻t2に、第2の比較器6の出力信
号dは第2図のdに示されているようにハイレベ
ルの状態からローレベルの状態に変化する。
いるコンデンサC1の端子電圧Vcが第2の比較
器6の反転入力端子に供給されている基準電圧V
2に達した時刻t2に、第2の比較器6の出力信
号dは第2図のdに示されているようにハイレベ
ルの状態からローレベルの状態に変化する。
次に、第1の比較器5の反転入力端子に供給さ
れているコンデンサC1の端子電圧Vcが、第1
の比較器5の反転入力端子に供給されている基準
電圧V1に達した時刻t3に、第1の比較器5の
出力信号cは第2図のcに示されているようにロ
ーレベルの状態からハイレベルの状態に変化し、
それにより第1のセツトリセツトフリツプフロツ
プ3が時刻t3にリセツトされ、第1のセツトリ
セツトフリツプフロツプ3の出力信号bがハイレ
ベルの状態からローレベルの状態に変化してトラ
ンジスタQ1の導通状態から不導通状態に変化
し、時定数回路7中のコンデンサC1には時刻t
3から抵抗R1を介して充電が開始され、コンデ
ンサC1の端子電圧Vcは時定数回路7に設定さ
れている時定数に従つて時刻t3から上昇し始め
る。
れているコンデンサC1の端子電圧Vcが、第1
の比較器5の反転入力端子に供給されている基準
電圧V1に達した時刻t3に、第1の比較器5の
出力信号cは第2図のcに示されているようにロ
ーレベルの状態からハイレベルの状態に変化し、
それにより第1のセツトリセツトフリツプフロツ
プ3が時刻t3にリセツトされ、第1のセツトリ
セツトフリツプフロツプ3の出力信号bがハイレ
ベルの状態からローレベルの状態に変化してトラ
ンジスタQ1の導通状態から不導通状態に変化
し、時定数回路7中のコンデンサC1には時刻t
3から抵抗R1を介して充電が開始され、コンデ
ンサC1の端子電圧Vcは時定数回路7に設定さ
れている時定数に従つて時刻t3から上昇し始め
る。
次いで、第2の比較器6の非反転入力端子に供
給されているコンデンサC1の端子電圧Vcが第
2の比較器6の反転入力端子に供給されている基
準電圧V2に達する時刻t4に、第2の比較器6
の出力信号dは第2図のdに示されているように
ローレベルの状態からハイレベルの状態に変化す
る。この時刻t4の時点においてノアゲートG1
の2つの入力は共にローレベルの状態にあるか
ら、アンドゲートG2の2つの入力は時刻t4に
共にハイレベルの状態となり、したがつて、アン
ドゲートG2の出力信号eは第2図のeのように
時刻t4にローレベルの状態からハイレベルの状
態に変化して、第2のセツトリセツトフリツプフ
ロツプ4は時刻t4にリセツトされ、それのQ端
子から出力端子2に送出される出力信号fは、第
2図のfに示されるように時刻t4にハイレベル
の状態からローレベルの状態に変化する。
給されているコンデンサC1の端子電圧Vcが第
2の比較器6の反転入力端子に供給されている基
準電圧V2に達する時刻t4に、第2の比較器6
の出力信号dは第2図のdに示されているように
ローレベルの状態からハイレベルの状態に変化す
る。この時刻t4の時点においてノアゲートG1
の2つの入力は共にローレベルの状態にあるか
ら、アンドゲートG2の2つの入力は時刻t4に
共にハイレベルの状態となり、したがつて、アン
ドゲートG2の出力信号eは第2図のeのように
時刻t4にローレベルの状態からハイレベルの状
態に変化して、第2のセツトリセツトフリツプフ
ロツプ4は時刻t4にリセツトされ、それのQ端
子から出力端子2に送出される出力信号fは、第
2図のfに示されるように時刻t4にハイレベル
の状態からローレベルの状態に変化する。
以上のように第1図示の単安定マルチバイブレ
ータは、信号の入力端子1に入力トリガパルスa
が供給される度毎に、所定のパルス巾の出力信号
fを出力端子2に送出させるように動作する。
ータは、信号の入力端子1に入力トリガパルスa
が供給される度毎に、所定のパルス巾の出力信号
fを出力端子2に送出させるように動作する。
第3図は前述した第1図示の単安定マルチバイ
ブレータにおける第1のセツトリセツトフリツプ
フロツプ3と、第1の比較器5及び基準電圧源V
1,V2などの各部分の具体的な構成例を示した
回路図であり、この第3図においてトランジスタ
Q4〜Q7、抵抗R7〜R9,R11などからな
る回路配置は周知のセツトリセツトフリツプフロ
ツプを構成しており、第3図におけるトランジス
タQ4〜Q7、抵抗R7〜R9,R11などから
なる回路配置は第1図中の第1のセツトリセツト
フリツプフロツプ3と対応している。
ブレータにおける第1のセツトリセツトフリツプ
フロツプ3と、第1の比較器5及び基準電圧源V
1,V2などの各部分の具体的な構成例を示した
回路図であり、この第3図においてトランジスタ
Q4〜Q7、抵抗R7〜R9,R11などからな
る回路配置は周知のセツトリセツトフリツプフロ
ツプを構成しており、第3図におけるトランジス
タQ4〜Q7、抵抗R7〜R9,R11などから
なる回路配置は第1図中の第1のセツトリセツト
フリツプフロツプ3と対応している。
すなわち、第3図中において第1のセツトリセ
ツトフリツプフロツプ3は、互いのベースとコレ
クタとが抵抗R9,R11を介して交叉接続され
るとともに、エミツタが接地されているトランジ
スタQ5,Q6と、前記したトランジスタQ5の
コレクタにコレクタが接続されているとともにエ
ミツタが接地されており、かつ、ベースがセツト
入力端子となされているトランジスタQ4と、前
記したトランジスタQ6のコレクタにコレクタが
接続されているとともにエミツタが接地されてお
り、かつ、ベースがリセツト入力端子となされい
るトランジスタQ7と、前記したトランジスタQ
4,Q5の共通接続されたコレクタと電源Vccと
の間に接続されたコレクタ負荷R8とを備え、ま
た、前記したトランジスタQ6,Q7の共通接続
されたコレクタ側を出力端子とする如き構成のも
のとなされている。
ツトフリツプフロツプ3は、互いのベースとコレ
クタとが抵抗R9,R11を介して交叉接続され
るとともに、エミツタが接地されているトランジ
スタQ5,Q6と、前記したトランジスタQ5の
コレクタにコレクタが接続されているとともにエ
ミツタが接地されており、かつ、ベースがセツト
入力端子となされているトランジスタQ4と、前
記したトランジスタQ6のコレクタにコレクタが
接続されているとともにエミツタが接地されてお
り、かつ、ベースがリセツト入力端子となされい
るトランジスタQ7と、前記したトランジスタQ
4,Q5の共通接続されたコレクタと電源Vccと
の間に接続されたコレクタ負荷R8とを備え、ま
た、前記したトランジスタQ6,Q7の共通接続
されたコレクタ側を出力端子とする如き構成のも
のとなされている。
また、第3図中において第1図中に示されてい
る第1の比較器5と対応している構成部分は、2
個のトランジスタQ8,Q9の共通接続されたエ
ミツタと電源Vccとの間に電流源Iを接続した差
動増幅器における前記した2個のトランジスタQ
8,Q9における一方のトランジスタQ8のベー
スを非反転入力端子としてそれに基準電圧V1が
供給されるようにし、また、前記した2個のトラ
ンジスタQ8,Q9における他方のトランジスタ
Q9のベースを反転入力端子として、それに時定
数回路7の出力信号が供給されるようにするとと
もに、反転入力端子の電圧が基準電圧V1以下に
低下することがないようにするためのクランプ回
路(トランジスタQ10)を接続し、また、前記
したトランジスタQ9のコレクタと接地との間に
負荷となるダイオードD1と接続するとともに、
トランジスタQ9のコレクタから出力信号が得ら
れるようにし、さらに、前記したトランジスタQ
8のコレクタが第1のセツトリセツトフリツプフ
ロツプ3の出力側に接続されるようにして構成さ
れている。
る第1の比較器5と対応している構成部分は、2
個のトランジスタQ8,Q9の共通接続されたエ
ミツタと電源Vccとの間に電流源Iを接続した差
動増幅器における前記した2個のトランジスタQ
8,Q9における一方のトランジスタQ8のベー
スを非反転入力端子としてそれに基準電圧V1が
供給されるようにし、また、前記した2個のトラ
ンジスタQ8,Q9における他方のトランジスタ
Q9のベースを反転入力端子として、それに時定
数回路7の出力信号が供給されるようにするとと
もに、反転入力端子の電圧が基準電圧V1以下に
低下することがないようにするためのクランプ回
路(トランジスタQ10)を接続し、また、前記
したトランジスタQ9のコレクタと接地との間に
負荷となるダイオードD1と接続するとともに、
トランジスタQ9のコレクタから出力信号が得ら
れるようにし、さらに、前記したトランジスタQ
8のコレクタが第1のセツトリセツトフリツプフ
ロツプ3の出力側に接続されるようにして構成さ
れている。
トランジスタQ4のベースには抵抗R7を介し
て入力トリガパルスが供給され、第1のセツトリ
セツトフリツプフロツプ3の出力信号は、トラン
ジスタQ6,Q7のコレクタとトランジスタQ8
のコレクタと抵抗R9との接続点から抵抗R10
を介してトランジスタQ1のベースに供給される
とともに、線lを介して図示されていないノアゲ
ートG1に供給される。
て入力トリガパルスが供給され、第1のセツトリ
セツトフリツプフロツプ3の出力信号は、トラン
ジスタQ6,Q7のコレクタとトランジスタQ8
のコレクタと抵抗R9との接続点から抵抗R10
を介してトランジスタQ1のベースに供給される
とともに、線lを介して図示されていないノアゲ
ートG1に供給される。
前記したトランジスタQ9のコレクタはトラン
ジスタQ7のベースに接続されており、また、ト
ランジスタQ9のベースはトランジスタQ10の
エミツタとトランジスタQ1のコレクタと、時定
数回路7のコンデンサC1と抵抗R1との接続点
に接続されている。また、前記したトランジスタ
Q10のコレクタは電源Vccに接続されており、
また、そのベースはトランジスタQ3のベースと
ともに抵抗R3〜R5からなる分圧回路網におけ
る抵抗R5を抵抗R4との接続点に接続されてい
る。
ジスタQ7のベースに接続されており、また、ト
ランジスタQ9のベースはトランジスタQ10の
エミツタとトランジスタQ1のコレクタと、時定
数回路7のコンデンサC1と抵抗R1との接続点
に接続されている。また、前記したトランジスタ
Q10のコレクタは電源Vccに接続されており、
また、そのベースはトランジスタQ3のベースと
ともに抵抗R3〜R5からなる分圧回路網におけ
る抵抗R5を抵抗R4との接続点に接続されてい
る。
電源Vccと接地間に構成されている前記した抵
抗R3〜R5からなる分圧回路網における抵抗R
5と抵抗R4との接続点に発生された電圧は、前
記したトランジスタQ3と抵抗R6とによつてエ
ミツタフオロア段を構成しているトランジスタQ
3のエミツタに基準電圧V1として現われ、ま
た、前記した抵抗R3〜R5からなる分圧回路網
における抵抗R3と抵抗R4との接続点に発生さ
れた電圧は、トランジスタQ2と抵抗R2とによ
つてエミツタフオロア段を構成しているトランジ
スタQ2のエミツタに基準電圧V2として現われ
る。
抗R3〜R5からなる分圧回路網における抵抗R
5と抵抗R4との接続点に発生された電圧は、前
記したトランジスタQ3と抵抗R6とによつてエ
ミツタフオロア段を構成しているトランジスタQ
3のエミツタに基準電圧V1として現われ、ま
た、前記した抵抗R3〜R5からなる分圧回路網
における抵抗R3と抵抗R4との接続点に発生さ
れた電圧は、トランジスタQ2と抵抗R2とによ
つてエミツタフオロア段を構成しているトランジ
スタQ2のエミツタに基準電圧V2として現われ
る。
前記したように第1,第2の比較器5,6の基
準電圧として使用される基準電圧V1,V2は、
分圧回路の抵抗比によつて決まるので、その差電
圧V2−V1は温度が変化しても変化しない。
準電圧として使用される基準電圧V1,V2は、
分圧回路の抵抗比によつて決まるので、その差電
圧V2−V1は温度が変化しても変化しない。
また、前記した抵抗R3〜R5からなる分圧回
路網における抵抗R5と抵抗R4との接続点に発
生された電圧は、前記したトランジスタQ10の
ベースに供給されているから、トランジスタQ1
0のエミツタが接続されているトランジスタQ9
のベース回路の電圧は基準電圧V1よりは低下す
ることがないようになされる。
路網における抵抗R5と抵抗R4との接続点に発
生された電圧は、前記したトランジスタQ10の
ベースに供給されているから、トランジスタQ1
0のエミツタが接続されているトランジスタQ9
のベース回路の電圧は基準電圧V1よりは低下す
ることがないようになされる。
すなわち、前記したトランジスタQ10は、時
定数回路7におけるコンデンサC1の端子電圧
Vcが基準電圧V1よりも高い状態においては不
導通であるが、前記の電圧VcとV1とが等しく
なつたときに導通して、時定数回路7におけるコ
ンデンサC1の端子電圧Vcの下限値をV1にク
ランプするのである。
定数回路7におけるコンデンサC1の端子電圧
Vcが基準電圧V1よりも高い状態においては不
導通であるが、前記の電圧VcとV1とが等しく
なつたときに導通して、時定数回路7におけるコ
ンデンサC1の端子電圧Vcの下限値をV1にク
ランプするのである。
それにより、トランジスタQ1を不導通の状態
にするための一巡のループ、すなわち、第1の比
較器5→第1のセツトリセツトフリツプフロツプ
3→トランジスタQ1→第1の比較器5からなる
一巡のループの応答の時間遅れを補償して、時定
数回路7におけるコンデンサC1の端子電圧Vc
が基準電圧V1よりも低下するような状態が生じ
ないようにし、時定数回路7で発生されるコンデ
ンサC1の端子電圧Vcが基準電圧V1と対応す
る電圧値から上昇を開始するタイミングが正確に
定まるようにされるから、前記した差電圧V2−
V1によつて定まる出力信号のパルス巾は回路の
ばらつきによつても左右されず、また、温度が変
化しても出力信号のパルス巾が変化するようなこ
とは起こらない。
にするための一巡のループ、すなわち、第1の比
較器5→第1のセツトリセツトフリツプフロツプ
3→トランジスタQ1→第1の比較器5からなる
一巡のループの応答の時間遅れを補償して、時定
数回路7におけるコンデンサC1の端子電圧Vc
が基準電圧V1よりも低下するような状態が生じ
ないようにし、時定数回路7で発生されるコンデ
ンサC1の端子電圧Vcが基準電圧V1と対応す
る電圧値から上昇を開始するタイミングが正確に
定まるようにされるから、前記した差電圧V2−
V1によつて定まる出力信号のパルス巾は回路の
ばらつきによつても左右されず、また、温度が変
化しても出力信号のパルス巾が変化するようなこ
とは起こらない。
(効果)
以上、詳細に説明したところから明らかなよう
に、本発明の単安定マルチバイブレータ回路は時
定数回路と、反転入力端子に対して前記した時定
数回路の出力電圧が与えられるとともに非反転入
力端子には基準電圧V1が与えられるようになさ
れている第1の比較器と、非反転入力端子に対し
て前記した時定数回路の出力電圧が与れられると
ともに反転入力端子にはV2<V1の関係にある
基準電圧V2が与えられるようになされている第
2の比較器と、入力トリガパルスによつてセツト
されるとともに前記した第1の比較器の出力によ
つてリセツトされる第1のセツトリセツトフリツ
プフロツプと、前記した第1のセツトリセツトフ
リツプフロツプの出力信号に基づいて時定数回路
をリセツトする手段と、入力トリガパルスによつ
てセツトされるとともに少なくとも前記した第2
の比較器の出力が与えられる論理回路の出力によ
つてリセツトされる第2のセツトリセツトフリツ
プフロツプと、前記した第2のセツトリセツトフ
リツプフロツプの出力端子から出力信号を得るよ
うにする手段とを備えてなる単安定マルチバイブ
レータであるから、この本発明の単安定マルチバ
イブレータでは時定数回路からの出力電圧Vcが、
基準電圧V1/V2の間の電圧値のものとして得
られ、したがつて、トランジスタQ1が飽和する
ことがなく、出力信号のパルス巾を決定する基準
電圧間に温度特性を持たず、また、回路素子の遅
延に影響されることがないから、温度の変化によ
つても出力信号のパルス巾が変化しない極めて安
定な単安定マルチバイブレータを提供できる。
に、本発明の単安定マルチバイブレータ回路は時
定数回路と、反転入力端子に対して前記した時定
数回路の出力電圧が与えられるとともに非反転入
力端子には基準電圧V1が与えられるようになさ
れている第1の比較器と、非反転入力端子に対し
て前記した時定数回路の出力電圧が与れられると
ともに反転入力端子にはV2<V1の関係にある
基準電圧V2が与えられるようになされている第
2の比較器と、入力トリガパルスによつてセツト
されるとともに前記した第1の比較器の出力によ
つてリセツトされる第1のセツトリセツトフリツ
プフロツプと、前記した第1のセツトリセツトフ
リツプフロツプの出力信号に基づいて時定数回路
をリセツトする手段と、入力トリガパルスによつ
てセツトされるとともに少なくとも前記した第2
の比較器の出力が与えられる論理回路の出力によ
つてリセツトされる第2のセツトリセツトフリツ
プフロツプと、前記した第2のセツトリセツトフ
リツプフロツプの出力端子から出力信号を得るよ
うにする手段とを備えてなる単安定マルチバイブ
レータであるから、この本発明の単安定マルチバ
イブレータでは時定数回路からの出力電圧Vcが、
基準電圧V1/V2の間の電圧値のものとして得
られ、したがつて、トランジスタQ1が飽和する
ことがなく、出力信号のパルス巾を決定する基準
電圧間に温度特性を持たず、また、回路素子の遅
延に影響されることがないから、温度の変化によ
つても出力信号のパルス巾が変化しない極めて安
定な単安定マルチバイブレータを提供できる。
第1図は本発明の単安定マルチバイブレータの
実施例のブロツク回路図、第2図は第1図示の単
安定マルチバイブレータの動作説明用の波形図、
第3図は第1図示の単安定マルチバイブレータの
一部の構成例の回路図、第4図は従来の単安定マ
ルチバイブレータの構成例のブロツク回路図、第
5図は第4図示の単安定マルチバイブレータの動
作説明用の波形図である。 1…入力トリガパルスが供給される信号入力端
子、2…単安定マルチバイブレータの出力信号の
出力端子、3…第1のセツトリセツトフリツプフ
ロツプ、4…第2のセツトリセツトフリツプフロ
ツプ、抵抗R1とコンデンサC1とによつて構成
されている時定数回路、5…第1の比較器、6…
第2の比較器、7…抵抗R1とコンデンサC1と
によつて構成されている時定数回路、9…インバ
ータ、Q1…時定数回路7におけるコンデンサC
1の蓄積電荷を放電するトランジスタ、V1,V
2…基準電圧源、G1…ノアゲート、G2…アン
ドゲート。
実施例のブロツク回路図、第2図は第1図示の単
安定マルチバイブレータの動作説明用の波形図、
第3図は第1図示の単安定マルチバイブレータの
一部の構成例の回路図、第4図は従来の単安定マ
ルチバイブレータの構成例のブロツク回路図、第
5図は第4図示の単安定マルチバイブレータの動
作説明用の波形図である。 1…入力トリガパルスが供給される信号入力端
子、2…単安定マルチバイブレータの出力信号の
出力端子、3…第1のセツトリセツトフリツプフ
ロツプ、4…第2のセツトリセツトフリツプフロ
ツプ、抵抗R1とコンデンサC1とによつて構成
されている時定数回路、5…第1の比較器、6…
第2の比較器、7…抵抗R1とコンデンサC1と
によつて構成されている時定数回路、9…インバ
ータ、Q1…時定数回路7におけるコンデンサC
1の蓄積電荷を放電するトランジスタ、V1,V
2…基準電圧源、G1…ノアゲート、G2…アン
ドゲート。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 時定数回路と、反転入力端子に対して前記し
た時定数回路の出力電圧が与えられるとともに非
反転入力端子には基準電圧V1が与えられるよう
になされている第1の比較器と、非反転入力端子
に対して前記した時定数回路の出力電圧が与えら
れるとともに反転入力端子にはV2<V1の関係
にある基準電圧V2が与えられるようになされて
いる第2の比較器と、入力トリガパルスによつて
セツトされるとともに前記した第1の比較器の出
力によつてリセツトされる第1のセツトリセツト
フリツプフロツプと、前記した第1のセツトリセ
ツトフリツプフロツプの出力信号に基づいて時定
数回路をリセツトする手段と、入力トリガパルス
によつてセツトされるとともに少なくとも前記し
た第2の比較器の出力が与えられる論理回路の出
力によつてリセツトされる第2のセツトリセツト
フリツプフロツプと、前記した第2のセツトリセ
ツトフリツプフロツプの出力端子から出力信号を
得るようにする手段とを備えてなる単安定マルチ
バイブレータ。 2 第1のセツトリセツトフリツプフロツプとし
て、互いのベースとコレクタとが抵抗を介して交
叉接続されるとともに、エミツタが接地されてい
る第1,第2のトランジスタと、前記した第1の
トランジスタのコレクタにコレクタが接続されて
いるとともにエミツタが接地されており、かつ、
ベースがセツト入力端子となされている第3のト
ランジスタと、前記した第2のトランジスタのコ
レクタにコレクタが接続されているとともにエミ
ツタが接地されており、かつ、ベースがリセツト
入力端子となされている第4のトランジスタと、
前記した第1,第3のトランジスタの共通接続さ
れたコレクタと電源との間に接続されたコレクタ
負荷とを備え、前記した第2,第4のトランジス
タの共通接続されたコレクタ側を出力端子とする
如き構成のものを用いた特許請求の範囲第1項に
記載の単安定マルチバイブレータ。 3 第1の比較器として、2個のトランジスタの
共通接続されたエミツタと電源との間に電流源を
接続した差動増幅器における前記した2個のトラ
ンジスタにおける一方のトランジスタのベースを
非反転入力端子としてそれに基準電圧V1が供給
されるようにし、また、前記した2個のトランジ
スタにおける他方のトランジスタのベースを反転
入力端子として、それに時定数回路の出力信号が
供給されるようにするとともに、反転入力端子の
電圧が基準電圧V1以下に低下することがないよ
うにするためのクランプ回路を接続し、また、、
前記した他方のトランジスタのコレクタと接地と
の間に負荷となるダイオードを接続するととも
に、コレクタから出力信号が得られるようにし、
さらに、前記した一方のトランジスタのコレクタ
が第1のセツトリセツトフリツプフロツプの出力
側に接続されるようにしたものを用いた特許請求
の範囲第1項に記載の単安定マルチバイブレー
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61060389A JPS62216522A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 単安定マルチバイブレ−タ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61060389A JPS62216522A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 単安定マルチバイブレ−タ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62216522A JPS62216522A (ja) | 1987-09-24 |
| JPH0335854B2 true JPH0335854B2 (ja) | 1991-05-29 |
Family
ID=13140741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61060389A Granted JPS62216522A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 単安定マルチバイブレ−タ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62216522A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020067726A1 (ko) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 주식회사 벤디슨 | 친환경 저주파 자극기 |
-
1986
- 1986-03-18 JP JP61060389A patent/JPS62216522A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020067726A1 (ko) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 주식회사 벤디슨 | 친환경 저주파 자극기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62216522A (ja) | 1987-09-24 |
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