JPH0336508A - 波長多重光送受信モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 目次 概　　　要 産業上の利用分野 従来の技術（第１６図〜第１８図） 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段及び作用 （第１図〜第７図） 実　施　例（第８図〜第１５図〉 発明の効果 概要 加入者系において波長多重光通信を行うために使用する
波長多重光送受信モジュールに関し、小型化に適し、且
つ、製造作業性が良好な波長多重光送受信モジュールの
提供を目的とし、単一又は複数の送信用の発光素子と単
一又は複数の受信用の受光素子とを単一の導波路基板上
に設け、該導波路基板上に形成された主導波路の一端に
光伝送路側の光ファイバを光結合し、上記主導波路の他
端に上記発光素子及び受光素子のうちのいずれか一つの
素子を光結合し、その所定長さ部分が上記主導波路に近
接するように上記導波路基板上に形成された単一又は複
数の副導波路の一端に、上記主導波路に光結合した素子
以外の素子を光結合して構成する。

産業上の利用分野 本発明は加入者系において波長多重光通信を行うために
使用する波長多重光送受信モジュールに関する。

近年、光フアイバ通信は普及期を迎え、幹線系のみなら
ず加入者系にも浸透しつつある。これは加入者系におい
て通常の電話サービスの他、データサービス、映像情報
のサービス（例えばＣＡＴＶ）等、多岐にわたるサービ
スの提供が要求されているのに対して、光フアイバ通信
の特長が広帯域化にあり、特に波長多重方式とした場合
に、−本の光ファイバにより複数の情報を双方向に伝送
することができ、上記要求にマツチするからである。波
長多重光送受信モジュールは、加入者系において波長多
重光通信を行う上でのキーデバイスであり、その実用化
に向けて小型化及び製造作業性の向上環が要望されてい
る。

従来の技術 第１６図に電話及びデータサービスの提供例を示す。セ
ントチルオフィス１０１から中央ターミナル１０２に送
られた光信号は、リモートターミナル１０３に分岐され
、リモートターミナル１０３から各家１１ａ１０４に双
方向伝°送される。リモートターミナル１０３と各家庭
１０４との間が加入者系に相当しており、この部分の光
フアイバ伝送化が今後急速に進むと予想されている。

第１７図は加入者系における波長多重光通信の一例を示
す図である。加入者系においては、今後電話サービスだ
けでなくＣＡＴＶ等のサービスが付加できることが望ま
れている。このような要求に対して、同図に示す三液多
重方式は最も有力な方式である。同図において、１１１
はリモートターミナルの波長多重光送受信モジュール、
１１２は各家庭の波長多重光送受信モジュールであり、
これらのモジュールは、−本の光ファイバ１１３により
相互接続されている。リモートターミナルの波長多重光
送受信モジュール１１１において、１１４は電話送信用
の０．７８μｍＬＤ　（半導体レーザ）、１１５は電話
受信用の１．５５μｍＰＤ（フォトダイオード）、１１
６はＣＡＴＶ送信用の１．３１μｍピグテイル、１１７
は光合波器である。一方、各家庭の波長多重光送受信モ
ジュール１１２において、１１８は電話受信用の０．７
８　μｍＰＤ、　１１９は電話送信用の１．５５μｍＬ
Ｄ、１２０はＣＡＴＶ受信用の１．３１μｍピグテイル
、１２１は光合波器である。電話送受信用のＬＤ及びＦ
Ｄはモジュール内に組み込まれてパンケージ化されてお
り、他方、ＣＡＴＶサービスについては、他の装置に接
続可能な光ファイバのピグテイル状にされており、必要
に応じて外部からＣＡＴＶサービスを付加することが可
能な構造にしである。この構成によれば、−本の光ファ
イバにより電話、データサービスとＣＡＴＶサービスを
同時に提供することができ、加入者系の付加価値が高ま
る。

第１８図に波長多重光送受信モジュールの従来例を示す
。このモジュールは機能的には第１７図に示すリモート
ターミナルの波長多重光送受信モジュール１１１に対応
している。第１８図において、１２２は光伝送路側の光
フアイバ１１３のファイバコリメータ、１２３はＣＡＴ
Ｖ送信用送信用１好１ １２４は電話送信用０．７８μｍＬＤを内蔵するＬＤコ
リメータ、１２５は電話受信用１，５５μｍＦＤを内蔵
するＰＤコリメータ、１２６は光合波用の各種フィルタ
膜が形成されたガラスブロック、１２７は各コリメータ
及びガラスブロックが例えば半田付は固定される金属製
の基板、１２８はプリアンプ等の各種電子回路部品が搭
載される絶縁性基板、１２９は光学部品側の基板１２７
及び電子部品側の基板１２８が収容されるパッケージ、
１３０は外部回路との接続リードである。ビグディル１
１６からの光はガラスブロック１２６を介してファイバ
コリメータ１２２に入射され、ＬＤコリメータ１２４か
らの光はガラスブロック１２６を介してファイバコリメ
ータ１２２に入射され、一方、光伝送路側の光フアイバ
１１３からの光はガラスブロック１２６を介してＦＤコ
リメータ１２５に入射される。なお、上述したリモート
ターミナル側のモジュールにおいては、実際上合波のみ
の機能がなされるが、各家庭のモジュールにおいては、
要求される機能に応じてコリメータ配置を設定すること
により、合波及び分波の機能がなされる。

発明が解決しようとする課題 従来のモジュール構造であると、光ビーム変換のための
光学系が必要なため、小型化に限界があるとともに、製
造作業性が良くないという問題があった。すなわち、光
合波機能を達成するために、ＬＤ等の発光素子若しくは
光ファイバの出射光を平行光ビームとしまたは平行光ビ
ームをＰＤ等の受光素子に集光するためのコリメータ構
造が必要であり、しかも、フィルタをバルク型光部品と
して構成する必要があるので、小型化等が困難であった
。

本発明はこのような技術的課題に鑑みて創作されたもの
で、小型化に適し、且つ、製造作業性が良好な波長多重
光送受信モジュールの提供を目的としている。

課題を解決するための手段及び作用 第１図は本発明の基本構成を示す図、第２図は本発明の
基本構成の作用を説明するための比較図である。

本発明の基本構成における波長多重光送受信モジュール
は、単一又は複数の送信用の発光素子ｌと単一又は複数
の受信用の受光素子２とを単一の導波路基板３上に設け
、該導波路基板３上に形成された主導波路４の一端に光
伝送路側の光フアイバ５を光結合し、上記主導波路４の
他端に上記発光素子１及び受光素子２のうちのいずれか
一つの素子を光結合し、その所定長さ部分が上記主導波
路４に近接するように上記導波路基板３上に形成された
単一又は複数の副導波路６の一端に、上記主導波路４に
光結合した素子以外の素子を光結合して構成されている
。

この構成によれば、副導波路６の所定長さ部分を主導波
路４に近接させることによって、波長多重光の合波又は
分波を行うようにしているので、従来構成のように光ビ
ーム変換を行うためのバルク型光部品が不要となり、モ
ジュールの小型化が可能になるとともに製造作業性が良
好になる。

単に導波路構造を用いて合波等の機能を達成しようとす
る場合、第２図に示すような構成が提案され得る。すな
わち、本発明の基本構成のように全ての副導波路６の所
定長さ部分を主導波路４と近接させるのではなく、副導
波路６′の所定長さ部分を主導波路４から順次主導波路
４又は副導波路６′と近接させたものである。この構成
と比較すると、本発明の構成は、モジュールの幅を狭く
する上で有効であり、この効果は波長多重数が増えれば
増えるほど著しくなる。このように、本発明によれば、
単に導波路構造を採用した場合よりもさらにモジュール
を小型化することができる。

第３図は導波路パラメータの設定を説明するための図、
第４図は主導波路と副導波路の近接部における結合損失
と波長の関係の一例を示す図であり、これらの図に基づ
いて導波路パラメータの設定を説明する。

第３図（ａ）は主導波路４と副導波路６の近接部分を模
式的に示した図であり、同図（ｂ）は（ｂ）　−（ｂ）
線に沿った断面を模式的に示した図である。いま、主導
波路４及び副導波路６の幅をａ１高さをｂ、導波路間距
離をＣ１結合長をＬ１主導波路４及び副導波路６の屈折
率をｎｌ、クラッドに相当する周囲の媒質の屈折率をｎ
Ｓ、伝搬光の波長をλとすると、主導波路４及び副導波
路６のうちの一方から他方に最低損失で光結合がなされ
る完全結合長りは、Ｅ、モードに対して、 π　ａ　　　　　　　　１　　　　　　　　ｋ冨π π 〕 を満たす解として与えられる。

ここで、 ８ （ｋ。

−に１ ｋｙ２ ） である。

また、 ｋ。

ｋ。

は、 ８ ａ＝ｐπ−２ｊａｎ−’ｋ。

ξ。

・・・■ ξ５ ・・・■ ηＳ ・・・■ を満たす解である。

基本モードのみを考える場合は、 ｐ＝　１゜ ｑ　＝ １で良い。

Ｅつモードに対しても■、■式が下式に変更になるのみ
で完全結合長りが決定される。

ｋ、　　ｂ＝ｑπ−２ｔａｎ−’に、　　７７ｓ　　＋
＋＋■このように、各パラメータａ＊　　ｂ＊　　ｃｒ
　　ｎ、＋ｎ、を適当に設定することによって所定波長
の光に対する完全結合長を求めることができる。

第４図は、−例として波長１．３１μｍの光が主導波路
４と副導波路６との間で結合しているときの、結合損失
と波長との関係を示すグラフである。実線はＴＥ偏光（
電場ベクトルの振動面が導波路基板と平行な偏光〉、破
線はＴＭ偏光（電場ベクトルの振動面が導波路基板に対
して垂直な偏光〉に対応している。このような特性の導
波路近接部は、最大波長が１．３１μｍとなるように波
長多重された波長多重光から波長１．３１μｍの光を分
波する用途には適しているが、最大波長が１゜３１μｍ
となるようにされていない波長多重光から波長１．３１
μｍの光を分波する用途には適していない。何故ならば
、グラフから明らかなように、波長が１．３１μｍを超
える領域において、結合損失が０となる波長が無数に存
在し、例えば、波長１．３１μｍの光と波長１．５５μ
ｍの光とが波長多重されている場合に、波長が１゜３１
μｍの光のみを分離することが必ずしもできないからで
ある。また、このような波長多重光から波長が１．３１
μｍの光のみを分波するのではなく、波長が１．３１μ
ｍの光及び波長が１．　５５μｍの光を分波しようとす
る場合には、波長ｌ。

３１μｍの光については偏波依存性がほとんどないが、
波長１．５５μｍの光については偏波依存性が比較的顕
著であるから、偏波状態によって導波路近接部の結合状
態が変化することになる。

このような点に鑑みると、分波すべき光の波長をそれぞ
れλ１．λ２．・・・、λ。〈λ。く・・・〈λ。

くλ、〉とするときに、光伝送路側の光フアイバ５の側
から波長が順に小さくなるようにしておくことによって
、良好な分波機能が遠戚される。

従って、第１図に基本構成を示す波長多重光送受信モジ
ュールにおいて、副導波路６に光結合した素子が送信又
は受信する所定波長の光が主導波路４と副導波路６の近
接部分にて完全結合するように導波路パラメータを設定
し、且つ、上記近接部分にて完全結合する光の波長が主
導波路４における光伝送路側の光フアイバ５の側から順
に小さくなるようにすることによって、波長多重光のう
ち所望波長の光を容易に分波することができ、且つ、そ
のときの偏波依存性も小さくなる。

なお、最大波長が１．３１μｍではない波長多重光から
波長１．３１μｍの光だけを分波するように導波路パラ
メータを設定することもできるが、こうした場合には、
第５図に示した構成による場合と比較して、高精度にコ
ントロールされた導波路パラメータで導波路を実現する
必要があり、この点からも第５図の構成の有用性が明ら
かである。

ところで、加入者系において使用される波長多重光送受
信モジュールにあっては、ＣＡＴＶ等の信号を直接受信
するのではなく、当該信号光を分離して他のモジュール
に送り出す必要が生じる場合がある。このような場合に
有用なモジュール構成として、第６図に示す波長多重光
送受信モジュールが提供される。このモジュールは、第
１図に基本構成が示されるモジュールにおいて、その所
定長さ部分が主導波路４に近接するようにオプション導
波路７を導波路基板３上に形成し、オプション導波路７
の一端に、別の光送信又は受信モジュールに接続すべき
光フアイバ８を光結合したものである。なお、第６図に
おいては、オプション導波路７に分波される光の波長が
λ。（λ、くλ０〉であるとし、主導波路４とオプショ
ン導波路７の近接部分が最も光伝送路側にあるとして図
示されている。この構成によれば、第１８図に示した従
来例のように、光ファイバからの光を平行ビーム化して
さらに光ファイバに集光するような構成が不要になるか
ら、小型化が可能になり、且つ、製造作業性が向上する
。

一方、波長多重されたある波長（単一波長〉の光を用い
て方向多重を行う必要が生じる場合がある。このような
場合に有用なものとして、第７図に示すモジュールが提
供される。このモジュールは、第１図に基本構成が示さ
れるモジュールにおいて、主導波路４又は副導波路６の
光伝送路側の光フアイバ５と反対の側にＹ分岐部９を形
成し、各分岐端に発光素子１及び受光素子２を光結合し
たものである。図ではＹ分岐部９が副導波路６に形成さ
れているとして図示されている。

この構成によれば、Ｙ分岐部９が形成された副導波路６
と主導波路４との近接部分において合波がなされるから
、各分岐端に光結合された発光素子ｉ及び受光素子２を
用いて方向多重伝送を行うことができる。

実　　施　　例 以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第８図は本発明の実施例における波長多重光送受信モジ
ュールの構成図である。ｌは例えば波長０．７８μｍ用
のＬＤ等の発光素子、２は例えば波長１．５５μｍ用の
ＰＤ等の受光素子であり、それぞれ例えばＳｉからなる
導波路基板３上に後述する絶縁層としてのＳｉ０１層を
介して実装されている。４は導波路基板３上に形成され
た主導波路であり、その一端には発光素子１が、他端に
は光伝送路側の光フアイバ５がそれぞれ光結合されてい
る。６はその所定長さ部分が主導波路４に近接するよう
に導波路基板３上に形成された副導波路であり、その一
端は受光素子２と光結合されている。７はその所定長さ
部分が主導波路４に近接するように導波路基板３上に形
成されたオプション導波路であり、その一端は例えばＣ
ＡＴＶ用のピグテイルとしての光フアイバ８に光結合さ
れている。１０は発光素子１の駆動回路チップ、１１は
受光素子２の増幅回路チップであり、それぞれ発光素子
１及び受光素子２と同様導波路基板３上に実装されてい
る。１３は導波路基板３が収容されるケース、１４は外
部回路との接続リードである。なお、発光素子１と駆動
回路チップ１０との接続、受光素子２と増幅回路チップ
１１との接続並びに駆動回路チップ１０及び増幅回路チ
ップ１１と接続リード１４との接続は、例えば導波路基
板３上に形成された導体パターン１２によりなされてい
る。このように発光素子１の駆動回路部と受光素子２の
増輻回路部とを導波路基板３上に実装しているので、例
えばボンディングワイヤ接続長を著しく短くすることが
でき、ノイズ等の影響を最小限に抑えることができる。

第９図は本発明の実施例における導波路パラメータ及び
導波路近接部の機能を説明するための図である。また、
第１０図は本発明の実施例における導波路近接部の結合
損失と波長との関係を示すグラフである。

この実施例では、主導波路４と副導波路６が近接する部
分の長さＬｌ　をＬ＋　　＝１０．２３２＋ｎ＋ｎ。

この近接部における導波路間隔Ｃ１をＣ＋＝１０μｍ１
主導波路４とオプション導波路７の近接部の長さＬ２　
をＬａ　＝０．　６７４ｍｍ、この近接部における導波
路間隔ｃ２を０２＝４μｍ、各導波路の幅ａ及び高さｂ
をａ＝ｂ＝２．３μｍ１各導波路の屈折率ｎ、をｎ、＝
１．５、各導波路の周囲の媒質の屈折率ｎ、をｎ５＝１
．４８５に設定している。

第１Ｏ図は上述したようにパラメータを設定したときの
導波路近接部の結合損失と波長との関係を示すグラフで
ある。Ａは主導波路４と副導波路６との間で一方から他
方へ光結合するときの結合損失の波長依存性、Ｂは主導
波路４とオプション導波路７との間で一方から他方へ光
結合するときの結合損失の波長依存性を示している。実
線はＴＥ偏光に対応しており、破線はＴＭ偏先に対応し
ている。主導波路４と副導波路６との近接部分では波長
１．５５μｍの光を合波又は分波することができ、主導
波路４とオプション導波路７との近接部分では波長１．
３１μｍの光を合波又は分波することができる。

したがって、例えば、主導波路４に光伝送路側から波長
０．７８．ｕｍ、１．３１ｔｔｍ、１．５５μｍの波長
多重信号光を導波させたとき、波長１□５５μｍの光の
みを副導波路６から取り出すことができ、波長１．３１
μｍの光のみをオプション導波路７から取り出すことが
でき、波長０．７８μｍの光のみを主導波路４の他端側
から取り出すことができる。この実施例では、波長１．
５５μｍの光についての結合長が約１０　ｍと比較的長
いが、パラメータａ、ｂ、ｎｓ等を変えることによって
、上記結合長を短くすることができる。

上記機能は単一方向の分波器としての機能であるが、実
際にこのモジュールを使用する場合には、波長１．５５
μｍの光のみが第９図中太から右方向に伝搬し、波長・
０．７８μｍの光及び波長１゜３１μｍの光は同図中容
から左方向に伝搬する。

第１１図は本発明の実施例における導波路の製造工程を
示す図である。先ず、同図（ａ）に示すように、Ｓｉか
らなる導波路基板３を表面酸化させて５ｉｎｓ層３ａを
形成する。次に、同図（ロ）に示すように、５ｉｎ２層
３ａ上に導波路層３ｂとしてＴｉｅ、をドープした５ｉ
Ｏａ層をＣＶＤ法、スパッタリング法等により形成する
。そして、同図（Ｃ）に示すように、導波路層３ｂの不
要部分をエツチングにより除去して例えば主導波路４及
び副導波路６を形成する。最後に、同図（中に示すよう
に、主導波路４及び副導波路６の周囲にクラッド層２１
としてＣＶＤ法、スパッタリング法等により３１０２層
を形成する。尚、この実施例では、Ｔｉｅ２をドープじ
たＳｉ０２層（導波路層３ｂ）の屈折率は１．４８５、
Ｔｉｅ、をトープしていないＳｉ０２層の屈折率は１．
５０である。この製造方法によれば、導波路基板の最上
層を絶縁物である５ｉ０２層とすることが出来るので、
前述したように導体パターンを用いて電子回路部を一体
に形成するのが容易である。電子回路部はクラッド層２
１上に形成してもよいし、電子回路部を形威すべき部分
にマスキング等を施しておくことによって、表面酸化に
よる５ｉ０２層３ａを表出させてこの面上に形成しても
よい。

第１２図は本発明の実施例における導波路と受光素子の
光結合部の一例を示す図である。この実施例では、副導
波路６の光結合部における端面が導波路伝搬光軸に対し
て斜めになるように、導波路基板上方から例えばグイシ
ングソーを用いて傾斜角４５°となるように斜めに溝２
２を形威し、溝２２の壁面で全反射を生じさせ、その全
反射光をクラッド層２１上に設けられた受光素子２によ
り受光するようにしている。この構成によれば、受光素
子２を取り付ける部分を別途設ける必要がないので、モ
ジュールを小型化することが出来る。

また、この斜め端面の形成方法によれば、駆動中のグイ
シングソーの刃を平行移動させるだけで溝２２を形成す
ることができるので、研磨等による場合と比較して、製
造作業性が良好である。

第１３図は本発明の実施例における導波路と発光素子の
光結合部の一例を示す図である。この例では、第１２図
に示すのと同様に斜めに溝２３を形成し、クラッド層２
１上に取り付けられた発光素子ｌから鉛直方向に出射し
た光が、溝２３の壁面つまり主導波路４の端面にて全反
射して主導波路４に導入されるようにしている。２４は
発光素子１に接触しているヒートシンクである。クラッ
ド１！２１の厚みを十分薄くしておくことにより、発光
素子１の出射光ビームは大きくは拡がらないから、高い
光結合効率で光結合をなすことが出来る。

第１２図又は第１３図の構成によれば、受光素子２又は
発光素子ｌをクラッド層２１上で容易に位置調整するこ
とが出来るので、最大光結合効率を与える位置への受光
素子２又は発光素子１の位置の確定が容易である。

第１４図は本発明の実施例における導波路と発光素子の
光結′合部の低損失化の一例を示す図である。主導波路
４の入射端面に対向させてＬＤ２６を配置するに際して
、ＬＤ２６の発光部が主導波路４の端面のほぼ中央部に
対向するように、ＬＤ２６の形状及びＬＤ２６における
発光部の位置に応じた厚みのスペーサ２５をＬＤ２６と
導波路基板３間に介在させて、高さ調整部としたもので
ある。この構成によれば、ＬＤ２６の形状等のばらつき
によらず常に高い一定の光結合効率を得ることが出来る
。スペーサ２５にヒートシンクとしての役割をも持たせ
るために、その材質として３　ｔｌＣｕ等を用いること
が出来る。

第１５図は本発明の実施例における導波路と発光素子の
光結合部の低損失化の他の例を示す図である。この例で
は、ＬＤ２６を所定高さの位置に配置するために、ＬＤ
２６の取り付けに先立って、高さ調整部としてのＳｉｎ
、層３ａを所定量エツチングするようにしている。Ｓｉ
ｎ、層３ａの厚みの減少量Δｈはエツチング時間により
調整することが出来る。この方法によっても、ＬＤ２６
と主導波路４との間の光結合効率をＬＤ２６の形状等に
よらず常に最大に設定することが出来る。

第１４図及び第１５図に示した実施例は、発光素子とし
て固定位置に高い位置精度が要求されるＬＤ（半導体レ
ーザ〉を用いているときに特に有効である。

発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、小型化に適し、且
つ、製造作業性が良好な波長多重光送受信モジュールを
提供することが出来るようになるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の波長多重光送受信モジュールの基本構
成を示す図、 第２図は本発明の詳細な説明するための比較図、第３図
は導波路パラメータの設定を説明するための図、 第４図は導波路近接部における結合損失と波長との関係
の一例を示す図、 第５図は導波路近接部にて完全結合する光の波長の望ま
しい配列例を示す図、 第６図はオプション導波路の説明図、 第７図はＹ分岐部の説明図、 第８図は本発明の実施例における波長多重光送受信モジ
ュールの構成図、 第９図は本発明の実施例における導波路近接部の機能等
を説明するための図、 第１０図は本発明の実施例における導波路近接部の結合
損失と波長との関係を示すグラフ、第１１図は本発明の
実施例における導波路の製造工程を示す図、 第１２図は本発明の実施例における導波路と受光素子の
光結合部の一例を示す図、 第１３図は本発明の実施例における導波路と発光素子の
光結合部の一例を示す図、 第１４図は本発明の実施例における導波路と発光素子の
光結合部の低損失化の一例を示す図、第１５図は本発明
の実施例における導波路と発光素子の光結合部の低損失
化の他の例を示す図、第１６図は電話及びデータサービ
スの提供例を示す図、 第１７図は加入者系における波長多重光通信の一例を示
す図、 第１８図は波長多重光送受信モジュールの従来例を示す
図である。 ｌ・・・発光素子、 ２・・・受光素子、 ３・・・導波路基板、 ４・・・主導波路、 ５．８・・・光ファイバ、 ６・・・副導波路、 ７・・・オプション導波路、 ９・・・Ｙ分岐部。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）単一又は複数の送信用の発光素子（１）と単一又
   は複数の受信用の受光素子（２）とを単一の導波路基板
   （３）上に設け、 該導波路基板（３）上に形成された主導波路（４）の一
   端に光伝送路側の光ファイバ（５）を光結合し、上記主
   導波路（４）の他端に上記発光素子（１）及び受光素子
   （２）のうちのいずれか一つの素子を光結合し、 その所定長さ部分が上記主導波路（４）に近接するよう
   に上記導波路基板（３）上に形成された単一又は複数の
   副導波路（６）の一端に、上記主導波路（４）に光結合
   した素子以外の素子を光結合したことを特徴とする波長
   多重光送受信モジュール。
2. （２）副導波路（６）に光結合した素子が送信又は受信
   する所定波長の光が主導波路（４）と副導波路（６）の
   近接部分にて完全結合するように導波路パラメータを設
   定し、且つ、上記近接部分にて完全結合する光の波長が
   主導波路（４）における光伝送路側の光ファイバ（５）
   の側から順に小さくなるようにしたことを特徴とする請
   求項１記載の波長多重光送受信モジュール。
3. （３）その所定長さ部分が主導波路（４）に近接するよ
   うにオプション導波路（７）を導波路基板（３）上に形
   成し、該オプション導波路（７）の一端に、別の光送信
   又は受信モジュールに接続すべき光ファイバ（８）を光
   結合したことを特徴とする請求項１記載の波長多重光送
   受信モジュール。
4. （４）主導波路（４）又は副導波路（６）の光伝送路側
   の光ファイバ（５）と反対の側にＹ分岐部（９）を形成
   し、各分岐端に発光素子（１）及び受光素子（２）を光
   結合したことを特徴とする請求項１記載の波長多重光送
   受信モジュール。
5. （５）主導波路（４）又は副導波路（６）の端面を伝搬
   光軸に対して斜めに形成して全反射を生じさせ、当該反
   射光軸上に発光素子（１）又は受光素子（２）を配置す
   ることによって、主導波路（４）又は副導波路（６）と
   発光素子（１）又は受光素子（２）とを光結合するよう
   にしたことを特徴とする請求項１記載の波長多重光送受
   信モジュール。
6. （６）主導波路（４）又は副導波路（６）と光結合する
   発光素子を半導体レーザ（２６）とし、導波路基板（３
   ）上の半導体レーザ（２６）を取り付ける部分に高さ調
   整部を設けて、半導体レーザ（２６）と主導波路（４）
   又は副導波路（６）とが低損失で光結合するようにした
   ことを特徴とする請求項１記載の波長多重光送受信装置
   。
7. （７）発光素子（１）の駆動回路部と受光素子（２）の
   増輻回路部とが導波路基板（３）上に実装されているこ
   とを特徴とする請求項１記載の波長多重光送受信装置。