JPH0337189A - 気相成長装置 - Google Patents

気相成長装置

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Publication number
JPH0337189A
JPH0337189A JP1172705A JP17270589A JPH0337189A JP H0337189 A JPH0337189 A JP H0337189A JP 1172705 A JP1172705 A JP 1172705A JP 17270589 A JP17270589 A JP 17270589A JP H0337189 A JPH0337189 A JP H0337189A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
reaction tube
vent pipe
exhaust pipe
cooler
Prior art date
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Pending
Application number
JP1172705A
Other languages
English (en)
Inventor
Iwao Igarashi
巌 五十嵐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0337189A publication Critical patent/JPH0337189A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 排気管に冷却機構を設けた気相成長装置に関し、反応管
の排気を円滑に行って内部のガス濃度や圧力を一定に保
持することを目的とし、反応管の排気口端と当接するフ
ランジを排気管の入口に設け、該フランジのうち、前記
反応管の排気口と当接する一面にパツキンを取付け、他
面に冷却器を設けるとともに、該冷却器と前記排気管内
面との間に低熱伝導部を設けたことを含み構成する。
(産業上の利用分野〕 本発明は、気相成長装置に関し、より詳しくは、排気管
の入口に冷却機構を設けた気相成長装置に関する。
〔従来の技術〕
化学的気相成長装置の反応管は、その内部を減圧するた
めに、排気管を介して排気用ポンプに接続されており、
反応管と排気管とを接続する場合には、第3図に例示す
るように、排気管30の入口端部に設けたフランジ31
に反応管32の排気口33を押圧する構造となっている
が、接続部分の機密状態を保持するため、フランジ31
に樹脂性のパツキン34を装着している。
ところで、気相戒長時には反応管32を加熱してその内
部を約400〜800℃の温度にするので、反応管32
に接するパツキン34がその熱により劣化するといった
不都合がある。
このため、フランジ31の裏側に位置する排気管30の
周囲に冷却器35を設けてパツキン34を冷却し、熱に
よるパツキン34の劣化を抑制するようにしている。
(発明が解決しようとする課題) しかし、このような構造によれば、排気管30の内部も
同時に冷却されることになり、排気管30の入口付近を
通る反応ガスが冷却されて凝縮し、反応生成物aがその
内面に堆積して入口を狭くするために、排気不足が生じ
て反応管32内の圧力及びガス濃度が高くなり、良質の
気相成長膜が形成されなくなるといった問題が発生する
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであっ
て、反応管の排気を円滑に行って内部のガス濃度や圧力
を一定に保持できる気相成長装置を提供することを目的
とする。
〔課題を解決するための手段・] 上記した課題は、第1図において、反応管1の排気口4
端と当接するフランジ6を排気管5の入口に設け、該フ
ランジ6のうち、前記反応管1の排気口4と当接する一
面にパツキン7を取付け、他面に冷却器8を設けるとと
もに、該冷却器8と前記排気管5内面との間に低熱伝導
部9を設けたことを特徴とする気相成長装置により解決
する。
〔作 用〕
本発明によれば、排気管5の入口に形成したフランジ7
に冷却器8を設けるとともに、冷却器8と排気管5内面
との間に空隙等のような低熱伝導部9を設けている。
したがって、排気管5内面は、熱伝導率が低い低熱伝導
部9を介して冷却器8と隔てられることになるために、
冷却器8による排気管5内面からの吸熱量が大幅に低減
し、排気管5を通る反応ガスの凝縮化が低減される。
この結果、排気管1内面における反応生成物の堆積量が
少なくなり、排気管lが塞がれることがなくなる。
しかも、冷却器8による吸熱作用がパツキン7に集中す
るために、パツキン7の冷却効果を高めることができる
〔実施例〕
そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
第1.2図は、本発明の一実施例を示す装置の断面図で
あって、第1図は、第2図に示す気相成長装置のうち破
線に囲まれた排気部分を拡大したものである。
図中符号1は、気相成長装置2を構成する石英製の反応
管で、この反応管lは、ガス供給口3から反応ガスを導
入して、内部に置いた基板Wの表面に化学的気相成長に
よる膜を成長させるとともに、反応に寄与しなかった反
応ガスを排気口4から排出するように構成されている。
5は、反応管lに接続されるステンレスよりなる排気管
で、この排気管5の入口には反応管1の排気口4に当接
するフランジ6が形成され、排気口4端が当接する領域
には、樹脂材よりなる環状のパツキン7が取付けられ、
また、その裏側には冷却水、液体窒素等を流す液体流路
8が排気管5を囲むように形成されていて、フランジ6
を介してパツキン7を冷却するように構成されている。
9は、液体流路8と排気管5内面との間に環状に形成さ
れた空隙で、この空隙9は、排気管5内面の熱が液体流
路日中の流体に伝導するのを妨げて、排気管5内の温度
が流体によって吸収され難くするように構成されている
なお、図中符号10は、反応管lを加熱する加熱器、1
1は、液体流路8に繋がる液体搬送管、12は、反応管
1の基板搬送口13を閉塞する蓋を示している。
次に、上記した実施例の作用について説明する。
上述した実施例において、図示しない排気ポンプにより
排気管5を介して反応管1の内部を1〜2 Torrに
減圧するとともに、加熱器lOによって反応管lを40
0〜800°Cに加熱する。
そして、反応管lのガス供給口3から反応ガスを導入す
る。例えばS神、C1□5iHC1s、5iC1i等の
シラン系のガスにNH3を加えたガスを導入すると、反
応管1内に載置した基板Wの表面には窒化膜が成長する
が、成膜に寄与しなかったガスは排気口4から外部に排
出されることになる。
この場合、反応ガスは、反応管5の排気口4及び排気管
5の入口を通ることになるが、フランジ6のパツキン7
を冷却する液体流路8は、熱電導率が低い空隙9を介し
て排気管5内面と隔てられることになり、液体流路8に
よる排気管5内面からの吸熱効果が大幅に低減するため
、排気管5を通る反応ガスのawi量が少なくなる。
したがって、排気管5内面における反応生成物aの堆積
量が少なくなり、その入口が塞がれるといった事態を回
避することが可能になり、円滑な排気が行われることに
なる。
なお、排気管5に設けた空隙9には、空気、その他のガ
スを封入してもよいし、その内部を減圧状態にすること
もできる。
(発明の効果) 以上述べたように本発明によれば、排気管の入口に形成
したフランジに冷却器を設けるとともに、冷却部と排気
管内面との間に低熱伝導部を設けたので、排気管は熱伝
導率が低い空気等を介して冷tlJI器と隔てられるこ
とになり、冷却器による排気管内面の吸熱量が大幅に低
減するため、排気管を通る反応ガスの凝縮化が低減され
、反応生成物の堆積量が少なくなって排気管の入口が塞
がれることがなくなる。
しかも、冷却器による吸熱作用がパツキンに集中するた
めに、パンキンの冷却効果を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例装置の要部を示す断面図、 第2図は、本発明の一実施例を示す装置の断面図、 第3図は、 である。 (符号の説明) 1・・・反応管、 2・・・気相成長装置、 3・・・ガス供給口、 4・・・排気口、 5・・・排気管、 6・・・フランジ、 7・・・パツキン、 8・・・液体流路(冷却器) 9・・・空隙(低熱伝導部) 10・・・加熱器。 従来装置の一例を示す要部の断面回 出 願 人  富士通株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 反応管の排気口端と当接するフランジを排気管の入口に
    設け、 該フランジのうち、前記反応管の排気口と当接する一面
    にパッキンを取付け、他面に冷却器を設けるとともに、 該冷却器と前記排気管内面との間に低熱伝導部を設けた
    ことを特徴とする気相成長装置。
JP1172705A 1989-07-03 1989-07-03 気相成長装置 Pending JPH0337189A (ja)

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JP1172705A JPH0337189A (ja) 1989-07-03 1989-07-03 気相成長装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP1172705A JPH0337189A (ja) 1989-07-03 1989-07-03 気相成長装置

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JPH0337189A true JPH0337189A (ja) 1991-02-18

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ID=15946816

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JP1172705A Pending JPH0337189A (ja) 1989-07-03 1989-07-03 気相成長装置

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JP (1) JPH0337189A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5753891A (en) * 1994-08-31 1998-05-19 Tokyo Electron Limited Treatment apparatus
JP2006245492A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Gasonics:Kk 基板熱処理装置および基板熱処理製造方法
JP2021184462A (ja) * 2020-05-21 2021-12-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理のためのフランジおよび装置

Cited By (3)

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US5753891A (en) * 1994-08-31 1998-05-19 Tokyo Electron Limited Treatment apparatus
JP2006245492A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Gasonics:Kk 基板熱処理装置および基板熱処理製造方法
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