JPH033760U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH033760U JPH033760U JP6481389U JP6481389U JPH033760U JP H033760 U JPH033760 U JP H033760U JP 6481389 U JP6481389 U JP 6481389U JP 6481389 U JP6481389 U JP 6481389U JP H033760 U JPH033760 U JP H033760U
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- JP
- Japan
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- optical semiconductor
- semiconductor device
- phototransistor
- measuring
- measuring device
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Description
第１図は本考案の実施例に係るフオトカプラの
測定装置を示す回路図、第２図は従来のフオトカ
プラの測定装置を示す回路図である。 １……定電流源、２……ＣＰＵ、３……フオト
カプラ、４……発光ダイオード、５……フオトト
ランジスタ、６……トランジスタ、７……電流検
出器、８……定電圧源、１１……抵抗、１２……
リレースイツチ。
測定装置を示す回路図、第２図は従来のフオトカ
プラの測定装置を示す回路図である。 １……定電流源、２……ＣＰＵ、３……フオト
カプラ、４……発光ダイオード、５……フオトト
ランジスタ、６……トランジスタ、７……電流検
出器、８……定電圧源、１１……抵抗、１２……
リレースイツチ。
Claims (1)
- 発光ダイオードとフオトトランジスタとを光結
合してなる光半導体素子の電流伝達率を測定する
光半導体素子の測定装置において、前記フオトト
ランジスタのベースと接地との間に抵抗とスイツ
チの直列回路を接続したことを特徴とする光半導
体素子の測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6481389U JPH033760U (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6481389U JPH033760U (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH033760U true JPH033760U (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=31596090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6481389U Pending JPH033760U (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH033760U (ja) |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP6481389U patent/JPH033760U/ja active Pending