JPH0337662A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は感光体、特に電子写真感光体に関するものであ
る。
る。
有機光導電性物質(OP C)を使用する感光体は、無
機系光導電性物質に比べて一般に毒性が弱く、かつ可撓
性や軽量性、製膜性、コスト等において有利であること
から、最近注目されてきている。
機系光導電性物質に比べて一般に毒性が弱く、かつ可撓
性や軽量性、製膜性、コスト等において有利であること
から、最近注目されてきている。
こうした電子写真感光体において、電荷の発生と輸送の
両機能が分離した材料を用いる機能分離型感光体は、こ
の各々の機能を独立して設計することが可能で、感光体
設計上、選択の幅が拡がり有利であり、その結果、電子
写真緒特性を向上させることができ、感度、繰返し特性
、機械強度等の点で優れる。
両機能が分離した材料を用いる機能分離型感光体は、こ
の各々の機能を独立して設計することが可能で、感光体
設計上、選択の幅が拡がり有利であり、その結果、電子
写真緒特性を向上させることができ、感度、繰返し特性
、機械強度等の点で優れる。
かかる電子写真感光体は、一般に電子写真複写機、プリ
ンタ等に広く用いられている。例えば複写機では可視光
光源に対して光感度を有する感光体が開発されており、
一方コンピュータの末端に半導体レーザを光源とするプ
リンタが用いられている。プリンタに組込む電子写真感
光体は近赤外領域に高感度をもt;なくてはならない。
ンタ等に広く用いられている。例えば複写機では可視光
光源に対して光感度を有する感光体が開発されており、
一方コンピュータの末端に半導体レーザを光源とするプ
リンタが用いられている。プリンタに組込む電子写真感
光体は近赤外領域に高感度をもt;なくてはならない。
又、半導体レーザ使用のプリンタに、白色光を光源とし
て複写機能をもたせた装置の開発も進められている。
て複写機能をもたせた装置の開発も進められている。
この場合、感光体では、まず、プリンタ機能に適応する
ために近赤外領域に高感度を有し、かつ複写機能に適応
するために可視光領域の光に高感度でなければならない
。即ち、上記の如きプリンタ機能と白色光を光源とした
複写機能との両機能を備えた装置に適用できる複合化電
子写真感光体の開発が要請されている。
ために近赤外領域に高感度を有し、かつ複写機能に適応
するために可視光領域の光に高感度でなければならない
。即ち、上記の如きプリンタ機能と白色光を光源とした
複写機能との両機能を備えた装置に適用できる複合化電
子写真感光体の開発が要請されている。
例えば、特開昭47−37543号、同55−2283
4号、同54−79632号、同56・116040号
等によりすでに知られているビスアゾ化合物を含有する
感光体では、短波長及び中波長域で比較的良好な感度を
示すが、長波長域での感度が低く、半導体光源を用いる
レーザプリンタには用いることができなかった。
4号、同54−79632号、同56・116040号
等によりすでに知られているビスアゾ化合物を含有する
感光体では、短波長及び中波長域で比較的良好な感度を
示すが、長波長域での感度が低く、半導体光源を用いる
レーザプリンタには用いることができなかった。
現在広く使用されているガリウム−アルミニウムー砒素
(Ga−A(2−As)系発光素子は発振波長が750
nm以上であり、このような長波長域に感度を有する有
機系感光体としては、例えば、特公昭49−4338号
、特開昭58−182639号、同60・19151号
に記載されているXl r、r 、・99./型態金属
フタロシアニン化合物が挙げられる。
(Ga−A(2−As)系発光素子は発振波長が750
nm以上であり、このような長波長域に感度を有する有
機系感光体としては、例えば、特公昭49−4338号
、特開昭58−182639号、同60・19151号
に記載されているXl r、r 、・99./型態金属
フタロシアニン化合物が挙げられる。
更に特開昭61−239248号記載のα型チタニルフ
タロシアニン、特開昭62−67094号に記載のβ型
チタニルフタロシアニン及び電子写真学会誌第27巻第
4号(p19〜24)に報告されたm型チタニルフタロ
シアニン等が挙げられる。
タロシアニン、特開昭62−67094号に記載のβ型
チタニルフタロシアニン及び電子写真学会誌第27巻第
4号(p19〜24)に報告されたm型チタニルフタロ
シアニン等が挙げられる。
一方プリンタ機能に適応する感光体の光減衰曲線は、低
照度に対しては鈍感であって、少露光量域では電荷の減
衰が少なく、平にプラトーをなし、ある露光量域から急
峻に断ち下った高γタイプの減衰曲線であることが好ま
しい。
照度に対しては鈍感であって、少露光量域では電荷の減
衰が少なく、平にプラトーをなし、ある露光量域から急
峻に断ち下った高γタイプの減衰曲線であることが好ま
しい。
即ち画像露光面で光の回折等で生ずる画像周縁の低照度
部分、典型的にはドツト露光における画像に差掛る露光
強度の立ち上り域及び画像終端の断ち下り域の裾の光に
よっては電荷を失うことなく、画像の周縁部には鋭い電
荷の立ち上りと断ち下りを生じ、鮮鋭な画像を与えるこ
とが好ましい。
部分、典型的にはドツト露光における画像に差掛る露光
強度の立ち上り域及び画像終端の断ち下り域の裾の光に
よっては電荷を失うことなく、画像の周縁部には鋭い電
荷の立ち上りと断ち下りを生じ、鮮鋭な画像を与えるこ
とが好ましい。
電子写真に適用される感光体には、前記のような高γ型
光減衰特性を示すものと、低照度から鋭敏に光減衰を起
し、光減衰終点に到る間の光減衰が緩慢である所謂低γ
型光減衰特性を示すものとが知られている。
光減衰特性を示すものと、低照度から鋭敏に光減衰を起
し、光減衰終点に到る間の光減衰が緩慢である所謂低γ
型光減衰特性を示すものとが知られている。
前記低γ型光減衰特性を示すものは、階調性及び繰返し
特性に優れていることから、例えば低γ型光減衰特性を
示すセレン系蒸着感光体と同様に反復転写方式の複写機
等に好適に用いられている。
特性に優れていることから、例えば低γ型光減衰特性を
示すセレン系蒸着感光体と同様に反復転写方式の複写機
等に好適に用いられている。
他方、高γ型光減衰特性を示す感光体は光減衰が露光の
後期において急峻で、かつ高7特性を有する等の特長を
有しながら、繰返し使用の過程で光減衰曲線が変化して
劣化する欠点があることから有効に利用されていない。
後期において急峻で、かつ高7特性を有する等の特長を
有しながら、繰返し使用の過程で光減衰曲線が変化して
劣化する欠点があることから有効に利用されていない。
以上のごとき事情に基づいて本発明の目的は、高ガンマ
な光減衰特性を有し、しかも多数回に亘り繰返して使用
するときにも高γ光減衰特性が安定な感光体を提供する
ことにある。
な光減衰特性を有し、しかも多数回に亘り繰返して使用
するときにも高γ光減衰特性が安定な感光体を提供する
ことにある。
前記した本発明の目的は、基体上にキャリア発生物質、
キャリア輸送物質及びバインダ樹脂を含む感光層を設け
た電子写真感光体において、前記キャリア発生物質が、
Cu−Ka線(波長1.541A )に対するX線回折
スペクトルのブラッグ角2θの9.6°及び27 、2
”に強いピークを有するチタニルフタロシアニンであり
、又、前記キャリア輸送物の含有量がバインダ樹脂10
0に対しO〜30vt/itであり、かつ酸化防止剤を
含有することを特徴とする電子写真感光体によって遠戚
される。
キャリア輸送物質及びバインダ樹脂を含む感光層を設け
た電子写真感光体において、前記キャリア発生物質が、
Cu−Ka線(波長1.541A )に対するX線回折
スペクトルのブラッグ角2θの9.6°及び27 、2
”に強いピークを有するチタニルフタロシアニンであり
、又、前記キャリア輸送物の含有量がバインダ樹脂10
0に対しO〜30vt/itであり、かつ酸化防止剤を
含有することを特徴とする電子写真感光体によって遠戚
される。
尚本発明の態様においては、前記チタニルフタロシアニ
ンのブラッグ角2θの9,6°におけるピーク強度が2
7.2°におけるピーク強度の40%以上である結晶状
態のチタニルフタロシアニンが好ま′しく、更に使用さ
れる酸化防止剤としては分子構造中にヒンダードフェノ
ール構造単位を有するものが好ましい。
ンのブラッグ角2θの9,6°におけるピーク強度が2
7.2°におけるピーク強度の40%以上である結晶状
態のチタニルフタロシアニンが好ま′しく、更に使用さ
れる酸化防止剤としては分子構造中にヒンダードフェノ
ール構造単位を有するものが好ましい。
本発明の構成においては、チタニルフタロシアニンが高
γ型光減衰曲線を与える特性を有することと、キャリア
輸送物質の含有量を制約することによって、発生したキ
ャリアが暫時トラップされて光減衰が抑えられ、キャリ
アの飽和と共に一挙に雪崩れ現象(アバランシェ)を起
し、光減衰曲線の鋭い断下りを生ずると推定される。か
つ酸化防止剤の効用によって感光体上において多数回に
わたり繰返してドツト状の画像を形成する場合にも、超
高ガンマ特性を示す優れた光減衰特性が安定に発揮され
る。特に、分子構造中にヒンダードフェノール構造単位
を有する酸化防止剤を用いt;場合良好な結果が得られ
る。
γ型光減衰曲線を与える特性を有することと、キャリア
輸送物質の含有量を制約することによって、発生したキ
ャリアが暫時トラップされて光減衰が抑えられ、キャリ
アの飽和と共に一挙に雪崩れ現象(アバランシェ)を起
し、光減衰曲線の鋭い断下りを生ずると推定される。か
つ酸化防止剤の効用によって感光体上において多数回に
わたり繰返してドツト状の画像を形成する場合にも、超
高ガンマ特性を示す優れた光減衰特性が安定に発揮され
る。特に、分子構造中にヒンダードフェノール構造単位
を有する酸化防止剤を用いt;場合良好な結果が得られ
る。
第1図は、本発明の感光体によって得られる好ましい光
減衰特性を概略的に示し、voは帯電電位(V)、V、
は露光前の初期電位(V)、E、。は未露光部の初期電
位■□が90%に減衰するのに要するレーザビームの照
射光量(μJ / c+a”) 、E s。
減衰特性を概略的に示し、voは帯電電位(V)、V、
は露光前の初期電位(V)、E、。は未露光部の初期電
位■□が90%に減衰するのに要するレーザビームの照
射光量(μJ / c+a”) 、E s。
は初期電位V)lが50%に減衰するのに要するレーザ
ビームの照射光量(μJ/am”)を表す。
ビームの照射光量(μJ/am”)を表す。
特に、E、。とE、。が、下記式を満足することが好ま
しい。
しい。
R−E*。/(E、。−E、。)≧1.5又、初期電位
1v□1は600〜2000Vの範囲とするのが好まし
い。
1v□1は600〜2000Vの範囲とするのが好まし
い。
以下、本発明を具体的に説明する。
本発明のチタニルフタロシアニンの基本構造は次の一般
式(P c)で表される。
式(P c)で表される。
−形威(Pc)
但し、X 1. X !、 X 3. X 4は水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、或いはアルコキシ基を
表し、n、m、12.にはO〜4の整数を表す。
子、ハロゲン原子、アルキル基、或いはアルコキシ基を
表し、n、m、12.にはO〜4の整数を表す。
上記のX線回折スペクトルは次の条件で測定した反射回
折スペクトルである。(320型自記録分光光度計(日
立製作房部)を使用) X線管球 Cu 電 圧 40.OKV電 流
100 m Aスタート角度
6.00 deg。
折スペクトルである。(320型自記録分光光度計(日
立製作房部)を使用) X線管球 Cu 電 圧 40.OKV電 流
100 m Aスタート角度
6.00 deg。
ストップ角度 35.00 deg。
ステップ角度 0.020 deg。
測定時間 0−50 sec。
本発明に係るチタニルフタロシアニン(以後前記本発明
品に限定してTi0Pcと標記する)は、例えば下記製
造方法によって製造される。
品に限定してTi0Pcと標記する)は、例えば下記製
造方法によって製造される。
1.3−ジイミノイソインドリンとスルホランを混合し
、これlこチタニウムテトラプロポキシドを加え、窒素
雰囲気中で80〜300°C1好ましくは100〜26
0°Cで反応させる。反応終了後、放冷して析出物を濾
取してチタニルフタロシアニンを得る。
、これlこチタニウムテトラプロポキシドを加え、窒素
雰囲気中で80〜300°C1好ましくは100〜26
0°Cで反応させる。反応終了後、放冷して析出物を濾
取してチタニルフタロシアニンを得る。
処理に用いられる装置としては一般的な撹拌装置の他に
、ホモミキサ、ディスパーザ、アジター或はボールミル
、サンドミル、アトライタ等を用いることができる。
、ホモミキサ、ディスパーザ、アジター或はボールミル
、サンドミル、アトライタ等を用いることができる。
尚、本発明に係るTi0Pcのピークとは、明瞭にノイ
ズとは異なる鋭角の錐状突起をなすものである。
ズとは異なる鋭角の錐状突起をなすものである。
Ti0Pcのブラッグ角2θのX線回折図を第2図に、
分光吸収スペクトルを第3図に示す。Ti0Pc長波長
側に大きな吸収の山を有し、可視領域短波側に深い谷を
有する。
分光吸収スペクトルを第3図に示す。Ti0Pc長波長
側に大きな吸収の山を有し、可視領域短波側に深い谷を
有する。
この谷は、この波長領域にスペクトル感度を有する公知
のビスアゾ顔料、多環キノン顔料等の中から、好ましい
組合せを選び併用することによって埋めることができる
。
のビスアゾ顔料、多環キノン顔料等の中から、好ましい
組合せを選び併用することによって埋めることができる
。
この組合せによって長波長から短波長まで広いスペクト
ル領域に高感度を保持でき、なおかつ繰返し使用時も電
位の履歴を小さくできる。
ル領域に高感度を保持でき、なおかつ繰返し使用時も電
位の履歴を小さくできる。
これによれば、可視域で主たる分光感度が必要な複写機
(例えば蛍光灯、ハロゲンランプ、キセノンランプ等の
画像信号−アナログ信号)として好適となり、かつ可視
光領域中の長波長側あるいは赤外域で主たる分光感度が
必要なプリンタ(例えば発光ダイオード、He−Neレ
ーザ等の気体レーザ、半導体レーザ等の画像信号−デジ
タル信号)として好適となる。この意味で、アナログ/
デジタルの両方式を夫々実現できる。
(例えば蛍光灯、ハロゲンランプ、キセノンランプ等の
画像信号−アナログ信号)として好適となり、かつ可視
光領域中の長波長側あるいは赤外域で主たる分光感度が
必要なプリンタ(例えば発光ダイオード、He−Neレ
ーザ等の気体レーザ、半導体レーザ等の画像信号−デジ
タル信号)として好適となる。この意味で、アナログ/
デジタルの両方式を夫々実現できる。
次に本発明に用いられるキャリア輸送物質としては、特
に制限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキサジ
アゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミ
ダシロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾ
リジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピ
ラゾリン誘導体、アミン誘導体、オキサシロン誘導体、
ベンゾチアゾール誘導体、ベイズイミダゾール誘導体、
キナゾリン誘導体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘
導体、フェナジン誘導体、アミノスチ/l/ /(ン誘
導体、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリ−1−ビニ
ルピレン、ポリ−9−ビニルアントラセン等から選ばれ
た一種又は二種類以上が例示される。
に制限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキサジ
アゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミ
ダシロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾ
リジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピ
ラゾリン誘導体、アミン誘導体、オキサシロン誘導体、
ベンゾチアゾール誘導体、ベイズイミダゾール誘導体、
キナゾリン誘導体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘
導体、フェナジン誘導体、アミノスチ/l/ /(ン誘
導体、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリ−1−ビニ
ルピレン、ポリ−9−ビニルアントラセン等から選ばれ
た一種又は二種類以上が例示される。
これらのうちキャリア輸送物質としては、光照射時発生
するキャリアの支持体側への輸送能力が優れている外、
本発明に係るTioPc及びビスアゾ(BA)との組合
せに好適なものが好ましく、かかる電荷輸送物質として
は下記一般式(A )、(B ’)及び(C)で表され
るものが挙げられる。
するキャリアの支持体側への輸送能力が優れている外、
本発明に係るTioPc及びビスアゾ(BA)との組合
せに好適なものが好ましく、かかる電荷輸送物質として
は下記一般式(A )、(B ’)及び(C)で表され
るものが挙げられる。
一般式(A)
但し、A r’、A r”、A r’はそれぞれ置換又
は無置換のアリール基を表し、Ar3は置換又は無置換
のアリーレン基を表し、R6は水素原子、置換若しくは
無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表す。
は無置換のアリール基を表し、Ar3は置換又は無置換
のアリーレン基を表し、R6は水素原子、置換若しくは
無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表す。
このような化合物の具体例は特開昭58−65440号
の第3〜4頁及び同58−198043号の第3〜6頁
に詳細に記載されている。
の第3〜4頁及び同58−198043号の第3〜6頁
に詳細に記載されている。
一般式(B)
但し、R7は置換、無置換のアリール基、置換。
無置換の複素環基であり、R6は水素原子、直換。
無置換のアルキル基、置換、無置換のアリール基を表し
、詳細には特開昭58−134642号及び同58−1
66354号の公報に記載されている。
、詳細には特開昭58−134642号及び同58−1
66354号の公報に記載されている。
一般式(C)
■
R拳
但し、R′は置換、無置換のアリール基であり、RID
水素原子、ハロゲン原子、置換、無置換のアルキル基、
置換、無置換のアルコキシ基、置換。
水素原子、ハロゲン原子、置換、無置換のアルキル基、
置換、無置換のアルコキシ基、置換。
無置換のアミノ基、ヒドロキシ基であり R11は置換
、無置換のアリール基、置換、無置換の複素環基を表す
。これらの化合物の合成法及びその例示は特公昭57−
148750号に詳細に記載されており、本発明に援用
することができる。
、無置換のアリール基、置換、無置換の複素環基を表す
。これらの化合物の合成法及びその例示は特公昭57−
148750号に詳細に記載されており、本発明に援用
することができる。
その他の好ましいキャリア輸送物質としては、特開昭5
7−67940号、同59−15252号、同57−1
01844号にはそれぞれ記載されているヒドラゾン化
合物を挙げることができる。
7−67940号、同59−15252号、同57−1
01844号にはそれぞれ記載されているヒドラゾン化
合物を挙げることができる。
本発明においては、感光層の必須の構成材料として酸化
防止剤を用いる。この酸化防止剤が感光層に含有される
ことにより感光層の疲労劣化が防止され、その結果、感
光体を繰返し使用するときにも優れた高ガンマ特性を示
す高γ型光減衰特性が安定に発揮され、鮮鋭度の高いド
ツト状の画像を多数回にわたり安定に形成することがで
きる。
防止剤を用いる。この酸化防止剤が感光層に含有される
ことにより感光層の疲労劣化が防止され、その結果、感
光体を繰返し使用するときにも優れた高ガンマ特性を示
す高γ型光減衰特性が安定に発揮され、鮮鋭度の高いド
ツト状の画像を多数回にわたり安定に形成することがで
きる。
酸化防止剤としては、従来の電子写真感光体に適用され
ている公知の酸化防止剤のいずれをも用いることができ
るが、特に下記のヒンダードフェノール類が好ましい。
ている公知の酸化防止剤のいずれをも用いることができ
るが、特に下記のヒンダードフェノール類が好ましい。
:ヒンダードフェノール類ニ
ジブチルヒドロキシトルエン
ビス(6−L−ブチル−4−メチルフェノール)、4.
4′−ブチルデンビス(6−t−ブチル−3−メチルフ
ェノール)、4、4′−チオビス(6−t−ブチル−3
−メチルフェノール)、2、2′−チオジエチレンビス
[3−(3.5−ジ−t−ブチル−4・ヒドロキシフェ
ノール)グロビオネー ) ]、1.6−ヘキサンジオ
ールビス[3−(3,5−ジーし一ブチルー4−ヒドロ
キシフェニル)プロピオネート]、σ・トコフェロール
、β−トコフェロール、ペンタエリスリチル−テトラキ
ス[3−(3,5−ジーL−ブチルー4−ヒドロキシフ
ェニル)プロピオネート]、2.2.4−トリメチル−
6−ヒトロキシー7−t−ブチルクロマン、ジブチルヒ
ドロキシアニソール、ペンタエリスリチル−テトラキス
[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロピオネート]等 ピンタートフェノール類は、帯a、[−’O全セス繰返
しにより発生するオゾン、NO8等の活性種を効率よく
吸収して感光層の疲労劣化を有効に防止する。
4′−ブチルデンビス(6−t−ブチル−3−メチルフ
ェノール)、4、4′−チオビス(6−t−ブチル−3
−メチルフェノール)、2、2′−チオジエチレンビス
[3−(3.5−ジ−t−ブチル−4・ヒドロキシフェ
ノール)グロビオネー ) ]、1.6−ヘキサンジオ
ールビス[3−(3,5−ジーし一ブチルー4−ヒドロ
キシフェニル)プロピオネート]、σ・トコフェロール
、β−トコフェロール、ペンタエリスリチル−テトラキ
ス[3−(3,5−ジーL−ブチルー4−ヒドロキシフ
ェニル)プロピオネート]、2.2.4−トリメチル−
6−ヒトロキシー7−t−ブチルクロマン、ジブチルヒ
ドロキシアニソール、ペンタエリスリチル−テトラキス
[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロピオネート]等 ピンタートフェノール類は、帯a、[−’O全セス繰返
しにより発生するオゾン、NO8等の活性種を効率よく
吸収して感光層の疲労劣化を有効に防止する。
酸化防止剤の含有量は、感光層に含有された光導電性有
機顔料100wt当たり0.01〜1OOvt/wtが
好ましく、特に0.1〜50wt/vtが好ましい。
機顔料100wt当たり0.01〜1OOvt/wtが
好ましく、特に0.1〜50wt/vtが好ましい。
この範囲にあれば、感光層の特性を阻害せずに感光層の
疲労劣化を有効に防止することができる。
疲労劣化を有効に防止することができる。
尚、酸化防止剤が過小のときにはその機能が不十分とな
る。一方、過大のときには感光層の絶縁抵抗が減少して
高帯電性が得られず結果として高ガンマ特性が損われ、
又、感光層の表面硬度が低下するためクリーニング工程
においてブレード又はブラシによる摺擦により感光層が
早期に損傷する。
る。一方、過大のときには感光層の絶縁抵抗が減少して
高帯電性が得られず結果として高ガンマ特性が損われ、
又、感光層の表面硬度が低下するためクリーニング工程
においてブレード又はブラシによる摺擦により感光層が
早期に損傷する。
光導電層の形成に用いられるバインダ樹脂は任意のもの
を用いることができるが、疎水性で、かつ誘電率が高く
、電気絶縁性のフィルム形成性高分子重合体で、かつ熱
硬化性樹脂であることが好ましい。
を用いることができるが、疎水性で、かつ誘電率が高く
、電気絶縁性のフィルム形成性高分子重合体で、かつ熱
硬化性樹脂であることが好ましい。
熱硬化性樹脂としては、縮重合型と付加重合型がある。
縮重合型には、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹
脂、メラミン−7エノール樹脂、グアナミン樹脂及びシ
リコーン樹脂等があり、又付加重合型には、不飽和ポリ
エステル樹脂、アルキド樹脂、ジアリルフタレート樹脂
、エポキシ樹脂及びポリブタジェン樹脂等がある。
脂、メラミン−7エノール樹脂、グアナミン樹脂及びシ
リコーン樹脂等があり、又付加重合型には、不飽和ポリ
エステル樹脂、アルキド樹脂、ジアリルフタレート樹脂
、エポキシ樹脂及びポリブタジェン樹脂等がある。
尚、性能を損わぬ範囲でその他の樹脂を併用してもよい
。
。
例えば次のものを挙げることができるが、これらに限定
されるものではない。
されるものではない。
ポリカーボネート、メタクリル酸樹脂、アクリル樹脂、
ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、
ポリビニルアセテート、スチレン−ブタジェン共重合体
、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体、シリコーン−アルキッド樹脂
、フェノールホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキ
ッド樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニル
ブチラール これらのバインダ樹脂は、単独であるいは2種類以上の
混合物として用いることができる。
ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、
ポリビニルアセテート、スチレン−ブタジェン共重合体
、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体、シリコーン−アルキッド樹脂
、フェノールホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキ
ッド樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニル
ブチラール これらのバインダ樹脂は、単独であるいは2種類以上の
混合物として用いることができる。
光導電層には感度の向上、残留電位長芋反復使用時の疲
労低減等を目的として、一種又は二種以上の電子受容性
物質を含有せしめることができる。
労低減等を目的として、一種又は二種以上の電子受容性
物質を含有せしめることができる。
電子受容性物質の添加量は、重量比でキャリア発生物質
:電子受容性物質−too : (0.01〜200)
、好ましくは100 : (0.1−100)である。
:電子受容性物質−too : (0.01〜200)
、好ましくは100 : (0.1−100)である。
電子受容性物質の具体例は、特開昭63−168656
号等に記載されている。
号等に記載されている。
又本発明の感光体には、その他必要により感光層を保護
する目的で紫外線吸収剤等を含有させてもよく、又感色
性補正の染料を含有させてもよい。
する目的で紫外線吸収剤等を含有させてもよく、又感色
性補正の染料を含有させてもよい。
本発明の感光体は支持体上に、光導電層、更に必要に応
じ、保護層、中間層、バリア層、接着層等の補助層が積
層されてもよい。
じ、保護層、中間層、バリア層、接着層等の補助層が積
層されてもよい。
光導電層については、下記方法が適宜用いられる。
l) 光導電性物質を適当な溶媒に溶解した溶液を、あ
るいは必要に応じてバインダ樹脂を加え混合溶解した溶
液を塗布する方法。
るいは必要に応じてバインダ樹脂を加え混合溶解した溶
液を塗布する方法。
2) 光導電性物質をボールミル、ホモミキサ等によっ
て分散媒中で微細粒子(好ましくは粒径5μm以下、更
に好ましくは1μm以下)とし、必要に応じてバインダ
樹脂を加え混合分散した分散液を塗布する方法。
て分散媒中で微細粒子(好ましくは粒径5μm以下、更
に好ましくは1μm以下)とし、必要に応じてバインダ
樹脂を加え混合分散した分散液を塗布する方法。
光導電層の形成に使用される溶媒あるいは分散媒として
は、ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン
、イソプロパノールアミン、トリエタノールアミン、ト
リエチレンジアミン、N、N−ジメチルホルムアミド、
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、1.2−
ジクロルエタン、1.2−ジクロルプロパン、1,1.
2−トリクロルエタン、1.1.iトリクロルエタン、
トリクロルエチレン、テトラクロルエタン、ジクロルメ
タン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メタノール、
エタノール、インプロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、ジメチルスルホキシド、メチルセロソルブ、メチル
インブチルケトン等が挙げられる。
は、ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン
、イソプロパノールアミン、トリエタノールアミン、ト
リエチレンジアミン、N、N−ジメチルホルムアミド、
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、1.2−
ジクロルエタン、1.2−ジクロルプロパン、1,1.
2−トリクロルエタン、1.1.iトリクロルエタン、
トリクロルエチレン、テトラクロルエタン、ジクロルメ
タン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メタノール、
エタノール、インプロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、ジメチルスルホキシド、メチルセロソルブ、メチル
インブチルケトン等が挙げられる。
感光体に用いられる導電性支持体としては、合金を含め
た金属板、金属ドラム又は導電性ポリマ、酸化インジウ
ム等の導電性化合物や合金を含めたアルミニウム、パラ
ジウム、金等の金属薄層を塗布、蒸着あるいはラミネー
トして、導電性化された紙、プラスチックフィルム等が
挙げられる。
た金属板、金属ドラム又は導電性ポリマ、酸化インジウ
ム等の導電性化合物や合金を含めたアルミニウム、パラ
ジウム、金等の金属薄層を塗布、蒸着あるいはラミネー
トして、導電性化された紙、プラスチックフィルム等が
挙げられる。
接着層あるいはバリヤ層などの中間層としては、前記バ
インダ樹脂として用いられる高分子重合体のほか、ポリ
ビニルアルコール、エチルセルロース、カルボキシメチ
ルセルロースなどの有機高分子物質又は酸化アルミニウ
ムなどが用いられる。
インダ樹脂として用いられる高分子重合体のほか、ポリ
ビニルアルコール、エチルセルロース、カルボキシメチ
ルセルロースなどの有機高分子物質又は酸化アルミニウ
ムなどが用いられる。
次に本発明の感光体の具体的構成について述べる。
第4図は本発明の感光体の態様例の感光体の断面図であ
る。
る。
第4図(a)において、lは支持体、2は光導電層(P
CL)である。
CL)である。
本発明の感光体の層構成は前記第4図(a)に限らず種
々の態様が可能である。
々の態様が可能である。
例えば第4図において、同図(b)の3はCGMのTi
0Pc及びCTMとが混成されたPCLである。
0Pc及びCTMとが混成されたPCLである。
本発明において補助層が活用されてもよく、第4図にお
いて、保護層5、バリア層(又は接着層)4、中間層6
を設けた態様例を示した。
いて、保護層5、バリア層(又は接着層)4、中間層6
を設けた態様例を示した。
前記PCLにおいて、CGMとバインダとの重量比は好
ましくは5 : 100〜50:100がよい。
ましくは5 : 100〜50:100がよい。
CGMの含有割合がこれより少ないと光感度が低く、残
留電位の増加を招き、又これより多いと暗減衰及び受容
電位が低下する。
留電位の増加を招き、又これより多いと暗減衰及び受容
電位が低下する。
第4図において、PCL2の膜層は5〜50μm更に好
ましくは5〜30μlとするのが好ましい。
ましくは5〜30μlとするのが好ましい。
又PCL3において、CTMはPCL中のバインダ樹脂
100当たりO〜30vL/wtに規制される。
100当たりO〜30vL/wtに規制される。
第5図には、本発明の感光体11を用いた画像形成装置
の一例を示している。ここで、20は帯電極、21は長
波光用光源、22は短波光用(可視光)光源、23は現
像器、25は転写電極、26は分離電極、27はクリー
ニングブレード、28は除電ランプである。
の一例を示している。ここで、20は帯電極、21は長
波光用光源、22は短波光用(可視光)光源、23は現
像器、25は転写電極、26は分離電極、27はクリー
ニングブレード、28は除電ランプである。
又、光*21.22は使用可能な光源としては、白色光
、ハロゲンランプ光、タングステン光、蛍光灯光やレー
ザ光(半導体レーザ、Ha−Neレーザ)、LED等が
あげられる。
、ハロゲンランプ光、タングステン光、蛍光灯光やレー
ザ光(半導体レーザ、Ha−Neレーザ)、LED等が
あげられる。
現像器23は、通常の順現像法、或は反転現像法のいず
れでもよい。除電ランプ28は、順現像時、反転現像時
のいずれにおいても有効である。
れでもよい。除電ランプ28は、順現像時、反転現像時
のいずれにおいても有効である。
画像形成に際しては、まず白色光源を使用する場合は、
20で帯電されt;感光体は22で画像露光され、23
で現像される。これを25の転写電極で転写紙24に転
写し、26の分離電極で転写紙を分離する。
20で帯電されt;感光体は22で画像露光され、23
で現像される。これを25の転写電極で転写紙24に転
写し、26の分離電極で転写紙を分離する。
感光体11に残ったトナーは27で掻き落とし、クリー
ニングされる。
ニングされる。
一方、レーザ光源を用いた場合は、20で帯電された感
光体は21のレーザ光源で画像露光され、23で現像さ
れる。これを25の転写電極で転写紙24に転写し、2
6の分離電極で転写紙を分離する。残ったトナーは27
でクリーニングされる。
光体は21のレーザ光源で画像露光され、23で現像さ
れる。これを25の転写電極で転写紙24に転写し、2
6の分離電極で転写紙を分離する。残ったトナーは27
でクリーニングされる。
この記録装置のように、ドラム状の感光体を用いるもの
にあたっては、レーザ光源による画像露光は、第6図に
示したようなレーザビームスキャナによるものが好まし
い。
にあたっては、レーザ光源による画像露光は、第6図に
示したようなレーザビームスキャナによるものが好まし
い。
第6図のレーザビームスキャナの作動を次に述べる。
半導体レーザ41で発生されたレーザビームは、駆動モ
ータ42により回転されるポリゴンミラー43により所
定振幅角内で左右に振られ、f−θレンズ44を経て反
射鏡45により光路を曲げられて感光体23の表面上に
投射され線46上を走査する。
ータ42により回転されるポリゴンミラー43により所
定振幅角内で左右に振られ、f−θレンズ44を経て反
射鏡45により光路を曲げられて感光体23の表面上に
投射され線46上を走査する。
47はビーム走査開始を検出するためのインデックスセ
ンサで、48.49は倒れ角補正用のシリンドリカルレ
ンズである。50a 、56b 、50cは反射鏡でビ
ーム走査光路及びビーム検知の光路を形成する。
ンサで、48.49は倒れ角補正用のシリンドリカルレ
ンズである。50a 、56b 、50cは反射鏡でビ
ーム走査光路及びビーム検知の光路を形成する。
走査が開始されるとビームがインデックスセンサ47に
よって検知され、信号によるビームの変調が図示省略し
た変調部によって開始される。変調されたビームは、帯
電器20により予め一様に帯電されている感光体上を走
査する。
よって検知され、信号によるビームの変調が図示省略し
た変調部によって開始される。変調されたビームは、帯
電器20により予め一様に帯電されている感光体上を走
査する。
レーザビーム51による主走査と感光体の回転による副
走査によりドラム表面に潜像が形成されていく。
走査によりドラム表面に潜像が形成されていく。
又、感光体がベルト状のように平面状態をとる記録装置
にあたっては、画像露光を7ラツシユ露光とすることも
できる。
にあたっては、画像露光を7ラツシユ露光とすることも
できる。
以下に本発明を実施例1〜9を挙げ、比較例(1)〜(
5)を参照して説明するが、本発明の実施態様が以下の
例示に限定されるものではない。
5)を参照して説明するが、本発明の実施態様が以下の
例示に限定されるものではない。
まず、実施態様の例示に先立ち、本発明の詳細な説明に
用いるY型チタニルフタロシアニンの合成について説明
する。
用いるY型チタニルフタロシアニンの合成について説明
する。
(TiOPcの合成)
合成例1
1.3−ジイミノイソインドリジン; 29.2gとス
ルホラン; 200mQを混合し、チタニウムテトライ
ソプロポキシド; 17.ogを加え、窒素雰囲気下に
140°0で2時間反応させた。放冷後、析出物を濾取
し、クロロホルムで洗浄し、2%塩酸で洗浄、水洗し、
更にメタノール洗浄を行い乾燥後25.5g (88,
5%)のチタニルフタロシアニンを得た。
ルホラン; 200mQを混合し、チタニウムテトライ
ソプロポキシド; 17.ogを加え、窒素雰囲気下に
140°0で2時間反応させた。放冷後、析出物を濾取
し、クロロホルムで洗浄し、2%塩酸で洗浄、水洗し、
更にメタノール洗浄を行い乾燥後25.5g (88,
5%)のチタニルフタロシアニンを得た。
生成物は20倍量の濃硫酸に溶解し、100倍量の水に
あけて析出させ濾取した後に、ウェットケーキ全1.2
−ジクロルエタンで50℃、10時間加熱して第1図(
a)に示すX線回折スペクトルをもつY型T 1OPc
とした。この結晶はブラッグ角2θの9.6゜のピーク
強度が27.2°のそれの102%であった。
あけて析出させ濾取した後に、ウェットケーキ全1.2
−ジクロルエタンで50℃、10時間加熱して第1図(
a)に示すX線回折スペクトルをもつY型T 1OPc
とした。この結晶はブラッグ角2θの9.6゜のピーク
強度が27.2°のそれの102%であった。
これをTi0Pc Y、とする。
合成例2
前記合成例1と全く同様に処理して得たウェットケーキ
を1.2−ジクロルエタン中で室温1時間の撹拌を行い
Y型T 1OPcを得た。この結晶はブラッグ角2θの
9.6%のピーク強度が27.2%のそれの75%であ
った。
を1.2−ジクロルエタン中で室温1時間の撹拌を行い
Y型T 1OPcを得た。この結晶はブラッグ角2θの
9.6%のピーク強度が27.2%のそれの75%であ
った。
これをTi0Pc Y2 とする。
合成例3
フタロジニトリル; 25.6gとσ−クロルナフタレ
ン; 150m12の混合物中に窒素気流中で6.5−
の四塩化チタンを滴下し、200〜220℃で5時間反
応させた。析出物を濾取し、σ−クロルナフタレンで洗
浄した後、クロロホルム洗浄、続いてメタノール洗浄を
行った。
ン; 150m12の混合物中に窒素気流中で6.5−
の四塩化チタンを滴下し、200〜220℃で5時間反
応させた。析出物を濾取し、σ−クロルナフタレンで洗
浄した後、クロロホルム洗浄、続いてメタノール洗浄を
行った。
次いでアンモニア水中で還流して加水分解を完結させた
後、水洗、メタノール洗浄し乾燥後、チタニル7りロン
アニン; 21.8g(75,6%)ヲ得り。
後、水洗、メタノール洗浄し乾燥後、チタニル7りロン
アニン; 21.8g(75,6%)ヲ得り。
生成物は10倍量の濃硫酸に溶解し、l00倍量の水に
あけて析出させ濾取した後、ウェットケーキを1.2−
ジクロルエタン中で室温、1時間撹拌し第1図(b)に
示すX線回折スペクトルをもつY型T 1OPcとした
。この結晶はブラッグ角2θの9.6″のピーク強度が
27.2°のそれの45%であった。
あけて析出させ濾取した後、ウェットケーキを1.2−
ジクロルエタン中で室温、1時間撹拌し第1図(b)に
示すX線回折スペクトルをもつY型T 1OPcとした
。この結晶はブラッグ角2θの9.6″のピーク強度が
27.2°のそれの45%であった。
これをTi0Pc Y3 とする。
合成例4
前記合成例3と全く同様に処理して得たウェットケーキ
を0−ジクロルベンゼン中で室a、i時間の撹拌を行い
Y型Ti0Pcを得た。この結晶はブラッグ角2θの9
.6°のピーク強度が27.2°のそれの35%であっ
た。これをTi0Pc Y4 とする。
を0−ジクロルベンゼン中で室a、i時間の撹拌を行い
Y型Ti0Pcを得た。この結晶はブラッグ角2θの9
.6°のピーク強度が27.2°のそれの35%であっ
た。これをTi0Pc Y4 とする。
感光体試料の作成要件は下記の通りである。
(感光体の作成)
次に前記Y型チタニルフタロシアニンヲ用い、第4図に
示すPCLを有する感光体を作成した。
示すPCLを有する感光体を作成した。
但し前記PCLにはCTMを欠如したCGM単純構戒構
成光層を有する感光体を含んでいる。
成光層を有する感光体を含んでいる。
基体にはアルミニウムドラム又はポリエチレンテレフタ
レートフィルムにアルミニウムを蒸着したシートにポリ
アミド樹脂の0.3μmの下引層(UCL)を設け、下
記処方の塗料をデイプ塗布した。
レートフィルムにアルミニウムを蒸着したシートにポリ
アミド樹脂の0.3μmの下引層(UCL)を設け、下
記処方の塗料をデイプ塗布した。
実施例1
:処方−1 (vt)シ
クロヘキサノン lO0ポリエステ
ル樹脂 IO(アルマテックス74
9 ;三井東圧化学製)メラミン樹脂
2(ニーパン20SE−60; 三井東圧化
学製)TiOPcY r
3ヒンダードフエノール 5(IRG
ANOX 1010;チバガイギ製)上記処方′JmI
R物をサンドグラインダで24時間混合分散した後、得
られた塗料を塗布し、120℃で1時間乾燥し、膜厚1
5μmのPCLを有する感光体lを得た。
クロヘキサノン lO0ポリエステ
ル樹脂 IO(アルマテックス74
9 ;三井東圧化学製)メラミン樹脂
2(ニーパン20SE−60; 三井東圧化
学製)TiOPcY r
3ヒンダードフエノール 5(IRG
ANOX 1010;チバガイギ製)上記処方′JmI
R物をサンドグラインダで24時間混合分散した後、得
られた塗料を塗布し、120℃で1時間乾燥し、膜厚1
5μmのPCLを有する感光体lを得た。
以下に述べる実施例及び比較例の感光体は塗料処方を異
にするのみで、作成工程は全く同様にして実施例感光体
2〜9及び比較例感光体(1)〜(5)を得た。
にするのみで、作成工程は全く同様にして実施例感光体
2〜9及び比較例感光体(1)〜(5)を得た。
実施例2
:処方−n (wt)シ
クロヘキサノン lOOアクリル樹
脂 10(アルマテックス74
9−7 、三井東圧化学製)メラミン樹脂
2(ニーパン 20SE−60) TiOPc Y 2 4IR
GANOX 1010 10実施
例3 :処方−m (wt)イ
ングロビルアルコール 100フェ/−ル6
111m(フライオー7エン 10TD−629H;
大日本インキ製) TiOPc Y s 3
rRGANOX 1010
5前記実施例1〜3及び後記実施例4〜9並びに比較例
(1)〜(5)の処方を一括して衷lに掲げた。
クロヘキサノン lOOアクリル樹
脂 10(アルマテックス74
9−7 、三井東圧化学製)メラミン樹脂
2(ニーパン 20SE−60) TiOPc Y 2 4IR
GANOX 1010 10実施
例3 :処方−m (wt)イ
ングロビルアルコール 100フェ/−ル6
111m(フライオー7エン 10TD−629H;
大日本インキ製) TiOPc Y s 3
rRGANOX 1010
5前記実施例1〜3及び後記実施例4〜9並びに比較例
(1)〜(5)の処方を一括して衷lに掲げた。
尚、表中の数値は前記処方を基準にした重量* 2
比較例(4)は処方−■の分散媒を1.2−ジクロルエ
タン、バインダをアクリル樹脂(ダイアナールBR80
;三菱レイヨン製)とした。
タン、バインダをアクリル樹脂(ダイアナールBR80
;三菱レイヨン製)とした。
*j を型CuP c(東洋インキ製造(株)製)前記
に得た感光体試料について特性評価を行い、結果を表2
に掲げた。
に得た感光体試料について特性評価を行い、結果を表2
に掲げた。
(1)光減衰特性
静電帯電試験装置E P A−8100(川口電気(株
)製)を用いて、未露光電位vHをその90%、50%
にまで減衰させるに必要なエネルギー(μJ/cm2)
差の絶対値IEI。−E、。1及びR−E、。/(E、
。−E、。)を求めた。
)製)を用いて、未露光電位vHをその90%、50%
にまで減衰させるに必要なエネルギー(μJ/cm2)
差の絶対値IEI。−E、。1及びR−E、。/(E、
。−E、。)を求めた。
(2)繰返し耐用性
前記E P A−8100を用1.%テ、初期V H(
−V 14’)(!:100回プリント後のV )l(
=V )lIl)の差V、4−VH1”の絶対値1ΔH
1及び100回プリント後のR(・R101)を求めた
。
−V 14’)(!:100回プリント後のV )l(
=V )lIl)の差V、4−VH1”の絶対値1ΔH
1及び100回プリント後のR(・R101)を求めた
。
(3)解像力
解像度の評価機として、レーザプリンタLP3010(
コニカ(株)製)をLD光源ae載、反転現像機構とし
た改造機を用いた。光学系として、240,300,4
00及び600 d / i (dot par 1n
ch)を用いて、JIS Z4916に倣い、ブレイド
として各、5.3.6.8及び12本の縦線を信号発生
器よりλカし、反転現像表2 〔発明の効果〕 表2の結果から明らかなように、本発明の感光体は、レ
ーザ光に対する感度に優れ、高いγを有しているため、
高い解像力を示す。又、繰返し使用においても安定した
電位特性を有しており、鮮明な画像を提供するものであ
る。
コニカ(株)製)をLD光源ae載、反転現像機構とし
た改造機を用いた。光学系として、240,300,4
00及び600 d / i (dot par 1n
ch)を用いて、JIS Z4916に倣い、ブレイド
として各、5.3.6.8及び12本の縦線を信号発生
器よりλカし、反転現像表2 〔発明の効果〕 表2の結果から明らかなように、本発明の感光体は、レ
ーザ光に対する感度に優れ、高いγを有しているため、
高い解像力を示す。又、繰返し使用においても安定した
電位特性を有しており、鮮明な画像を提供するものであ
る。
しているため、高い解像力を示す。又、繰返し使用にお
いても安定した電位特性を有しており、鮮明な画像を提
供するものである。
いても安定した電位特性を有しており、鮮明な画像を提
供するものである。
第1図は本発明感光体の光減衰曲線の概要を示す図、第
2図は本発明に係るTi0PcのX線回折スペクトル図
、第3図はT 1OPcの分光吸収スペクトル図、第4
図は本発明の感光体の態様例の断面図である。 第5図は本発明の感光体を用いる画像形成装置の1例の
概要図、第6図はレーザビームスキャナの作動説明図で
ある。
2図は本発明に係るTi0PcのX線回折スペクトル図
、第3図はT 1OPcの分光吸収スペクトル図、第4
図は本発明の感光体の態様例の断面図である。 第5図は本発明の感光体を用いる画像形成装置の1例の
概要図、第6図はレーザビームスキャナの作動説明図で
ある。
Claims (3)
- (1)基体上にキャリア発生物質、キャリア輸送物質及
びバインダ樹脂を含む感光層を設けた電子写真感光体に
おいて、前記キャリア発生物質が、Cu−Kα線(波長
1.541Å)に対するX線回折スペクトルのブラック
角2θの9.6゜及び27.2゜に強いピークを有する
チタニルフタロシアニンであり、又、前記キャリア輸送
物の含有量がバインダ樹脂100に対し0〜30wt/
wtであり、かつ酸化防止剤を含有することを特徴とす
る電子写真感光体。 - (2)前記チタニルフタロシアニンのブラッグ角2θの
9.6゜におけるピーク強度が27.2゜におけるピー
ク強度の40%以上である請求項1に記載の電子写真感
光体。 - (3)前記酸化防止剤が分子構造中にヒンダードフェノ
ール構造単位を有することを特徴とする請求項1又は2
に記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17338489A JPH0337662A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17338489A JPH0337662A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0337662A true JPH0337662A (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=15959402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17338489A Pending JPH0337662A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0337662A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2334918A (en) * | 1997-10-02 | 1999-09-08 | Noboru Kimura | Portable apparatus for preventing diffusion and landing of outflow oil |
-
1989
- 1989-07-04 JP JP17338489A patent/JPH0337662A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2334918A (en) * | 1997-10-02 | 1999-09-08 | Noboru Kimura | Portable apparatus for preventing diffusion and landing of outflow oil |
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