JPH0337875B2 - - Google Patents
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- JPH0337875B2 JPH0337875B2 JP60065715A JP6571585A JPH0337875B2 JP H0337875 B2 JPH0337875 B2 JP H0337875B2 JP 60065715 A JP60065715 A JP 60065715A JP 6571585 A JP6571585 A JP 6571585A JP H0337875 B2 JPH0337875 B2 JP H0337875B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
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- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光の閉じ込め効率を改善した半導体
レーザダイオードに関するものである。
レーザダイオードに関するものである。
第２図は従来の半導体レーザダイオードを示す
断面図で紙面に垂直方向にこのダイオードの端か
ら端まで同一形状を呈し、図において、１はｐ形
のガリウム砒素（以下GaAsと略記）基板、２は
ｎ形GaAsエピタキシヤル層、３はｎ形GaAs層
２に設けられた開口領域、４はｐ形のガリウムア
ルミニウム砒素（以下Ga0.6Al0.4Asと略記。但
し砒素１原子に対しガリウム、アルミニウムがそ
れぞれ0.6、0.4原子の組成比であるの意）エピタ
キシヤルクラツド層、５はｐ形のGa0.9Al0.1As
エピタキシヤル活性層、６はｎ形の
Ga0.6Al0.4Asエピタキシヤルクラツド層、７は
ｎ形のGaAsエピタキシヤル表面層、８は正の電
位が加えられるＰ電極、９は負の電位が与えられ
るＮ電極、１０は電子・正孔結合による発光領域
である。
断面図で紙面に垂直方向にこのダイオードの端か
ら端まで同一形状を呈し、図において、１はｐ形
のガリウム砒素（以下GaAsと略記）基板、２は
ｎ形GaAsエピタキシヤル層、３はｎ形GaAs層
２に設けられた開口領域、４はｐ形のガリウムア
ルミニウム砒素（以下Ga0.6Al0.4Asと略記。但
し砒素１原子に対しガリウム、アルミニウムがそ
れぞれ0.6、0.4原子の組成比であるの意）エピタ
キシヤルクラツド層、５はｐ形のGa0.9Al0.1As
エピタキシヤル活性層、６はｎ形の
Ga0.6Al0.4Asエピタキシヤルクラツド層、７は
ｎ形のGaAsエピタキシヤル表面層、８は正の電
位が加えられるＰ電極、９は負の電位が与えられ
るＮ電極、１０は電子・正孔結合による発光領域
である。
従来の半導体レーザダイオードは上記のように
構成されＰ電極８からＮ電極９へ外部から電流を
流すと、第２図において、紙面に上下方向の電
子・正孔エネルギバンドモデル図は第３図の如く
になり、活性層５に電子と正孔が同時に存在しこ
の部分で電子・正孔の結合が盛に行われて、フオ
トンを放出する。活性層５に電子と正孔が蓄積さ
れるのはｐ、ｎ両クラツド層４，６との組成の違
いによりバンドキヤツプが小さく選ばれているた
めである。
構成されＰ電極８からＮ電極９へ外部から電流を
流すと、第２図において、紙面に上下方向の電
子・正孔エネルギバンドモデル図は第３図の如く
になり、活性層５に電子と正孔が同時に存在しこ
の部分で電子・正孔の結合が盛に行われて、フオ
トンを放出する。活性層５に電子と正孔が蓄積さ
れるのはｐ、ｎ両クラツド層４，６との組成の違
いによりバンドキヤツプが小さく選ばれているた
めである。
一方、第２図の活性層５における上記の如きフ
オトンを放出する横方向の広がりは、注入電流が
ｎ形GaAs層２とｐ形Ga0.6Al0.4Asクラツド層４
の間で逆方向であるため、開口領域３に絞られる
ため、この領域の投影部分に限定される。
オトンを放出する横方向の広がりは、注入電流が
ｎ形GaAs層２とｐ形Ga0.6Al0.4Asクラツド層４
の間で逆方向であるため、開口領域３に絞られる
ため、この領域の投影部分に限定される。
このように局所的に発生した光はこの部分の屈
折率が、第２図の紙面縦方向、両隣りのクラツド
層４，６より前記の如き組成比の違いにより大で
あり、横方向についても比較的注入電流が小なる
場合には、以下説明するように活性層５の残りの
部分より大となり、完璧に閉じこめることが出来
て、従来の半導体レーザダイオードでも効率の良
いレーザ発振が可能であつた。
折率が、第２図の紙面縦方向、両隣りのクラツド
層４，６より前記の如き組成比の違いにより大で
あり、横方向についても比較的注入電流が小なる
場合には、以下説明するように活性層５の残りの
部分より大となり、完璧に閉じこめることが出来
て、従来の半導体レーザダイオードでも効率の良
いレーザ発振が可能であつた。
同じ材質内で横方向に屈折率の違いが生ずる要
因が２つある。１つは活性層５内の注入電流によ
りもたらされる自由電荷密度に関係し、屈折率は
これに逆比例する。もう１つはバンドギヤツプが
活性層５より狭いｎ形GaAs層２は上記の光を良
く吸収するが、このようなｎ形GaAs層２が、薄
いクラツド層４でへだてられて近くにある活性層
５の部分の屈折率をそうでない部分より実効的に
小にする。
因が２つある。１つは活性層５内の注入電流によ
りもたらされる自由電荷密度に関係し、屈折率は
これに逆比例する。もう１つはバンドギヤツプが
活性層５より狭いｎ形GaAs層２は上記の光を良
く吸収するが、このようなｎ形GaAs層２が、薄
いクラツド層４でへだてられて近くにある活性層
５の部分の屈折率をそうでない部分より実効的に
小にする。
以上のことをふまえて、第２図の活性層５の開
口領域３に対応する部分の左側の部分の屈折率が
どう変化するかを第４図により説明する。右側に
ついては、方向が逆になるだけでまつたく同様に
説明できる。
口領域３に対応する部分の左側の部分の屈折率が
どう変化するかを第４図により説明する。右側に
ついては、方向が逆になるだけでまつたく同様に
説明できる。
第４図において、図ａは第２図のダイオードの
今述べた部分の拡大図であり、その各部は前出の
符号で示した通りである。図ｂは後出の実施例の
同様の拡大図であり、その細部は後述する。図ｃ
は自由電荷密度を、図ｄ，ｅはそれぞれ前記２つ
の要因に基づく屈折率成分を、図ｆはその合成屈
折率をいずれもその横軸に図ａまたはｂの活性層
５の横方向の位置をとつて表わしたものである。
今述べた部分の拡大図であり、その各部は前出の
符号で示した通りである。図ｂは後出の実施例の
同様の拡大図であり、その細部は後述する。図ｃ
は自由電荷密度を、図ｄ，ｅはそれぞれ前記２つ
の要因に基づく屈折率成分を、図ｆはその合成屈
折率をいずれもその横軸に図ａまたはｂの活性層
５の横方向の位置をとつて表わしたものである。
第４図ｃ，ｄ，ｅ，ｆにおいて、比較的小なる
注入電流の場合第２図のダイオードの各特性は一
点鎖線で示される。但し、図ｅでは後述の実施例
に対応する実線と完全に重なつている。すなわち
図ｃの曲線Ａで示す如く注入電流が小であるか
ら、自由電荷密度に基づく屈折率部分は図ｄの曲
線Ａで示す如く、全体に大で分布もほぼ一様であ
る。ｎ形GaAs層２による屈折率成分は、開口領
域３との境界に対応する位置を境に左側で小右側
で大で図ｅの如くになる。従つて、合成した屈折
率は図ｆの曲線Ａで示す如く上記の位置を境に発
光領域側で大、残りの部分が小という関係になつ
ていることがわかる。
注入電流の場合第２図のダイオードの各特性は一
点鎖線で示される。但し、図ｅでは後述の実施例
に対応する実線と完全に重なつている。すなわち
図ｃの曲線Ａで示す如く注入電流が小であるか
ら、自由電荷密度に基づく屈折率部分は図ｄの曲
線Ａで示す如く、全体に大で分布もほぼ一様であ
る。ｎ形GaAs層２による屈折率成分は、開口領
域３との境界に対応する位置を境に左側で小右側
で大で図ｅの如くになる。従つて、合成した屈折
率は図ｆの曲線Ａで示す如く上記の位置を境に発
光領域側で大、残りの部分が小という関係になつ
ていることがわかる。
上記のような従来の半導体レーザダイオードで
は以上述べたように注入電流が比較的小なる場合
には効率のよいレーザ発振が可能であつたが、注
入電流が大なる場合には以下説明するように、光
の閉じ込めが不完全になり、レーザ発振が低下す
るといつた問題点があつた。
は以上述べたように注入電流が比較的小なる場合
には効率のよいレーザ発振が可能であつたが、注
入電流が大なる場合には以下説明するように、光
の閉じ込めが不完全になり、レーザ発振が低下す
るといつた問題点があつた。
すなわち、第２図縦方向については注入電流が
小なる場合と条件は同じであるから、横方向につ
いて考えると、第４図ｃ，ｄ，ｆの点線で示す如
くになる。図ｃの如く注入電流に応じて、曲線Ｂ
の如く自由電荷密度は大となりこれに対応する屈
折率成分は図ｄの曲線Ｂで示す如く無視出来ない
違いを生じている。一方のｎ形GaAs層２の存在
による屈折率成分は注入電流小なる場合と同じで
図ｅの如くになるから合成した屈折率の分布は図
ｆの曲線Ｂの如くになる。曲線Ｂ上の点Q0に対
し、点Q1では屈折率比は大きいが、実線にかく
れた平担な部分の任意の点Q2ではその比が小さ
くなつている。点Q2から左に進む光にとつて点
Q1の屈折率は如何に大であつても影響がなく、
より反射され難くなつていることがわかる。この
ことは、日常窓ガラスがそれほど反射するわけで
ないことなど経験されることである。光の発生部
分が図ｃからわかるようにこの平担部分であるか
ら、光の閉じ込めが不完全であることがわかる。
小なる場合と条件は同じであるから、横方向につ
いて考えると、第４図ｃ，ｄ，ｆの点線で示す如
くになる。図ｃの如く注入電流に応じて、曲線Ｂ
の如く自由電荷密度は大となりこれに対応する屈
折率成分は図ｄの曲線Ｂで示す如く無視出来ない
違いを生じている。一方のｎ形GaAs層２の存在
による屈折率成分は注入電流小なる場合と同じで
図ｅの如くになるから合成した屈折率の分布は図
ｆの曲線Ｂの如くになる。曲線Ｂ上の点Q0に対
し、点Q1では屈折率比は大きいが、実線にかく
れた平担な部分の任意の点Q2ではその比が小さ
くなつている。点Q2から左に進む光にとつて点
Q1の屈折率は如何に大であつても影響がなく、
より反射され難くなつていることがわかる。この
ことは、日常窓ガラスがそれほど反射するわけで
ないことなど経験されることである。光の発生部
分が図ｃからわかるようにこの平担部分であるか
ら、光の閉じ込めが不完全であることがわかる。
この発明はかかる問題点を解決するためになさ
れたもので注入電流が大であつても光の閉じ込め
が完全になるようにして効率の良いレーザ発振が
可能な半導体レーザダイオードを得ることを目的
としている。
れたもので注入電流が大であつても光の閉じ込め
が完全になるようにして効率の良いレーザ発振が
可能な半導体レーザダイオードを得ることを目的
としている。
この発明に係る半導体レーザダイオードは、光
の導波領域と注入電流領域を同時に制限する光電
制限層の上記の両領域近傍の少くとも側面に、前
記光電制限層の伝導形と逆の伝導形の光制限導電
部を設けたものである。
の導波領域と注入電流領域を同時に制限する光電
制限層の上記の両領域近傍の少くとも側面に、前
記光電制限層の伝導形と逆の伝導形の光制限導電
部を設けたものである。
この発明においては、光制限導電部は注入電流
の供給手段の一部となると共に光を吸収する手段
の一部ともなりここでは光が吸収されない領域を
注入電流領域の内側に来るようにする。屈折率は
注入電流密度に逆比例する成分と光の吸収がある
と小さくなる成分の合成になつており、前者の成
分の分布は、注入電流領域で上に凹、後者の成分
の分布は光が吸収されない領域で上に凸になる。
従つて、合成された屈折率の分布は、光が吸収さ
れない領域内とそのすぐ外側に注目すると、両成
分は互に打ち消し合うことがないので、外側に対
する内側の屈折率が充分大になり、この領域を光
の導波領域として、注入電流が大なる場合の光の
閉じ込め効率を向上させる。
の供給手段の一部となると共に光を吸収する手段
の一部ともなりここでは光が吸収されない領域を
注入電流領域の内側に来るようにする。屈折率は
注入電流密度に逆比例する成分と光の吸収がある
と小さくなる成分の合成になつており、前者の成
分の分布は、注入電流領域で上に凹、後者の成分
の分布は光が吸収されない領域で上に凸になる。
従つて、合成された屈折率の分布は、光が吸収さ
れない領域内とそのすぐ外側に注目すると、両成
分は互に打ち消し合うことがないので、外側に対
する内側の屈折率が充分大になり、この領域を光
の導波領域として、注入電流が大なる場合の光の
閉じ込め効率を向上させる。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図であ
り、１は半導体基板であつてこの実施例ではｐ形
GaAs基板、２は光電制限層であつてこの実施例
では厚さ約1.5μｍのｎ形GaAsエピタキシヤル層、
３はｎ形GaAs層２と基板１の１部を異方性エツ
チングにより除去したＵ溝構造を呈する開口領
域、４は開口領域３を埋めて表面が平担になるよ
うに堆積され、GaAs層２上の膜厚が0.25μｍのｐ
形Ga0.6Al0.4Asエピタキシヤルクラツド層、５
は膜厚0.08μｍのｐ形Ga0.9Al0.1Asエピタキシヤ
ル活性層、６は膜厚1.5μｍのｎ形Ga0.6Al0.4As
エピタキシヤルクラツド層、７はｎ形GaAsエピ
タキシヤル表面層、８は正の電位を与えられるＰ
電極、９は負の電位を与えられるＮ電極、１０は
活性層５中の電子正孔結合による発光領域、１０
Ａは活性層５中の注入電流領域、１０Ｂは活性層
５中の光の導波領域、１１はｎ形GaAs層２の開
口領域３に接する側面から一部その表面にかけて
設けられたGaAs層２の伝導形の逆の伝導形の光
制限導電部であつて、この実施例ではｐ形GaAs
部分である。なお、禁制帯幅は、０＜ｘ＜１なる
ｘに対して、GaxAl1−xAsについて、ｘを０に
近づけるほど大、１に近づけるほど小になる関係
がある。
り、１は半導体基板であつてこの実施例ではｐ形
GaAs基板、２は光電制限層であつてこの実施例
では厚さ約1.5μｍのｎ形GaAsエピタキシヤル層、
３はｎ形GaAs層２と基板１の１部を異方性エツ
チングにより除去したＵ溝構造を呈する開口領
域、４は開口領域３を埋めて表面が平担になるよ
うに堆積され、GaAs層２上の膜厚が0.25μｍのｐ
形Ga0.6Al0.4Asエピタキシヤルクラツド層、５
は膜厚0.08μｍのｐ形Ga0.9Al0.1Asエピタキシヤ
ル活性層、６は膜厚1.5μｍのｎ形Ga0.6Al0.4As
エピタキシヤルクラツド層、７はｎ形GaAsエピ
タキシヤル表面層、８は正の電位を与えられるＰ
電極、９は負の電位を与えられるＮ電極、１０は
活性層５中の電子正孔結合による発光領域、１０
Ａは活性層５中の注入電流領域、１０Ｂは活性層
５中の光の導波領域、１１はｎ形GaAs層２の開
口領域３に接する側面から一部その表面にかけて
設けられたGaAs層２の伝導形の逆の伝導形の光
制限導電部であつて、この実施例ではｐ形GaAs
部分である。なお、禁制帯幅は、０＜ｘ＜１なる
ｘに対して、GaxAl1−xAsについて、ｘを０に
近づけるほど大、１に近づけるほど小になる関係
がある。
この実施例のダイオードは、上記のように、従
来のもののＶ溝形からＵ溝形の開口領域３にした
ことと、新にｐ形のGaAs部分１１を設けた点が
異なるのみで従来のものとほとんど同じであり、
その動作原理もほとんど同じである。まず、Ｕ溝
形にしたことは、注入電流の分布をより平準化す
る上で有利であるが、上記の問題点を解決するも
のではない。もう１つのｐ形のGaAs部分１１を
新につけ加えたことがこの発明の主眼であつて、
この部分１１は光を吸収する点では、ｎ形GaAs
層２と同じ働きをしながら、ｐ形であるため、開
口領域３のクラツド層４より、比抵抗を小さくと
ると活性層５における注入電流の分布の端部の低
下部分を補償することが出来る。尚、第１図でｎ
形GaAs層２の平担部分に回り込んでいるこの部
分１１の一部は補償が行きすぎ、上記分布の端が
逆に高くなるのをこの部分の長さを適当にして平
担になるよう制御するためのものである。
来のもののＶ溝形からＵ溝形の開口領域３にした
ことと、新にｐ形のGaAs部分１１を設けた点が
異なるのみで従来のものとほとんど同じであり、
その動作原理もほとんど同じである。まず、Ｕ溝
形にしたことは、注入電流の分布をより平準化す
る上で有利であるが、上記の問題点を解決するも
のではない。もう１つのｐ形のGaAs部分１１を
新につけ加えたことがこの発明の主眼であつて、
この部分１１は光を吸収する点では、ｎ形GaAs
層２と同じ働きをしながら、ｐ形であるため、開
口領域３のクラツド層４より、比抵抗を小さくと
ると活性層５における注入電流の分布の端部の低
下部分を補償することが出来る。尚、第１図でｎ
形GaAs層２の平担部分に回り込んでいるこの部
分１１の一部は補償が行きすぎ、上記分布の端が
逆に高くなるのをこの部分の長さを適当にして平
担になるよう制御するためのものである。
以上のこの実施例と従来のものの違いを念頭
に、光の閉じ込め条件に関係する屈折率分布につ
いて考えると、第１図の縦方向について従来とま
つたく同じで考慮する必要がなく、活性層５中の
分布を考えればよいことがわかる。
に、光の閉じ込め条件に関係する屈折率分布につ
いて考えると、第１図の縦方向について従来とま
つたく同じで考慮する必要がなく、活性層５中の
分布を考えればよいことがわかる。
以下第４図を用いて説明する。図ｂは第１図の
開口部分３の左の端の部分を拡大して示したもの
で、各部の符号は第１図について述べた通りであ
る。またｐ形GaAs部分１１の肩は図ａの従来の
もののｎ形GaAs層２の角の位置に一致させてあ
る。このような位置関係で活性層５内の自由電荷
密度および屈折率の分布を図ｃ，ｄ，ｅ，ｆに実
線で示した。まず、注入電流が大なる場合の自由
電荷密度の分布は図ｃの曲線Ｃの如く部分１１の
働きにより、従来のものより、平担部分が伸びか
つ、なだらかに減少する。このような自由電荷密
度分布に対する屈折率成分の分布は図ｄの曲線Ｃ
の如くになる。ｎ形GaAs層２とｐ形GaAs部分
１１の光の吸収による屈折率成分の分布は従来の
ものと同じ、図ｅに示す曲線で表わされる。従つ
て、合成した屈折率分布は図ｆの曲線Ｃの如くに
なる。点R0に対し、点R1の屈折率は充分大であ
り、横方向の光の閉じ込めが完全になつているこ
とがわかる。
開口部分３の左の端の部分を拡大して示したもの
で、各部の符号は第１図について述べた通りであ
る。またｐ形GaAs部分１１の肩は図ａの従来の
もののｎ形GaAs層２の角の位置に一致させてあ
る。このような位置関係で活性層５内の自由電荷
密度および屈折率の分布を図ｃ，ｄ，ｅ，ｆに実
線で示した。まず、注入電流が大なる場合の自由
電荷密度の分布は図ｃの曲線Ｃの如く部分１１の
働きにより、従来のものより、平担部分が伸びか
つ、なだらかに減少する。このような自由電荷密
度分布に対する屈折率成分の分布は図ｄの曲線Ｃ
の如くになる。ｎ形GaAs層２とｐ形GaAs部分
１１の光の吸収による屈折率成分の分布は従来の
ものと同じ、図ｅに示す曲線で表わされる。従つ
て、合成した屈折率分布は図ｆの曲線Ｃの如くに
なる。点R0に対し、点R1の屈折率は充分大であ
り、横方向の光の閉じ込めが完全になつているこ
とがわかる。
以上説明したようにこの実施例では従来のもの
では問題となつていた注入電流が大なる時の光の
閉じ込めが不完全になるためレーザ発振の効率低
下を改善できる。
では問題となつていた注入電流が大なる時の光の
閉じ込めが不完全になるためレーザ発振の効率低
下を改善できる。
なお、上記実施例では光制限導電部１１はｎ形
GaAs層２の側面以外にその上部平担部分上基板
１上にも形成する場合についてであつたが、その
比抵抗や厚さを適切にできるならば側面部分のみ
でもよい。
GaAs層２の側面以外にその上部平担部分上基板
１上にも形成する場合についてであつたが、その
比抵抗や厚さを適切にできるならば側面部分のみ
でもよい。
但し、上記の上部平担部分上の光制限導電部１
１の部分は注入電流の分布の制御を上記のように
容易にする新たな効果をもつ。
１の部分は注入電流の分布の制御を上記のように
容易にする新たな効果をもつ。
また、上記実施例では注入電流の通路がＵ溝形
の場合であつたが従来の第２図の如きＶ溝形で
も、逆にこの通路が先にできていて、光電制限層
２や光制限導電部１１をあとから作るものであつ
てもよい。
の場合であつたが従来の第２図の如きＶ溝形で
も、逆にこの通路が先にできていて、光電制限層
２や光制限導電部１１をあとから作るものであつ
てもよい。
また、第５図に示すように光制限導電部１１を
最初光電制限層２上全体に形成したのちに、後者
の一部と共に前者の不要部分を除去したものであ
つても良い。
最初光電制限層２上全体に形成したのちに、後者
の一部と共に前者の不要部分を除去したものであ
つても良い。
この発明は以上説明した通り、光の導波領域と
注入電流の領域を同時に制限する光電制限層の側
面に光制限導電部を設けるといつた構造によつ
て、主要な発光部分に対する、光の導波領域のす
ぐ外の屈折率を小さくして、光のとじこめを充分
にするという効果をもつ。
注入電流の領域を同時に制限する光電制限層の側
面に光制限導電部を設けるといつた構造によつ
て、主要な発光部分に対する、光の導波領域のす
ぐ外の屈折率を小さくして、光のとじこめを充分
にするという効果をもつ。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第
２図は従来の半導体レーザダイオードを示す断面
図、第３図は従来の半導体レーザダイオードのエ
ネルギバンドモデル図、第４図は従来及びこの発
明の一実施例の屈折率の分布を検討するための拡
大断面図およびグラフ、第５図はこの発明の他の
実施例を示す断面図である。 図において、１は半導体基板、２は光電制限
層、４，５，６，７はいずれもエピタキシヤル
層、８，９はいずれも電極、１０Ａは注入電流領
域、１０Ｂは光の導波領域、１１は光制限導電部
である。なお、各図中、同一符号は同一または相
当部分を示す。
２図は従来の半導体レーザダイオードを示す断面
図、第３図は従来の半導体レーザダイオードのエ
ネルギバンドモデル図、第４図は従来及びこの発
明の一実施例の屈折率の分布を検討するための拡
大断面図およびグラフ、第５図はこの発明の他の
実施例を示す断面図である。 図において、１は半導体基板、２は光電制限
層、４，５，６，７はいずれもエピタキシヤル
層、８，９はいずれも電極、１０Ａは注入電流領
域、１０Ｂは光の導波領域、１１は光制限導電部
である。なお、各図中、同一符号は同一または相
当部分を示す。
Claims (1)
- １ 半導基板上に形成された複数のエピタキシヤ
ル成長層と、前記基板下面と前記成長層中の最上
層上に注入電流を流すために設けられた１対の電
極と、前記エピタキシヤル成長層中に設けられ、
光の導波領域と注入電流領域を同時に制限する光
電制限層と、この光電制限層の前記両領域近傍の
少くとも側面に設けられ、前記光電制限層の伝導
形と逆の伝導形の光制限導電部とを備えたことを
特徴とする半導体レーザダイオード。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065715A JPS61222191A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 半導体レ−ザダイオ−ド |
| US06/837,358 US4701926A (en) | 1985-03-27 | 1986-03-06 | Laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065715A JPS61222191A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 半導体レ−ザダイオ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222191A JPS61222191A (ja) | 1986-10-02 |
| JPH0337875B2 true JPH0337875B2 (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=13294991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60065715A Granted JPS61222191A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 半導体レ−ザダイオ−ド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4701926A (ja) |
| JP (1) | JPS61222191A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3604293A1 (de) * | 1986-02-12 | 1987-08-13 | Telefunken Electronic Gmbh | Heterostruktur-halbleiterlaserdiode |
| US4839307A (en) * | 1986-05-14 | 1989-06-13 | Omron Tateisi Electronics Co. | Method of manufacturing a stripe-shaped heterojunction laser with unique current confinement |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4326176A (en) * | 1976-04-16 | 1982-04-20 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP60065715A patent/JPS61222191A/ja active Granted
-
1986
- 1986-03-06 US US06/837,358 patent/US4701926A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61222191A (ja) | 1986-10-02 |
| US4701926A (en) | 1987-10-20 |
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