JPH0338070A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
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- JPH0338070A JPH0338070A JP1173351A JP17335189A JPH0338070A JP H0338070 A JPH0338070 A JP H0338070A JP 1173351 A JP1173351 A JP 1173351A JP 17335189 A JP17335189 A JP 17335189A JP H0338070 A JPH0338070 A JP H0338070A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体受光素子に係り、特に高速応答が可
能なフォトダイオード（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ ：以
下ＰＤと略す）に関するものである。
能なフォトダイオード（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ ：以
下ＰＤと略す）に関するものである。
第２図（ａＬ （ｂ）は、例えば昭和６１年度電子通信
学会総合全国大会予１％５１９７８（４〜１４９ページ
）に記載されている従来のＩ ｎＧａＡｓプレーナ型Ｐ
Ｄの代表的な構造を示す図であり、第２図（ａ）は、第
２図（ｂ）に示す平面図の動作中のＢ−Ｂ’断面図であ
る。これらの図において、１はｎ”−ＩｎＰ基板、２は
ｎ − Ｉ ｎ Ｐバラ”７７層、３はｎ−−Ｉｎ．Ｇ
ａＡｓ光吸収層、３ａは空乏層、４はｎ−−ＩｎＰ窓層
、５はｐ＋領領域、Ｚｎなどの不純物の拡散により導電
型が反転して形成されている。１０はｎ電極（以下、カ
ソード）１１はｐ電極（以下、アノード） ２０（よプ
ラズマＣＶＤなどの方法で形成された、例えばシリコン
窒化膜などの表面保護膜（光に対して透明）、３１はア
ノードワイヤ、４０は入射光、５０は電子、５１はホー
ルである。
学会総合全国大会予１％５１９７８（４〜１４９ページ
）に記載されている従来のＩ ｎＧａＡｓプレーナ型Ｐ
Ｄの代表的な構造を示す図であり、第２図（ａ）は、第
２図（ｂ）に示す平面図の動作中のＢ−Ｂ’断面図であ
る。これらの図において、１はｎ”−ＩｎＰ基板、２は
ｎ − Ｉ ｎ Ｐバラ”７７層、３はｎ−−Ｉｎ．Ｇ
ａＡｓ光吸収層、３ａは空乏層、４はｎ−−ＩｎＰ窓層
、５はｐ＋領領域、Ｚｎなどの不純物の拡散により導電
型が反転して形成されている。１０はｎ電極（以下、カ
ソード）１１はｐ電極（以下、アノード） ２０（よプ
ラズマＣＶＤなどの方法で形成された、例えばシリコン
窒化膜などの表面保護膜（光に対して透明）、３１はア
ノードワイヤ、４０は入射光、５０は電子、５１はホー
ルである。
次に動作について説明する。
一般的に、ＩｎＰ基板上に結晶成長され、格子定数がＩ
ｎＰに合ったＩｎＧａＡｓ層のバンドギャップ波長λ８
は、λｇ：１．６７μｍであり、−方、ＩｎＰではλ、
；０．９３μｍであるので、第２図のＩｎＧａＡｓ−Ｐ
Ｄの波長感度は＾＝１．０〜１．６μｍ帯にある。
ｎＰに合ったＩｎＧａＡｓ層のバンドギャップ波長λ８
は、λｇ：１．６７μｍであり、−方、ＩｎＰではλ、
；０．９３μｍであるので、第２図のＩｎＧａＡｓ−Ｐ
Ｄの波長感度は＾＝１．０〜１．６μｍ帯にある。
そこで、入射光４０の波長が１．３μｍの場合について
動作を説明する。
動作を説明する。
ＰＤは一般的に無バイアスまたは逆バイアス状態で使用
されるので、１ノード１１にはカソード１０に対して印
加電圧ゼロまたは負電圧（−５〜−ＩＯＶ）が印加され
る。ｎ−ＩｎＰ：９層４のキャリア濃度はＩ Ｘ １０
”ａ ｍ−３層１度、ｎ−−ＩｎＧ ａＡｓ光吸収層
３のキャリア濃度は５Ｘ１０１Ｓｅｆｆｉ−”程度であ
り、ｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３のキャリア濃度の方
が小さいので、逆バイアス状態では特に、空乏層３ａは
主にｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３内に広がる。受光面
にλ≦１．３μｍの光が入射すると、この光はλ、＝＝
０．９２のｎ−Ｉ ｎ Ｐ窓層４には吸収されず、ｎ−
−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３に吸収され、電子５０．ホー
ル５１のペアが発生する。ｎ’−−ＩｎＧａＡｓ光吸収
層３内の空乏層３ａ内で発生したキャリアは、空乏ＪＩ
３ａ内の電界によるドリフト電流として外部回路に観測
される。空乏層外のホールのうち拡散により空乏層３ａ
に達したものはドリフｌ−電流に寄与する。ｎ−−Ｉ
ｎＧａＡｓ光吸収層３のキャリア濃度を下げ、空乏層３
ａの幅を広くすることにより、ドリフト電流に寄与する
キャリアの割合を大きくして光電流の値を大きくシ（す
なわち感度を良＜シ）、ブレイクダウン電圧を大きくす
ることが可能である。
されるので、１ノード１１にはカソード１０に対して印
加電圧ゼロまたは負電圧（−５〜−ＩＯＶ）が印加され
る。ｎ−ＩｎＰ：９層４のキャリア濃度はＩ Ｘ １０
”ａ ｍ−３層１度、ｎ−−ＩｎＧ ａＡｓ光吸収層
３のキャリア濃度は５Ｘ１０１Ｓｅｆｆｉ−”程度であ
り、ｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３のキャリア濃度の方
が小さいので、逆バイアス状態では特に、空乏層３ａは
主にｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３内に広がる。受光面
にλ≦１．３μｍの光が入射すると、この光はλ、＝＝
０．９２のｎ−Ｉ ｎ Ｐ窓層４には吸収されず、ｎ−
−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３に吸収され、電子５０．ホー
ル５１のペアが発生する。ｎ’−−ＩｎＧａＡｓ光吸収
層３内の空乏層３ａ内で発生したキャリアは、空乏ＪＩ
３ａ内の電界によるドリフト電流として外部回路に観測
される。空乏層外のホールのうち拡散により空乏層３ａ
に達したものはドリフｌ−電流に寄与する。ｎ−−Ｉ
ｎＧａＡｓ光吸収層３のキャリア濃度を下げ、空乏層３
ａの幅を広くすることにより、ドリフト電流に寄与する
キャリアの割合を大きくして光電流の値を大きくシ（す
なわち感度を良＜シ）、ブレイクダウン電圧を大きくす
ることが可能である。
しかしながら、上記のような従来のＩｎＧａＡｓプレー
ナ型ＰＤでは、アノード１１以外の受光面全体は１．３
μｍの光に対して透明な表面保護１１１！２０で覆われ
ているので、入射光４０がＰＤチップ全体に広がってい
る場合には、第２図（ａ）に示されているように、空乏
ｊ１３ａから離れた所でも電子、ホール対が発生する。
ナ型ＰＤでは、アノード１１以外の受光面全体は１．３
μｍの光に対して透明な表面保護１１１！２０で覆われ
ているので、入射光４０がＰＤチップ全体に広がってい
る場合には、第２図（ａ）に示されているように、空乏
ｊ１３ａから離れた所でも電子、ホール対が発生する。
この内、拡散いより空乏層３ａに対するホール５１は光
電流に寄与するが、拡散が遅いため、空乏層３ａ内また
はその近傍で発生したキャリアに比べて光電流の寄与す
る時間が遅れる。したがって、入射光４０がパルス状の
場合には、入射光４０の波形に比べて受光電流波形にす
そ引きが生ずる。第３図（ａ ）ｅ （ｂ ）はこの状
況を説明する図であり、第３図（ａ）は入射光強度の時
間的変化を示すパルス波形、第３図（ｂ）は光電流の応
答波形である。これらの図から明らかなように、立下り
時間ｔｅｔが入射光４０の波形に比べて長くなっており
、すなわち、ｔｆｌ−ｔｔ２の時間だけ遅くなっており
、高速で変化する入射光４０に応答できないという問題
が生ずる。
電流に寄与するが、拡散が遅いため、空乏層３ａ内また
はその近傍で発生したキャリアに比べて光電流の寄与す
る時間が遅れる。したがって、入射光４０がパルス状の
場合には、入射光４０の波形に比べて受光電流波形にす
そ引きが生ずる。第３図（ａ ）ｅ （ｂ ）はこの状
況を説明する図であり、第３図（ａ）は入射光強度の時
間的変化を示すパルス波形、第３図（ｂ）は光電流の応
答波形である。これらの図から明らかなように、立下り
時間ｔｅｔが入射光４０の波形に比べて長くなっており
、すなわち、ｔｆｌ−ｔｔ２の時間だけ遅くなっており
、高速で変化する入射光４０に応答できないという問題
が生ずる。
この発明は、上記の問題点を解決するためになされたも
ので、高速で変動する入射光に対しても十分応答可能な
半導体受光素子を得ることを目的とする。
ので、高速で変動する入射光に対しても十分応答可能な
半導体受光素子を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体受光素子は、第１の導電型を有す
るＩｎＰ基板と、このＩｎＰ基板上に直接、もしくは第
１の導電型を有するＩｎＰｎソバ９フフ 吸収動作用の導電型を有する光吸収動作用のＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層上に積層された第１の導電型を有するＩｎＰ
窓層と、このＩｎＰｆｉ層上の一部から少なくともＩ
ｎＧａＡｓ光吸収層に達するように形成された第２の導
電型を有する導電型反転領域と、この導電型反転領域上
の窓部分およびＩｎＰｇ層上の窓部分を除いてＩｎＰ窓
層上に形成された表面保護膜と、導電型反転領域と電気
的に導通する第１の電極と、この第１の電極とＴｉ電気
的絶縁２分離して、少なくとも導電型反転領域が形成さ
れていないＩｎＰ窓層上に表面保ス５膜を介して形成さ
れ、かっＩｎＰ窓層と電気的に導通する金属遮光膜と、
ＩｎＰ基板と電気的に導通する第２の電極とで構成した
ものである。
るＩｎＰ基板と、このＩｎＰ基板上に直接、もしくは第
１の導電型を有するＩｎＰｎソバ９フフ 吸収動作用の導電型を有する光吸収動作用のＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層上に積層された第１の導電型を有するＩｎＰ
窓層と、このＩｎＰｆｉ層上の一部から少なくともＩ
ｎＧａＡｓ光吸収層に達するように形成された第２の導
電型を有する導電型反転領域と、この導電型反転領域上
の窓部分およびＩｎＰｇ層上の窓部分を除いてＩｎＰ窓
層上に形成された表面保護膜と、導電型反転領域と電気
的に導通する第１の電極と、この第１の電極とＴｉ電気
的絶縁２分離して、少なくとも導電型反転領域が形成さ
れていないＩｎＰ窓層上に表面保ス５膜を介して形成さ
れ、かっＩｎＰ窓層と電気的に導通する金属遮光膜と、
ＩｎＰ基板と電気的に導通する第２の電極とで構成した
ものである。
この発明においては、金属遮光膜によって導電型反転領
域以外に光が入射しなくなり、従来受光部の空乏層から
十分離れた所で発生し、時間的に遅れて光電流に寄与し
ていたキャリアの発生が抑えられるほか、第１の電極と
金属遮光膜が導通した場合に、電圧・ｆ４流特性に著し
い変化が現れる。
域以外に光が入射しなくなり、従来受光部の空乏層から
十分離れた所で発生し、時間的に遅れて光電流に寄与し
ていたキャリアの発生が抑えられるほか、第１の電極と
金属遮光膜が導通した場合に、電圧・ｆ４流特性に著し
い変化が現れる。
第１図（ａ）？ （ｂ）はこの発明の半導体受光素子の
一実施例の構造を示す図であり、第１図（４１）は、第
１図（ｂ）に示す平面図の動作中のＡ−Ａ’断面図であ
る。これらの図において、第２図（ａ）。
一実施例の構造を示す図であり、第１図（４１）は、第
１図（ｂ）に示す平面図の動作中のＡ−Ａ’断面図であ
る。これらの図において、第２図（ａ）。
（ｂ）と同一符号は同一または相当部分を示し、６は前
記表面保護膜２０に加工形成されたコンタクトホール、
７はこの発明によって新たに形成された金属遮光膜で、
第１の電極としてのアノード１１と電気的、空間的に絶
縁・分離され、表面保護１１４２０の一部に形成された
コンタクトホール６を介してｎ−−ＩｎＰ窓層４と電気
的に導通するように、受光部となる導電型反転領域とし
てもｐ＋領域５以外の余分な平面のほとんど全面を覆う
形で形成されている。
記表面保護膜２０に加工形成されたコンタクトホール、
７はこの発明によって新たに形成された金属遮光膜で、
第１の電極としてのアノード１１と電気的、空間的に絶
縁・分離され、表面保護１１４２０の一部に形成された
コンタクトホール６を介してｎ−−ＩｎＰ窓層４と電気
的に導通するように、受光部となる導電型反転領域とし
てもｐ＋領域５以外の余分な平面のほとんど全面を覆う
形で形成されている。
第２図の従来のＰＤの動作の説明で述べたように、この
実施例の場合においてもアノード１１には、カソード１
０に対して負電圧が印加される。
実施例の場合においてもアノード１１には、カソード１
０に対して負電圧が印加される。
しかし、この状態でＰＤチップ全体に広がった１、３μ
ｍの波長を持つ光が入射しても、受光部以外の領域には
、この発明によって形成された金属遮光１ＩＩ７によっ
て光は入射されない。したがって、従来の構造の特性上
の問題点であった、時間的に遅れて寄与するキャリアは
発生しなくなる。このことによって第３図（ａＬ （ｂ
）に示されていた立下り時間１１１は、従来のＰＤの値
に比べて飛躍的に小さくなり、パールス応答波形のすそ
引きは改善され、ＰＤの高速性が向上する。
ｍの波長を持つ光が入射しても、受光部以外の領域には
、この発明によって形成された金属遮光１ＩＩ７によっ
て光は入射されない。したがって、従来の構造の特性上
の問題点であった、時間的に遅れて寄与するキャリアは
発生しなくなる。このことによって第３図（ａＬ （ｂ
）に示されていた立下り時間１１１は、従来のＰＤの値
に比べて飛躍的に小さくなり、パールス応答波形のすそ
引きは改善され、ＰＤの高速性が向上する。
次に、この発明によって形成された金属遮光膜７が、表
面保Ｘ１ｌｌ！！２０に新たに形成されたコンタクトホ
ール６によってｎ−−ＩｎＰ窓層４と電気的に導通する
ように構成されている理由について述べる。コンタクト
ホール６が形成されていない場合でも金属遮光膜７は、
目的とする効率を十分果すと考えられる。この場合、金
属遮光＃！４７は電気的にフローティングな形となるが
、実際のデバイス製造上、アノード１１と金属遮光膜７
が工程中の異物パターン欠陥、アセンブリ時のワイヤボ
ンド位置不具合等様々な原因により電気的に導通してし
まう可能性が完全にゼロではなく、少なくとも起こり得
ると考えられる。アノード１１と、金属遮光膜７が電気
的に導通してしまった場合、アノード１１から検出され
る暗電流、すなわち、入射光のない場合の電流値は、構
造上前述の不具合がない場合と変わらず、１ノード１１
とカッド１０間の電圧・電流特性には何ら悪影響を与え
ず、さも何ら問題のないように見えるが、アンド１１側
の電極面積が金属遮光膜７の面積の分ｔ２け相対的に広
くなっていることから、電極容量が増大しており、応答
速度は大きく低下する。電）ｌ容量をＣ！Ｌ、その他の
容量をＣｘ、：ａ断層波数をｆｏ、抵抗をＲとすれば、
−殻内に の関係が成り立つことは公知の事実である。
面保Ｘ１ｌｌ！！２０に新たに形成されたコンタクトホ
ール６によってｎ−−ＩｎＰ窓層４と電気的に導通する
ように構成されている理由について述べる。コンタクト
ホール６が形成されていない場合でも金属遮光膜７は、
目的とする効率を十分果すと考えられる。この場合、金
属遮光＃！４７は電気的にフローティングな形となるが
、実際のデバイス製造上、アノード１１と金属遮光膜７
が工程中の異物パターン欠陥、アセンブリ時のワイヤボ
ンド位置不具合等様々な原因により電気的に導通してし
まう可能性が完全にゼロではなく、少なくとも起こり得
ると考えられる。アノード１１と、金属遮光膜７が電気
的に導通してしまった場合、アノード１１から検出され
る暗電流、すなわち、入射光のない場合の電流値は、構
造上前述の不具合がない場合と変わらず、１ノード１１
とカッド１０間の電圧・電流特性には何ら悪影響を与え
ず、さも何ら問題のないように見えるが、アンド１１側
の電極面積が金属遮光膜７の面積の分ｔ２け相対的に広
くなっていることから、電極容量が増大しており、応答
速度は大きく低下する。電）ｌ容量をＣ！Ｌ、その他の
容量をＣｘ、：ａ断層波数をｆｏ、抵抗をＲとすれば、
−殻内に の関係が成り立つことは公知の事実である。
したがって、アノード１１とカソード１０間の容量測定
を全数実施して、上述の不具合の発生に対して除去する
必要があるが、実際に容量全ａ測定は時間と手間がかか
り、デバイス作成上、コスト的に得策ではない。
を全数実施して、上述の不具合の発生に対して除去する
必要があるが、実際に容量全ａ測定は時間と手間がかか
り、デバイス作成上、コスト的に得策ではない。
しかし、この発明の構造によれば、コンタクトホール６
によって金属遮光膜７は、ｎ−−ＩｎＰ窓層４と電気的
に導通しているため、上述の不具合が起こった場合でも
、１ノード１１は金属遮光膜７．ｎ−−ＩｎＰ窓層４．
ｎ−−Ｉ ｎＧ ａＡｓ光吸収層３．ｎ−ＩｎＰバッフ
−ｒ層２．ｎ”−ＩｎＰ基板１を介してカソード１０と
、同一導電型で導通しているため、上述の不具合がない
場合の電圧・電流特性と大きな違いが見られ、電圧・電
流特性検査の段階で発見して除去することが可能であり
、従来の検査フローで簡単に検出除去することが可能で
ある。
によって金属遮光膜７は、ｎ−−ＩｎＰ窓層４と電気的
に導通しているため、上述の不具合が起こった場合でも
、１ノード１１は金属遮光膜７．ｎ−−ＩｎＰ窓層４．
ｎ−−Ｉ ｎＧ ａＡｓ光吸収層３．ｎ−ＩｎＰバッフ
−ｒ層２．ｎ”−ＩｎＰ基板１を介してカソード１０と
、同一導電型で導通しているため、上述の不具合がない
場合の電圧・電流特性と大きな違いが見られ、電圧・電
流特性検査の段階で発見して除去することが可能であり
、従来の検査フローで簡単に検出除去することが可能で
ある。
この発明は以上説明したとおり、第１の導電型を有する
ＩｎＰ基板と、このＩｎＰ基板上に直接、もしくは第１
の導電型を有するＩｎＰｎツバ９フフ 動作用のＩｎＧａＡｓ光吸収層と、とのＩｎＧａＡｓ光
吸収層上に積層された第１の導電型を有するＩｎＰ窓層
と、このＩｎＰ窓層上の一部から少なくともＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層に達するように形成された第２の導電型を有
する導電型反転領域と、この導電型反転領域上の窓部分
およびＩｎＰ窓層上の窓部分を除いてＩｎＰ窓層上に形
成された表面保３！膜と、導電型反転領域と電気的に導
通する第１の電極と、この第１の電極と電気的に絶縁。
ＩｎＰ基板と、このＩｎＰ基板上に直接、もしくは第１
の導電型を有するＩｎＰｎツバ９フフ 動作用のＩｎＧａＡｓ光吸収層と、とのＩｎＧａＡｓ光
吸収層上に積層された第１の導電型を有するＩｎＰ窓層
と、このＩｎＰ窓層上の一部から少なくともＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層に達するように形成された第２の導電型を有
する導電型反転領域と、この導電型反転領域上の窓部分
およびＩｎＰ窓層上の窓部分を除いてＩｎＰ窓層上に形
成された表面保３！膜と、導電型反転領域と電気的に導
通する第１の電極と、この第１の電極と電気的に絶縁。
分離して、少なくとも導電型反転領域が形成されていな
いＩｎＰ窓層上に表面保護膜を介して形成され、かつＩ
ｎＰ窓層と電気的に導通する金属遮光膜と、ＩｎＰ基板
と電気的に導通する第２の電極とで構成したので、空間
的に広がって入射する光に対しても、受光部となる導電
型反転領域以外の領域には光が入射せず、受光部以外の
領域で時間的に遅れて作用するキャリアの発生がないた
め、高速応答が可能になるという効果があるほか、工程
中に発生する異物，パターン欠陥，ワイヤボンド位置不
具合等の原因によって第１の電極と、金属遮光膜が電気
的に導通する不具合が発生した場合でも時間的に容易な
電圧・電流特性検査の段階で除去でき、製造コストが増
加することもない。
いＩｎＰ窓層上に表面保護膜を介して形成され、かつＩ
ｎＰ窓層と電気的に導通する金属遮光膜と、ＩｎＰ基板
と電気的に導通する第２の電極とで構成したので、空間
的に広がって入射する光に対しても、受光部となる導電
型反転領域以外の領域には光が入射せず、受光部以外の
領域で時間的に遅れて作用するキャリアの発生がないた
め、高速応答が可能になるという効果があるほか、工程
中に発生する異物，パターン欠陥，ワイヤボンド位置不
具合等の原因によって第１の電極と、金属遮光膜が電気
的に導通する不具合が発生した場合でも時間的に容易な
電圧・電流特性検査の段階で除去でき、製造コストが増
加することもない。
第１図はこの発明の半導体受光素子の一実施例の構成を
示す図、第２図は従来の半導体受光素子の一例の構造を
示す図、第３図は入射光と検出電流の関係を示す図であ
る。 図ニオイテ、１はｎ”−ＩｎＰ基板、２はｎ−ＩｎＰｎ
ツバ９フフ 収層、３ａは空乏層、４はｎ−−ＩｎＰ窓層、５はｐ＋
領領域６はコンタクトホール、７は金属遮光膜、１０は
カソード、１１はアノード、２０は表面保護膜、４０は
入射光、５０は電子、５１はホールである。 なお、 各図中の同一符号は同一または相当部分を小す。
示す図、第２図は従来の半導体受光素子の一例の構造を
示す図、第３図は入射光と検出電流の関係を示す図であ
る。 図ニオイテ、１はｎ”−ＩｎＰ基板、２はｎ−ＩｎＰｎ
ツバ９フフ 収層、３ａは空乏層、４はｎ−−ＩｎＰ窓層、５はｐ＋
領領域６はコンタクトホール、７は金属遮光膜、１０は
カソード、１１はアノード、２０は表面保護膜、４０は
入射光、５０は電子、５１はホールである。 なお、 各図中の同一符号は同一または相当部分を小す。
Claims (1)
- 第１の導電型を有するＩｎＰ基板と、このＩｎＰ基板上
に直接、もしくは第１の導電型を有するＩｎＰバッファ
層を介して積層された第１の導電型を有する光吸収動作
用のＩｎＧａＡｓ光吸収層と、このＩｎＧａＡｓ光吸収
層上に積層された第１の導電型を有するＩｎＰ窓層と、
このＩｎＰ窓層上の一部から少なくとも前記ＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層に達するように形成された第２の導電型を有
する導電型反転領域と、この導電型反転領域上の窓部分
および前記ＩｎＰ窓層上の窓部分を除いて前記ＩｎＰ窓
層上に形成された表面保護膜と、前記導電型反転領域と
電気的に導通する第１の電極と、この第１の電極と電気
的に絶縁、分離して、少なくとも前記導電型反転領域が
形成されていない前記ＩｎＰ窓層上に前記表面保護膜を
介して形成され、かつ前記ＩｎＰ窓層と電気的に導通す
る金属遮光膜と、前記ＩｎＰ基板と電気的に導通する第
２の電極とで構成したことを特徴とする半導体受光素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173351A JPH0338070A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173351A JPH0338070A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0338070A true JPH0338070A (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=15958806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1173351A Pending JPH0338070A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0338070A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12017374B2 (en) | 2016-12-27 | 2024-06-25 | Hangzhou Great Star Industrial Co., Ltd. | Blade-replaceable cutting tool |
| US12257730B2 (en) | 2016-12-27 | 2025-03-25 | Hangzhou Great Star Industrial Co., Ltd. | Blade-replaceable cutting tool |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51138185A (en) * | 1975-05-26 | 1976-11-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semi-conductor device |
| JPS61199677A (ja) * | 1985-03-01 | 1986-09-04 | Shimadzu Corp | Ｐｉｎフオトダイオ−ド |
| JPS6423580A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | Fujitsu Ltd | Semiconductor photodetector device |
-
1989
- 1989-07-04 JP JP1173351A patent/JPH0338070A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| US12017374B2 (en) | 2016-12-27 | 2024-06-25 | Hangzhou Great Star Industrial Co., Ltd. | Blade-replaceable cutting tool |
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