JPH033931B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH033931B2 JPH033931B2 JP58202026A JP20202683A JPH033931B2 JP H033931 B2 JPH033931 B2 JP H033931B2 JP 58202026 A JP58202026 A JP 58202026A JP 20202683 A JP20202683 A JP 20202683A JP H033931 B2 JPH033931 B2 JP H033931B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- semiconductor device
- coating
- glass powder
- dielectric constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
本発明は、半導体装置に対するガラス膜の被覆
方法に関する。 周知のように、半導体装置の表面安定化の１つ
の手段としてガラス被覆によるパシベーシヨンが
あり、その被覆方法として遠心分離沈降法、印刷
法、ドクターブレード法、スピーナー法、電気泳
動法等があげられるが、半導体装置の所定の場
所、例えばメサ型装置のメサ溝のみにガラス膜を
均一に付着するには、電気泳動法が最も優れてい
る。 一般に電気泳動法では、イソプロピルアルコー
ルやアセトン等の分散媒の液中に電解質として
NH3ガスやNH4OHを使用するが、この方法によ
るとZnO−B2O3−SiO2系の亜鉛系ガラスにおい
ては良好な付着を得ることが出来るが、亜鉛系ガ
ラスに比べて耐薬品性に優れたPbO−B2O3−
SiO2−Al2O3系や、PbO−SiO2−Al2O3系の鉛系
ガラスには不適合、即ち、ガラスが所定の場所に
付着しても流れ出すランニング現象を起こした
り、また、所定面以外に付着して使用に耐えうる
ものではなかつた。そのため従来では、鉛系ガラ
スを半導体装置に被覆する場合、遠心分離沈降法
や印刷法等で半導体装置の全面にガラスを付着さ
せ、焼成後にフオトレジストで選択的にエツチン
グしてガラスを除去するという煩雑な方法に頼つ
ていた。 本発明は上記従来の問題点を解決し、耐薬品性
に優れた鉛系ガラスにおいてもランニング現象が
起こらず、且つ所定面以外に付着しない電気泳動
法による半導体装置のガラス被覆方法を提供する
ものである。 本発明の半導体装置のガラス被覆方法は電気泳
動法でガラス粉末を半導体装置の所定面に被覆す
るに当たり、誘電率を７〜12の調整したガラス粉
末分散媒の液に電解質及び界面活性剤を添加する
ことを特徴とする。 以下、本発明を更に詳細に説明する。 本発明によれば、分散媒の誘電率を鉛系ガラス
の誘電率の６〜８より少し高めの７〜12に調整す
ることによつてランニング現象をなくすことが可
能である。即ち、ガラス粉末のランニング現象に
最も強く影響するものは使用する分散媒の誘電率
に起因し、分散媒の誘電率とガラスの誘電率がほ
ぼ同一になるとガラス粉末が凝集して分散しなく
なり、逆に両者の誘電率の差が大きすぎると互い
の界面に出来る電位差が大となり、反発力が強く
なる結果、ガラス粉末が流れ出すランニング現象
がおこる。なお上記した範囲の誘電率を有する分
散媒は、例えばイソプロピルアルコール、アセト
ン、エチルアルコール、メチルアルコール、酢酸
エチル等を所定割合に混合することにより得られ
るが、特にイソプロピルアルコールを酢酸エチル
を混合して用いるのが好ましい。 さらに本発明の方法は、上述のように誘電率を
調整した分散媒に電解質及び界面活性剤を添加す
ることにより、所定面以外へのガラス粉末の付着
を防止することが可能である。 即ち、電解質はガラス粉末に電荷を帯びさせる
ものであり、電気特姓、特に信頼性の面から
NH3ガスやNH4OHを使用することが望ましい。
電解質の添加量は0.05〜0.1mol／の範囲が好ま
しく、この範囲以下では上記効果が発揮されず、
逆に多すぎると液のアルカリ度が強くなり、ガラ
ス粉末が沈降して分散媒の液の濃度が薄くなる。 また界面活性剤は、付着したガラス粉末同士の
接着力を高めると同時に、電解質によるガラス粉
末表面への帯電作用を促進させて電着の際の選択
性を向上させ、所定面以外への付着をなくすもの
である。界面活性剤の添加量は0.01〜0.1ｇ／
が好ましく、この範囲以下ではガラス粒子同士の
接着力が弱くなり、逆に多すぎると接着力が高ま
りすぎてガラス粉末の二次凝集が起こり、分散媒
の液の濃度が薄くなる。界面活性剤としてはポリ
オキシエチレンポリグリセリングリコールやポリ
オキシエチレンノニルフエノールエーテル等の非
イオン界面活性剤が適している。 下表は半導体装置のガラス被覆方法について本
発明方法と従来方法との電着条件の比較を示す。
同表に示す本発明方法の条件で、誘電率が8.0の
鉛系ガラス粉末をメサ型半導体装置に付着させた
のが第１図である。また比較のために同表に示し
た従来方法の条件で、上記鉛系ガラス粉末をメサ
型半導体装置に付着させたのが第２図である。図
中１１はメサ面、１２はガラス層、１３は酸化膜
を示す。
方法に関する。 周知のように、半導体装置の表面安定化の１つ
の手段としてガラス被覆によるパシベーシヨンが
あり、その被覆方法として遠心分離沈降法、印刷
法、ドクターブレード法、スピーナー法、電気泳
動法等があげられるが、半導体装置の所定の場
所、例えばメサ型装置のメサ溝のみにガラス膜を
均一に付着するには、電気泳動法が最も優れてい
る。 一般に電気泳動法では、イソプロピルアルコー
ルやアセトン等の分散媒の液中に電解質として
NH3ガスやNH4OHを使用するが、この方法によ
るとZnO−B2O3−SiO2系の亜鉛系ガラスにおい
ては良好な付着を得ることが出来るが、亜鉛系ガ
ラスに比べて耐薬品性に優れたPbO−B2O3−
SiO2−Al2O3系や、PbO−SiO2−Al2O3系の鉛系
ガラスには不適合、即ち、ガラスが所定の場所に
付着しても流れ出すランニング現象を起こした
り、また、所定面以外に付着して使用に耐えうる
ものではなかつた。そのため従来では、鉛系ガラ
スを半導体装置に被覆する場合、遠心分離沈降法
や印刷法等で半導体装置の全面にガラスを付着さ
せ、焼成後にフオトレジストで選択的にエツチン
グしてガラスを除去するという煩雑な方法に頼つ
ていた。 本発明は上記従来の問題点を解決し、耐薬品性
に優れた鉛系ガラスにおいてもランニング現象が
起こらず、且つ所定面以外に付着しない電気泳動
法による半導体装置のガラス被覆方法を提供する
ものである。 本発明の半導体装置のガラス被覆方法は電気泳
動法でガラス粉末を半導体装置の所定面に被覆す
るに当たり、誘電率を７〜12の調整したガラス粉
末分散媒の液に電解質及び界面活性剤を添加する
ことを特徴とする。 以下、本発明を更に詳細に説明する。 本発明によれば、分散媒の誘電率を鉛系ガラス
の誘電率の６〜８より少し高めの７〜12に調整す
ることによつてランニング現象をなくすことが可
能である。即ち、ガラス粉末のランニング現象に
最も強く影響するものは使用する分散媒の誘電率
に起因し、分散媒の誘電率とガラスの誘電率がほ
ぼ同一になるとガラス粉末が凝集して分散しなく
なり、逆に両者の誘電率の差が大きすぎると互い
の界面に出来る電位差が大となり、反発力が強く
なる結果、ガラス粉末が流れ出すランニング現象
がおこる。なお上記した範囲の誘電率を有する分
散媒は、例えばイソプロピルアルコール、アセト
ン、エチルアルコール、メチルアルコール、酢酸
エチル等を所定割合に混合することにより得られ
るが、特にイソプロピルアルコールを酢酸エチル
を混合して用いるのが好ましい。 さらに本発明の方法は、上述のように誘電率を
調整した分散媒に電解質及び界面活性剤を添加す
ることにより、所定面以外へのガラス粉末の付着
を防止することが可能である。 即ち、電解質はガラス粉末に電荷を帯びさせる
ものであり、電気特姓、特に信頼性の面から
NH3ガスやNH4OHを使用することが望ましい。
電解質の添加量は0.05〜0.1mol／の範囲が好ま
しく、この範囲以下では上記効果が発揮されず、
逆に多すぎると液のアルカリ度が強くなり、ガラ
ス粉末が沈降して分散媒の液の濃度が薄くなる。 また界面活性剤は、付着したガラス粉末同士の
接着力を高めると同時に、電解質によるガラス粉
末表面への帯電作用を促進させて電着の際の選択
性を向上させ、所定面以外への付着をなくすもの
である。界面活性剤の添加量は0.01〜0.1ｇ／
が好ましく、この範囲以下ではガラス粒子同士の
接着力が弱くなり、逆に多すぎると接着力が高ま
りすぎてガラス粉末の二次凝集が起こり、分散媒
の液の濃度が薄くなる。界面活性剤としてはポリ
オキシエチレンポリグリセリングリコールやポリ
オキシエチレンノニルフエノールエーテル等の非
イオン界面活性剤が適している。 下表は半導体装置のガラス被覆方法について本
発明方法と従来方法との電着条件の比較を示す。
同表に示す本発明方法の条件で、誘電率が8.0の
鉛系ガラス粉末をメサ型半導体装置に付着させた
のが第１図である。また比較のために同表に示し
た従来方法の条件で、上記鉛系ガラス粉末をメサ
型半導体装置に付着させたのが第２図である。図
中１１はメサ面、１２はガラス層、１３は酸化膜
を示す。
【表】
この図から明らかなように、本発明方法による
電着状況は従来方法のものと比較して極めて優れ
ており、鉛系ガラスを用いた場合でもランニング
現象が起こらず、且つ所定面以外に付着すること
もないので、不要部分のガラス除去作業を要せ
ず、耐薬品性、電気的特性に優れた半導体装置を
製造することができる。
電着状況は従来方法のものと比較して極めて優れ
ており、鉛系ガラスを用いた場合でもランニング
現象が起こらず、且つ所定面以外に付着すること
もないので、不要部分のガラス除去作業を要せ
ず、耐薬品性、電気的特性に優れた半導体装置を
製造することができる。
第１図は本発明方法によつて鉛系ガラス粉末を
付着した半導体装置の断面図、第２図は従来方法
によつて鉛系ガラス粉末を付着した半導体装置の
断面図である。 １１……メサ面、１２……ガラス粉末、１３…
…酸化膜。
付着した半導体装置の断面図、第２図は従来方法
によつて鉛系ガラス粉末を付着した半導体装置の
断面図である。 １１……メサ面、１２……ガラス粉末、１３…
…酸化膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電気泳動法でガラス粉末を半導体装置の所定
面に被覆するに当たり、誘電率を７〜12に調整し
たガラス粉末分散媒の液に電解質及び界面活性剤
を添加することを特徴とする半導体装置のガラス
被覆方法。 ２ 電解質としてNH3ガス又はNH4OHを0.05〜
0.1mol／使用する特許請求の範囲第１項記載
の半導体装置のガラス被覆方法。 ３ 界面活性剤が0.01〜0.1ｇ／添加される特
許請求の範囲第１項記載の半導体装置のガラス被
覆方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58202026A JPS6094729A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 半導体装置のガラス被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58202026A JPS6094729A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 半導体装置のガラス被覆方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6094729A JPS6094729A (ja) | 1985-05-27 |
| JPH033931B2 true JPH033931B2 (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=16450688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58202026A Granted JPS6094729A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 半導体装置のガラス被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6094729A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017134808A1 (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2018193554A1 (ja) * | 2017-04-19 | 2018-10-25 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-10-27 JP JP58202026A patent/JPS6094729A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017134808A1 (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2017135094A1 (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2018193554A1 (ja) * | 2017-04-19 | 2018-10-25 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6094729A (ja) | 1985-05-27 |
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