JPH034035Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、例えば、半導体基板を温度を変えて
加工する場合に好都合な半導体基板を載置する支
持具、いわゆる試料ホルダ−に関するものであ
る。

従来例の構成とその問題点 例えば、イオン注入装置で、口径の異なる半導
体基板を自在に設置して、試料の半導体基板の外
径寸法や厚みが異なつても、試料の装着操作の度
毎に試料ホルダ−を取替える不便さを除却する試
料ホルダ−として、第１図ａ，ｂの平面図、断面
図に示すものがある。

すなわち、第１図に示すように基体１の一方の
面に、くぼみ２を、その側部に径大な環状溝部３
をもたせて形成し、また、上記イオン注入操作時
において同基体１のひさし状の突出部４で支持し
て、試料５を保持することができるようになした
ものである。

しかし、この試料ホルダ−内で、半導体（たと
えば、シリコン）ウエハ５を高温で処理する場
合、同ウエハが酸化被膜で覆われたものであると
き上面を凹状に反り、そのウエハ外周部が反り上
つてくると、同外周部が基体１のひさし状の突出
部４に当たり、その応力で半導体ウエハにクラツ
クが生ずることが知られている。従つて、熱処理
される半導体ウエハ口径が５インチ乃至は６イン
チと大口径になるに従い、反りは無視できなくな
り、そのため、試料ホルダ−内で同ウエハが破損
を生ずる場合がある。

考案の目的 本考案はこの点を改善したものであり、高温に
おいててウエハの反りに合わせて追従変形する基
板支持具を提供するものである。

考案の構成 本考案は要約するに半導体基板を平面的に支持
する基体の一表面部に前記半導体基板の収容可能
なくぼみおよび同くぼみの周側部に径大な環状溝
部を設けると共に、同くぼみ側の表面に熱膨張率
の小さい物質の被層を設けて、加熱時に前記基体
の一表面側が凹状に湾曲可能になした基板支持具
であり、これにより半導体ウエハの加熱処理の際
の反りに合わせて、基板支持具自身を反らせるこ
とができ、したがつて、ウエハを破損させるよう
なこともなくなる。

実施例の説明 第２図ａ、ｂに本考案の構成による基板支持具
の平面図、断面図を示す。ポリシリコンを基材と
して整形した基板支持用の試料ホルダ−６の表面
に二酸化シリコン膜７をおおい、半導体基板８を
保持するためのくぼみ、および同試料８を支える
ためのひさし部分９を有する。第３図は、半導体
基板８をくぼみの中に載置して、この基板支持具
６を高温にて保持したとき反り状態を断面図で示
したものである。一例として被処理基板が、一方
の主面に二酸化シリコン被膜をもつ４インチ径の
シリコンウエハの場合、ポリシリコンによるホル
ダ−基体６と二酸化シリコン膜７との膜厚比を、
200乃至450対１に形成することにより被処理基板
８とホルダ−基体８との反り状態が合致できた。

なお、両者の反り状態は、被処理基板８の反り
が小さい場合も、ひさし部に当たることはほとん
どなく、損傷の機械はきわめて小さい。

考案の効果 本考案によると、種々の口径のウエハに応じた
ホルダ−、すなわち、基板支持具の基体のくぼみ
側の表面に熱膨張係数の小さい材料を形成するこ
とにより、表面二酸化シリコン被膜をもつシリコ
ンウエハを、通常のイオン注入処理後、この基板
支持具自体に載置したままで、高温処理を行なつ
ても、この被処理ウエハと同一の方向の反りを保
持することができるため、同ウエハを破損させる
こともない。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ，ｂは基板支持具の従来例の平面図、
断面図、第２図ａ，ｂは本考案実施例の平面図、
断面図、第３図は本考案実施例基板支持具の状態
断面図である。 ２……板状くぼみ部、６……基板支持具、７…
…酸化膜、８……半導体ウエハ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 半導体基板を平面的に支持する基体の一表面部
   に、前記半導体基板の収容支持可能なくぼみおよ
   び同くぼみの周側部に径大な環状溝部を設けると
   共に、同くぼみ側の表面に熱膨張率の小さい物質
   の被層を設けて、加熱時に前記基体の一表面側が
   凹状に湾曲可能になした基板支持具。