JPH0341461Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、半導体ウエーハを加熱する加熱装置
に関するものである。

従来の技術 半導体ウエーハを加熱する工程、例えばフオト
レジスト塗布後、半導体ウエーハの表面のフオト
レジスト膜中に残存する有機溶剤を除去するため
に行われるプリベーク工程では、第３図に示すよ
うな加熱装置を用いて半導体ウエーハの加熱を行
つている。即ち、フオトレジスト材を塗布して表
面にフオトレジスト膜を形成した半導体ウエーハ
Ｗをテーブル１上に載置し、このテーブル１の表
面に開口する負圧吸引孔２，２…により上記半導
体ウエーハＷをテーブル１上に密着状態で吸着保
持し、この状態でテーブル１に内蔵されたシーズ
ヒータ等の加熱手段３により、上記テーブル１を
介して上記半導体ウエーハＷを加熱している。

考案が解決しようとする問題点 上記第３図に示す従来の加熱装置は、半導体ウ
エーハＷをテーブル１上に吸着固定して加熱を行
うため、操業時間の経過と共にテーブル１表面に
付着するマイクロダストが増加し、このマイクロ
ダストが半導体ウエーハＷの裏面に付着したりキ
ズを付けることがある。特に、半導体ウエーハＷ
の裏面に付着したマイクロダストは、上記半導体
ウエーハＷをエツチング液や洗浄液等の薬液に浸
漬して薬液処理を行う場合、上記半導体ウエーハ
Ｗの裏面から薬液を媒介として表面側に付着する
ことがあり、このことは、半導体素子製造の歩留
まり低下の要因となると共に、近年における半導
体素子パターンの細密化に大きな障害となつてい
る。

そのため、上記の半導体ウエーハＷの加熱工程
において、半導体ウエーハＷの裏面へのマイクロ
ダストの付着を防止した加熱装置が要望されてい
る。

問題点を解決するための手段 本考案は、上記問題点に鑑みてなされたもの
で、加熱手段を内蔵したテーブルと、このテーブ
ルの上面に形成され、流体の噴出作用により半導
体ウエーハを非接触状態で浮上保持するベルヌー
イチヤツクと、上記ベルヌーイチヤツクに供給す
る流体を予め加熱する加熱機構を具備した加熱装
置である。

作 用 本考案に係る加熱装置は、ベルヌーイチヤツク
に加熱された流体を供給することにより、半導体
ウエーハを、テーブル上に非接触状態で保持し、
この状態で、上記の加熱された流体並びにテーブ
ルに内蔵された加熱手段により、上記半導体ウエ
ーハを加熱することができる。

実施例 第１図は、本考案に係る加熱装置の一実施例を
示すものである。

図面において、１０はテーブル、２０は上記テ
ーブル１０の表面に形成したベルヌーイチヤツ
ク、３０は上記テーブル１０に内蔵されたシーズ
ヒータ等の加熱手段、４０は、上記ベルヌーイチ
ヤツク２０に供給する流体の加熱機構を示す。

上記ベルヌーイチヤツク２０は、上記テーブル
１０の表面を略均一に窪ませた凹部２１と、この
凹部２１の底部略中央に開口する流体の噴出孔２
２とで構成され、上記凹部２１のテーブル１０上
面における開口は、上記半導体ウエーハＷより僅
かに大径に設定されている。そして、上記噴出孔
２２は、上記の加熱機構４０を介して図示しない
流体供給源に接続されている。

上記加熱機構４０は、上記流体供給源から圧送
される流体、例えばN₂ガス等の不活性ガスを所
定の温度まで加熱するためのもので、この加熱機
構４０の加熱手段としては、例えば前述のような
シーズヒータ等が利用される。

以下、上記加熱装置による半導体ウエーハの加
熱要領を説明する。尚、ここで加熱処理される半
導体ウエーハは、前述同様にフオトレジスト材を
表面に塗布した状態の半導体ウエーハとする。

先ず、図示しない流体供給源から加熱機構４０
を経て加熱昇温された不活性ガスを噴出孔２２か
ら噴射させ、上記の半導体ウエーハＷをテーブル
１０の凹部２１に配置させる。すると、この不活
性ガスは、上記凹部２１と半導体ウエーハＷ下面
との間を噴出孔２２を中心として放射状に流れ、
上記凹部２１の開口と半導体ウエーハＷの外周と
の間の隙間から放出される。従つて、上記半導体
ウエーハＷの下面に作用する不活性ガスの噴出圧
と、半導体ウエーハＷ重量及びその上面に作用す
る大気圧との平衡状態により、上記半導体ウエー
ハＷは、凹部２１内に非接触状態で浮上保持され
る。

この状態で、上記半導体ウエーハＷは、下面側
を流れる上記の予備加熱された不活性ガスにより
直接加熱されると共に、加熱手段３０によつて加
熱昇温されたテーブル１０からの輻射熱により加
熱される。

そして、上記半導体ウエーハＷの加熱処理が終
われば、半導体ウエーハＷを搬出し、後は、同様
にして未処理の半導体ウエーハＷに順次加熱処理
を繰り返せばよい。

尚、上記実施例において、不活性ガスの噴出孔
２２は、凹部２１の中心で垂直に不活性ガスを噴
出するものであるが、第２図に示すように、渦巻
状に複数個形成し、不活性ガスを周方向に回しな
がら中心から外周方向に拡がるように噴出される
ようにしてもよく、この場合には、ベルヌーイチ
ヤツク２０によつて非接触状態で浮上保持される
半導体ウエーハＷが上記の不活性ガスの流れによ
り回転させられるため、更に均一な加熱が可能と
なる。

また、テーブル１０の中央に設けた流体噴出孔
２２から噴出される予備加熱された不活性ガス
は、放射方向に拡がるにしたがつて温度が低下し
て、半導体ウエーハＷの温度ばらつきの原因とな
るので、テーブル１０に内蔵されたシーズヒータ
等の加熱手段３０は周辺部に近付く程高温加熱す
るようにしてもよい。

あるいは、流体噴出孔２２とは別に、テーブル
１０の凹部２１の周辺部に流体噴出孔を設けて、
この周辺部の流体噴出孔から噴出される不活性ガ
スの温度を、中央部の流体噴出孔２２から噴出さ
れる不活性ガスの温度より高くしてもよい。

更に、テーブル１０の上面の凹部２１の代りに
半導体ウエーハＷの位置決めピンを植設してもよ
い。

尚、本考案に係る加熱装置は、上記の如きプリ
ベーク工程に限らず、他の工程における半導体ウ
エーハの加熱処理に用いても差し支えない。

考案の効果 以上説明したように本考案に係る加熱装置は、
ベルヌーイチヤツクに加熱された流体を供給する
ことにより、半導体ウエーハを、テーブル上に非
接触状態で浮上保持し、この状態で、上記の加熱
された流体並びにテーブルに内蔵された加熱手段
により、上記半導体ウエーハを加熱するようにし
たので、半導体ウエーハへのマイクロダストの付
着並びに半導体ウエーハ裏面へのキズ付きが確実
に防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案に係る加熱装置の一実施例を
示す縦断側面図、第２図は上記加熱装置における
ベルヌーイチヤツクの流体噴出孔の形状変更例を
示す平面図である。第３図は在来の加熱装置を示
す縦断側面図である。 Ｗ……半導体ウエーハ、１０……テーブル、２
０……ベルヌーイチヤツク、２１……凹部、２２
……噴出孔（流体噴出孔）、３０……加熱手段、
４０……流体の加熱機構。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 加熱手段を内蔵したテーブルと、 上記テーブルの上面に形成され、流体の噴出作
   用により半導体ウエーハを非接触状態で浮上保持
   するベルヌーイチヤツクと、 上記ベルヌーイチヤツクに供給する流体を予め
   加熱する加熱機構を具備することを特徴とする加
   熱装置。