JPH0341720A - 半導体薄膜形成装置 - Google Patents
半導体薄膜形成装置Info
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- JPH0341720A JPH0341720A JP17649689A JP17649689A JPH0341720A JP H0341720 A JPH0341720 A JP H0341720A JP 17649689 A JP17649689 A JP 17649689A JP 17649689 A JP17649689 A JP 17649689A JP H0341720 A JPH0341720 A JP H0341720A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体薄膜を成長させる際に基板上に光を照
射し薄膜成長反応を促進することにより、部分的に厚い
、もしくは部分的にのみ成長した半導体薄膜を形成する
半導体薄膜形成装０に関する。
射し薄膜成長反応を促進することにより、部分的に厚い
、もしくは部分的にのみ成長した半導体薄膜を形成する
半導体薄膜形成装０に関する。
（従来の技術）
オプトエレクトロニクス用をはじめとした半導体素子の
高度化、高機能化に伴い、その作製プロセスは複雑化の
一途をたどっている。そのプロセスの簡易化のため、素
子構造の提案のみならず半導体薄膜製造プロセスの提案
もなされている。たとえばアブライドフィジックスレタ
ーズ（ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ
） ５４巻４号（１９８９年）３３５頁にあるように
、半導体薄膜を形成する際に、有機金属分子線エピタキ
シー（ＭＯＭＢＢ）装置内の半導体基板上に部分的に光
を照射することにより・半導体基板上の一部に選択的に
半導体′Ｆｙｉ膜を形成する技術が開発されている０例
えば、この薄膜成長方法において１本のレーザビームを
ビームスプリッタを用いて２本に分け、これで基板上の
１ケ所を照射することにより照射部に縞状の光強度分布
を持ったパターンを得ることができる。このパターンを
照射しなから′ａ膜成長を行うことにより基板上に成長
した回折格子を得ることができる。
高度化、高機能化に伴い、その作製プロセスは複雑化の
一途をたどっている。そのプロセスの簡易化のため、素
子構造の提案のみならず半導体薄膜製造プロセスの提案
もなされている。たとえばアブライドフィジックスレタ
ーズ（ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ
） ５４巻４号（１９８９年）３３５頁にあるように
、半導体薄膜を形成する際に、有機金属分子線エピタキ
シー（ＭＯＭＢＢ）装置内の半導体基板上に部分的に光
を照射することにより・半導体基板上の一部に選択的に
半導体′Ｆｙｉ膜を形成する技術が開発されている０例
えば、この薄膜成長方法において１本のレーザビームを
ビームスプリッタを用いて２本に分け、これで基板上の
１ケ所を照射することにより照射部に縞状の光強度分布
を持ったパターンを得ることができる。このパターンを
照射しなから′ａ膜成長を行うことにより基板上に成長
した回折格子を得ることができる。
（発明が解決しようとする課題）
この半導体薄膜形成方法を用いて部分的に成長したｙｉ
膜の厚さを制御するためには、成長時間を計ることによ
って行っていた。すなわち、成長温度および原料の供給
量を一定としたとき単位時間に成長する薄膜の厚さは一
定となるため、あらかじめその関係を測定しておき、成
長時間を計ることにより制御していた。しかるに、選択
的な成長速度は成長温度依存性が大きく、成長温度のゆ
らぎにより大きく変化していた。また選択的な成長速度
は原料の供給量にも依存しており、供給量のゆらぎの割
合と同等の割合でゆらいでいた。そのため、従来の方法
では成長時間を一定としても、部分的に成長した薄膜の
厚さばｌＯ％程度のゆらぎがあった。
膜の厚さを制御するためには、成長時間を計ることによ
って行っていた。すなわち、成長温度および原料の供給
量を一定としたとき単位時間に成長する薄膜の厚さは一
定となるため、あらかじめその関係を測定しておき、成
長時間を計ることにより制御していた。しかるに、選択
的な成長速度は成長温度依存性が大きく、成長温度のゆ
らぎにより大きく変化していた。また選択的な成長速度
は原料の供給量にも依存しており、供給量のゆらぎの割
合と同等の割合でゆらいでいた。そのため、従来の方法
では成長時間を一定としても、部分的に成長した薄膜の
厚さばｌＯ％程度のゆらぎがあった。
（発明の目的）
本発明は上記の欠点を改善するために提案されたもので
、その目的は・、半導体基板に光を照射しながら半導体
薄膜を選択的に成長させる装置において、ＭＯＭＢＥ装
置内の基板に部分的に成長したｙｔ膜の厚さを、成長と
同時に測定することにより正確に制御することを目的と
する。
、その目的は・、半導体基板に光を照射しながら半導体
薄膜を選択的に成長させる装置において、ＭＯＭＢＥ装
置内の基板に部分的に成長したｙｔ膜の厚さを、成長と
同時に測定することにより正確に制御することを目的と
する。
（課題を解決するための手段）
上記の目的を遠戚するため、本発明は有機金属分子線エ
ピタキシー装置と、前記有機金属分子線エピタキシー装
置内の基板を照射するための第一のレーザー光学系とを
具備した半導体薄膜形成装置において、前記装置内の基
板に第一のレーザー光照射部分を照射する手段と、反射
光を測定する手段を具備し、かつ前記装置の第一のレー
ザー光が回折される位置に窓、および前記装置の外部に
光強度を測定する手段を設置したことを特徴とする半導
体薄膜形成装置を発明の要旨とするものである。
ピタキシー装置と、前記有機金属分子線エピタキシー装
置内の基板を照射するための第一のレーザー光学系とを
具備した半導体薄膜形成装置において、前記装置内の基
板に第一のレーザー光照射部分を照射する手段と、反射
光を測定する手段を具備し、かつ前記装置の第一のレー
ザー光が回折される位置に窓、および前記装置の外部に
光強度を測定する手段を設置したことを特徴とする半導
体薄膜形成装置を発明の要旨とするものである。
（作用）
本発明は、半導体基板に光を照射しながら半導体薄膜を
選択的に成長させるＭＯＭＢＥ装置において、選択的に
成長すると同時に、選択的に成長した部分に光を照射し
ながら反射光や散乱光または回折光を測定することによ
って、薄膜の厚さを成長と同時に測定することにより、
厚さを正確に制御可能とすることができる。
選択的に成長させるＭＯＭＢＥ装置において、選択的に
成長すると同時に、選択的に成長した部分に光を照射し
ながら反射光や散乱光または回折光を測定することによ
って、薄膜の厚さを成長と同時に測定することにより、
厚さを正確に制御可能とすることができる。
（実施例）
次に本発明の実施例について説明する。なお実施例は一
つの例示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で、
種々の変更があるいは改良を行いうることは言うまでも
ない。
つの例示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で、
種々の変更があるいは改良を行いうることは言うまでも
ない。
第１図は本発明の半導体薄膜形成装置の一実施例の概略
図を示す。
図を示す。
図において、１は基板、２および２′は窓、３は回折光
、４は成長室、５は第一のレーザビーム、６は光パワー
メータである。成長室４中の基板ｌ上の同一点に、窓２
．２′より各々１本の第一のレーザビーム５を照射しな
がら金属砒素、アリシンホスフィン トリエチルガリウ
ム、トリメチルインジウム等を供給し、成長を行う、こ
れにより第一のレーザビーム５を照射した部位に選択的
に回折格子が成長する。第一のレーザビーム５としては
例えばアルゴンイオンレーザ（波長５１４．５ｎｓ）を
用いる。第一のレーザビーム５は回折格子が成長するに
従い、成長した回折格子により回折され回折光３が得ら
れる。この回折光３を窓２゛の外部に設置した光パワー
メータ６で測定する０選択的に成長した回折格子により
回折された回折光３の強度は選択的に成長した回折格子
の高さに依存する。
、４は成長室、５は第一のレーザビーム、６は光パワー
メータである。成長室４中の基板ｌ上の同一点に、窓２
．２′より各々１本の第一のレーザビーム５を照射しな
がら金属砒素、アリシンホスフィン トリエチルガリウ
ム、トリメチルインジウム等を供給し、成長を行う、こ
れにより第一のレーザビーム５を照射した部位に選択的
に回折格子が成長する。第一のレーザビーム５としては
例えばアルゴンイオンレーザ（波長５１４．５ｎｓ）を
用いる。第一のレーザビーム５は回折格子が成長するに
従い、成長した回折格子により回折され回折光３が得ら
れる。この回折光３を窓２゛の外部に設置した光パワー
メータ６で測定する０選択的に成長した回折格子により
回折された回折光３の強度は選択的に成長した回折格子
の高さに依存する。
第２図は成長した回折格子の高さと、第一のレーザビー
ムが回折格子により回折された回折光相対強度（全回折
光強度に対する）の関係を示す。
ムが回折格子により回折された回折光相対強度（全回折
光強度に対する）の関係を示す。
第２図に示した光強度で成長を終了することにより希望
の高さの回折格子を得ることが可能である。
の高さの回折格子を得ることが可能である。
この第１図の装置によれば、他の光源を必要とせず、デ
テクタ（光パワーメータ）のみで、目的を達成すること
ができる。
テクタ（光パワーメータ）のみで、目的を達成すること
ができる。
第３図は本発明の他の実施例の概略図を示す。
図において、ｌは基板、２および２゛は窓、４は成長室
、５は第一のレーザビーム、６は光パワーメータ、７は
第二のレーザビーム、８は０次の回折光、９はハーフミ
ラ−である。成長室４中の基板１上の同一点に、窓２．
２゛より各々１本の第一のレーザビーム５を照射しなが
ら、金属砒素、アリシン ホスフィン、トリエチルガリ
ウム、トリメチルインジウム等を供給し、成長を行う。
、５は第一のレーザビーム、６は光パワーメータ、７は
第二のレーザビーム、８は０次の回折光、９はハーフミ
ラ−である。成長室４中の基板１上の同一点に、窓２．
２゛より各々１本の第一のレーザビーム５を照射しなが
ら、金属砒素、アリシン ホスフィン、トリエチルガリ
ウム、トリメチルインジウム等を供給し、成長を行う。
これにより第一のレーザビーム５を照射した部位に、選
択的に回折格子が成長する。第一のレーザビーム５とし
ては例えばアルゴンイオンレーザ（波長５１４．５ ｎ
ｍ）を用いる。この回折格子に窓２より第二のレーザビ
ーム７を照射する。第二のレーザビーム７としては例え
ばヘリウムネオンレーザを用いることができる。第二の
レーザビーム７は回折格子が成長するに従い、成長した
回折格子により回折される。そのため０次の回折光８の
強度は選択的に成長した回折格子の高さに依存する。こ
の回折光８を必要であればハーフミラ−９で反射し、窓
２の外部に設置した光パワーメータ６で測定する。
択的に回折格子が成長する。第一のレーザビーム５とし
ては例えばアルゴンイオンレーザ（波長５１４．５ ｎ
ｍ）を用いる。この回折格子に窓２より第二のレーザビ
ーム７を照射する。第二のレーザビーム７としては例え
ばヘリウムネオンレーザを用いることができる。第二の
レーザビーム７は回折格子が成長するに従い、成長した
回折格子により回折される。そのため０次の回折光８の
強度は選択的に成長した回折格子の高さに依存する。こ
の回折光８を必要であればハーフミラ−９で反射し、窓
２の外部に設置した光パワーメータ６で測定する。
第４図は成長した回折格子の高さと、第二のレーザビー
ムが回折格子により回゛折された０次の回折光相対強度
（回折格子が成長する前に対する）の関係を示す、第４
図に示した光強度によって成長を終了することがわかる
ので、希望の高さの回折格子を得ることが可能である。
ムが回折格子により回゛折された０次の回折光相対強度
（回折格子が成長する前に対する）の関係を示す、第４
図に示した光強度によって成長を終了することがわかる
ので、希望の高さの回折格子を得ることが可能である。
第３図の装置によれば、作製する回折格子のピンチに依
らず、反射光が同一点に得られる（第１図、第５図の装
置では回折格子のピッチが異なれば、得られる回折光の
位置も異なる）、この装置によれば、第１．第５図の装
置に比べて、約２倍の光強度変化が得られる。
らず、反射光が同一点に得られる（第１図、第５図の装
置では回折格子のピッチが異なれば、得られる回折光の
位置も異なる）、この装置によれば、第１．第５図の装
置に比べて、約２倍の光強度変化が得られる。
第５図は本発明の他の実施例の概略図を示す。
図において、１は基板、２および２゛は窓、４は成長室
、５は第一のレーザビーム、６は光パワーメータ、７は
第二のレーザビーム、１０は回折光、１１はレーザ光源
である。成長室４中の基板ｌ上の同一点に、窓２，２゛
より各々１本の第一のレーザビーム５を照射しながら金
属砒素、アリシン、ホスフィン、トリエチルガリウム、
トリメチルインジウム等を供給し、成長を行う。これに
より第一のレーザビーム５を照射した部位に、選択的に
回折格子が成長する。第一のレーザビーム５としては例
えばアルゴンイオンレーザ（波長５１４．５ ｎｍ）を
用いる。この回折格子に成長室４内に設置したレーザ光
源１１より第二のレーザビーム７を照射する。第二のレ
ーザビーム７の光源としては例えば＾ｌＧａＡｓ半導体
レーザを用いることができる。第二のレーザビーム７は
回折格子が成長するに従い、成長じた回折格子により回
折される。そのため回折光１０の強度は選択的に成長し
た回折格子の高さに依存する。この回折光１０を成長室
内に設置した光パワーメータ６で測定する。
、５は第一のレーザビーム、６は光パワーメータ、７は
第二のレーザビーム、１０は回折光、１１はレーザ光源
である。成長室４中の基板ｌ上の同一点に、窓２，２゛
より各々１本の第一のレーザビーム５を照射しながら金
属砒素、アリシン、ホスフィン、トリエチルガリウム、
トリメチルインジウム等を供給し、成長を行う。これに
より第一のレーザビーム５を照射した部位に、選択的に
回折格子が成長する。第一のレーザビーム５としては例
えばアルゴンイオンレーザ（波長５１４．５ ｎｍ）を
用いる。この回折格子に成長室４内に設置したレーザ光
源１１より第二のレーザビーム７を照射する。第二のレ
ーザビーム７の光源としては例えば＾ｌＧａＡｓ半導体
レーザを用いることができる。第二のレーザビーム７は
回折格子が成長するに従い、成長じた回折格子により回
折される。そのため回折光１０の強度は選択的に成長し
た回折格子の高さに依存する。この回折光１０を成長室
内に設置した光パワーメータ６で測定する。
第６図は成長した回折格子の高さと、第二のし−ザビー
ムが回折格子により回折された回折光相対強度（全回折
光強度に対する）の関係を示す。
ムが回折格子により回折された回折光相対強度（全回折
光強度に対する）の関係を示す。
第６図に示した光強度で成長を終了することにより希望
の高さの回折格子を得ることが可能である。
の高さの回折格子を得ることが可能である。
また光パワーメータ６としてフォトダイオードアレイを
用いることにより回折光の位置を測定可能であり、基板
１を成長室４から取り出すことなく回折格子のピッチを
測定可能である。
用いることにより回折光の位置を測定可能であり、基板
１を成長室４から取り出すことなく回折格子のピッチを
測定可能である。
第５図の装置によれば、成長室外側に測定のための光学
系を設ける必要が無く、同一の回折格子を多数作る場合
に適当である。
系を設ける必要が無く、同一の回折格子を多数作る場合
に適当である。
第７図は本発明の他の実施例の概略図を示す。
図において、１は基板、２および２′は窓、４は成長室
、５は第一のレーザビーム、６は光パワーメータ、１２
はチゴッパ、１３はロックインアンプである。成長室４
中の基板ｌ上に窓２よりチゴッパ１２でチョッピングし
た第一のレーザビーム５を照射しながら金属砒素、アリ
シン、ホスフィン、トリエチルガリウム、トリメチルイ
ンジウム等を供給し、成長を行う、これにより直径４０
０ｎの第一のレーザビーム５を照射した部位に選択的に
断面がガウス分布をした薄膜が成長する。第一のレーザ
ビーム５としては例えばアルゴンイオンレーザ（波長５
１４．５ ｎｍ）を用いる。第一のレーザビーム５は薄
膜が成長するに従い、成長した薄膜により散乱される。
、５は第一のレーザビーム、６は光パワーメータ、１２
はチゴッパ、１３はロックインアンプである。成長室４
中の基板ｌ上に窓２よりチゴッパ１２でチョッピングし
た第一のレーザビーム５を照射しながら金属砒素、アリ
シン、ホスフィン、トリエチルガリウム、トリメチルイ
ンジウム等を供給し、成長を行う、これにより直径４０
０ｎの第一のレーザビーム５を照射した部位に選択的に
断面がガウス分布をした薄膜が成長する。第一のレーザ
ビーム５としては例えばアルゴンイオンレーザ（波長５
１４．５ ｎｍ）を用いる。第一のレーザビーム５は薄
膜が成長するに従い、成長した薄膜により散乱される。
この散乱光を窓２゛の外部に設置した光パワーメータ６
で検出し、ロックインアンプ１３で増幅し、測定する。
で検出し、ロックインアンプ１３で増幅し、測定する。
選択的に成長した部分で散乱された光の強度は選択的に
成長した薄１漠の厚さに依存する。第８図は成長した薄
膜の厚さと、散乱された第一のレーザビームの光強度の
関係を示す、第８図に示した光強度で成長を終了するこ
とにより希望の厚さの薄膜を得ることが可能である。
成長した薄１漠の厚さに依存する。第８図は成長した薄
膜の厚さと、散乱された第一のレーザビームの光強度の
関係を示す、第８図に示した光強度で成長を終了するこ
とにより希望の厚さの薄膜を得ることが可能である。
（実施例工）
第１図に示した装置を用いＧａＡｓ回折格子を成長した
。第一のレーザビーム５としてはアルゴンイオンレーザ
（波長５１４．５ｎｍ）を用い、入射角３２．４度であ
った。２９度の方向に得られる１次の回折光を測定しな
がら成長を行った。、成長前に第一のレーザビーム５の
基板１により反射されたレーザビームのパワーを測定し
、１次の回折光が、この０．２２３％となるところで成
長を止め、１００ｎｍの高さの回折格子を成長したとこ
ろ３％以内のばらつきであった。
。第一のレーザビーム５としてはアルゴンイオンレーザ
（波長５１４．５ｎｍ）を用い、入射角３２．４度であ
った。２９度の方向に得られる１次の回折光を測定しな
がら成長を行った。、成長前に第一のレーザビーム５の
基板１により反射されたレーザビームのパワーを測定し
、１次の回折光が、この０．２２３％となるところで成
長を止め、１００ｎｍの高さの回折格子を成長したとこ
ろ３％以内のばらつきであった。
（実施例２）
第３図に示した装置を用いＩｎＰ回折格子を成長した。
第一のレーザビーム５としてはアルゴンイオンレーザ（
波長４８８ｎｍ ）を用い、入射角３０．５度であった
。ヘリウムネオンレーザを窓２より基板に垂直に入射し
０次の回折光８を測定しながら成長を行った。０次の反
射光８の強度が回折格子成長前の９９．５４４％となる
ところで成長をやめ、１１００ｎの高さの回折格子を成
長したところ２．５％以内のばらつきであった。
波長４８８ｎｍ ）を用い、入射角３０．５度であった
。ヘリウムネオンレーザを窓２より基板に垂直に入射し
０次の回折光８を測定しながら成長を行った。０次の反
射光８の強度が回折格子成長前の９９．５４４％となる
ところで成長をやめ、１１００ｎの高さの回折格子を成
長したところ２．５％以内のばらつきであった。
（実施例３）
第５図に示した装置を用いＧａＡｓ回折格子を成長した
。第一のレーザビーム５としてはアルゴンイオンレーザ
（波長５１４．５ｎｍ）を用い、入射角３２．４度であ
った。これに成長室４内に設置したＡｌＧａＡｓ半導体
レーザを用いて入射角５３度で第二のレーザビーム７を
入射し、５４．４度の方向に得られる１次の回折光を測
定しながら成長を行った。第二のレーザビーム７の強度
にＧａＡｓの反射率をかけた値に対し０．２２８％とな
るところで成長をやめ、１００ｎｍの回折格子を成長し
たところ３％以内のばらつきであった。
。第一のレーザビーム５としてはアルゴンイオンレーザ
（波長５１４．５ｎｍ）を用い、入射角３２．４度であ
った。これに成長室４内に設置したＡｌＧａＡｓ半導体
レーザを用いて入射角５３度で第二のレーザビーム７を
入射し、５４．４度の方向に得られる１次の回折光を測
定しながら成長を行った。第二のレーザビーム７の強度
にＧａＡｓの反射率をかけた値に対し０．２２８％とな
るところで成長をやめ、１００ｎｍの回折格子を成長し
たところ３％以内のばらつきであった。
（実施例４）
第７図に示した装置を用いスポット状のＧａＡｓ薄膜を
成長した。第一のレーザビーム５としてはアルゴンイオ
ンレーザ（波長５１４．５ｎｍ）を用いた。これの散乱
光をシリコンフォトディテクタで検出しながら成長を行
った。第８図をもとに選択成長を行ったところ薄膜の厚
さは３％以内のばらつきであった。
成長した。第一のレーザビーム５としてはアルゴンイオ
ンレーザ（波長５１４．５ｎｍ）を用いた。これの散乱
光をシリコンフォトディテクタで検出しながら成長を行
った。第８図をもとに選択成長を行ったところ薄膜の厚
さは３％以内のばらつきであった。
（発明の効果）
以上説明したように、半導体基板に光を照射しながら半
導体薄膜を選択的に成長させるＭＯＭＢＥ装置において
、装置、内の基板にレーザー光照射部分を照射する手段
と、反射光を測定する手段を設けたことによってＭＯＭ
ＢＥ装置内で成長と同４ 時にｙＩ膜の厚さを測定することができる。特にＤＦＢ
、ＤＢＲレーザに必須のグレーティングの高さを精度良
く成長することができる。
導体薄膜を選択的に成長させるＭＯＭＢＥ装置において
、装置、内の基板にレーザー光照射部分を照射する手段
と、反射光を測定する手段を設けたことによってＭＯＭ
ＢＥ装置内で成長と同４ 時にｙＩ膜の厚さを測定することができる。特にＤＦＢ
、ＤＢＲレーザに必須のグレーティングの高さを精度良
く成長することができる。
したがって、ＩｎＰ系やＧａＡｓ系のホモエピタキシャ
ルに有用であるばかりでなく、シリコン上に化合物半導
体を成長するヘテロエビなどにも有用である。
ルに有用であるばかりでなく、シリコン上に化合物半導
体を成長するヘテロエビなどにも有用である。
第１図は本発明の半導体薄膜形成装置の一実施例の概略
図、第２図は回折格子の高さと回折光強度の関係、第３
図は本発明の他の実施例の概略図、第４図は回折格子の
高さと回折光強度の関係、第５図は本発明の他の実施例
の概略図、第６図は回折格子の高さと回折光強度の関係
、第７図は本発明の他の実施例の概略図、第８図はスポ
ット状の薄膜の厚さと散乱光強度の関係を示す。 １・・・・基板 ２・・・・窓 ３・・・・回折光 ４・・・・成長室 ・第一のレーザビーム 光パワーメータ ・第二のレーザビーム ・０次と回折光 ・ハーフミラ− ・回折光 ・レーザ光源 ・チッッパ ・ロックインアンプ 第 ］ 図 第 図 回＃ｒｓ−壬高□ ｎｍｌ 第 図 第４ 図 回竹絡千高乏 （口ｍ） 第 ５ 図 第６ 図 回判〕１壬高さ ＋ｎｍｌ 第 図 第 ８図 又ボットのｌ２（、μ１．ＰＬ）
図、第２図は回折格子の高さと回折光強度の関係、第３
図は本発明の他の実施例の概略図、第４図は回折格子の
高さと回折光強度の関係、第５図は本発明の他の実施例
の概略図、第６図は回折格子の高さと回折光強度の関係
、第７図は本発明の他の実施例の概略図、第８図はスポ
ット状の薄膜の厚さと散乱光強度の関係を示す。 １・・・・基板 ２・・・・窓 ３・・・・回折光 ４・・・・成長室 ・第一のレーザビーム 光パワーメータ ・第二のレーザビーム ・０次と回折光 ・ハーフミラ− ・回折光 ・レーザ光源 ・チッッパ ・ロックインアンプ 第 ］ 図 第 図 回＃ｒｓ−壬高□ ｎｍｌ 第 図 第４ 図 回竹絡千高乏 （口ｍ） 第 ５ 図 第６ 図 回判〕１壬高さ ＋ｎｍｌ 第 図 第 ８図 又ボットのｌ２（、μ１．ＰＬ）
Claims (4)
- （１）有機金属分子線エピタキシー装置と、前記有機金
属分子線エピタキシー装置内の基板を照射するための第
一のレーザー光学系とを具備した半導体薄膜形成装置に
おいて、前記装置内の基板に第一のレーザー光照射部分
を照射する手段と、反射光を測定する手段を具備し、か
つ前記装置の第一のレーザー光が回折される位置に窓、
および前記装置の外部に光強度を測定する手段を設置し
たことを特徴とする半導体薄膜形成装置。 - （２）有機金属分子線エピタキシー装置と、前記有機金
属分子線エピタキシー装置内の基板を照射するための第
一のレーザー光学系とを具備した半導体薄膜形成装置に
おいて、前記装置内の基板に第一のレーザー光照射部分
を照射する手段と、反射光を測定する手段を具備し、か
つ第一のレーザー光照射部分を照射するために、前記装
置に設置された窓、および前記装置の外部に設置された
第二のレーザー光源と、前記第二のレーザー光が反射さ
れる位置に設置された窓、および前記装置外部に前記第
二のレーザー光の光強度を測定する手段を具備したこと
を特徴とする半導体薄膜形成装置。 - （３）有機金属分子線エピタキシー装置と、前記有機金
属分子線エピタキシー装置内の基板を照射するための第
一のレーザー光学系とを具備した半導体薄膜形成装置に
おいて、前記装置内の基板に第一のレーザー光照射部分
を照射する手段と、反射光を測定する手段を具備し、か
つ第一のレーザー光照射部分を照射するため、装置内部
に設置された第二のレーザー光源と、前記装置内部の第
二のレーザー光が回折される位置に設置された第二の光
源の光強度を測定する手段を具備したことを特徴とする
半導体薄膜形成装置。 - （４）有機金属分子線エピタキシー装置と、前記有機金
属分子線エピタキシー装置内の基板を照射するための第
一のレーザー光学系とを具備した半導体薄膜形成装置に
おいて、前記装置内の基板に第一のレーザー光照射部分
を照射する手段と、反射光を測定する手段を具備し、か
つ前記装置の第一のレーザー光が散乱される位置に窓、
および前記装置外部に光強度を測定する手段を具備した
ことを特徴とする半導体薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17649689A JPH0341720A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 半導体薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17649689A JPH0341720A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 半導体薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0341720A true JPH0341720A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=16014676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17649689A Pending JPH0341720A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 半導体薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0341720A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152221A (ja) * | 1991-11-30 | 1993-06-18 | Res Dev Corp Of Japan | 半導体結晶のエピタキシヤル成長方法 |
| EP0632494A3 (en) * | 1993-06-07 | 1995-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | Method for determining epitaxial layers and test structure for process characterization. |
| CN103972393A (zh) * | 2013-02-06 | 2014-08-06 | 阮伸 | 一种微型天然有机膜光电转换器件 |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP17649689A patent/JPH0341720A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152221A (ja) * | 1991-11-30 | 1993-06-18 | Res Dev Corp Of Japan | 半導体結晶のエピタキシヤル成長方法 |
| EP0632494A3 (en) * | 1993-06-07 | 1995-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | Method for determining epitaxial layers and test structure for process characterization. |
| CN103972393A (zh) * | 2013-02-06 | 2014-08-06 | 阮伸 | 一种微型天然有机膜光电转换器件 |
| CN103972393B (zh) * | 2013-02-06 | 2016-12-28 | 阮伸 | 一种微型天然有机膜光电转换器件 |
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