JPH0343932A - 電子放射装置 - Google Patents

電子放射装置

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JPH0343932A
JPH0343932A JP1178707A JP17870789A JPH0343932A JP H0343932 A JPH0343932 A JP H0343932A JP 1178707 A JP1178707 A JP 1178707A JP 17870789 A JP17870789 A JP 17870789A JP H0343932 A JPH0343932 A JP H0343932A
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JP
Japan
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film
electron emitting
resistor film
reducing
reducing member
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JP1178707A
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English (en)
Inventor
Susumu Hoshinouchi
星之内 進
Noriko Morita
森田 訓子
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Priority to DE69016235T priority patent/DE69016235T2/de
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、ブラウン管用の電子銃等の1000 ’C
程度の高温で効率良く電子を放射する積層型の電子放射
装置の構造に関する。
[従来の技術] 従来、カソード材層のようム電子放射装置を平面積層型
で製造する場合、閂えば、特公昭55−24846号公
報に記載されているように、スクリーン印刷等のいわゆ
る厚膜回路形成技術を用いて製造されていた。第2図は
このようにして製造された従来の電子放射装置を示す断
面構成図である。まず、七うミソクス基板(10)を横
取する原材料を用意し、ロール間を通す押し出し法、あ
るいはキャスティング法の印刷技術によってンート上に
所望のパタノ形状の発熱体層(11)を形成し、この発
熱体層(11)を形成した基板(10)上に絶縁体〈1
2)を形成し、さらに、この絶縁体り12〉上に、同様
々印刷手法によって、 カソード材層(13〉、 カッ
−トリー1・層〈14)、ヘースメタル層(15〉を形
成し、電子放射装置を形成する。これらの発熱体層(1
1)をはじめとする各層は各材料に焼成助剤を添加した
ペースI・を、基板(10〉上に次々と重ねてスクリー
ン印刷して形成される。スクリーン印刷1麦、高温(1
000〜2000°C)で焼成され、電子放射装置が形
成される。
この方法では、製造時に高温処理過程が入るのでヒータ
をこの処理7m度以下で使用する場合、抵抗の経時変化
が小さい等のヒータとしての高温長期安定性か期待され
、同時にカソードも高温長期安定性が期待されていた。
しかし、スクリーン印刷によって得られるパターン精度
は低く、しかも発熱体の厚さ制御(薄型化)が困難ムた
め、消費電力が大きく、しかも複数のヒータ間では抵抗
のはらつきが大きいので、カソードの電子放射も大きく
ばらつき、信頼性に欠けるものであった。そのため、精
度良くパターンの形成ができる手法としてPVDやCV
Dによる成膜法の開発が進められていた。
第3図に薄膜形成法による従来の電子放射装置を示す。
まず、平滑な七うミンクス基板上〈lO〉上にヒータ用
の抵抗体く発熱体)膜<17)を、そして反対(11]
にベースメタル用(還元部材)膜(18〉を−様に形成
し、次にエツチングにより所望のヒータパターン、カソ
ード用パターンを形成し、ベースメタル用膜の上に電子
放射部材(19)を塗布し、方これにヒータ側にはリー
ド線(20〉を接合するという手法で電子放射装置を実
現していた。
[発明か解決しようとする課題] 以上のよう/、l:成膜法による電子放射装置はIJ−
ド線に電圧を印加してヒータを加熱し、さらにセラミ・
・ノクス基板〈lO)を介してカッ−Fを加熱して電子
を放射させて使用している間に膜と基板の間で剥離か生
しる1、すムオ)ち、七うミノクス基板(10〉と抵抗
体膜<17)あるいは七うミノクス基板〈10〉とベー
スメタル用膜(18)の間で剥離が生じる。これは主と
して膜の基板への付着力が元々弱かったこと、使用時の
熱履歴により内部応力の釣CJ合いに変化が生したこと
、膜と基板との熱膨張係数が違うこと等に起因する。そ
のため剥離により熱容量に変化が生じたり、ヒータとし
ての抵抗値が変動した()、ヒータ内で断線した0、ま
た熱容量の変化に伴いカソードの電子放槍量の変動等か
起こる。さらにベースメタル(還元部材)用膜<18)
とカソード゛材とのなじみが悪く、電子放射特性が劣り
、そのためヒータ、カソードともに不安定でしかも長期
信頼性に欠け、性能も十分とは言い難いものであった。
このように、電子放射装置は厚膜回路形成技術で両面に
高温で安定なポーラスな膜を設けるか、薄膜形成法によ
り付着力が小さく緻密でパターン精度の良い膜を設ける
か、の二者択一の方法で形成され、性能が十分発揮され
ていなか一つな。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、使用時に膜と基板の剥離が生じにくく、ま
た電子放射効率の高い、信頼性の高い電子放射装置を提
供することを目的としている。
[課題を解決するための手段] この発明に係る電子放射装置は、良熱電導性の絶縁部材
、この絶縁部材の一方の面に高融点良電気電導性材料を
用いて所定形状に形成された膜密度の高い緻密な抵抗体
膜、この抵抗体膜を覆うように形成された絶縁性保護膜
、上記絶縁部材の他方の面に良熱電導性還元材料を用い
て所定形状に形成され、上記抵抗体膜よζノ膜密度の低
い多孔質な還元部材、およびこの還元部材上で一部が還
元部材の孔に侵入して形成された電子放射部材な備えた
ものである。
[作用] この発明においては、抵抗体膜を覆うように形成された
保護膜は外部雰囲気から抵抗体膜を保護するとともに使
用中に抵抗体膜が絶縁部材から剥離することを抑制する
ように作用する。また、還元部材を多孔質体で形成する
ことにより、還元部材の上に設けられた電子放射部材と
のなじみを良くし、また電子放射部材が一部還元部材へ
侵入するため、電子放射の高効率化に作用する。
[実施例] 以下この発明の一実施例について図に基づいて説明する
。第1図はこの発明の一実施例による電子放射装置を示
す断面構成図である。図において、〈1)は電子放射部
材、(2〉は電子放射部材(1)を還元する膜密度の低
い多孔質体からなる還元部材(ベースメタル)であり、
電子放射部材(1)の−部が還元部材(2〉の孔に侵入
している。、(3)は電子数割部i’4’ (1)と還
元部材<2)からなるカソードを加熱するためのヒータ
用の膜密度の高い緻密ム抵抗体膜であり、高融点良電気
伝導性材料を用いて所定形状に形成されている。(4)
は還元部材(2〉とヒータ用抵抗体膜〈3〉の間に介在
し、両者を電気的に絶縁するとともにヒータ用抵抗体膜
(3)から発生された熱を還元部拐〈2〉へ効率良く伝
導−1−るための良熱伝導1生電気絶縁利料からなる絶
縁部材、〈5〉はヒータ用抵抗体膜〈3〉を葭うように
形成され抵抗体膜<3〉を外部雰囲気から保護するため
の保護膜である。
kお、それぞれの材料に対しては、例えは、次のよう々
性質が要求される。電子放射装置の構造体である基板に
相当する絶縁部材(4)に対しては、熱伝導性か良く、
熱膨張率かヒータ用抵抗体膜〈3)および還元部材〈2
〉のそれに近いこと、長地縁体であること、高温で絶縁
破壊し々いこと、平滑なこと。そのため、入手性から考
えて八IN、 A1.203等が考えられる。ヒータ用
抵抗体膜〈3)に対しては、高温域での蒸気圧が低いこ
と、高温域での電気特性が安定なこと。そのため、Mo
、 W、 Pt、 TaTiN、 TiC,T1CN等
が考えられる。特に、再結晶温度が高く、高温で安定性
の良好に七ラミ・ノクス系のTiN、 TiC,T1C
Nは適している。保護膜り5〉に対しては、高温での拡
散が小さいこと、使用温度以上の軟化点あるいは融点で
あること、長地縁体であること。そのため、5i02.
 Al2O3等の高軟化点、高融点で安定々カラス質や
八IN、 13N等のセラミソクスが考えられる。例え
ば、5102であれば軟化点1710°Cく水晶)、融
点1470℃〈結晶)、A ]−203であれば融点2
030°Cである。また、Cab、 Y2O3等のよう
に焼成時に外部へ飛散するものを含んだものでもよい。
還元部材(2)としては、高温域での蒸気圧が低いこと
、高温域での電気特性が安定なこと、電子放射部材<1
)の還元性が高いこと、電子放射部材<1)とのたじみ
の良い多孔質体の膜であること。
ここては、上記条件を鑑み、絶縁部拐り4)としては単
結晶サファイヤ基板〈八1.203)を用い、還元部組
〈2〉としては粉末Wをサファイヤ基板上に焼結させ、
ヒータ用抵抗体膜〈3〉としてTiNをスバ・ツタ法て
形威し、絶縁性の保護膜〈5)として八INをスパッタ
法で形威し、還元部材(2)のWの上に電子放射部材(
1)(Ba、Sr、Ca)CO3を塗布した電子放射装
置の製造方法について述べる。なお、参考写真に実施例
に還元部組(2)として用いた多孔質なW膜の表面写真
を示す。写真中、0067はフィルム番号、 +5.O
KVは走査電子顕微鏡の加速電圧、X2.000は倍率
2000倍、10μmはその直上の線の長さが10μm
に相当することを表す。
まず、片面のみ鏡面研磨仕上げを行ったサファイヤ基板
り4〉を用意し、鏡面仕上げではない方の面に所望のカ
ソード用パターンを有機溶媒や焼成助剤を含んだWペー
ストによりスクリーン印刷し、高温(1000〜180
0  °C)で焼成する。カソード側のパターンは比較
的単純であるので鏡面仕上げの面でなくても精度的には
満足できる。次に鏡面仕上げを行った面に所望のヒータ
パターンのマスクを設定し、スパッタ法により所望の厚
さ(数μm〜10μm)のTiN膜(3)を形成する。
次にヒータパターンの形成された面にスパッタ法により
AIN膜(5〉を形成し、ヒータ用抵抗体膜(3)を似
う。
方、還元部材であるW〈2〉表面には電子放射部材〈]
〉、例えば(Bn、 Sr、 Ca)CO3を塗布する
。これにより電子放射装置が完成する。  次に動作に
ついて簡単に説明する。ヒータ用抵抗体膜〈3)に定電
圧を印加し、ヒータ用抵抗体膜〈3〉を所定の温度まで
加熱する。絶縁部拐〈4〉を介して還元部組(2)およ
び電子放射部材(1)を加熱し、グリッド・カソード間
に電圧を印加して、電子放射部材(1)より電子を放射
させる。
こういった電子放射装置の長時間の使用に対して、ヒー
タ用抵抗体膜〈3)は再結晶温度が高く、高温安定性が
良好であるので、抵抗値の変化は小さく、ヒータとして
安定で、また保護膜り5)で覆われているので、例えば
雰囲気中の残留ガスによる腐食の促進等の外部雰囲気に
より損傷を受けることもなく、しかも基板<4〉からの
剥離も防止できる。また、還元部材〈2)は鏡面仕上げ
でない面に焼結して形成したので、付着力が強く高温で
安定であり、しかも多孔質体であるため、一部電子放射
部材<1〉が侵入してくるなど電子放射部材(1)との
なじみが良く、安定して高電流密度が得られる。
また、大面積の絶縁部材(4)にヒータ、カソードを一
括して形成した後、最小チップに分割して電子放射装置
を、製品間のばらつきが少なく、しかも多量に生産する
ことも可能である。
なお、ヒータ用抵抗体膜<3)をTiC,TiN。
T1CNの単体もしくはその混合物で形成する理由は、
再結晶温度が高く、高温での電気的安定性が高いからで
ある。例えば、還元部材〈2〉と同様にWやMO等の一
般的なヒータ材で形成することも考えられる。こういっ
た材料系は1000℃程度の高温で使用している際に基
板であるAl2O3の酸素を奪って(還元して)蒸気圧
の高い酸化物を形成して飛散していく。即ちヒータがエ
ンチングされ、形状が変化してしまう。そのため、ヒー
タとして安定に使用できる環境、例えば基板(4)材、
雰囲気、温度が限定されてしまう。但し、800℃程度
以下ではWやMoも使用可と戒りうる。
1 また、上記実施例ではヒータ材であるT i C。
TiN、T1CNをスパッタ法で形成する方法について
述べたが、イオンブレーティングや電子ビーム蒸着、レ
ーザPVD法等のいわゆるPVD法で形成することがで
きることは言うまでもムい。
また、高温で使用することを考慮すれば、TiCl4、
  CH4,N83等を用いた熱CVD法が熱平衡的に
最良と考えられる。また、成膜手法としては同様なガス
を用いたプラズマCVD法もある。
また、上記実施例では絶縁部材(4)として単結晶Al
2O3基板を用いたが、リーク電流や絶縁耐圧の条件が
厳しくない場合は、AIN焼結基板及びこれにさらにA
1N膜を底膜したような基板を用いてもよい。
さらに、上記実施例では還元部材り2〉はWペース)・
をスクリーン印刷で形成する方法を用いた例について説
明したが、パターン精度によっては溶射やタラディング
等で形成したものをエツチングしてカソード用パターン
を形成しても良い。
[発明の効果] 2 以上のように、この発明によれば、良熱電導性の絶縁部
材、この絶縁部材の一方の面に高融点良電気電導性材料
を用いて所定形状に形成された膜密度の高い緻密な抵抗
体膜、この抵抗体膜を覆うように形成された絶縁性保護
膜、上記絶縁部材の他方の面に良熱電導性還元材料を用
いて所定形状に形成され、上記抵抗体膜より膜密度の低
い多孔質な還元部材、およびこの還元部材上で一部が還
元部材の孔に侵入して形成された電子放射部材を備えた
ので、抵抗体膜は保護膜により外部雰囲気から保護され
ると共に、緻密な抵抗体膜の絶縁部材からの剥離を抑制
し、安定した電子放射装置のヒータを提供でき、さらに
、還元部材を多孔質体で形成することにより、還元部材
上に設けられた電子放射部材とのなじみを良くし、また
電子放射部材の一部が還元部材へ侵入するため、電子放
射の高効率化が実現でき、寿命が長く、高性能で信頼性
の高い電子放射装置を提供することができるという効果
を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による電子放射装置を示す
断面構成図、第2図は厚膜回路技術を利用して形成した
従来の電子放射装置を示す断面構成図、第3図は薄膜形
成法による従来の電子放射装置を示す断面構成図である
。 図において、り1)は電子放射部材、(2〉は還元部材
、(3〉はヒータ用抵抗体膜、(4)は絶縁部材。 (5)は保護膜である。 なお、図中同一符号は同一部分または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  良熱電導性の絶縁部材、この絶縁部材の一方の面に高
    融点良電気電導性材料を用いて所定形状に形成された膜
    密度の高い緻密な抵抗体膜、この抵抗体膜を覆うように
    形成された絶縁性保護膜、上記絶縁部材の他方の面に良
    熱電導性還元材料を用いて所定形状に形成され、上記抵
    抗体膜より膜密度の低い多孔質な還元部材、およびこの
    還元部材上で一部が還元部材の孔に侵入して形成された
    電子放射部材を備えた電子放射装置。
JP1178707A 1989-03-24 1989-07-10 電子放射装置 Pending JPH0343932A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1178707A JPH0343932A (ja) 1989-07-10 1989-07-10 電子放射装置
DE69016235T DE69016235T2 (de) 1989-03-24 1990-03-19 Hochtemperaturbauteil.
US07/495,127 US5118983A (en) 1989-03-24 1990-03-19 Thermionic electron source
EP90302938A EP0389228B1 (en) 1989-03-24 1990-03-19 High temperature operating element

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JP1178707A JPH0343932A (ja) 1989-07-10 1989-07-10 電子放射装置

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JPH0343932A true JPH0343932A (ja) 1991-02-25

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JP1178707A Pending JPH0343932A (ja) 1989-03-24 1989-07-10 電子放射装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6768566B2 (en) 1998-04-15 2004-07-27 Duke University Projection screen apparatus including holographic optical element

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6768566B2 (en) 1998-04-15 2004-07-27 Duke University Projection screen apparatus including holographic optical element

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