JPH0345045A - Signal input and output interface circuit - Google Patents
Signal input and output interface circuitInfo
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- JPH0345045A JPH0345045A JP1181371A JP18137189A JPH0345045A JP H0345045 A JPH0345045 A JP H0345045A JP 1181371 A JP1181371 A JP 1181371A JP 18137189 A JP18137189 A JP 18137189A JP H0345045 A JPH0345045 A JP H0345045A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
集積化超高速光中継器等において、集積回路間あるいは
集積回路内で高速に電気信号の授受を行うようにした信
号入出力インタフェース回路に関し、
浮遊容量による特性劣化の影響を少なくすることを目的
とし、
人力信号に応じた電流を伝送線路の一方端に送出する電
流駆動回路と、ゲート端子が接地され、ソース端子が伝
送線路の他方端に接続された電界効果トランジスタと、
電流駆動回路の送出側あるいは電界効果トランジスタの
ソース端子の何れか一方に接続され、バイアス電流を与
える電流源とを備えるように構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] This invention relates to a signal input/output interface circuit that transmits and receives electrical signals at high speed between or within integrated circuits in integrated ultra-high-speed optical repeaters, etc. due to stray capacitance. In order to reduce the effects of characteristic deterioration, we have developed a current drive circuit that sends a current according to a human input signal to one end of the transmission line, and a gate terminal that is grounded and a source terminal that is connected to the other end of the transmission line. a field effect transistor;
The current source is connected to either the sending side of the current drive circuit or the source terminal of the field effect transistor and provides a bias current.
本発明は、集積化超高速光中継器等において、集積回路
間あるいは集積回路内で高速に電気信号の授受を行うよ
うにした信号入出力インタフェース回路に関するもので
ある。The present invention relates to a signal input/output interface circuit for exchanging electrical signals between or within integrated circuits at high speed in an integrated ultrahigh-speed optical repeater or the like.
高速回路間の信号インタフェースは、信号が高速になる
につれて浮遊容量の影響を受けやすくなる。例えば、光
中継器は入力された光信号を電気信号に変換した後再度
光信号に変換して信号の中継動作を行うが、ビットレー
トが10 Gbps以上の超高速光中継器では、内部で
扱う電気信号に対する浮遊容量の影響も無視できなくな
る。Signal interfaces between high-speed circuits become more susceptible to stray capacitance as signals become faster. For example, an optical repeater converts an input optical signal into an electrical signal and then converts it back into an optical signal to relay the signal, but in ultra-high-speed optical repeaters with a bit rate of 10 Gbps or higher, the signal is handled internally. The influence of stray capacitance on electrical signals can no longer be ignored.
第6図及び第7図に電気信号を送受する従来例の構成を
示す。FIGS. 6 and 7 show the configuration of a conventional example for transmitting and receiving electrical signals.
第6図(a)は、送信側をオーブンソースとした場合の
構成である。送信側は、電界効果トランジスタ(FET
)611のソース端子を出力端子とし、送信する信号を
FET611のゲート端子に人力する。受信側では、入
力端子に終端抵抗631を接続し、この入力端子に人力
される信号をFET621のゲート端子で受は取る。FIG. 6(a) shows the configuration when oven sauce is used on the transmitting side. The transmitting side is a field effect transistor (FET)
) 611 as an output terminal, and the signal to be transmitted is input to the gate terminal of FET 611. On the receiving side, a terminating resistor 631 is connected to the input terminal, and a signal input to this input terminal is received by the gate terminal of the FET 621.
また、第7図(a)は、送信側をオーブンドレインとし
た場合の構成である。送信側は、FET711のドレイ
ン端子を出力端子とし、送信する信号をFET711の
ゲート端子に入力する。受信側では、入力端子に終端抵
抗731を接続し、この入力端子に入力される信号をF
ET721のゲート端子で受は取る。Further, FIG. 7(a) shows a configuration in which the transmitting side is an oven drain. On the transmitting side, the drain terminal of FET 711 is used as an output terminal, and a signal to be transmitted is input to the gate terminal of FET 711. On the receiving side, a terminating resistor 731 is connected to the input terminal, and the signal input to this input terminal is F
The receiver is taken at the gate terminal of ET721.
ところで、上述した従来方式にあっては、受信側の終端
抵抗並列に伝送線路の浮遊容量が付加されるため、特性
が劣化するという問題点があった。By the way, in the above-mentioned conventional system, there was a problem in that the characteristics deteriorated because the stray capacitance of the transmission line was added in parallel to the terminal resistor on the receiving side.
送信側をオーブンソースとした場合には、第6図(a)
に示すように終端抵抗631に並列に浮遊容量641が
付加され、この終端抵抗631と浮遊容量641により
インタフェース部のしゃ新円波数が決まる。従って、同
図(b)に示すように高い周波数領域での送信側の利得
が劣化する。When the sending side is oven sauce, Fig. 6 (a)
As shown in FIG. 2, a stray capacitance 641 is added in parallel to the terminating resistor 631, and the terminating resistor 631 and stray capacitance 641 determine the cutoff wave number of the interface section. Therefore, as shown in FIG. 2(b), the gain on the transmitting side deteriorates in the high frequency region.
また、送信側をオーブンドレインとした場合も同様に、
第7図(a)に示すように終端抵抗731に並列に浮遊
容量741が付加され、同図(b)に示すように高い周
波数領域での送信側の利得が劣化する。Similarly, when the sending side is an oven drain,
As shown in FIG. 7(a), a stray capacitance 741 is added in parallel to the terminating resistor 731, and as shown in FIG. 7(b), the gain on the transmitting side in a high frequency region is degraded.
本発明は、このような点にかんがみて創作されたもので
あり、浮遊容量による特性劣化の影響を少なくした信号
入出力インタフェース回路を提供することを目的として
いる。The present invention was created in view of these points, and an object of the present invention is to provide a signal input/output interface circuit in which the influence of characteristic deterioration due to stray capacitance is reduced.
第1図は、本発明の信号入出力インタフェース回路の原
理ブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of the principle of a signal input/output interface circuit according to the present invention.
図において、電流駆動回路111は、入力信号に応じた
電流を伝送線路の一方端に送出する。In the figure, a current drive circuit 111 sends a current according to an input signal to one end of a transmission line.
電界効果トランジスタ121は、ゲート端子が接地され
、ソース端子が伝送線路の他方端に接続されている。The field effect transistor 121 has a gate terminal grounded and a source terminal connected to the other end of the transmission line.
電流源131は、電流駆動回路111の送出側あるいは
電界効果トランジスタ121のソース端子の何れか一方
に接続され、バイアス電流を与える。The current source 131 is connected to either the sending side of the current drive circuit 111 or the source terminal of the field effect transistor 121, and provides a bias current.
従って、人力信号に応じた電流を電流駆動回路111に
よって伝送線路に送出し、電界効果トランジスタ121
のソース端子で受は取ることにより、信号の送受を行う
ように構成されている。Therefore, the current according to the human input signal is sent to the transmission line by the current drive circuit 111, and the field effect transistor 121
The device is configured to send and receive signals by picking up the receiver at the source terminal of the device.
電流駆動回路111を駆動することによって、人力信号
に応じた電流が伝送線路に送出され、ゲート接地された
電界効果トランジスタ121のソース端子に供給される
。また、電流駆動回路111の送出側あるいは電界効果
トランジスタ121のソース端子の何れか一方に電流源
131が接続され、伝送される電流に対してバイアス電
流が加えられる。By driving the current drive circuit 111, a current according to the human input signal is sent to the transmission line, and is supplied to the source terminal of the field effect transistor 121 whose gate is grounded. Further, a current source 131 is connected to either the sending side of the current drive circuit 111 or the source terminal of the field effect transistor 121, and a bias current is added to the transmitted current.
本発明にあっては、電流源として動作する電流駆動回路
111によって信号の送出を行い、電界効果トランジス
タ121のソース端子側から信号を受信することにより
、受信側の入力インピーダンスが小さくなる。In the present invention, the current drive circuit 111 operating as a current source transmits a signal and receives the signal from the source terminal side of the field effect transistor 121, thereby reducing the input impedance on the receiving side.
また、電流駆動回路111の送出側あるいは電界効果ト
ランジスタ121のソース端子の何れか一方に電流源1
31を接続することにより、伝送される信号に所定のバ
イアス電流が加えられ、大きな電流振幅がなくなるため
、電界効果トランジスタ121のソース端子の電位の変
動の度合いが少なくなる。In addition, a current source 1 is connected to either the sending side of the current drive circuit 111 or the source terminal of the field effect transistor 121.
By connecting 31, a predetermined bias current is added to the transmitted signal, and a large current amplitude is eliminated, so that the degree of fluctuation in the potential of the source terminal of the field effect transistor 121 is reduced.
以下、図面に基づいて本発明の実施例について詳細に説
明する。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail based on the drawings.
第2図は、本発明の第1実施例における信号入出力イン
タフェース回路の構成を示す。図において、211,2
21,231はFETを、213゜223.233は抵
抗器を、225は電池を、241は伝送線路の浮遊容量
をそれぞれ示している。FIG. 2 shows the configuration of the signal input/output interface circuit in the first embodiment of the present invention. In the figure, 211,2
21 and 231 indicate FETs, 213° and 223.233 a resistor, 225 a battery, and 241 the stray capacitance of the transmission line.
「送信側」、「受信側」は、信号の送受を行う2つの集
積回路のそれぞれに、あるいは、1つの集積回路内にお
ける信号の送り側と受は側のそれぞれに対応している。The "transmitting side" and the "receiving side" correspond to each of two integrated circuits that send and receive signals, or to the sending and receiving sides of a signal within one integrated circuit.
信号の送信側において、FET211のソース端子は抵
抗器213を介して電源端子VSSに接続されており、
ドレイン端子は伝送線路の一端に接続されている。伝送
線路に送出する信号は、FET211のゲート端子に入
力される。On the signal transmission side, the source terminal of the FET 211 is connected to the power supply terminal VSS via a resistor 213,
The drain terminal is connected to one end of the transmission line. A signal sent to the transmission line is input to the gate terminal of FET 211.
信号の受信側において、FET221のソース端子はF
ET231のドレイン端子及び上述した伝送線路の他端
に接続されている。FET221のゲート端子は電池2
25を介して接地されており、ドレイン端子は抵抗器2
23を介して電源端子■。、に接続されている。また、
FET231のゲート端子は電源端子V3Sに接続され
ており、ソース端子は抵抗器233を介して電源端子■
5.に接続されている。On the signal receiving side, the source terminal of FET221 is F
It is connected to the drain terminal of ET231 and the other end of the transmission line described above. The gate terminal of FET221 is connected to battery 2.
25, and the drain terminal is connected to resistor 2.
Power terminal ■ through 23. ,It is connected to the. Also,
The gate terminal of the FET 231 is connected to the power supply terminal V3S, and the source terminal is connected to the power supply terminal V3S through the resistor 233.
5. It is connected to the.
送信側におけるFET211及び抵抗器213は、入力
信号を電流の変化に対応させて送出する電流駆動回路と
して動作するものである。入力信号がFET211のゲ
ート端子に入力されると、この入力信号に応じてゲート
・ソース間電圧VGSが決定され、この電圧VCSに応
じたドレイン電流が伝送線路に送出される。The FET 211 and resistor 213 on the transmission side operate as a current drive circuit that sends out an input signal in response to changes in current. When an input signal is input to the gate terminal of the FET 211, a gate-source voltage VGS is determined according to this input signal, and a drain current corresponding to this voltage VCS is sent to the transmission line.
受信側におけるFET231及び抵抗器233は、FE
T221にバイアス電流を供給する電流源として動作す
るものであり、このバイアス電流と伝送線路を介して供
給される電流との合計がFET221のドレイン電流と
なる。従って、伝送線路を介して供給される電流の変化
は、FET221のドレイン電流の変化となって現れる
ため、このドレイン電流の変化を抵抗器223による電
圧降下として取り出すことにより、伝送される信号の受
信が行われる。FET 231 and resistor 233 on the receiving side are FE
It operates as a current source that supplies bias current to T221, and the sum of this bias current and the current supplied via the transmission line becomes the drain current of FET221. Therefore, since a change in the current supplied via the transmission line appears as a change in the drain current of the FET 221, by extracting this change in drain current as a voltage drop across the resistor 223, the transmitted signal can be received. will be held.
また、−FET221のゲート端子には電池225によ
る所定の電位(固定値)が供給されており、ドレイン電
流に応じてソース端子の電位が変動する。ところで、こ
のドレイン電流は所定のバイアス電流と伝送線路を介し
て受は取った電流との合計であるため、伝送線路を介し
て供給される電流の変化の度合いに比べてドレイン電流
全体の変化の度合いは小さくなる。しかも、このドレイ
ン電流(■。)とゲート・ソース間電圧■。とはI。Further, a predetermined potential (fixed value) is supplied from the battery 225 to the gate terminal of -FET 221, and the potential of the source terminal varies depending on the drain current. By the way, this drain current is the sum of the predetermined bias current and the current received through the transmission line, so the change in the overall drain current is smaller than the degree of change in the current supplied through the transmission line. The degree becomes smaller. Moreover, this drain current (■.) and gate-source voltage ■. What is I?
=K (Vcs−Vい)2 (但し、K、V、hは定数
)の関係を有しており、ドレイン電流の変化に対応した
ゲート・ソース間電圧VGSの変化の度合いは小さくな
る。=K (Vcs-V)2 (where K, V, and h are constants), and the degree of change in gate-source voltage VGS corresponding to change in drain current becomes small.
上述した構成においては、受信側の入力インピーダンス
が小さいことから、受信側入力部のしゃ新局波数が高く
、浮遊容量が付加しても周波数特性の劣化を小さくする
ことができる。In the above-described configuration, since the input impedance on the receiving side is small, the switching frequency of the receiving side input section is high, and even if stray capacitance is added, deterioration of frequency characteristics can be suppressed.
また、FET221のゲート・ソース間電圧■6、の変
化の度合いが小さくなることにより、伝送線路の浮遊容
量への充放電が仰えられるため、信号波形の立上がり時
間及び立下がり時間が改善され、浮遊容量による特性劣
化の影響を少なくすることができる。In addition, by reducing the degree of change in the gate-source voltage (6) of the FET 221, the stray capacitance of the transmission line can be charged and discharged, so the rise time and fall time of the signal waveform are improved. The influence of characteristic deterioration due to stray capacitance can be reduced.
第3図は、第2実施例の構成を示す。第2実施例は、上
述した第1実施例の受信側にあるFET231、抵抗器
233を、送信側のFET331゜抵抗器333に置き
換えた構成を有しており、他の構成は第1実施例と同様
とする。FIG. 3 shows the configuration of the second embodiment. The second embodiment has a configuration in which the FET 231 and resistor 233 on the receiving side of the first embodiment described above are replaced with FET 331 and resistor 333 on the transmitting side, and the other configurations are the same as those in the first embodiment. Same as .
第1実施例と同様に、受信側の人力インピーダンスが小
さいことから、浮遊容量による周波数特性の劣化をtr
nえることができる。また、FET211のドレイン電
流は、FET331.抵抗器333で構成される電流源
によるバイアス電流に足し合わされて伝送線路に送出さ
れる。この伝送線路を介した電流がFET221のドレ
イン電流となるため、FET221のソース端子の電位
の変動が抑えられ、浮遊容量による特性劣化の影響を少
なくすることができ、る。As in the first embodiment, since the human power impedance on the receiving side is small, deterioration of frequency characteristics due to stray capacitance can be prevented by tr.
can be increased. Further, the drain current of FET211 is the same as that of FET331. It is added to the bias current generated by the current source constituted by the resistor 333 and sent to the transmission line. Since the current passing through this transmission line becomes the drain current of the FET 221, fluctuations in the potential of the source terminal of the FET 221 are suppressed, and the influence of characteristic deterioration due to stray capacitance can be reduced.
第4図は、第3実施例の構成を示す。FIG. 4 shows the configuration of the third embodiment.
図において、411,413,415,421゜425
.431,435はFETを、417,423.427
,433,437は抵抗器を、429は電池を、441
,442は伝送線路の浮遊抵抗をそれぞれ示している。In the figure, 411, 413, 415, 421° 425
.. 431,435 is FET, 417,423.427
, 433, 437 are resistors, 429 are batteries, 441
, 442 indicate the floating resistance of the transmission line, respectively.
送信側において、FET4 L 1,413は差動対を
構成しており、FET415及び抵抗器417で構成さ
れる電流源と組み合わさって、電流駆動回路が構成され
ている。FET411,413の各ゲート端子には、互
いに論理が反転している信号が入力され、これらの入力
に応じた電流が2本の伝送線路に送出される。On the transmitting side, FET4 L1, 413 constitutes a differential pair, and in combination with a current source constituted by FET 415 and resistor 417, a current drive circuit is constituted. Signals whose logics are inverted are input to each gate terminal of the FETs 411 and 413, and currents corresponding to these inputs are sent to the two transmission lines.
受信側のFET421,425は、これら2本の伝送線
路を介して人力される電流を受は取るためのものである
。FET421のソース端子には電流源として動作する
FET431.抵抗器433によるバイアス電流が供給
され、FET425のソース端子には電流源として動作
するFET435、抵抗器437によるバイアス電流が
供給される。The FETs 421 and 425 on the receiving side are for receiving and taking the current manually applied via these two transmission lines. The source terminal of FET 421 is connected to FET 431. which operates as a current source. A bias current is supplied by the resistor 433, and a bias current is supplied by the FET 435 operating as a current source and the resistor 437 to the source terminal of the FET 425.
従って、第1実施例と同様、受信側の入力インピーダン
スが小さく、浮遊容量に対しても周波数特性の劣化が小
さいと共に、FET421.425の各ソース端子の電
位の変動が抑えられ、2つの伝送線路のそれぞれの浮遊
容量による出力波形の立上り、立下り時間の劣化の影響
を少なくすることができる。Therefore, as in the first embodiment, the input impedance on the receiving side is small, the deterioration of frequency characteristics due to stray capacitance is small, and fluctuations in the potential of each source terminal of FET 421 and 425 are suppressed, and the two transmission lines It is possible to reduce the influence of deterioration in the rise and fall times of the output waveform due to each stray capacitance.
第5図は、第4実施例の構成を示す。第4実施例は、上
述した第3実施例の受信側にあるFET431.435
.抵抗器433.437を、送信側のFET531,5
35.抵抗器533,537に置き換えた構成を有して
おり、他の構成は第3実施例と同様とする。FIG. 5 shows the configuration of the fourth embodiment. The fourth embodiment uses FET431.435 on the receiving side of the third embodiment described above.
.. Resistors 433 and 437 are connected to transmitter FETs 531 and 5.
35. It has a configuration in which resistors 533 and 537 are replaced, and other configurations are the same as in the third embodiment.
FET411あるいはFET413のドレイン電流は、
FET531.抵抗器533で構成される電流源による
バイアス電流あるいはFET535、抵抗器537で構
成される電流源によるバイアス電流に足し合わされて2
つの伝送線路のそれぞれに送出される。これらの各伝送
線路を介した電流がFET22あるいはFET425の
ドレイン電流となるため、第3実施例と同様に、FET
421,425の各ソース端子の電位の変動が抑えられ
、また、人力インピーダンスも小さいので浮遊容量によ
る特性劣化の影響を少なくすることができる。The drain current of FET411 or FET413 is
FET531. The bias current generated by the current source composed of resistor 533 or the bias current generated by the current source composed of FET 535 and resistor 537 is added to 2.
are sent out to each of the two transmission lines. Since the current passing through each of these transmission lines becomes the drain current of FET 22 or FET 425, the FET
Fluctuations in the potential of each of the source terminals 421 and 425 are suppressed, and since the human input impedance is also small, the influence of characteristic deterioration due to stray capacitance can be reduced.
上述したように、本発明によれば、電流源として動作す
る電流駆動回路によって送出された信号に応じた電流を
、ゲート接地された電界効果トランジスタのソース端子
で受は取ると共に、このソース端子あるいは電流駆動回
路の送出側の何れか一方にバイアス電流を与える電流源
を接続することにより、受信側の入力インピーダンスを
小さくすると共に、受信側の電界効果トランジスタのソ
ース端子の電位の変動を抑えることができる。従って、
伝送線路の浮遊容量による特性劣化の影響を少なくする
ことができるので、実用的には極めて有用である。As described above, according to the present invention, a current corresponding to a signal sent out by a current drive circuit operating as a current source is received and taken by the source terminal of a field effect transistor whose gate is grounded, and this source terminal or By connecting a current source that provides a bias current to one of the sending sides of the current drive circuit, it is possible to reduce the input impedance on the receiving side and suppress fluctuations in the potential of the source terminal of the field effect transistor on the receiving side. can. Therefore,
This is extremely useful in practice because it can reduce the influence of characteristic deterioration due to stray capacitance of the transmission line.
第1図は本発明の信号入出力インタフェース回路の原理
図、
第2図は第1実施例の構成図、
第3図は第2実施例の構成図、
第4図は第3実施例の構成図、
第5図は第4実施例の構成図、
第6図は従来例の説明図、
第7図は従来例の説明図である。
図において、
111は電流駆動回路、
121は電界効果トランジスタ、
131は電流源、
211、 221. 231、331. 411. 4
13. 415. 421. 425. 431. 4
35゜531.535は電界効果トランジスタ(FET
)、213.223,233,333,417,423
.427,433,437,533,537は抵抗器、
225.429は電池、
241.441,442は浮遊容量である。
<只
/b)用法
のε禾)ダ(Q齢ムβ月匹り
第6図
(b)
隨輌うJり眺萌図
第7図Figure 1 is a principle diagram of the signal input/output interface circuit of the present invention, Figure 2 is a configuration diagram of the first embodiment, Figure 3 is a configuration diagram of the second embodiment, and Figure 4 is the configuration of the third embodiment. 5 is a configuration diagram of the fourth embodiment, FIG. 6 is an explanatory diagram of the conventional example, and FIG. 7 is an explanatory diagram of the conventional example. In the figure, 111 is a current drive circuit, 121 is a field effect transistor, 131 is a current source, 211, 221. 231, 331. 411. 4
13. 415. 421. 425. 431. 4
35°531.535 is a field effect transistor (FET)
), 213.223,233,333,417,423
.. 427, 433, 437, 533, 537 are resistors, 225.429 are batteries, and 241.441, 442 are stray capacitances. <only/b) Usage εhe) da (Q age Muβ month ri Figure 6 (b)
Claims (1)
する電流駆動回路(111)と、ゲート端子が接地され
、ソース端子が前記伝送線路の他方端に接続された電界
効果トランジスタ(121)と、 前記電流駆動回路(111)の送出側あるいは前記電界
効果トランジスタ(121)のソース端子の何れか一方
に接続され、バイアス電流を与える電流源(131)と
、 を備えるように構成したことを特徴とする信号入出力イ
ンタフェース回路。(1) A current drive circuit (111) that sends a current according to an input signal to one end of the transmission line, and a field effect transistor (121) whose gate terminal is grounded and whose source terminal is connected to the other end of the transmission line. ), and a current source (131) connected to either the sending side of the current drive circuit (111) or the source terminal of the field effect transistor (121) and providing a bias current. A signal input/output interface circuit featuring:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1181371A JPH0345045A (en) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | Signal input and output interface circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1181371A JPH0345045A (en) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | Signal input and output interface circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0345045A true JPH0345045A (en) | 1991-02-26 |
Family
ID=16099559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1181371A Pending JPH0345045A (en) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | Signal input and output interface circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0345045A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6597229B1 (en) | 1999-08-16 | 2003-07-22 | Nec Electronics Corporation | Interface circuit and, electronic device and communication system provided with same |
| JP2006146171A (en) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Samsung Sdi Co Ltd | Data driving chip and light emitting display device |
| JP2006340337A (en) * | 2005-05-02 | 2006-12-14 | Seiko Epson Corp | Receiver circuit, differential signal receiver circuit, interface circuit, and electronic device |
| JP2008028577A (en) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Rohm Co Ltd | Transmitter, and transmission device and electronic apparatus using it |
| JP6310139B1 (en) * | 2017-11-07 | 2018-04-11 | 有限会社ファインチューン | Photocoupler output circuit and photocoupler |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989001262A2 (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-09 | Fujitsu Limited | High-speed electronic circuit having a cascode configuration |
-
1989
- 1989-07-13 JP JP1181371A patent/JPH0345045A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989001262A2 (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-09 | Fujitsu Limited | High-speed electronic circuit having a cascode configuration |
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