JPH0345216Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0345216Y2 JPH0345216Y2 JP11061984U JP11061984U JPH0345216Y2 JP H0345216 Y2 JPH0345216 Y2 JP H0345216Y2 JP 11061984 U JP11061984 U JP 11061984U JP 11061984 U JP11061984 U JP 11061984U JP H0345216 Y2 JPH0345216 Y2 JP H0345216Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- display device
- gate
- drain
- line
- lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案はマトリクス状の表示セグメントを有す
る表示装置に関する。
る表示装置に関する。
(ロ) 従来技術
マトリクス状の表示セグメントを有する表示装
置としては、日経エレクトロニクス1984年１月２
日号の記事「文書と画像表示をねらうフラツト・
パネル・デイスプレイ」に開示されている様に液
晶表示器を用いたもの、エレクトロ・ルミネツセ
ンス表示器を用いたもの、等各種の表示装置が存
在するが、現在は低消費電力大容量化が可能であ
る点で液晶表示器の将来性が高く評価されてい
る。
置としては、日経エレクトロニクス1984年１月２
日号の記事「文書と画像表示をねらうフラツト・
パネル・デイスプレイ」に開示されている様に液
晶表示器を用いたもの、エレクトロ・ルミネツセ
ンス表示器を用いたもの、等各種の表示装置が存
在するが、現在は低消費電力大容量化が可能であ
る点で液晶表示器の将来性が高く評価されてい
る。
斯様な従来の液晶表示装置の要部の平面図を第
２図ａに示し、同図ｂにそのＸ−Ｘ線断面図を示
す。これ等の図に於いて、１０は第１のガラス基
板、１１は第１のガラス基板１０上に窒化シリコ
ンからなる絶縁膜１２を介して行列配置され、マ
トリクスセグメントを構成するITOからなる透明
電極、１３…は上記透明電極１１，１１…間隙を
縦方向に複数本並列配置したアモルフアスシリコ
ン膜であり、絶縁膜１２上に設けられている。１
４…各アモルフアスシリコン膜１３…の左側辺上
に絶縁膜１２を介して一部重畳した状態で縦方向
に複数本並列配置されたアルミニウム膜からなる
ドレインラインである。１５，１５…は各アモル
フアスシリコン膜１３…の右側辺上に絶縁膜１２
を介して一部重畳した状態で各透明電極１１，１
１…に対応配置されたアルミニウム膜からなるソ
ース電極であり、その右側辺は各透明電極１１，
１１…の左下端部と接続されている。１６…は上
記透明電極１１，１１…間隙位置を横方向に複数
本並列配置されて上記第１のガラス基板１０と絶
縁膜１２との間に形成された金とクロムの２層膜
からなるゲートラインであり、該ライン１６…に
は上記各ソース電極１５…とドレインライン１４
…との間隙位置のアモルフアスシリコン膜１３…
下のゲート電極１７…が一体にされている。即
ち、図中Ｄで示すドレインライン１４…箇所のド
レイン電極と、Ｓで示すソース電極１５…と、Ｇ
で示すゲート電極１７…と、これ等電極Ｄ，Ｓ，
Ｇに結合しているアモルフアスシリコン膜１３…
箇所とに依つて薄膜FETからなるスイツチング
トランジスタが構成されており、各透明電極１
１，１１…は夫々に対応したこのスイツチングト
ランジスタを介してドレインライン１４…に接続
されるものである。１８は上記各透明電極１１，
１１及びドレインライン１４…を一面に被覆した
配向膜である。
２図ａに示し、同図ｂにそのＸ−Ｘ線断面図を示
す。これ等の図に於いて、１０は第１のガラス基
板、１１は第１のガラス基板１０上に窒化シリコ
ンからなる絶縁膜１２を介して行列配置され、マ
トリクスセグメントを構成するITOからなる透明
電極、１３…は上記透明電極１１，１１…間隙を
縦方向に複数本並列配置したアモルフアスシリコ
ン膜であり、絶縁膜１２上に設けられている。１
４…各アモルフアスシリコン膜１３…の左側辺上
に絶縁膜１２を介して一部重畳した状態で縦方向
に複数本並列配置されたアルミニウム膜からなる
ドレインラインである。１５，１５…は各アモル
フアスシリコン膜１３…の右側辺上に絶縁膜１２
を介して一部重畳した状態で各透明電極１１，１
１…に対応配置されたアルミニウム膜からなるソ
ース電極であり、その右側辺は各透明電極１１，
１１…の左下端部と接続されている。１６…は上
記透明電極１１，１１…間隙位置を横方向に複数
本並列配置されて上記第１のガラス基板１０と絶
縁膜１２との間に形成された金とクロムの２層膜
からなるゲートラインであり、該ライン１６…に
は上記各ソース電極１５…とドレインライン１４
…との間隙位置のアモルフアスシリコン膜１３…
下のゲート電極１７…が一体にされている。即
ち、図中Ｄで示すドレインライン１４…箇所のド
レイン電極と、Ｓで示すソース電極１５…と、Ｇ
で示すゲート電極１７…と、これ等電極Ｄ，Ｓ，
Ｇに結合しているアモルフアスシリコン膜１３…
箇所とに依つて薄膜FETからなるスイツチング
トランジスタが構成されており、各透明電極１
１，１１…は夫々に対応したこのスイツチングト
ランジスタを介してドレインライン１４…に接続
されるものである。１８は上記各透明電極１１，
１１及びドレインライン１４…を一面に被覆した
配向膜である。
一方、２０は第２のガラス基板であり、その下
面、即ち第１のガラス基板１０と対向する面には
一面に共通電極２１、配向膜２８が順次形成され
ている。
面、即ち第１のガラス基板１０と対向する面には
一面に共通電極２１、配向膜２８が順次形成され
ている。
３は上記両基板１０，２０間に封入された液晶
物質であり、各マトリクスセグメント毎に上記ス
イツチングトランジスタがONする事に依つて電
圧が印加される第１のガラス基板１０の透明電極
１１箇所の液晶物質５が電気光学効果を引き起こ
す事となる。
物質であり、各マトリクスセグメント毎に上記ス
イツチングトランジスタがONする事に依つて電
圧が印加される第１のガラス基板１０の透明電極
１１箇所の液晶物質５が電気光学効果を引き起こ
す事となる。
斯様な表示装置に於いては、その製造工程中
に、特にその第１のガラス基板１０の各種成膜工
程中に、正しく製造工程が進行しているかどうか
を確認する為の工程チエツクを行なう必要があ
り、又、第１のガラス基板１０の完成後に於いて
も各スイツチングトランジスタの不良箇所の修正
処理が必要である。この時検査者は、表示装置の
パターンを顕微鏡にて目視し、不良箇所のスイツ
チングトランジスタのアドレスを確認する必要が
ある。
に、特にその第１のガラス基板１０の各種成膜工
程中に、正しく製造工程が進行しているかどうか
を確認する為の工程チエツクを行なう必要があ
り、又、第１のガラス基板１０の完成後に於いて
も各スイツチングトランジスタの不良箇所の修正
処理が必要である。この時検査者は、表示装置の
パターンを顕微鏡にて目視し、不良箇所のスイツ
チングトランジスタのアドレスを確認する必要が
ある。
しかしながら、上述の如き従来の表示装置に於
いては、上記ドレインライン１４，１４…、及び
ゲートライン１６，１６…が全て同一形状である
為に、検査者が不良箇所のスイツチングトランジ
スタのアドレスを目視にて確認する作業は非常に
困難を来たすものであつた。
いては、上記ドレインライン１４，１４…、及び
ゲートライン１６，１６…が全て同一形状である
為に、検査者が不良箇所のスイツチングトランジ
スタのアドレスを目視にて確認する作業は非常に
困難を来たすものであつた。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
本考案は上述の点に鑑みてなされたものであ
り、不良箇所のスイツチングトランジスタのアド
レス確認の為の作業性を向上せしめるものであ
る。
り、不良箇所のスイツチングトランジスタのアド
レス確認の為の作業性を向上せしめるものであ
る。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案の表示装置は、ドレインライン又はゲー
トラインの形状を一定本数の間隔をもつて周期的
に異ならしめたものである。
トラインの形状を一定本数の間隔をもつて周期的
に異ならしめたものである。
(ホ) 作 用
本考案の表示装置に依れば、ドレインライン又
はゲートラインの形状が一定本数毎に異なつてい
るので、検査者が斯る表示装置を目視する際に形
状の異なるいずれかのラインのアドレスを基準と
して不良箇所のスイツチングトランジスタのアド
レスの確認が容易に行なえる。
はゲートラインの形状が一定本数毎に異なつてい
るので、検査者が斯る表示装置を目視する際に形
状の異なるいずれかのラインのアドレスを基準と
して不良箇所のスイツチングトランジスタのアド
レスの確認が容易に行なえる。
(ヘ) 実施例
第１図に本考案の表示装置の一実施例として、
ゲートライン１６，１６…を対象とした場合を例
示する。同図の実施例に依れば、ゲートライン１
６−１〜１６−１０の内、ゲートライン１０−５
とゲートライン１６−１０の平面形状に凹凸があ
り、他のゲートライン１６−１，１６−２，…
は、第２図のゲートライン１６と同様に一定巾を
もつものである。
ゲートライン１６，１６…を対象とした場合を例
示する。同図の実施例に依れば、ゲートライン１
６−１〜１６−１０の内、ゲートライン１０−５
とゲートライン１６−１０の平面形状に凹凸があ
り、他のゲートライン１６−１，１６−２，…
は、第２図のゲートライン１６と同様に一定巾を
もつものである。
即ち、この場合、ゲートライン１６…は５本周
期のアドレスで形状が異なつており、このゲート
ライン１６−５，１６−１０は検査者のアドレス
確認の為の目印として働くのである。
期のアドレスで形状が異なつており、このゲート
ライン１６−５，１６−１０は検査者のアドレス
確認の為の目印として働くのである。
又、上述の５本周期に加えて100本周期にさら
に異なる形状のゲートライン１６を配置すれば、
アドレス確認がより簡便になる。
に異なる形状のゲートライン１６を配置すれば、
アドレス確認がより簡便になる。
上述の実施例に於いては、ゲートライン１６の
みについて開示したが、これに加えてドレインラ
インについても同様の周期的配列を採用すれば不
良のスイツチングトランジスタのより正確なアド
レス確認が可能となる。
みについて開示したが、これに加えてドレインラ
インについても同様の周期的配列を採用すれば不
良のスイツチングトランジスタのより正確なアド
レス確認が可能となる。
(ト) 考案の効果
本考案の表示装置は以上の説明から明らかな如
く、ドレインライン又はゲートラインの形状を一
定数の間隔をもつて周期的に異ならしめたもので
あるので、斯る表示装置の製造工程中の工程チエ
ツク時又は不良スイツチングトランジスタの修正
処理時に於いて、検査者が顕微鏡にて目視する際
に、形状の異なつたラインをアドレスの目印とす
る事ができ、不良箇所の確認及び修正作業の作業
能率を大巾に向上せしめる事ができる。
く、ドレインライン又はゲートラインの形状を一
定数の間隔をもつて周期的に異ならしめたもので
あるので、斯る表示装置の製造工程中の工程チエ
ツク時又は不良スイツチングトランジスタの修正
処理時に於いて、検査者が顕微鏡にて目視する際
に、形状の異なつたラインをアドレスの目印とす
る事ができ、不良箇所の確認及び修正作業の作業
能率を大巾に向上せしめる事ができる。
第１図は本考案の表示装置の要部を示す平面
図、第２図ａは従来の表示装置の平面図、同図ｂ
はそのＸ−Ｘ線断面図を示す。 １３……アモルフアスシリコン層、１４……ド
レインライン、１５……ソース電極、１６……ゲ
ートライン。
図、第２図ａは従来の表示装置の平面図、同図ｂ
はそのＸ−Ｘ線断面図を示す。 １３……アモルフアスシリコン層、１４……ド
レインライン、１５……ソース電極、１６……ゲ
ートライン。
Claims (1)
- 並列配置された複数本のゲートラインと、該ゲ
ートライン上に層間絶縁膜を介して並列配置され
た複数本のドレインラインとが交差し、このマト
リクス状の各交差点にてFETからなるスイツチ
ングトランジスタのソース側に表示セグメント電
極を結合した表示装置に於いて、上記ドレインラ
イン又はゲートラインの形状を一定本数の間隔を
もつて周期的に異ならしめた事を特徴とする表示
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11061984U JPS6127178U (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11061984U JPS6127178U (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6127178U JPS6127178U (ja) | 1986-02-18 |
| JPH0345216Y2 true JPH0345216Y2 (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=30669743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11061984U Granted JPS6127178U (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6127178U (ja) |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP11061984U patent/JPS6127178U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6127178U (ja) | 1986-02-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101165472B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 | |
| US8355106B2 (en) | Display panel | |
| US7995184B2 (en) | Display substrate, liquid crystal display device including the same, and method of repairing the same | |
| US8174661B2 (en) | Liquid crystal display and method thereof | |
| US7916234B2 (en) | Liquid crystal display having first and second thin film transistors and first and second sub-pixel electrodes | |
| US6989883B2 (en) | Liquid crystal display device having a patterned spacer and method of fabricating the same | |
| JPH0627985B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ | |
| KR20160032393A (ko) | 액정 표시 장치 | |
| KR20090002753A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| CN102566128A (zh) | 液晶显示器及其制造方法 | |
| US8345195B2 (en) | Liquid crystal display | |
| JPS62265756A (ja) | 薄膜トランジスタマトリクス | |
| CN101581855B (zh) | 横向电场型液晶显示器装置 | |
| KR102076841B1 (ko) | 보조 공통 배선을 구비한 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 | |
| JPH06102537A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示素子 | |
| KR20150002254A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 | |
| JPH0345216Y2 (ja) | ||
| KR20080086119A (ko) | 액정표시장치 리페어 방법 | |
| JP3724163B2 (ja) | 液晶表示素子及び液晶表示装置 | |
| WO2019075887A1 (zh) | 阵列基板及显示面板 | |
| JPH058585Y2 (ja) | ||
| US20110025941A1 (en) | Active matrix substrate, liquid crystal display panel equipped with the same, and method of manufacturing active matrix substrate | |
| JP3346354B2 (ja) | 液晶表示パネル | |
| JPH0345217Y2 (ja) | ||
| KR101102020B1 (ko) | 액정표시패널 및 그 제조방법 |