JPH0345954Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0345954Y2
JPH0345954Y2 JP1670985U JP1670985U JPH0345954Y2 JP H0345954 Y2 JPH0345954 Y2 JP H0345954Y2 JP 1670985 U JP1670985 U JP 1670985U JP 1670985 U JP1670985 U JP 1670985U JP H0345954 Y2 JPH0345954 Y2 JP H0345954Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bell gear
metal
gear
susceptor
vapor phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1670985U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61133572U (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP1670985U priority Critical patent/JPH0345954Y2/ja
Publication of JPS61133572U publication Critical patent/JPS61133572U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0345954Y2 publication Critical patent/JPH0345954Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の属する技術分野〕 本考案は半導体基板或いは絶縁体基板(以下こ
れらをウエハという)上に半導体材料を気相成長
させる装置に関する。
〔従来技術〕
従来の縦型気相成長装置の一例を第2図により
述べる。ベースプレート11とこれに載置された
石英ベルジヤ12により反応室13が形成されて
おり、この反応室13内にあつてサセプタ支え1
4により支持されるサセプタ15の上面には複数
のウエハ16が載置されている。サセプタ15は
電動機17から歯車機構18を経て駆動軸19と
サセプタ支え14により回転駆動されるようにな
つており、その下面にはワークコイル20が設け
てある。また石英ベルジヤ12の外周にはこれを
覆う金属ベルジヤ21が配置されている。
ウエハ16はワークコイル20に給電すること
によりサセプタ15が赤熱されその熱を受けて所
定温度に加熱されると共に、ノズル22からキヤ
リアガスに混合された反応ガスを噴出させること
によりその上面に半導体の結晶を成長させてい
る。
このとき石英ベルジヤ12は加熱されるため金
属ベルジヤ21の頂部に孔23を設け、この孔2
3から適当なガス例えば窒素ガス等を流入させて
石英ベルジヤ12を冷却しその内面に反応ガスが
付着することを防止している。
このような装置においてウエハ16の気相成長
面は上面であつて加熱される下面とは反対である
ため、放熱や反応ガスとの接触により温度低下し
ウエハ16の表裏で温度差が生じ結晶欠陥である
スリツプが発生する。この防止策として金属ベル
ジヤ21の内面に反射効率の高い金属例えば金・
銀・アルミニウム或いはその他の材料を蒸着等に
より被膜することが提案されている。しかしなが
ら現実にはウエハ16が大口径化の傾向にあり反
応室13もそれに付随して大きくなり、反射効率
の高い金属の被膜層を金属ベルジヤ21に形成す
ることは経済的にも技術的にも困難でほとんど実
現されていなかつた。また石英ベルジヤ12の外
壁に反射効率の高い金属を蒸着等により被膜する
方式も提案されているが金属ベルジヤ21と同様
に実現性は乏しかつた。
〔考案の目的〕
本考案はこのような観点からなされたものでそ
の目的は、金属および石英の両ベルジヤに反射効
率の高い金属を被膜することなく簡単な構成で反
射面を形成できると共に反射面の保守も容易で、
輻射光の反射を有効に活用でき、これによりウエ
ハを均一に加熱してスリツプ欠陥の少ない高品質
の気相成長を行ない得る装置を提供することにあ
る。
〔考案の要点〕
本考案の気相成長装置は、金属ベルジヤと石英
ベルジヤとの間にこれらとは別に形成した反射板
を取付けるようにしたことを特徴にしている。
〔考案の実施例〕
以下本考案の一実施例を示す第1図について説
明する。石英ベルジヤ12の上方球面部と金属ベ
ルジヤ21との間には、反射効率の高い金属を内
側に被膜或いは被服した反射板31が取付部材3
2を介して、金属ベルジヤ21にバネ或いはバヨ
ネツト等により取付け取外しを容易にして取付け
られている。反射板31はサセプタ15の外径よ
り大きく金属ベルジヤ21の内径より小さくか
つ、その曲率半径はサセプタ15上面の中心C1
と反射板31下面の中心C2との距離にほぼ等し
いか或いはそれ以上であり、また平板でもよい。
なお反射板は反射効率の高い金属を被膜したと
はいえ若干の熱吸収があるため、反射板31と石
英ベルジヤ12の両者を冷却すべく金属ベルジヤ
21の孔23から反射板31の孔33を通して窒
素ガスを反射板31と石英ベルジヤ12との間に
流してある。特に成長温度が1000℃以上の場合に
は前記反射板31に水冷ジヤケツトを設けるかま
たは上面に冷却パイプを付着させることにより水
冷を行う方が望ましい。このように石英ベルジヤ
12の球面部上方に反射板31を配置することに
よりサセプタ15等から発した熱線は反射板31
に反射されてウエハ16の表面側を加熱する。
そこで、ウエハ16の表面からの放熱や反応ガ
スとの接触による該表面の温度低下が防止され、
ウエハ16の表裏の温度差が小さくなり、スリツ
プの発生が押えられる。また、反射板31は、石
英ベルジヤ12および金属ベルジヤ21のいずれ
からも切離して製作できるため、製造が容易であ
り、さらに保守も金属ベルジヤ21から外すこと
により容易にでき、修理中にもスペアの反射板3
1を用いることにより運転を続行することが可能
である。
〔考案の効果〕
本考案の気相成長装置は以上説明したように、
金属ベルジヤにこれとは別に形成した反射板を取
付け、この反射板を石英ベルジヤと金属ベルジヤ
との間に設けるようにしたため、比較的安価に反
射面を付与することができ、その保守も容易であ
り、さらに反射板の熱容量は比較的小さいので冷
却も容易で反射面の保護もより確実にでき、サセ
プタ等から発した熱線をより有効に反射させてウ
エハ表面を加熱することができ、スリツプの発生
を押えると共に熱エネルギーを有効利用する省エ
ネルギー効果もある等多くの利点を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例の断面図、第2図は
従来例の断面図である。 12……石英ベルジヤ、15……サセプタ、1
6……ウエハ、21……金属ベルジヤ、31……
反射板。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 1 サセプタを覆う石英ベルジヤと、同石英ベル
    ジヤを覆う金属ベルジヤとを有する気相成長装
    置において、前記金属ベルジヤの上部内面にサ
    セプタに対する反射板を取付け、前記金属ベル
    ジヤと石英ベルジヤ上部との間に前記反射板を
    位置させるようにしたことを特徴とする気相成
    長装置。 2 反射板の下側面に反射効率の高い金属の膜を
    設けたことを特徴とする実用新案登録請求の範
    囲第1項記載の気相成長装置。 3 反射板の曲率半径をサセプタ上面の中心C1
    と反射板下面の中心C2との距離にほぼ等しい
    かそれ以上にしたことを特徴とする実用新案登
    録請求の範囲第1項記載の気相成長装置。
JP1670985U 1985-02-08 1985-02-08 Expired JPH0345954Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1670985U JPH0345954Y2 (ja) 1985-02-08 1985-02-08

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1670985U JPH0345954Y2 (ja) 1985-02-08 1985-02-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61133572U JPS61133572U (ja) 1986-08-20
JPH0345954Y2 true JPH0345954Y2 (ja) 1991-09-27

Family

ID=30503737

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1670985U Expired JPH0345954Y2 (ja) 1985-02-08 1985-02-08

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0345954Y2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61133572U (ja) 1986-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4579080A (en) Induction heated reactor system for chemical vapor deposition
KR910007109B1 (ko) 화학증기증착 반응기용 반사장치
JP3008192B2 (ja) 化学気相蒸着の加熱装置
JP2001522138A (ja) 長寿命高温プロセスチャンバ
EP0147967B1 (en) Induction heated reactor system for chemical vapor deposition
TW201833381A (zh) 用於半導體處理腔室的吸收反射體
JP4374786B2 (ja) Cvd装置および薄膜製造方法
JP2009071210A (ja) サセプタおよびエピタキシャル成長装置
KR100375396B1 (ko) 준고온벽을갖춘반응챔버
JP3167976B2 (ja) 堆積装置のサセプタ
JPS63307740A (ja) 光化学反応処理装置
JPS5927755B2 (ja) エピタキシヤル層の成長方法及びそのための化学気相析出反応器
JPH0345954Y2 (ja)
JPH08203836A (ja) 気相成長装置
JPH047189Y2 (ja)
JPS5936927A (ja) 半導体気相成長装置
JPS627685B2 (ja)
CN102224277B (zh) 外延反应器的反应室
KR100351043B1 (ko) 코팅된 반사판을 구비한 히터 조립체
JPS6113562Y2 (ja)
CN223752952U (zh) 金属化学气相沉积设备及其反应腔室
JP2002006125A (ja) 反射板
JPH02103928A (ja) 気相成長装置
JPH0616922Y2 (ja) Cvd装置
JPS6358926A (ja) 気相表面処理反応装置