JPH0346317A - ウエハ露光装置およびウエハ多重露光方法 - Google Patents
ウエハ露光装置およびウエハ多重露光方法Info
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- JPH0346317A JPH0346317A JP1183364A JP18336489A JPH0346317A JP H0346317 A JPH0346317 A JP H0346317A JP 1183364 A JP1183364 A JP 1183364A JP 18336489 A JP18336489 A JP 18336489A JP H0346317 A JPH0346317 A JP H0346317A
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
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- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ウェハにマスクパターンを露光するための装置および方
法に関し。
法に関し。
同一のウェハに複数種のマスクパターンヲ露光する工程
のスループットを向上可能とすることを目的とし。
のスループットを向上可能とすることを目的とし。
露光光学系と、複数のウェハを該露光光学系に逐一送出
するウェハ供給系とを有するウェハ露光装置に、該複数
のウェハを収納可能なバッファ機構および該露光光学系
において露光された該複数のウェハを該バッファ機構を
経由して該ウェハ供給系に転送する転送径路とを設け、
該露光光学系において該複数のウェハに対し第１のマス
クパターンを露光したのち、該複数のウェハを該バッフ
ァ機構に収納し、該バッファ機構に収納された該複数の
ウェハを該転送径路を通じて該ウェハ供給系に転送した
のち、該露光光学系において該複数のウェハに対し第２
のマスクパターンを露光することから構成される。
するウェハ供給系とを有するウェハ露光装置に、該複数
のウェハを収納可能なバッファ機構および該露光光学系
において露光された該複数のウェハを該バッファ機構を
経由して該ウェハ供給系に転送する転送径路とを設け、
該露光光学系において該複数のウェハに対し第１のマス
クパターンを露光したのち、該複数のウェハを該バッフ
ァ機構に収納し、該バッファ機構に収納された該複数の
ウェハを該転送径路を通じて該ウェハ供給系に転送した
のち、該露光光学系において該複数のウェハに対し第２
のマスクパターンを露光することから構成される。
本発明は、ウェハにマスクパターンを露光する方法、と
くに同一ウェハに複数種のマスクパターンを多重露光す
るための搬送系および制御方法に関する。
くに同一ウェハに複数種のマスクパターンを多重露光す
るための搬送系および制御方法に関する。
［従来の技術］
ウェハ表面に塗布形成されたレジスト層に複数種のマス
クパターンを露光する場合がある。例えば、チップ領域
の面積が大きく、−回の露光ではこの領域全体に所定パ
ターンを投影できない場合には、このチップ領域を分割
し、それぞれの分割領域にパターンを投影する。このと
き、各分割領域に投影するパターンが異なる場合には、
マスクを交換して所定パターンを投影することになる。
クパターンを露光する場合がある。例えば、チップ領域
の面積が大きく、−回の露光ではこの領域全体に所定パ
ターンを投影できない場合には、このチップ領域を分割
し、それぞれの分割領域にパターンを投影する。このと
き、各分割領域に投影するパターンが異なる場合には、
マスクを交換して所定パターンを投影することになる。
あるいは、−枚のウェハ上には、製品となる半導体装置
チップに混在するようにしてモニタチップが形成される
。このモニタチップは、ＷＡ品チップでは測定できない
特定の特性を測定する目的で形成されるものであり、そ
のパターンは製品チップにおけるパターンと同一ではな
い。したがって。
チップに混在するようにしてモニタチップが形成される
。このモニタチップは、ＷＡ品チップでは測定できない
特定の特性を測定する目的で形成されるものであり、そ
のパターンは製品チップにおけるパターンと同一ではな
い。したがって。
この場合にも、それぞれのチップ領域に所定のパターン
を投影するために、マスクを交換する必要がある。
を投影するために、マスクを交換する必要がある。
すなわち、現像前のレジスト層に対して異種のマスクパ
ターンを多重露光するのである。３種あるいはそれ以上
のマスクパターンが上記のように多重露光される場合も
ある。
ターンを多重露光するのである。３種あるいはそれ以上
のマスクパターンが上記のように多重露光される場合も
ある。
第５図は従来の露光装置の構成および動作を説明するた
めのブロック図である。
めのブロック図である。
露光装置は大別して、露光光学系とウェハ搬送系とから
成る。ウェハ搬送系は、レジストが塗布された複数のウ
ェハを露光光学系ｌに逐一供給するセンダー２と、マス
クパターンが露光されたウェハを収納し、これを外部に
取り出すためのレシーバ３と、センダー２から送出され
たウェハ５が載置されるステージ４とから成る。
成る。ウェハ搬送系は、レジストが塗布された複数のウ
ェハを露光光学系ｌに逐一供給するセンダー２と、マス
クパターンが露光されたウェハを収納し、これを外部に
取り出すためのレシーバ３と、センダー２から送出され
たウェハ５が載置されるステージ４とから成る。
複数のウェハが収納された容器（カセット）６がセンダ
ー２に装着され、これからウェハ５が一枚ずつステージ
４に載置される。ここで方位調整（プリアライメント）
が行われたウェハ５を載置したステージ４が露光光学系
ｌ内に移動される。
ー２に装着され、これからウェハ５が一枚ずつステージ
４に載置される。ここで方位調整（プリアライメント）
が行われたウェハ５を載置したステージ４が露光光学系
ｌ内に移動される。
露光光学系ｌ内において、ウェハ５の位置調整が行われ
る。一方、マスクライブラリ７から所定マスクが抽出さ
れ、露光光学系１に装着され、マスクパターンの露光が
行われる。ステージ４が露光光学系１外に移動され、露
光済みのウェハ５が。
る。一方、マスクライブラリ７から所定マスクが抽出さ
れ、露光光学系１に装着され、マスクパターンの露光が
行われる。ステージ４が露光光学系１外に移動され、露
光済みのウェハ５が。
ステージ４からレシーバ３に装着されているカセット６
に収納される。露光が終了した所定数のウェハ５が充填
されたカセット６はレシーバ３から取り外され、空のカ
セット６がレシーバ３に装着される。一方、センダー２
から空になったカセット６が取り外され、所定数のウェ
ハ５が充填されたカセット６が装着される。
に収納される。露光が終了した所定数のウェハ５が充填
されたカセット６はレシーバ３から取り外され、空のカ
セット６がレシーバ３に装着される。一方、センダー２
から空になったカセット６が取り外され、所定数のウェ
ハ５が充填されたカセット６が装着される。
上記従来の露光装置においては、ウェハ５はセンダー２
からレシーバ３に一方向に流れるだけである。このため
、ウェハ５に複数種のマスクパターンを露光する場合に
は、露光光学系ｌ内にウェハ５を留めた状態で、露光が
終了したマスクを次のマスクと交換しては露光する手順
を採らざるを得ない。したがって、多重露光を行う場合
には。
からレシーバ３に一方向に流れるだけである。このため
、ウェハ５に複数種のマスクパターンを露光する場合に
は、露光光学系ｌ内にウェハ５を留めた状態で、露光が
終了したマスクを次のマスクと交換しては露光する手順
を採らざるを得ない。したがって、多重露光を行う場合
には。
ウェハごとにマスクの交換を要し、露光工程のスループ
ットが低下する問題があった。ちなみに。
ットが低下する問題があった。ちなみに。
マスクを交換しないで複数のウェハに対して露光を行う
場合には、約６０秒間隔でウェハが供給される。これに
対してマスクの交換に要する時間は３０ないし６０秒で
ある。したがって、スルーブツトは多重度にほぼ逆比例
して低下する。
場合には、約６０秒間隔でウェハが供給される。これに
対してマスクの交換に要する時間は３０ないし６０秒で
ある。したがって、スルーブツトは多重度にほぼ逆比例
して低下する。
本発明は上記のような多重露光におけるマスクの交換頻
度を低減することにより露光工程のスル−プットを向上
することを目的とする。
度を低減することにより露光工程のスル−プットを向上
することを目的とする。
（課題を解決するための手段〕
上記目的は、露光光学系と、複数のウェハを該露光光学
系に逐一供給するウェハ供給系と、前記複数のウェハを
収納可能なバッファ機構と、該露光光学系によりマスク
パターンを露光された前記複数のウェハを該バッファ機
構を経由して該ウェハ供給系に転送する転送径路とを備
えたことを特徴とする本発明に係るウェハ露光装置、お
よび。
系に逐一供給するウェハ供給系と、前記複数のウェハを
収納可能なバッファ機構と、該露光光学系によりマスク
パターンを露光された前記複数のウェハを該バッファ機
構を経由して該ウェハ供給系に転送する転送径路とを備
えたことを特徴とする本発明に係るウェハ露光装置、お
よび。
露光光学系と、複数のウェハを該露光光学系に逐一供給
するウェハ供給系とを有するウェハ露光装置に、該複数
のウェハを収納可能なバッファ機構および該露光光学系
において露光された該複数のウェハを該バッファ機構を
経由して該ウェハ供給系に転送する転送径路とを設け、
該露光光学系において該複数のウェハに対し第１のマス
クパターンを露光したのち、該複数のウェハを該バッフ
ァ機構に収納し、該バッファ機構に収納された該複数の
ウェハを該転送径路を通じて該ウェハ供給系に転送した
のち、該露光光学系において該複数のウェハに対し第２
のマスクパターンを露光することを特徴とする本発明に
係るウェハ多重露光方法によって達成される。
するウェハ供給系とを有するウェハ露光装置に、該複数
のウェハを収納可能なバッファ機構および該露光光学系
において露光された該複数のウェハを該バッファ機構を
経由して該ウェハ供給系に転送する転送径路とを設け、
該露光光学系において該複数のウェハに対し第１のマス
クパターンを露光したのち、該複数のウェハを該バッフ
ァ機構に収納し、該バッファ機構に収納された該複数の
ウェハを該転送径路を通じて該ウェハ供給系に転送した
のち、該露光光学系において該複数のウェハに対し第２
のマスクパターンを露光することを特徴とする本発明に
係るウェハ多重露光方法によって達成される。
第１図は本発明の原理図であって、第１のマスクパター
ンを露光されたウェハを一時的に収納するバッファ機構
１１と、露光済みのウェハをバッファ機構１１を通じて
ウェハ供給系に転送する閉じた径路（転送径路） １２
とを設けることにより、露光光学系ｌとマスクライブラ
リ７間におけるマスクの交換を１０ツトのウェハ（前記
カセット６に収納された複数のウェハ）単位で行うよう
にする。
ンを露光されたウェハを一時的に収納するバッファ機構
１１と、露光済みのウェハをバッファ機構１１を通じて
ウェハ供給系に転送する閉じた径路（転送径路） １２
とを設けることにより、露光光学系ｌとマスクライブラ
リ７間におけるマスクの交換を１０ツトのウェハ（前記
カセット６に収納された複数のウェハ）単位で行うよう
にする。
前記カセット６には９通常、２５〜５０枚程度のウェハ
が収納されている。したがって、ウェハー枚当たりのマ
スクの交換に要する平均時間は従来の■／２５〜１１５
０になり、スループントが向上される。
が収納されている。したがって、ウェハー枚当たりのマ
スクの交換に要する平均時間は従来の■／２５〜１１５
０になり、スループントが向上される。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
以下の図面において、既掲の図面におけるのと同じ部分
には同一符号を付しである。
には同一符号を付しである。
第２図は本発明の一実施例の構成および動作を説明する
ためのブロックである。第２図に示すように１本発明の
露光装置には、ｎ先光学系ｌにおいて露光されたウェハ
５を収容可能なバッファ機構１１と、露光されたウェハ
５をバッファ機構１１を通じてセンダー２（ウェハ供給
系）に転送するための転送径路１２が設けられている。
ためのブロックである。第２図に示すように１本発明の
露光装置には、ｎ先光学系ｌにおいて露光されたウェハ
５を収容可能なバッファ機構１１と、露光されたウェハ
５をバッファ機構１１を通じてセンダー２（ウェハ供給
系）に転送するための転送径路１２が設けられている。
バッファ機構１１には空のカセット１３が装着されてい
る。
る。
従来と同様に、複数のウェハ５がセンダー２から露光光
学系１に逐一供給され、ここで所定のマスクパターンが
露光されるが８本発明においては。
学系１に逐一供給され、ここで所定のマスクパターンが
露光されるが８本発明においては。
１０ツトのウェハ、すなわち、センダー２に装着されて
いるカセット６内のすべてのウェハ５．に対する第１の
マスクパターンの露光が終了するまで、ウェハ５の供給
および露光が繰り返される。
いるカセット６内のすべてのウェハ５．に対する第１の
マスクパターンの露光が終了するまで、ウェハ５の供給
および露光が繰り返される。
露光が終了したウェハ５は、バッファ１ｆｌ１１ニオけ
る空のカセッ）１３に順次収納される。
る空のカセッ）１３に順次収納される。
１０ツトのウェハの露光が終了すると、空になったカセ
ット６がセンダー２の外部に取り出される。そして、カ
セッ１−１３が転送径路１２を通じて転送され、センダ
ー２に装着される。同時に、露光光学系ｌにおける第１
のマスクは、マスクライブラリ７に格納されている第２
のマスクと交換される。そののち、センダー２に転送さ
れたカセット１３内に収納されている。第１のマスクパ
ターンを露光済みの複数のウェハ５が、上記と同様にし
てステージ４を介して露光光学系１に逐一供給され第２
のマスクパターンが露光される。
ット６がセンダー２の外部に取り出される。そして、カ
セッ１−１３が転送径路１２を通じて転送され、センダ
ー２に装着される。同時に、露光光学系ｌにおける第１
のマスクは、マスクライブラリ７に格納されている第２
のマスクと交換される。そののち、センダー２に転送さ
れたカセット１３内に収納されている。第１のマスクパ
ターンを露光済みの複数のウェハ５が、上記と同様にし
てステージ４を介して露光光学系１に逐一供給され第２
のマスクパターンが露光される。
のちに第３のマスクパターンを露光する場合には、第２
のマスクパターンの露光が終了したウェハ５は、バッフ
ァ機構１１に装着されている空のカセッ）１３に順次収
納され、二〇カセッ目３が転送径路１２を通じてセンダ
ー２に転送され、カセット１３に収納されている。第２
のマスクパターンを露光済みのウェハ５に対して、上記
と同様にして第３のマスクパターンの露光が行われる。
のマスクパターンの露光が終了したウェハ５は、バッフ
ァ機構１１に装着されている空のカセッ）１３に順次収
納され、二〇カセッ目３が転送径路１２を通じてセンダ
ー２に転送され、カセット１３に収納されている。第２
のマスクパターンを露光済みのウェハ５に対して、上記
と同様にして第３のマスクパターンの露光が行われる。
一方、第２または第３のマスクパターンの露光後に第３
または第４のマスクパターンの露光を行わない場合には
、露光が終了したウェハ５はステージ４からレシーバ３
に送られ、ここに装着されている空のカセット６に収容
される。
または第４のマスクパターンの露光を行わない場合には
、露光が終了したウェハ５はステージ４からレシーバ３
に送られ、ここに装着されている空のカセット６に収容
される。
上記の動作の制御は第３図に示すフローチャートの手順
に従って行われる。前記露光光学系１にマスク（ｊ）を
セットし、これが多重霧光される全マスクのうちの最終
マスク（ｊ ｏ）でないことが確認されると、露光され
たウェハがバッファ機構１１に装着されているカセット
１３に収納されるように。
に従って行われる。前記露光光学系１にマスク（ｊ）を
セットし、これが多重霧光される全マスクのうちの最終
マスク（ｊ ｏ）でないことが確認されると、露光され
たウェハがバッファ機構１１に装着されているカセット
１３に収納されるように。
また、カセット１３が転送径路１２を通じてセンダー２
に転送されるようにウェハの搬送径路を切り換える。次
いで露光光学系工にウェハ（ｉ）を供給し。
に転送されるようにウェハの搬送径路を切り換える。次
いで露光光学系工にウェハ（ｉ）を供給し。
これにマスク（ｊ）のパターンを露光したのち、ウェハ
（ｉ）を前記バッファ機構１１に装着されているカセッ
ト１３に収納する。
（ｉ）を前記バッファ機構１１に装着されているカセッ
ト１３に収納する。
次いで、ウェハ（ｉ）が前記カセット６における最終の
ウェハ（五〇）かどうを判定する。この判定は。
ウェハ（五〇）かどうを判定する。この判定は。
例えば７通常、センダー２に設けられている容量センサ
を用いて行うことができる。ウェハ（五〇）でない場合
には１次のウェハ（ｉ＋１）を露光光学系１に供給し、
これに対してマスク（ｊ）のパターンを露光する。ウェ
ハ（１０）である場合には、ウェハ（ｉ。）を露光後に
、露光光学系１におけるマスク（ｊ）を１次のマスク（
ｊ＋１）に交換する。
を用いて行うことができる。ウェハ（五〇）でない場合
には１次のウェハ（ｉ＋１）を露光光学系１に供給し、
これに対してマスク（ｊ）のパターンを露光する。ウェ
ハ（１０）である場合には、ウェハ（ｉ。）を露光後に
、露光光学系１におけるマスク（ｊ）を１次のマスク（
ｊ＋１）に交換する。
上記を繰り返し、マスクが最終マスク（ｊｏ）であるこ
とが検出された場合、露光されたウェハがレシーバ３に
装着されているカセット６に収納されるようにウェハ搬
送径路を切り換え、露光光学系１にウェハ（ｉ）を供給
して、マスク（ｊｏ）のパターンを露光し、ウェハ（ｉ
）を前記レシーバ３におけるカセット６に収納する。そ
して、最終のウェハ（１０）が露光されたことが検出し
て、露光工程を終了する。このとき、未露光の複数のウ
ェハが収納された次のカセットをセンダー２に装着する
よう指示する。
とが検出された場合、露光されたウェハがレシーバ３に
装着されているカセット６に収納されるようにウェハ搬
送径路を切り換え、露光光学系１にウェハ（ｉ）を供給
して、マスク（ｊｏ）のパターンを露光し、ウェハ（ｉ
）を前記レシーバ３におけるカセット６に収納する。そ
して、最終のウェハ（１０）が露光されたことが検出し
て、露光工程を終了する。このとき、未露光の複数のウ
ェハが収納された次のカセットをセンダー２に装着する
よう指示する。
第４図は本発明の別の実施例の構成および動作を説明す
るためのブロック図である。本実施例においては、セン
ダー２に装着さたカセット６に収納されている複数のウ
ェハ５は、ステージ４に逐−送られ、露光光学系１にお
いて露光されたのち。
るためのブロック図である。本実施例においては、セン
ダー２に装着さたカセット６に収納されている複数のウ
ェハ５は、ステージ４に逐−送られ、露光光学系１にお
いて露光されたのち。
レシーバ３に送られ、ここに装着されているカセット６
に収納される。センダー２におけるカセット６内のすべ
てのウェハ５の露光が終了すると。
に収納される。センダー２におけるカセット６内のすべ
てのウェハ５の露光が終了すると。
露光光学系１に装着されているマスクは、マスクライブ
ラリ７に格納されている次のマスクと交換される。次い
で、レシーバ３におけるカセット６に収納されている露
光が終了した複数のウェハ５は、ステージ４に逐−送ら
れ、露光光学系１において上記衣のマスクパターンを露
光されたのち。
ラリ７に格納されている次のマスクと交換される。次い
で、レシーバ３におけるカセット６に収納されている露
光が終了した複数のウェハ５は、ステージ４に逐−送ら
れ、露光光学系１において上記衣のマスクパターンを露
光されたのち。
センダー２に送られ、ここに装着されている空になった
カセット６に収納される。上記を繰り返してすべての所
要マスクパターンの露光が終了したウェハ５が収納され
たカセット６が、センダー２またはレシーバ３から外部
に取り出される。
カセット６に収納される。上記を繰り返してすべての所
要マスクパターンの露光が終了したウェハ５が収納され
たカセット６が、センダー２またはレシーバ３から外部
に取り出される。
本実施例においては、レシーバ３がバッファ機構として
機能し、レシーバ３からセンダー２に向かう破線が、ウ
ェハをバッファ機構から供給系に転送する転送径路を構
成している。本実施例によれば、センダー２とレシーバ
３とを区別せず、レシーバ３に未露光のウェハを収納し
たカセットを装着して露光を行うことも可能である。
機能し、レシーバ３からセンダー２に向かう破線が、ウ
ェハをバッファ機構から供給系に転送する転送径路を構
成している。本実施例によれば、センダー２とレシーバ
３とを区別せず、レシーバ３に未露光のウェハを収納し
たカセットを装着して露光を行うことも可能である。
本発明によれば、複数のマスクパターンを多重露光する
露光工程におけるマスクの交換頻度が低減され、該露光
工程のスループットを向上可能とする効果がある。
露光工程におけるマスクの交換頻度が低減され、該露光
工程のスループットを向上可能とする効果がある。
第１図は本発明の原理図。
第２図は本発明の露光装置の構成および動作説明図。
第３図は第２図における動作の制御手順を示すフローチ
ャート 第４図は本発明の別の実施例の構成および動作説明図。 第５図は従来の露光装置の構成および動作説明図 である。 図において。 １は露光光学系、 ２はセンダー ３はレシーバ、 ４はステージ。 ５はウェハ、 ６と１３はカセ・ント。 ７はマスクライブラリ、 １０はウェハ供給系１１は
バッファ機構、 １２は転送径路である。 本だ明の星工里臣明闇 鼾１図 木だ明の露、を鰻ｉの溝底あよへ動侶託明２夢 図 第２０１；ｂ′ける動作の制瀞乎順１示すフロー＋Ｙ−
ト茅３０
ャート 第４図は本発明の別の実施例の構成および動作説明図。 第５図は従来の露光装置の構成および動作説明図 である。 図において。 １は露光光学系、 ２はセンダー ３はレシーバ、 ４はステージ。 ５はウェハ、 ６と１３はカセ・ント。 ７はマスクライブラリ、 １０はウェハ供給系１１は
バッファ機構、 １２は転送径路である。 本だ明の星工里臣明闇 鼾１図 木だ明の露、を鰻ｉの溝底あよへ動侶託明２夢 図 第２０１；ｂ′ける動作の制瀞乎順１示すフロー＋Ｙ−
ト茅３０
Claims (2)
- （１）露光光学系と、 複数のウェハを該露光光学系に逐一供給するウェハ供給
系と、 前記複数のウェハを収容可能なバッファ機構と、該露光
光学系によりマスクパターンを露光された前記複数のウ
ェハを該バッファ機構を経由して該ウェハ供給系に転送
する転送径路 とを備えたことを特徴とするウェハ露光装置。 - （２）露光光学系と、複数のウェハを該露光光学系に逐
一供給するウェハ供給系とを有するウェハ露光装置に、
該複数のウェハを収納可能なバッファ機構および該露光
光学系において露光された該複数のウェハを該バッファ
機構を経由して該ウェハ供給系に転送する転送径路とを
設け、該露光光学系において該複数のウェハに対し第１
のマスクパターンを露光したのち、該複数のウェハを該
バッファ機構に収納し、該バッファ機構に収納された該
複数のウェハを該転送径路を通じて該ウェハ供給系に転
送したのち、該露光光学系において該複数のウェハに対
し第２のマスクパターンを露光することを特徴とするウ
ェハ多重露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1183364A JPH0346317A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | ウエハ露光装置およびウエハ多重露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1183364A JPH0346317A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | ウエハ露光装置およびウエハ多重露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0346317A true JPH0346317A (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=16134472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1183364A Pending JPH0346317A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | ウエハ露光装置およびウエハ多重露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0346317A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1059565A3 (en) * | 1999-06-09 | 2003-08-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection method |
| KR100549555B1 (ko) * | 1999-06-09 | 2006-02-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 투영방법 |
| WO2019091662A1 (en) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP1183364A patent/JPH0346317A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1059565A3 (en) * | 1999-06-09 | 2003-08-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection method |
| KR100549555B1 (ko) * | 1999-06-09 | 2006-02-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 투영방법 |
| WO2019091662A1 (en) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| CN111328383A (zh) * | 2017-11-09 | 2020-06-23 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备和方法 |
| US11226568B2 (en) | 2017-11-09 | 2022-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
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