JPH0346894B2 - - Google Patents
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- JPH0346894B2 JPH0346894B2 JP60130936A JP13093685A JPH0346894B2 JP H0346894 B2 JPH0346894 B2 JP H0346894B2 JP 60130936 A JP60130936 A JP 60130936A JP 13093685 A JP13093685 A JP 13093685A JP H0346894 B2 JPH0346894 B2 JP H0346894B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoresist
- silicon
- disk
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
本発明は光学記憶デイスクの製造方法及びさら
に具体的には光学記憶デイスクのためのマスタ・
モールド（種型）を形成する方法に関する。
に具体的には光学記憶デイスクのためのマスタ・
モールド（種型）を形成する方法に関する。
Ｂ 開示の概要
本発明に従う光学記憶デイスクのためのマス
タ・モールドを形成する方法は半導体ウエハを熱
的に成長される酸化物で被覆し、次にこの酸化物
をホトレジストで被覆する段階を含む。ホトレジ
ストがレーザ・ビームに露光され、データ・パタ
ーンが形成され、現像される。現像された酸化物
がエツチングされ、ホトレジストが剥離されて半
導体のマスタ・モールドが与えられる。
タ・モールドを形成する方法は半導体ウエハを熱
的に成長される酸化物で被覆し、次にこの酸化物
をホトレジストで被覆する段階を含む。ホトレジ
ストがレーザ・ビームに露光され、データ・パタ
ーンが形成され、現像される。現像された酸化物
がエツチングされ、ホトレジストが剥離されて半
導体のマスタ・モールドが与えられる。
Ｃ 従来技術
光学記憶デイスクはビデオ・デイスクに広く使
用され、極く最近はデイジタル・オーデイオ・デ
イスク（DAD）装置に使用されている。
用され、極く最近はデイジタル・オーデイオ・デ
イスク（DAD）装置に使用されている。
この様な装置においては、収束されるレーザ・
ビームが光学データ記憶デイスクの情報トラツク
に沿うデータ・ピツトとして情報を記憶してい
る。情報は読取り用レーザ・ビームによつて照射
される時にデイスクから反射される光を感知する
事によつて読取られている。この動作は（読取り
用の単色のレーザ・ビームの）1/4波長の深さに
よつて基板から通常区別される、一連のデータ・
ピツトからの正味の光の反射に依存している。デ
ータ・ピツトから反射される光は基板から反射さ
れる光と比較して正味半波長分の余分な経路をた
どる。これによつて破壊的（建設的）位相型の干
渉を生じ、光検出器の出力信号の正味の変化がデ
イスクによつて反射される光を表わしている。半
波長の経路長の差はデータ・ピツト及び基板の表
面間で最大コントラストを生ずる。記録されたデ
ータの場合には高いコントラストが望まれる。最
大コントラストを得る事を必要としない用途もあ
る。それは例えば光学読取り／書込みヘツドを案
内するサーボ・トラツクの場合である。この様な
用途の場合には、ピツトの深さは1/8波長で、経
路長の差は半波長以下、例えば1/4波長である。
光学記憶デイスクは通常マスタの複製によつて２
つの個別の面を形成し、２つの面を互に結合する
事によつて製造される。デイスクを製造した後
に、追加の情報を記録する必要がある場合には、
情報を帯びる表面は内側にされ、２つの面は空気
ギヤツプによつて分離される。
ビームが光学データ記憶デイスクの情報トラツク
に沿うデータ・ピツトとして情報を記憶してい
る。情報は読取り用レーザ・ビームによつて照射
される時にデイスクから反射される光を感知する
事によつて読取られている。この動作は（読取り
用の単色のレーザ・ビームの）1/4波長の深さに
よつて基板から通常区別される、一連のデータ・
ピツトからの正味の光の反射に依存している。デ
ータ・ピツトから反射される光は基板から反射さ
れる光と比較して正味半波長分の余分な経路をた
どる。これによつて破壊的（建設的）位相型の干
渉を生じ、光検出器の出力信号の正味の変化がデ
イスクによつて反射される光を表わしている。半
波長の経路長の差はデータ・ピツト及び基板の表
面間で最大コントラストを生ずる。記録されたデ
ータの場合には高いコントラストが望まれる。最
大コントラストを得る事を必要としない用途もあ
る。それは例えば光学読取り／書込みヘツドを案
内するサーボ・トラツクの場合である。この様な
用途の場合には、ピツトの深さは1/8波長で、経
路長の差は半波長以下、例えば1/4波長である。
光学記憶デイスクは通常マスタの複製によつて２
つの個別の面を形成し、２つの面を互に結合する
事によつて製造される。デイスクを製造した後
に、追加の情報を記録する必要がある場合には、
情報を帯びる表面は内側にされ、２つの面は空気
ギヤツプによつて分離される。
情報を帯びる表面は外側にする事も出来る。こ
の実施例では、デイスクは情報を保護するために
透明材料で被覆される。各半分の情報を帯びる表
面上に金属を付着して反射率が改良される。デー
タはクリアな基板を通して対物レンズによつて読
取られる。
の実施例では、デイスクは情報を保護するために
透明材料で被覆される。各半分の情報を帯びる表
面上に金属を付着して反射率が改良される。デー
タはクリアな基板を通して対物レンズによつて読
取られる。
マスタ・モールドを製造するための現存の技術
は複雑で制御が困難である。従つておびただしい
廃品が生じ、信号対雑音比も劣る。
は複雑で制御が困難である。従つておびただしい
廃品が生じ、信号対雑音比も劣る。
一つの製造方法では、マスタ基板例えばガラス
が研摩され、鏡面仕上げされ、光学的に平坦にさ
れる。次にガラス基板上にポジテイブ・ホトレジ
ストが付着され、硬化される。次にホトレジスト
はデータに従つて変調されたレーザ・ビームに露
光される。ホトレジストが現像され、露光領域の
ガラスがエツチングされる。次にレジストが剥離
され、データ・ピツトの深さが検査される。もし
深さが正確ならば第２の部分工程が開始される。
が研摩され、鏡面仕上げされ、光学的に平坦にさ
れる。次にガラス基板上にポジテイブ・ホトレジ
ストが付着され、硬化される。次にホトレジスト
はデータに従つて変調されたレーザ・ビームに露
光される。ホトレジストが現像され、露光領域の
ガラスがエツチングされる。次にレジストが剥離
され、データ・ピツトの深さが検査される。もし
深さが正確ならば第２の部分工程が開始される。
第２の部分工程では、金属のサブマスタもしく
はレプリカが形成される。ガラスが清浄にされ、
金属の薄層がスパツタリング、熱的蒸着、水溶性
化学付着もしくは他の同等の技法によつて付着さ
れる。この金属層は妥当な厚さが得られる迄行わ
れる次のめつきのベースになる。次に、レプリカ
はガラスからはがされ、形成固定具中に固定され
る。
はレプリカが形成される。ガラスが清浄にされ、
金属の薄層がスパツタリング、熱的蒸着、水溶性
化学付着もしくは他の同等の技法によつて付着さ
れる。この金属層は妥当な厚さが得られる迄行わ
れる次のめつきのベースになる。次に、レプリカ
はガラスからはがされ、形成固定具中に固定され
る。
若干簡単な方法では、ガラス基板が研摩され、
鏡面仕上げされて光学的に平坦な表面にされ、50
Åのクロムもしくは他の適切な金属層がガラス基
板上に付着される。次に波長の数分の一の厚さの
ホトレジスト層が与えられ、データに従つて変調
されたレーザ・ビームに露光され、現像される。
この時点のレジスト−クロム−ガラス組立体は次
の処理のためのマスタとして使用される。均一な
波長の数分の一程度の厚さのホトレジスト層を与
えるこの段階はホトレジストの機械的スピニング
及び薄くする動作に依存する。さらに上述の様に
めつきされたレプリカが剥離される時にホトレジ
スト及びクロムがガラス基板からはがれるのを防
止するためにピツトのプロフイールはなだらかで
なければならない。
鏡面仕上げされて光学的に平坦な表面にされ、50
Åのクロムもしくは他の適切な金属層がガラス基
板上に付着される。次に波長の数分の一の厚さの
ホトレジスト層が与えられ、データに従つて変調
されたレーザ・ビームに露光され、現像される。
この時点のレジスト−クロム−ガラス組立体は次
の処理のためのマスタとして使用される。均一な
波長の数分の一程度の厚さのホトレジスト層を与
えるこの段階はホトレジストの機械的スピニング
及び薄くする動作に依存する。さらに上述の様に
めつきされたレプリカが剥離される時にホトレジ
スト及びクロムがガラス基板からはがれるのを防
止するためにピツトのプロフイールはなだらかで
なければならない。
米国特許第4259433号は先ずガラス基板上にエ
ツチング層を形成するマスタの製造方法を開示し
ている。次にエツチング層上にはレーザ感知層が
レーザ・ビームに露光される。次にレーザ感知層
の露光部分に対応するエツチング層の部分がスパ
ツタ・エツチングによつて除去される。次にサブ
マスタ即ちレプリカがめつきの様な一般に知られ
た方法によつて得られる。
ツチング層を形成するマスタの製造方法を開示し
ている。次にエツチング層上にはレーザ感知層が
レーザ・ビームに露光される。次にレーザ感知層
の露光部分に対応するエツチング層の部分がスパ
ツタ・エツチングによつて除去される。次にサブ
マスタ即ちレプリカがめつきの様な一般に知られ
た方法によつて得られる。
この方法の一つの欠点はサブマスタもしくはレ
プリカを得るためにさらに多くの工程が残され、
必要な精度を両立可能な表面仕上げを与えるのに
時間がかかる点にある。従つてコストがかかり、
それ迄の段階の利点が失われる。
プリカを得るためにさらに多くの工程が残され、
必要な精度を両立可能な表面仕上げを与えるのに
時間がかかる点にある。従つてコストがかかり、
それ迄の段階の利点が失われる。
Ｄ 発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は表面仕上げが優れた、光学記憶
デイスクのためのマスタ・モールドを製造する方
法を与える事にある。
デイスクのためのマスタ・モールドを製造する方
法を与える事にある。
本発明に従えば、最小の工程で光学記憶デイス
クのためのマスタ・モールドを製造する方法が与
えられる。
クのためのマスタ・モールドを製造する方法が与
えられる。
本発明に従えば、データ・ピツトの深さが正確
に制御された、光学記憶デイスクのためのマス
タ・モールドを製造する方法が与えられる。
に制御された、光学記憶デイスクのためのマス
タ・モールドを製造する方法が与えられる。
Ｅ 問題点を解決するための手段
本発明の方法は熱的に成長されるか、付着され
る酸化物で被覆されたケイ素ウエハを基板として
使用する。次に酸化物がホトレジストで被覆さ
れ、レーザ・ビームに露光され、現像される。次
に酸化物は通常の方法を使用してエツチングさ
れ、ホトレジストが剥離され、酸化物層中に所望
のデータ・パターンを帯びるケイ素のマスタ・モ
ールド・インサートが与えられる。
る酸化物で被覆されたケイ素ウエハを基板として
使用する。次に酸化物がホトレジストで被覆さ
れ、レーザ・ビームに露光され、現像される。次
に酸化物は通常の方法を使用してエツチングさ
れ、ホトレジストが剥離され、酸化物層中に所望
のデータ・パターンを帯びるケイ素のマスタ・モ
ールド・インサートが与えられる。
データ・パターンは後に検索される情報を表わ
すか、成形されるレプリカ上の記憶を容易にする
ための単なるトラツク・サーボ・パターンを表わ
す。
すか、成形されるレプリカ上の記憶を容易にする
ための単なるトラツク・サーボ・パターンを表わ
す。
Ｆ 実施例
まずこの発明の実施例を説明するのに先立つ
て、その理解を容易にするために、従来の典型的
な例を説明しておく。
て、その理解を容易にするために、従来の典型的
な例を説明しておく。
第２図乃至第４図はデイスク・マスタを製造す
るための従来の技術の相継ぐ段階を示す。
るための従来の技術の相継ぐ段階を示す。
第２図を参照するに、光学的に鏡面仕上げされ
たガラスより成る基板１は容易にエツチングされ
る材料より成るエツチング層２によつて被覆され
ている。レーザ感知層３がエツチング層２上に形
成される。レーザ感知層３は十分なエネルギのレ
ーザ・ビームによつて入射される時に分解するか
昇華するホトレジストもしくは金属もしくは合金
である。データは感知層３中の開孔のパターンと
して記録され、感知層３の残りの部分が下のエツ
チング層２のためマスクとして使用される。
たガラスより成る基板１は容易にエツチングされ
る材料より成るエツチング層２によつて被覆され
ている。レーザ感知層３がエツチング層２上に形
成される。レーザ感知層３は十分なエネルギのレ
ーザ・ビームによつて入射される時に分解するか
昇華するホトレジストもしくは金属もしくは合金
である。データは感知層３中の開孔のパターンと
して記録され、感知層３の残りの部分が下のエツ
チング層２のためマスクとして使用される。
第２図に示されて如く、レーザ感知層３の部分
４は記録されたデータに従つて変調されたレー
ザ・ビームによつて除去される。次にレーザ・ビ
ームに露光されない部分５をマスクとして使用し
て、レーザ・ビームに露光されたエツチング層２
はスパツタ・エツチングによつて除去され、ピツ
トが形成され、第３図に示されたデイスク・マス
クが与えられる。逆パターンを有する金属サブマ
スタもしくはレプリカがめつきの様な一般に知ら
れた方法によつてデイスク・マスタから得られ
る。
４は記録されたデータに従つて変調されたレー
ザ・ビームによつて除去される。次にレーザ・ビ
ームに露光されない部分５をマスクとして使用し
て、レーザ・ビームに露光されたエツチング層２
はスパツタ・エツチングによつて除去され、ピツ
トが形成され、第３図に示されたデイスク・マス
クが与えられる。逆パターンを有する金属サブマ
スタもしくはレプリカがめつきの様な一般に知ら
れた方法によつてデイスク・マスタから得られ
る。
次に本発明に従う光学記憶デイスクのためのマ
スタ・モールドを製造する方法について第５図、
第６図、第７図、第８図及び第１図（完成図）を
参照して説明する。
スタ・モールドを製造する方法について第５図、
第６図、第７図、第８図及び第１図（完成図）を
参照して説明する。
この方法は主にその電気的性質にだけが注目さ
れてかなり無視されていた半導体材料の機械的及
び熱的性質、例えばケイ素の降伏強度がステンレ
ス鋼の３倍であり、単結晶ケイ素ウエハの表面仕
上げがプラステイツクの射出成形もしくは圧縮成
形に通常使用される工具鋼よりもはるかに優れて
いる点を利用している。
れてかなり無視されていた半導体材料の機械的及
び熱的性質、例えばケイ素の降伏強度がステンレ
ス鋼の３倍であり、単結晶ケイ素ウエハの表面仕
上げがプラステイツクの射出成形もしくは圧縮成
形に通常使用される工具鋼よりもはるかに優れて
いる点を利用している。
本発明に従う方法はケイ素基板及び酸化ケイ素
のエツチング（エツチング可能）層の場合につい
て説明される。第４図を先ず参照するに、ケイ素
ウエハ７が浄化されて、該ケイ素ウエハ上に読取
りレーザ・ビームの波長の数分の一に対応する
500乃至3000Åの厚さの熱的に成長されるかもし
くは付着される酸化ケイ素層８か形成される。
1982年マグロウ・ヒル書籍株式会社刊のデイ・ジ
エイ・エリオツト著「集積回路の製造技法」
（“Integrated Circuit Fabrication Technology”
by D.J.Elliot，McGraw−Hill Book
Company，1982）に開示されている様な通常の
半導体処理技法が使用される。代表的なバイポー
ラ・ベース酸化物の厚さは1000Å乃至1500Åを有
する。酸化物層の厚さは測定されて、所望の厚
さ、即ち単色レーザ・ビームの波長の所定の分数
値である事が保証される。もし熱的に成長された
酸化物層８が仕様内にある時には、酸化物層８を
有するケイ素ウエハ７は次の工程の開始迄保管す
る事が出来る。もし酸化物層８が仕様外である時
に、層８は剥離されて、再成長されるか、もしく
は付着される。この様な手段によつて無駄がなく
なり、より厳密な公差が保持される。もし望まれ
るならば、酸化物の形成中に酸化物層の厚さを測
定する一般に知られた技法が使用出来る。一度プ
ロセスが安定すると通常この技法は必要でなくな
る。
のエツチング（エツチング可能）層の場合につい
て説明される。第４図を先ず参照するに、ケイ素
ウエハ７が浄化されて、該ケイ素ウエハ上に読取
りレーザ・ビームの波長の数分の一に対応する
500乃至3000Åの厚さの熱的に成長されるかもし
くは付着される酸化ケイ素層８か形成される。
1982年マグロウ・ヒル書籍株式会社刊のデイ・ジ
エイ・エリオツト著「集積回路の製造技法」
（“Integrated Circuit Fabrication Technology”
by D.J.Elliot，McGraw−Hill Book
Company，1982）に開示されている様な通常の
半導体処理技法が使用される。代表的なバイポー
ラ・ベース酸化物の厚さは1000Å乃至1500Åを有
する。酸化物層の厚さは測定されて、所望の厚
さ、即ち単色レーザ・ビームの波長の所定の分数
値である事が保証される。もし熱的に成長された
酸化物層８が仕様内にある時には、酸化物層８を
有するケイ素ウエハ７は次の工程の開始迄保管す
る事が出来る。もし酸化物層８が仕様外である時
に、層８は剥離されて、再成長されるか、もしく
は付着される。この様な手段によつて無駄がなく
なり、より厳密な公差が保持される。もし望まれ
るならば、酸化物の形成中に酸化物層の厚さを測
定する一般に知られた技法が使用出来る。一度プ
ロセスが安定すると通常この技法は必要でなくな
る。
第６図及び第７図を参照するに、ホトレジスト
層９が一般に知られた方法、例えばスピン被覆に
よつて上記の熱的酸化物層８上に付着される。現
在この技術分野ではホトレジストを使用して、所
望の特徴を与えているが、代表的なデイスク上に
必要とされる領域に通常の半導体ホトリソグラフ
イを使用する事によつてはデータの同心性及び正
確な位置付けを与える事は出来ない。ホトレジス
ト層９は1978年７月１日刊アプライド・オプテイ
クス第17巻第13号、第2001〜2006頁のビー・エ
イ・ジエイ・ヤコブスの論文「ビデオ・マスタ・
デイスクのレーザ・ビーム記録」（“Laser Beam
Recording of Video Master Disks”by B.A.J.
Jacobs Published in Applied Optics，Vol.17，
No.13，July １，1978，Pages 2001−2006）に説
明された方法に従つて変調レーザ・ビームに露光
される。次の工程で、第８図に示された様に露光
されたホトレジストは米国特許第4104070号に説
明されたホトレジスト層９のレーザ・ビームに露
光されないホトレジスト層９の部分を除去する方
法に従つて現像される。ポジテイブ・ホトレジス
トは像反転プロセスと関連して使用され、ポジテ
イブ・ホトレジストによつて与えられる高い分解
能が得られる。ネガテイブ・ホトレジストは現在
使用されている若干低い分解能を与えるプロセス
である。現像された酸化物層８は反応性イオン・
エツチング（RIE）標準の水溶性エツチングもし
くはスパツタ・エツチングの様な通常の方法を使
用してエツチングされる。この段階中、ケイ素基
板７は自動エツチング停止体として働き、マス
タ・モールド・インサート中のデータ・ピツトに
自動的に適切な高さを与える。水溶性エツチング
の特徴である傾斜した側壁はモールドから部品を
除去するのを容易にする、抜き勾配を与えるので
好ましい技法である。
層９が一般に知られた方法、例えばスピン被覆に
よつて上記の熱的酸化物層８上に付着される。現
在この技術分野ではホトレジストを使用して、所
望の特徴を与えているが、代表的なデイスク上に
必要とされる領域に通常の半導体ホトリソグラフ
イを使用する事によつてはデータの同心性及び正
確な位置付けを与える事は出来ない。ホトレジス
ト層９は1978年７月１日刊アプライド・オプテイ
クス第17巻第13号、第2001〜2006頁のビー・エ
イ・ジエイ・ヤコブスの論文「ビデオ・マスタ・
デイスクのレーザ・ビーム記録」（“Laser Beam
Recording of Video Master Disks”by B.A.J.
Jacobs Published in Applied Optics，Vol.17，
No.13，July １，1978，Pages 2001−2006）に説
明された方法に従つて変調レーザ・ビームに露光
される。次の工程で、第８図に示された様に露光
されたホトレジストは米国特許第4104070号に説
明されたホトレジスト層９のレーザ・ビームに露
光されないホトレジスト層９の部分を除去する方
法に従つて現像される。ポジテイブ・ホトレジス
トは像反転プロセスと関連して使用され、ポジテ
イブ・ホトレジストによつて与えられる高い分解
能が得られる。ネガテイブ・ホトレジストは現在
使用されている若干低い分解能を与えるプロセス
である。現像された酸化物層８は反応性イオン・
エツチング（RIE）標準の水溶性エツチングもし
くはスパツタ・エツチングの様な通常の方法を使
用してエツチングされる。この段階中、ケイ素基
板７は自動エツチング停止体として働き、マス
タ・モールド・インサート中のデータ・ピツトに
自動的に適切な高さを与える。水溶性エツチング
の特徴である傾斜した側壁はモールドから部品を
除去するのを容易にする、抜き勾配を与えるので
好ましい技法である。
次の段階で、ホトレジスト層が剥離され、第１
図に示された様に唯成形治具に挿入されるだけで
よいマスタ・モールド・インサートが完成する。
図に示された様に唯成形治具に挿入されるだけで
よいマスタ・モールド・インサートが完成する。
上述の方法はケイ素及び２酸化ケイ素を使用し
たが、ゲルマニウムの様な基板材料、炭化ケイ素
もしくは窒化ケイ素の様なエツチング層が使用出
来る。上述の方法はわずかに修正してこれ等の材
料にも同じく良好に使用される。
たが、ゲルマニウムの様な基板材料、炭化ケイ素
もしくは窒化ケイ素の様なエツチング層が使用出
来る。上述の方法はわずかに修正してこれ等の材
料にも同じく良好に使用される。
本発明に従う方法は最小のプロセス段階で良好
な品質のデイスクを与える。ケイ素基板上に得ら
れる表面仕上げは現在の技術でガラス基板上に得
られるものよりも略10倍良好である。
な品質のデイスクを与える。ケイ素基板上に得ら
れる表面仕上げは現在の技術でガラス基板上に得
られるものよりも略10倍良好である。
ケイ素の熱導電度及び膨張率はモールド中で直
接サブマスタ即ちレプリカを得るのに適してい
て、モールド中に実際に使用される他の素子を製
造するのに必要なコストがいらなくなる。サブマ
スタは直接使用出来るので、他のモールド素子を
準備する際に生ずる任意のきずが除去される。
接サブマスタ即ちレプリカを得るのに適してい
て、モールド中に実際に使用される他の素子を製
造するのに必要なコストがいらなくなる。サブマ
スタは直接使用出来るので、他のモールド素子を
準備する際に生ずる任意のきずが除去される。
ケイ素及び酸化ケイ素の耐摩耗性によつて通常
のめつきによるレプリカと比較してより多くのデ
イスクをモールド出来、製品のコストがさらに減
少される。
のめつきによるレプリカと比較してより多くのデ
イスクをモールド出来、製品のコストがさらに減
少される。
モールド中のケイ素素子を直接使用出来るとい
う利点の外に、ケイ素素子は他の素子を形成する
のに使用出来、この他の素子をモールド中で使用
出来る。
う利点の外に、ケイ素素子は他の素子を形成する
のに使用出来、この他の素子をモールド中で使用
出来る。
Ｇ 発明の効果
本発明に従い、最小の工程で、表面仕上げが優
れた光学記憶デイスクのためのマスタ・モールド
を製造する方法が与えられる。
れた光学記憶デイスクのためのマスタ・モールド
を製造する方法が与えられる。
第１図は本発明に従つて製造されたケイ素マス
タ・モールドの断面図である。第２図、第３図及
び第４図は従来の技術に従うデイスク・マスタの
製造方法を示した断面図である。第５図、第６
図、第７図及び第８図は本発明の方法に従うケイ
素マスタ・モールドの製造段階を示した断面図で
ある。 １……基板、２……エツチング層、３……レー
ザ感知層、４……層３の除去部分、５……層３の
残される部分、６……層２の除去部分（データ・
ピツト）、７……ケイ素基板、８……酸化物層、
９……ホトレジスト。
タ・モールドの断面図である。第２図、第３図及
び第４図は従来の技術に従うデイスク・マスタの
製造方法を示した断面図である。第５図、第６
図、第７図及び第８図は本発明の方法に従うケイ
素マスタ・モールドの製造段階を示した断面図で
ある。 １……基板、２……エツチング層、３……レー
ザ感知層、４……層３の除去部分、５……層３の
残される部分、６……層２の除去部分（データ・
ピツト）、７……ケイ素基板、８……酸化物層、
９……ホトレジスト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) 厚さがデイスクを読取るのに使用される
放射線の波長の長さよりも薄いエツチング可能
な材料の層を単結晶半導体基板上に、形成する
段階と、 (b) 上記エツチング可能な材料の層の上にホトレ
ジスト層を付着する段階と、 (c) 上記ホトレジスト層を露光してデータ・パタ
ーンを形成する段階と、 (d) 露光した上記ホトレジストを現像してデー
タ・パターン・マスクを形成する段階と、 (e) 上記マスクを通して上記エツチング可能な材
料の層を上記単結晶半導体基板に達する迄エツ
チングする段階と、 (f) 残つた上記ホトレジスト層を除去して、マス
タ・モールド・インサートを形成する段階とを
含む光学記録デイスクを製造するためのモール
ド・インサートを形成する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US64708884A | 1984-09-04 | 1984-09-04 | |
| US647088 | 1984-09-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6168746A JPS6168746A (ja) | 1986-04-09 |
| JPH0346894B2 true JPH0346894B2 (ja) | 1991-07-17 |
Family
ID=24595646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13093685A Granted JPS6168746A (ja) | 1984-09-04 | 1985-06-18 | 光学記憶デイスクを製造するためのモ−ルド・インサ−トを形成する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0176684B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6168746A (ja) |
| DE (1) | DE3579879D1 (ja) |
Families Citing this family (14)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH01307035A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ディスクの製造方法 |
| NL8900017A (nl) * | 1989-01-04 | 1990-08-01 | Metatechnics | Werkwijze voor het op een band schrijven van tekens, en stelsel voor implementatie van deze werkwijze. |
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-
1985
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- 1985-07-23 EP EP19850109185 patent/EP0176684B1/en not_active Expired
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| EP0176684A2 (en) | 1986-04-09 |
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