JPH0347236Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔技術分野〕 本考案はホールICを用いた磁気近接スイツチ
に関するものである。

〔背景技術〕

第６図は従来のホールICを用いた磁気近接ス
イツチの概略構成を示す斜視図である。同図にお
いて、１はホールICであり、ホール素子を用い
て磁界を検出し、内蔵の増幅回路とスイツチング
回路を介して磁気検出出力を生じるようになつて
いる。かかるホールIC１は、プラスチツク成形
品よりなる非磁性体のボデイ２内に収納されてい
る。３は磁性体よりなる集磁板であり、周囲の磁
束を集束してホールIC１に与えるようになつて
いる。集磁板３は第７図に示すように中央部に下
方に向かつて突出する凹段部３ａを有しており、
この凹段部３ａがホールIC１の検出部に接する
ように配置されている。４はホールIC１につな
がるリード線であり、ボデイ２の端部に設けられ
た開口部２ａを介して外部に引き出されている。
ボデイ２の内部にはエポキシ樹脂等の注形樹脂が
モールドされている。６は取付穴であり、ボデイ
２を他の構造物に固定する際に使用されるもので
ある。また７は位置決め用の凸部であつて、取付
穴６によつてボデイ２を他の構造物に取り付けた
ときに、ボデイ２と該構造物との位置決めを行な
うものである。

第８図乃至第１０図は第６図従来例における磁
気近接スイツチの特性を示す図である。第８図の
特性図で、第９図ａ，ｂに示すようにホールIC
１の上方にて磁石８をｘ−x′方向に沿つて移動さ
せた場合における磁気近接スイツチの動作特性を
示す図である。また第１０図の特性図は、第１１
図ａ，ｂに示すようにホールIC１の上方にて磁
石８をｙ−y′方向に沿つて移動させた場合におけ
る磁気近接スイツチの動作特性を示す図である。
第８図および第１０図において、a₁，b₁は磁気近
接スイツチが検出動作を行なう点の軌跡を表わす
曲線であり、またa₂，b₂は磁気近接スイツチが復
帰動作を行なう点の軌跡を表わす曲線である。上
記各図において、a₁，a₂は第７図に示すような従
来の集磁板３を使用した場合の特性であり、また
b₁，b₂は上述のような集磁板３を使用しない場合
の特性である。第８図の特性図と第１０図の特性
図とを比較検討すれば明らかなように、集磁板３
の腕部３ｂが設けられているｘ−x′方向について
は、集磁板３を設けることにより検出距離（ｚ軸
方向の検出動作範囲）が長くなり、指向性も尖鋭
化されて改善されている。しかしながら、集磁板
３の腕部３ｂが設けられていないｙ−y′方向につ
いては、集磁板３を設けると、検出距離について
は良くなるが、指向性については第８図の場合の
ように尖鋭にはならず改善が見られないという欠
点があつた。

第１２図ａ乃至ｃは上述の集磁板３の動作を示
す図である。従来の集磁板３の形状は第１２図
ａ，ｂに示すように、ｘ−x′方向で、磁石８の有
無を検出する場合には検出距離が長く、指向性が
良好となつて大変効果的である。すなわち、まず
検出体たる磁石８が第１２図ａに示す位置にある
ときには、磁石８からの磁束の大部分は経路Ａ，
A′を通るものであり、ホールIC１の内部の検出
部（ホール素子）を貫通する磁束Ｂは非常に少な
く、ホールIC１に内蔵されたスイツチング回路
はオフ状態である。次に、検出体たる磁石８が第
１２図ａに示す状態から左方向に移動するに従
い、ホール素子を通過する磁束Ｂは増加し、ホー
ルIC１におけるスイツチング回路はオン状態と
なる。磁石８がさらに左方向に移動し、第１２図
ｂに示す状態となつたときにホール素子を貫通す
る磁束は最大となる。このため検出動作点の軌跡
は第８図の曲線a₁に示すように尖鋭な曲線状とな
る。ところが第１２図ｃに示すように、ｙ−y′方
向で磁石８の有無を検出する場合には、上述の第
１０図の曲線a₁に示すような特性となり、指向性
が悪くなつてしまう。これは検出体たる磁石８が
第１２図ｃに示すような位置にあるときには、磁
石８からの磁束は、集磁板３の腕部３ｂがないた
めに、第１２図ａの場合よりも広がり、しかもホ
ール素子を貫通する磁束Ｂが多くなるからであ
る。以上の説明から明らかなように、従来の集磁
板３を用いた場合には、磁気近接スイツチのｘ−
x′方向についての検出特性は検出距離、指向性と
もに改善されるが、ｙ−y′方向については、検出
距離は改善されても指向性は改善さなないという
問題があつた。

〔考案の目的〕

本考案は上述のような点に鑑みて為されたもの
であり、その目的とするところは、従来のように
特定の一方向についてのみならず、他の方向につ
いても検出距離および指向性の双方を集磁板を設
けることによつて改善することができるようにし
た磁気近接スイツチを提供するにある。

〔考案の開示〕

以下本考案の構成を図示実施例について説明す
ると、第２図乃至第５図に示すように、強磁性体
板よりなり、略正方形状の基片部３ｃと、基片部
３ｃの略中心部に形成された凹段部３ａと、基片
部３ｃの各辺部から略垂直に凹段部３ａの突出方
向に向かつて延出された腕部３ｂとを有する集磁
板３と、集磁板３の凹段部３ａ突出側の面に、凹
段部３ａに近接して配設され、凹段部３ａの突出
方向と略平行な方向の磁束の有無を検出するホー
ルIC１とを有するものである。すなわち、本考
案の特徴とするところは、上記従来例の説明にお
けるｘ−x′方向についてのみならずｙ−y′方向に
ついても集磁板３の腕部３ｂを設けて、指向性の
改善やｙ−y′方向についても行ない得るように
し、かつ腕部３ｂが増えたことによる集磁効果の
向上によつてｘ−x′方向、ｙ−y′方向ともに従来
例よりも検出距離を長くできるようにした点にあ
る。

第１図は本考案の一実施例に係る磁気近接スイ
ツチの概略構成を示す斜視図であり、第２図は上
記磁気近接スイツチにおいて用いる集磁板の外観
を示す斜視図である。また第３図ａ，ｂはそれぞ
れ第２図におけるＡ−A′線断面図およびＢ−
B′線断面図を示している。上記各図において、
第６図従来例と同一の機能を有する部品には同一
の符号を付してその説明は省略する。本実施例に
あつては、基片部３ｃの略中央部に、略正方形状
の凹段部３ａをしぼり加工によつて形成してい
る。また本実施例にあつてはｙ−y′方向について
の腕部３ｂには、矩形状の切欠凹所９を設けてあ
り、ホールIC１のリード線４を第１図に示すよ
うに通過させ得るようになつている。第４図ａは
本実施例において磁石８を第９図ａ，ｂに示すよ
うにｘ−x′方向に移動せしめた場合の磁気近接ス
イツチの検出動作特性を示す図であり、第４図ｂ
は同じく本実施例において磁石８を第１１図ａ，
ｂに示すようにｙ−y′方向に移動せしめた場合の
磁気近接スイツチの検出動作特性を示す図であ
る。ただし上記各図において、b₁，b₂は第８図お
よび第１０図におけるb₁，b₂と同じく集磁板３を
設けない場合の検知動作点および復帰動作点の軌
跡をそれぞれ示しており、またc₁，c₂は本実施例
における集磁板３を設けた場合の検知動作点およ
び復帰動作点の軌跡をそれぞれ示している。上記
第４図ａ，ｂを見れば明らかなように、本実施例
にあつては、集磁板３を設けることによつてｘ−
x′方向のみならず、ｙ−y′方向についても検出距
離が大きくなると共に、指向性が良好となるもの
である。

第５図ａは本考案の他の実施例において用いる
集磁板３の外観を示す斜視図であり、同図ｂは上
記集磁板３の展開図である。上記各図に示すよう
に、本実施例における集磁板３は、凹段部３ａを
しぼり加工によつてではなく、第５図ｂに示すよ
うな形状の強磁性体板を折り曲げ加工することに
よつて形成しているものである。すなわち、本実
施例にあつては、凹段部３ａは、基片部３ｃより
も充分に小さい略正方形状の中央片１０と、中央
片１０の各辺から垂直に、かつ同一方向に向つて
延出される長方形状の連結片１１とから成り、基
片部３ｃは各連結片１１の延出端部からそれぞれ
中央片１０と平行になるように放射状に延出され
る略台形状の基片素板１２から成るものである。
本実施例においても、腕部３ｂが基片部３ｃの各
辺から延出されているので、検知動作特性は第４
図ａ，ｂに示すようになり、ｘ−x′方向のみなら
ずｙ−y′方向についても検出距離が長くなり、指
向性も改善されるものである。なお、本実施例に
おいては前述の実施例における切欠凹所９に代え
てリード線４を引き出すためのリード線導出孔１
３を腕部３ｂに設けてある。このリード線導出孔
１３は横長の方形状となつており、前述の切欠凹
所９よりは小さくなつている。したがつて本実施
例における集磁板３による集磁効果は前述の実施
例の場合よりも若干改善されるものである。

〔考案の効果〕

本考案は叙上のように構成されており、強磁性
体板よりなり、略正方形状の基片部と、基片部の
略中心部に形成された凹段部と、基片部の各辺か
ら略垂直に凹段部の突出方向に向かつて延出され
た腕部とを有する集磁板と、集磁板の凹段部突出
側の面に、凹段部に近接して配設され、凹段部の
突出方向と略平行な方向の磁束の有無を検出する
ホールICとを有するものであるから、従来例の
ように磁気近接スイツチの一方向についてのみな
らず、当該一方向とは垂直な他の方向について
も、磁石の有無を検出できる検出距離が長くな
り、しかも指向性についても尖鋭になるように改
善されるという効果がある。また腕部が増えたこ
とによる集磁効果の向上によつて従来例に比べる
と、全体として検出距離が長くなるという効果も
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例に係る磁気近接スイ
ツチの斜視図、第２図は同上に用いる集磁板の斜
視図、第３図ａは第２図のＡ−A′線断面図、第
３図ｂは第２図のＢ−B′線断面図、第４図ａ，
ｂは第１図の磁気近接スイツチの動作説明図、第
５図ａは本考案の他の実施例に係る磁気近接スイ
ツチにおいて用いる集磁板の斜視図、第５図ｂは
同上の集磁板の展開図、第６図は従来例の磁気近
接スイツチの斜視図、第７図は同上に用いる集磁
板の斜視図、第８図は同上の磁気近接スイツチ動
作説明図、第９図ａ，ｂはそれぞれ同上の使用状
態における正面図および平面図、第１０図は同上
の磁気近接スイツチの動作説明図、第１１図ａ，
ｂはそれぞれ同上の使用状態における正面図およ
び平面図、第１２図ａ，ｂ，ｃはそれぞれ同上の
磁気近接スイツチの動作原理を示す動作説明図で
ある。 １はホールIC、３は集磁板、３ａは凹段部、
３ｂは腕部、３ｃは基片部、１０は中央片、１１
は連結片、１２は基片素板である。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 強磁性体板よりなり、略正方形状の基片部
   と、基片部の略中心部に形成された凹段部と、
   基片部の各辺から略垂直に凹段部の突出方向に
   向かつて延出された腕部とを有する集磁板と、
   集磁板の凹段部突出側の面に、凹段部に近接し
   て配設され、凹段部の突出方向と略平行な方向
   の磁束の有無を検出するホールICとを有して
   成る磁気近接スイツチ。 (2) 凹段部は、基片部をしぼり加工して形成して
   成る実用新案登録請求の範囲第１項記載の磁気
   近接スイツチ。 (3) 凹段部は、基片部よりも充分に小さい略正方
   形状の中央片と、中央片の各辺から垂直に、か
   つ同一方向に向かつて延出される長方形状の連
   結片とから成り、基片部は各連結片の延出端部
   からそれぞれ中央片と平行になるように放射状
   に延出される略台形状の基片素板から成る実用
   新案登録請求の範囲第１項記載の磁気近接スイ
   ツチ。