JPH0347623B2

JPH0347623B2 -

Info

Publication number: JPH0347623B2
Application number: JP57120610A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Kawahara; Masaki Isogai; Akimasa Sato
Original assignee: Nippon Kogaku KK
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1982-07-13
Filing date: 1982-07-13
Publication date: 1991-07-19
Also published as: JPS5912674A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、銀塩フイルムの代りに固体撮像素子
を用いて撮像し、得られた映像信号を電子的或い
は、磁気的に記録する電子スチルカメラに用いて
有効な固体撮像素子及び装置に関するものであ
る。

電子スチルカメラに対して、これまでビデオカ
メラ用に開発され用いられてきた各種固体撮像素
子をそのまま用いようとする場合に問題となる点
の１つにシヤツタ機能がある。電子スチルカメラ
の如く、銀塩フイルムを使用しないシステムの大
きなメリツトは、完全な遮光を必ずしも必要とし
ない点にあり、また、同時に振動、騒音の発生原
因となるメカニカルシヤツタが不要となり得る点
にある。このためには撮像素子自体にシヤツタ機
能を持つ必要があり、これには既に、オーバーフ
ロードレイン（OFD）及びオーバーフローコン
トロールゲート（OFCG）を有するインターライ
ン転送CCDや、フレーム転送CCDにおいて、こ
の要求をある程度満たすことが確認されている。
中でも、OFD付きインターライン転送CCDは、
全ての受光素子から不要電荷をOFDへ一括して
排出することで露光の準備をし、露光により発生
した信号電荷を光遮蔽された垂直転送CCDに同
じく一括して転送することで露光を完了すること
ができるため、理想的なシヤツター機能を持つと
言え、原理的には、従来のメカニカルシヤツタで
は実現できなかつた数μsec程度のシヤツタータイ
ムも可能となる。これに対して、フレーム転送
CCDの場合には、受光領域から蓄積領域への転
送を露光下で行なうため、原理的にCCD自体の
シヤツター機能を用いる限り高速シヤツター時
Ｓ／Ｎの低下をまぬがれず、実用上は1/500秒程
度が限界と考えられる。

このように、固体撮像素子自体のシヤツター機
能を用いる時、高速シヤツター側は、ほゞ満足で
きる性能を持つているが、低速シヤツター側に
は、まだいくつかの問題が残つている。

その最大原因は、暗電流にあり、特に低照度撮
影において著しく画質を劣化させる要因となつて
いた。この暗電流は、強い温度依存性を持ち、低
温程小さくなる。そこで、撮像素子自体を冷却
し、暗電流を減少させる方法も考えられる。この
場合、冷却手段としてペルチエ効果を利用するこ
ととなるが、大電流を必要とし、消費電力が増大
し、しかも冷却されるまでの時定数や、結露等小
型のカメラに組み込むには多くの欠点がある。

また、露光中或いは露光完了直前に転送領域に
発生した暗電流電荷を外部に排出することも考え
られたが、このようにしても受光領域に発生する
暗電流の対策とはなつていなかつた。

上記の撮像素子を冷却する以外に、暗電流を補
償する手段として、各水平走査線の一部に相当す
る受光領域を光遮蔽し、信号電荷を外部に読み出
した後、光遮蔽された部分の暗電流レベルを基準
レベルにクランプすることで、暗電流成分を除去
することも通常ビデオカメラでは行なわれてきた
が、この場合には、電子スチルカメラで必要とさ
れる程の長時間になると、暗電流が大きくなりダ
イナミツクレンジを狭くしてしまう他、受光領域
のみならず、転送領域の暗電流も加算して読み出
しているため正確には暗電流成分を除去できない
という欠点を持つていた。

ここにおいて、本発明の目的は、これら従来の
欠点を解決し、長時間露光の際の暗電流による信
号劣化を防止し、スローシヤツター機能を可能に
する電子スチルカメラに用いて有効な撮像装置を
提供しようとするものである。

本発明に係る装置は、電子的なシヤツター機能
を有する２次元固体撮像素子の同一基板上に、長
時間露光の際、フオトダイオードに蓄積される不
要電荷分を検出する検出手段を設けた点にひとつ
の特徴がある。

第１図は本発明に係る固体撮像素子の一例を示
す全体概念図、第２図は第１図における−断
面図、第３図は第１図における−断面図であ
る。

これらの図において、H.BCCDは転送クロツ
クφ_H1，φ_H2が印加されている水平転送レジスタ、
V.BCCDは転送クロツクφ_V1，φ_V2，φ_V3，φ_V4（第
２図、第３図ではこれらを総括してφ_Vと示す）
が印加されている垂直転送レジスタである。１は
不要電荷排出のためのオーバーフロードレイン
（OFD）、２は受光用のPN接合フオトダイオード
で、マトリツクス状に複数個配列している。３は
OFD１とフオトダイオード２との間に形成され
たオーバーフローコントロールゲート（OFCG）
で、フオトダイオード２に蓄積された電荷の
OFD１への排出を制御する。V.BCCDはＮ型領
域の埋め込みチヤンネル４と、転送クロツクφ_V
が印加される電極５で形成されており、信号電荷
を紙面垂直方向（第２図の場合）に転送（垂直転
送）する。６はフオトダイオード２とV.BCCDと
の間に形成されたトランスフアーゲートで、フオ
トダイオード２からV.BCCD側への信号電荷の転
送を、ここに印加される所要電圧TGによつて行
なう。７はV.BCCDに隣接する次の垂直ラインを
担当するOFD１とV.BCCDの埋め込みチヤンネ
ル４との間に形成したクリアゲートで、ここに印
加される信号CG₁によつて、埋め込みチヤンネル
４からOFD１を介してV.BCCDの電荷を素子外
部に排出できるようになつている。９は遮光部材
で、ここではフオトダイオード２の領域を除くす
べての領域を覆つているが、基本的には埋め込み
チヤンネル４と電極５で形成されるV.BCCDの領
域のみを覆つていればよい。

第１図において、破線で囲んだ領域２１（この
領域の断面図を第３図に示す）は、暗電流検出領
域を構成しており、それ以外の領域と同一の基板
上に形成され、両領域は温度平衝状態にあり、そ
の構造は、前記領域２１の上部全面が遮光部材１
９で覆われている以外は第２図に示す断面図と
ほゞ同じである。すなわち、１１はOFD₁、１２
はフオトダイオード、１３はOFCG、１４はV.
BCCDの埋め込みチヤンネル領域、１５はV.
BCCDの転送電極、１６６はトランスフアーゲー
ト、１７はV.BCCDの電荷をCFD₂１８に排出す
るためのクリアゲートである。

このように構成された装置は、各V.BCCDに対
してクリアゲート７が設けられ、全てのV.BCCD
より一括して電荷をOFD１及びリード線２３側
に排出できる点と、暗電流検出領域２１におい
て、V.BCCD電荷を排出するOFD₂が、他の領域
のOFD１と別に分けて、リード線２２を介して
外部に取り出されるように構成されている点が従
来のインターライン転送CCDと異なつている。

第４図は第１図で示した本発明に係る固体撮像
素子を電子スチルカメラの撮像装置に使用する場
合の周辺回路の一例を示す構成図である。

この図において、２８は第１図で示した固体撮
像素子（以下単にCCDという）で、各符号は第
１図において各端子に付された符号と対応してい
る。出力回路のリセツトドレインRD、出力ドレ
インOD、出力ゲートOGには、各々適当な直流
電圧V_RD，V_OD，V_OGが印加されている。２９〜３
５はそれぞれクロツクドライバーで、アナログス
イツチ３６〜４３からの出力電圧を電流増巾し、
CCD２８の各端子CG₁，CG₂，OFCG，RG，φ_H，
φ_V及びTGに印加する。アナログスイツチ３６〜
４３がオフの時は、０電圧がCCD２８の各端子
には印加される。

ここで、水平転送レジスタH.BCCDの転送ク
ロツクφ_H1，φ_H2はまとめてφ_Hで、また、垂直転送
レジスタV.BCCDの転送クロツクφ_V1，φ_V2，φ_V3，
φ_V4はまとめてφ_Vとしてある。従つて、クロツク
ドライバ３３、アナログスイツチ４１は実際には
それぞれ２個存在し、また、クロツクドライバ３
４、アナログスイツチ４２は、実際にはそれぞれ
４個存在する。

４４はタイミングパルス発生回路で、CCD２
８を駆動するに必要なパルス群φ_CG1，φ_CG2，
φ_OFCG1，φ_OFCG2，φ_RG，φ_H1，φ_H2，φ_V1，φ_V2，φ
_V3，
φ_V4，φ_TG及び暗電流補償を行なう回路に供給する
パルス群φ_X，φ_Sの他、CCD２８から出力される
映像信号処理に必要な周期信号φ_SYNC、クランプ
パルスφ_CP、記録に際しての有効信号領域を示す
ゲート信号φ_RECG等を出力する。

４５はシヤツタータイム演算回路で、タイミン
グパルス発生回路４４に対してタイミング信号と
して、露光開始指示パルスφ_ST、露光完了パルス
φ_EDを与えている。ここで露光開始パルスφ_START
は図示してないカメラシヤツター釦の押下により
与えられ、また、露光完了パルスφ_EDは、絞り値
検出抵抗４６等の撮影条件情報に基づき、図示し
てない光学系に設けられた測光用フオトダイオー
ド４７による測光素子出力から演算して得られた
シヤツタータイムの後に発生する。なお、ここで
は測光用フオトダイオード４７を設けたが、測光
はCCD２８自体により測光してもよい。この場
合、第２図においてOFCG３に高電圧を印加し、
全てのフオトダイオード２からの出力電流を検出
することによつて、全面平均測光が行なえる。

４８，４９，５０，５１はいずれも演算増巾
器、５３はサンプルアンドホールド回路で、スイ
ツチ素子５４、コンデンサ５５及び高入力インピ
ーダンス増巾器５６で構成されている。これらの
演算回路及びサンプルアンドホールド回路は、
CCD２８の内部で暗電流補償を行なうための回
路を構成している。

第１段の演算増巾器４８は、CCD２８の光遮
蔽された領域２１（第１図参照）のV.BCCDに沿
つて設けられたOFD１８に対し、バイアス電圧
V_OFDを印加するとともに、OFD１８に流入する
電流IDを検出し、これを電圧に変換するための
回路であり、その出力端に、(1)式に示すような電
圧e₀を出力する。

e₀＝V_OFD＋R₀・Id ……(1) たゞしR₀は演算増巾器４８の帰還抵抗（電流
検出抵抗）の値すなわち、CCD２８の暗電流電
荷が蓄積されている時、パルスφ_CGをもつてアナ
ログスイツチ３７をオンとし、電圧V_CGを印加す
れば、領域２１のV.BCCDの暗電流電荷が全て同
時に排出され、OFD₂には暗電流Idが流れて、演
算増巾器４８の出力端には(1)式で示すような電圧
e₀を得ることができる。

演算増巾器４９は、演算増巾器４８の出力電圧
e₀の中のバイアス電圧V_OFDを減算し、その出力端
に電流Idに比例した出力電圧−（R₂／R₁）・R₀・
Idを得る減算回路を構成している。

本発明のひとつの狙いは、この暗電流比例出力
電圧をもつて、本来の例えば高速シヤツター時に
トランスフアーゲートTGに印加すべき電圧V_TG
を変更することにあり、暗電流が増加する程、
V_TGから大きな電圧を減算し、この減算結果とな
る電圧V_TG′を用いてフオトダイオードからV.
BCCDへの信号電荷の転送を制御するよう構成し
ている。２つの演算増巾器５０，５１がこのため
の減算回路を構成する。演算増巾器５１が出力端
には(2)式に示すような電圧e₀₁が得られ、抵抗R₄
を変化させることでIdの係数を変化させ、トラン
スフアーゲート電圧への効果を調整する。

e₀₁＝V_TG−R₂・R₃・R₀／R₁・R₄・Id ……(2) なお、この実施例では、線型の素子を用いた場
合であるが、トランスフアーゲート電圧V_TG′に
よるフオトダイオードとV.BCCD間のポテンシヤ
ル変化は非線型であり、これは抵抗R₄の代りに
非線型素子を用いることによつて解決される。さ
らに電流検出抵抗R₀をダイオードを含む非線型
回路で置換し、対数圧縮を行なうこともできる。

サンプルアンドホールド回路５３は、φ_CGによ
る電流検出のタイミングとφ_TGによる電荷転送の
タイミングとの時間的な遅れに対応するために設
けられている。この実施例では、また、オーバー
フローコントロールゲートOFCGには、２つの電
圧V_OFCG1，V_OFCG2を選択して用いるように構成さ
れており、φ_OFCG1かφ_OFCG2のいずれかをオンさせ
てこれを実現している。

２つの電圧には、V_OFCG2＞V_OFCG1の関係があり、
通常の露光状態においては、V_OFCG1がOFCGに印
加されるようにし、この場合、ブルーミング状態
になりフオトダイオードから電荷があふれた時、
これを隣接するOFD₁に排出できる。また、
V_OFCG2がOFCGに印加された場合には、フオトダ
イオードとOFD₁との境界ポテンシヤルは充分低
くなり、フオトダイオードに存在する基準ポテン
シヤル以上の電荷は全てOFD₁に排出される。

以下、第５図の波形図を参照しながら第４図回
路の動作を次に説明する。

第５図ａに示すように、撮影開始に当つて、露
光開始パルスφ_STARTが時刻ｔ＝t₀においてシヤツ
ター釦押下により発生すると、シヤツタータイム
演算回路４５では、タイミング制御回路４４より
与えられる第５図ｂに示す垂直同期信号V.Dに同
期して測光を開始するとともに、タイミング制御
回路４４に対する露光開始指示パルスφ_STを第５
図ｃの如く発生する。該パルスφ_STを受けたタイ
ミング制御回路４４では、φ_STに同期して第５図
ｅ，ｆで示すようにφ_OFCG2を“Ｈ”（High）レベ
ル、φ_OFCG1を“Ｌ”（Low）レベルとして、フオ
トダイオードから電荷をOFDに排出するととも
に、第５図ｇ，ｈに示した２つのクリアゲート
φ_CG1，φ_CG2を“Ｈ”レベルとして、V.BCCDに存
在した電荷もOFD₁及びOFD₂に排出する。以上
の動作は、単一パルスの印加で済むため10μsec程
度の短時間で完了する。

ここでは、CCD２８をビデオカメラにも用い
ることもできるものとして説明するとともに、静
止画撮影の場合にも映像信号の読出しはTVにお
けるフイールド画像であるとする。

第５図ｂに示した垂直同期信号V.Dは、1/60秒
周期で連続的に発生しており、時刻ｔ＝t₁での露
光開始より次の垂直同期信号V.Dまでの1/60秒以
内に露光が完了する場合には、暗電流による影響
は小さく、通常の光遮蔽された部分についてのク
ランプ処理により実用上何ら問題は生じない。

第５図には、そのような高速シヤツター動作と
は異なり、シヤツタータイムが1/60秒を超える場
合、すなわち、露光が1/60秒を超えても終らず、
第５図ｄに示した露光完了信号φ_EDが、シヤツタ
ータイム演算回路４５から1/60秒の期間巾で発生
しない場合が示されている。このような場合に
は、第５図ｉにφ_Xで示したパルスが“Ｌ”レベ
ルに時刻ｔ＝t₂で垂直同期信号VDに同期して変
化し、電子カメラは暗電流補償モードに移行す
る。

このパルスφ_Xは、第４図回路において、アナ
ログスイツチ５７のオン、オフを制御しており、
φ_Xが“Ｈ”レベルならばアナログスイツチ５７
はオンとなり、トランスフアーゲートTGに印加
されるべき第５図ｈに示した電圧V′_TGは、V′_TG＝
V_TGとなり、フオトダイオード２からV.BCCDに
は完全転送が実現される。一方、φ_Xが“Ｌ”レ
ベルならば、アナログスイツチ５７はオフとな
り、V_TG′はサンプルアンドホールド回路５３が
サンプルモードにある時、OFD₂に流れ込む暗電
流Idに応じてV_TGより低い電圧となる。

次に、時刻ｔ＝t₃からｔ＝t₅に至る付近での動
作説明を行なう。暗電流補償モードに移行した
後、予め設定された時間（例えばV.Dの４周期1/
１５秒）経過しても、露光完了信号φ_EDが発生しな
い場合には、その時刻ｔ＝t₃において、２つのク
リアゲートＣ G₁，Ｃ G₂に対し、φ_CG1，φ_CG2の
パルスを発生させて電圧V_CGを印加し、V.BCCD
の全てから、暗電流電荷を排出する。このうち、
OFD₂より排出された電荷は、パルス電流とな
り、第４図におけるサンプルアンドホールド回路
５３の入力に第５図ｈの時刻ｔ＝t₃からｔ＝t₄に
至るV_TG′の電圧変化を生み出す。この電圧変化
をサンプルアンドホールド回路５３で記憶保持す
るため、パルスφ_Sをｔ＝t₄において“Ｌ”レベル
とする。なお、このサンプルアンドホールド回路
５３は、ピークホールド回路で置換してもよい。

この保持された電圧V_TG′は、電圧V_TGよりも低
く、従つて、フオトダイオード２からV.BCCDへ
の不完全転送をもたらすこととなり、電圧V′_TGが
保持されている間で時刻ｔ＝t₄からｔ＝t₅の間
に、トランスフアーゲートTGにこの電圧を第５
図ｌに示すパルスφ_TGをもつて転送すれば、フオ
トダイオード２に発生した暗電流電荷を信号電荷
の総和の中から、信号電荷のみをV.BCCDに転送
することが可能となる。この際には、V_TG′がId
に応じて適切な電圧レベルとなるように調整す
る。ここで光遮蔽された領域２１のV.BCCDに発
生する暗電流と、受光領域のフオトダイオード２
に発生する暗電流との間には一定の関係があるも
のとする。

この結果、光遮蔽されていないフオトダイオー
ド２に隣接するV.BCCDには、ｔ＝t₁からｔ＝t₄
までの期間にフオトダイオードに発生した信号電
荷のみを移すことができる。この場合、若干の暗
電流電荷も信号電荷とともにV.BCCDに転送され
るよう調整するのが現実的であり、この電荷はバ
イアス電荷として働いて信号電荷が微小な部分で
の信号電荷取りこぼしを低減させる効果を持つ。
また、この若干の暗電流電荷は、暗電流検出領域
２１内のV.BCCDに対しても、全く同様に転送さ
れるので、CCD２８外に読み出す際のクランプ
処理により除去が可能なものである。

フオトダイオード２から信号電荷がV.BCCDに
転送され、残つた暗電流電荷は、時刻ｔ＝t₅にお
いて再び、第５図ｅ，ｆに示すφ_OFCG2，φ_OFCG1を
変化させ、OFCGに電圧V_OFCG2を印加してOFD₁
に排出する。

この後、フオトダイオードは再び受光電荷蓄積
を開始する。また、上述の動作に要する時間は、
それまでの時刻ｔ＝t₁に始まりｔ＝t₃に至る露光
時間に比較し、十分短かく、露光時間誤差は実用
上無視できる。

第５図のタイミングチヤートで、ｔ＝t₆からｔ
＝t₈に至る動作も、ｔ＝t₃からｔ＝t₅に至る動作
と殆んど同じである。

なお、この場合、受光フオトダイオード２に隣
接するV.BCCDには、既にｔ＝t₄において信号電
荷が転送されているため、もはやこのV.BCCDか
ら電荷を排出することはできず、従つて、φ_CG1は
変化させず、単にφ_CG2のみにパルスを印加し、フ
オトダイオードよりV.BCCDに信号電荷を転送す
ることとなる。時刻ｔ＝t₅より時刻ｔ＝t₆までの
期間にV.BCCDに発生した暗電流電荷は、もはや
CCD２８内部では除去不可能であり、これが、
この実施例における長時間露光における制約条件
の１つとなる。すなわち、V.BCCDの暗電流が、
最大露光可能時間を決める。

以後、更に露光が続く場合には、適当な時間間
隔で、ｔ＝t₆からｔ＝t₈に至るプロセスが繰り返
されることとなる。なお、この場合、V.BCCDの
みの暗電流電荷が除去できないため、その対策と
しては、例えば光遮蔽されたフオトダイオード１
２とV.BCCDの組を複数列設け、その一部は他の
受光可能な組と同じ動作をさせてV.BCCDへ蓄積
される暗電流分を保持させておき、他を暗電流検
出に用いるようにして、前記一部に保持させてお
いた出力を利用して外部でクランプ処理を行なえ
ば、V.BCCDの暗電流補償ができる。

最後にある時刻、第５図ｔ＝t₉において、露光
完了パルスφ_EDが発生した後の動作について説明
する。

第５図ｄに示すように、ｔ＝t₉において発生し
た露光完了パルスφ_EDは、タイミング制御回路４
４に与えられ、このタイミング制御回路４４は直
ちに暗電流検出領域２１のクリアゲートCG₂に電
圧V_CGをパルスφ_CG2により印加し、それによる
V′_TGの変化を前記と同様にサンプル、ホールド
し、ｔ＝t₁₀においてトランスフアーゲートパル
スφ_TGを発生させて信号電荷のみをV.BCCDに転
送する。ｔ＝t₁に始まる露光の中で、複数回に分
割され、積算されたV.BCCDの電荷は引続く垂直
同期信号V.Dに同期して、ｔ＝t₁₁より読み出され
る。

この場合、外部の電気的或いは、磁気的記録媒
体へのゲート信号φ_RECGが、第５図ｍに示すよう
にｔ＝t₁からｔ＝t₁₂の間“Ｈ”レベルとなつて出
力される。それと同時に、暗電流電荷を蓄積した
V.BCCDの位置に対応するクランプパルスφ_CPも、
各水平走査線毎に出力され、CCD２８外部での
最終的な暗電流補償に用いられる。

なお、上記の実施例において、CCD２８内に
設けた暗電流検出のための領域２１の構成は、第
３図の断面図で示すものに限定されず、他の構成
であつてもよい。

以上説明したように、本発明によれば、撮像素
子より信号電荷を読み出す以前の段階において、
撮像素子の内部で暗電流電荷を排除し、且つ同一
フオトダイオードから信号電荷のみを同一転送チ
ヤンネルに複数回に分割して転送することを可能
にしたもので、極めて長時間の露光を行なつた場
合でもＳ／Ｎの良い静止画像を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る固体撮像素子の一例を示
す全体概念図、第２図は第１図における−断
面図、第３図は第１図における−断面図、第
４図は本発明に係る撮像装置の周辺回路の一例を
示す接続図、第５図はその動作を説明するための
動作波形図である。１……オーバーフロードレイン（OFD）、２…
…受光用フオトダイオード、３……オーバーフロ
ーコントロールゲート（OFCG）、６……トラン
スフアーゲート、７……クリアゲート、２１……
暗電流検出領域、H.BCCD……水平転送レジス
タ、V.BCCD……垂直転送レジスタ、４……埋め
込みチヤンネル、５……電極。

Claims

【特許請求の範囲】１入射光強度に応じて信号電荷を発生、蓄積す
る受光領域と、この受光領域の一方側に並設され
た不要電荷排出領域と、前記受光領域の他方側に
並設された信号電荷転送領域とを有し、前記受光
領域から前記不要電荷排出領域への不要電荷排出
と受光領域から転送領域への信号電荷転送とを任
意の時刻に行なうことができるようにした２次元
固体撮像素子を用いた撮像装置において、前記受光領域から前記転送領域への転送電荷量
を制御することが可能な転送手段と、暗電流電荷
検出手段とを前記２次元固体撮像素子上に設け、
前記暗電流電荷検出手段によつて前記転送手段を
制御するようにしたことを特徴とする撮像装置。２暗電流検出手段は、光遮蔽された受光領域
と、光遮蔽された信号電荷転送領域と、暗電流検
出用オーバーフロードレインとを含んで構成され
る特許請求の範囲第１項記載の撮像装置。３撮影露光に先だちそれまでに受光領域及び転
送領域に存在した電荷を一括して装置外部に排出
した後露光を開始し、適正露光時間経過後に暗電
流検出電流の転送領域から暗電流電荷を排出し、
これを検出して続いて実行する受光領域から転送
領域への電荷転送量を制御するように駆動される
特許請求の範囲第２項記載の撮像装置。４不要電荷排出領域は、受光領域及び信号電荷
転送領域にそれぞれゲートを介して隣接し、前記
受光領域及び前記信号電荷転送領域の両方より不
要電荷を排出可能としたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の撮像装置。５露光が長時間にわたる時、各受光領域に発生
した信号電荷を複数回に時間分割して同一の転送
領域に転送し、該受光領域に発生する不要電荷を
各転送後に不要電荷排出領域に転送するように駆
動される特許請求の範囲第１項記載の撮像装置。