JPH0347757A - サーマルヘッドの金属有機物材料膜形成方法 - Google Patents
サーマルヘッドの金属有機物材料膜形成方法Info
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- JPH0347757A JPH0347757A JP5904790A JP5904790A JPH0347757A JP H0347757 A JPH0347757 A JP H0347757A JP 5904790 A JP5904790 A JP 5904790A JP 5904790 A JP5904790 A JP 5904790A JP H0347757 A JPH0347757 A JP H0347757A
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A0発明の目的
l)産業上の利用分野
本発明は、ワードプロセッサ、パーソナルコンビーータ
等の出力装置としてのサーマルプリンタやファクシミリ
等に使用されるサーマルヘッドの絶縁基板表面に発熱抵
抗体または電極等を形成する過程にお−)で、前記絶縁
基板表面に前記発熱抵抗体形成用の抵抗膜または電極形
成用の電極膜等を形成する方法に関する。
等の出力装置としてのサーマルプリンタやファクシミリ
等に使用されるサーマルヘッドの絶縁基板表面に発熱抵
抗体または電極等を形成する過程にお−)で、前記絶縁
基板表面に前記発熱抵抗体形成用の抵抗膜または電極形
成用の電極膜等を形成する方法に関する。
2)従来の技術
前記サーマルヘッドは、印刷時の騒音が小さく、また、
現像・定着工程が不要なために取り扱いが容易である等
の利点を有しており、従来より広く使用されて〜する。
現像・定着工程が不要なために取り扱いが容易である等
の利点を有しており、従来より広く使用されて〜する。
前記サーマルヘッドとしては、その製造プロセスにおい
て、絶縁基板表面にスクリーン印刷のような厚膜技術に
より主走査方向に沿う厚膜ペーストを帯状に塗布、乾燥
、焼成して帯状の発熱抵抗体を形成した厚a!!!サー
マルヘッドと、蒸着、スバッタリング等の薄膜技術によ
り絶縁基板の全表面に形成した抵抗層に、ホトリソエツ
チング技術を用いて主走査方向に沿って複数の個別の発
熱抵抗体を形成した薄膜型サーマルヘッドとが知られて
いる。
て、絶縁基板表面にスクリーン印刷のような厚膜技術に
より主走査方向に沿う厚膜ペーストを帯状に塗布、乾燥
、焼成して帯状の発熱抵抗体を形成した厚a!!!サー
マルヘッドと、蒸着、スバッタリング等の薄膜技術によ
り絶縁基板の全表面に形成した抵抗層に、ホトリソエツ
チング技術を用いて主走査方向に沿って複数の個別の発
熱抵抗体を形成した薄膜型サーマルヘッドとが知られて
いる。
3)発明が解決しようとする課題
前記帯状発熱抵抗体を用いる厚膜型サーマルヘッドは、
設備が安価で生産性も高4、低コストであるが、電極お
よび発熱抵抗体の膜厚が厚いため発熱素子の熱容量が大
きく熱応答性に劣るとともに、発熱抵抗体がμmオーダ
の粉体の焼結体であるため抵抗値のバラツキが大きいと
いう問題点がある。また、電極密度を発熱素子の密度(
すなわち、印字ドツトの密度)の2倍の密度で形成する
必要があるので、発熱素子の高密度化が困難であるとい
う問題点もある。
設備が安価で生産性も高4、低コストであるが、電極お
よび発熱抵抗体の膜厚が厚いため発熱素子の熱容量が大
きく熱応答性に劣るとともに、発熱抵抗体がμmオーダ
の粉体の焼結体であるため抵抗値のバラツキが大きいと
いう問題点がある。また、電極密度を発熱素子の密度(
すなわち、印字ドツトの密度)の2倍の密度で形成する
必要があるので、発熱素子の高密度化が困難であるとい
う問題点もある。
また、前記Fi1Mmサーマルヘッドは、組成の均一な
電極、発熱抵抗体および耐摩耗層を形成することができ
るとともに電極および発熱抵抗体の配列密度は発熱素子
の密度と同一でよいので、均一な高密度の印字ドツトを
得られる反面、製造設備が大型となってコスト高になる
という問題点がある。
電極、発熱抵抗体および耐摩耗層を形成することができ
るとともに電極および発熱抵抗体の配列密度は発熱素子
の密度と同一でよいので、均一な高密度の印字ドツトを
得られる反面、製造設備が大型となってコスト高になる
という問題点がある。
そこで、本出願人は先に、薄膜型サーマルヘッドの長所
を備えたサーマルヘッドを製造設備の安価な厚膜技術を
用いて製造することができる方法すなわちMOD (M
etallo Organized Depositi
on)法を提案している。
を備えたサーマルヘッドを製造設備の安価な厚膜技術を
用いて製造することができる方法すなわちMOD (M
etallo Organized Depositi
on)法を提案している。
このMOD法において発熱抵抗体形成用の抵抗層は、ル
テニウム(Ru)、イリジウム(Ir)またはロジウム
(Rh)等の一群の元素から選択した少な(とも一種の
金属Mと、シリコン(Si)、バリウム(Ba)、ビス
マス(Bi)、鉛(Pb)等の元素を含む金属育機物材
料を基板に塗布、乾燥して形成される。そして、前記金
属育機物を基板に塗布する方法としては、たとえば、ス
ピンコータを使用する方法が採用される。このような方
法で絶n基板全表面に形成された抵抗層を焼成してから
、ホトリソエツチングによって発熱抵抗体が形成される
。
テニウム(Ru)、イリジウム(Ir)またはロジウム
(Rh)等の一群の元素から選択した少な(とも一種の
金属Mと、シリコン(Si)、バリウム(Ba)、ビス
マス(Bi)、鉛(Pb)等の元素を含む金属育機物材
料を基板に塗布、乾燥して形成される。そして、前記金
属育機物を基板に塗布する方法としては、たとえば、ス
ピンコータを使用する方法が採用される。このような方
法で絶n基板全表面に形成された抵抗層を焼成してから
、ホトリソエツチングによって発熱抵抗体が形成される
。
ところで、絶縁基板表面に部分アンダーグレーズを形成
する場合、絶縁基板表面に全面アンダーグレーズ層を形
成してからその表面に部分アンダーグレーズを形成する
と、部分アンダーグレーズの形状がくずれ易い。そこで
、絶縁基板表面に部分アンダーグレーズを形成する場合
、絶縁基板本体を構成するセラミック基板の表面に直接
部分アンダーグレーズを形成することが多い。
する場合、絶縁基板表面に全面アンダーグレーズ層を形
成してからその表面に部分アンダーグレーズを形成する
と、部分アンダーグレーズの形状がくずれ易い。そこで
、絶縁基板表面に部分アンダーグレーズを形成する場合
、絶縁基板本体を構成するセラミック基板の表面に直接
部分アンダーグレーズを形成することが多い。
このような絶縁基板の部分アンダーグレーズ表面に発熱
抵抗体を形成する場合、絶縁基板全面に発熱抵抗体形成
用の抵抗膜を形成してからこれをフッ硝酸等のエツチン
グ液によりエツチングする方法を採用すると、部分アン
ダーグレーズ以外の絶縁基板表面に不要な抵抗膜が残留
することがある。この不要な残留抵抗膜は絶縁基板表面
に凹凸を形成し、均一な電極膜形成の障害となったりす
る。
抵抗体を形成する場合、絶縁基板全面に発熱抵抗体形成
用の抵抗膜を形成してからこれをフッ硝酸等のエツチン
グ液によりエツチングする方法を採用すると、部分アン
ダーグレーズ以外の絶縁基板表面に不要な抵抗膜が残留
することがある。この不要な残留抵抗膜は絶縁基板表面
に凹凸を形成し、均一な電極膜形成の障害となったりす
る。
ところで、サーマルヘッドにおける前記部分アンダーグ
レーズの幅は約11であり、その表面に発熱抵抗体を形
成するための抵抗膜に最低必要な幅は約200μmであ
る。そこで、前記部分アンダーグレーズ表面に輻が約1
履璽の抵抗膜を形成し、この抵抗膜をエツチングして発
熱抵抗体を形成すれば、絶縁基板表面に不要な抵抗膜が
残留しないようにすることができる。
レーズの幅は約11であり、その表面に発熱抵抗体を形
成するための抵抗膜に最低必要な幅は約200μmであ
る。そこで、前記部分アンダーグレーズ表面に輻が約1
履璽の抵抗膜を形成し、この抵抗膜をエツチングして発
熱抵抗体を形成すれば、絶縁基板表面に不要な抵抗膜が
残留しないようにすることができる。
以上のように、部分アンダーグレーズを有する絶縁基板
の表面に発熱抵抗体形成用の抵抗膜を形成する場合には
、絶縁基板表面の抵抗膜を形成する必要のある部分(部
分アンダーグレーズ)のみに抵抗膜を形成した方が良い
が、部分アンダーグレーズを有しないセラミック環の絶
縁基板や全面アンダーグレーズを有する絶縁基板におい
ても、その表面の必要部分にのみ抵抗膜を形成した方が
、不要な残留抵抗膜が生じるおそれもなく、また、採用
する膜形成手段によっては抵抗膜形成用の材料を節約で
きたりするので都合がよい場合が多い。
の表面に発熱抵抗体形成用の抵抗膜を形成する場合には
、絶縁基板表面の抵抗膜を形成する必要のある部分(部
分アンダーグレーズ)のみに抵抗膜を形成した方が良い
が、部分アンダーグレーズを有しないセラミック環の絶
縁基板や全面アンダーグレーズを有する絶縁基板におい
ても、その表面の必要部分にのみ抵抗膜を形成した方が
、不要な残留抵抗膜が生じるおそれもなく、また、採用
する膜形成手段によっては抵抗膜形成用の材料を節約で
きたりするので都合がよい場合が多い。
以上は、サーマルヘッドの発熱抵抗体形成用の抵抗膜に
ついて、その抵抗膜を絶縁基板の全表面に形成せずに必
要な表面部分にのみ形成した方が良い場合があることを
説明したが、電極形成用の電極膜および耐摩耗層形成用
の膜等も絶縁基板の必要表面部分のみに形成した方が良
い場合がある。
ついて、その抵抗膜を絶縁基板の全表面に形成せずに必
要な表面部分にのみ形成した方が良い場合があることを
説明したが、電極形成用の電極膜および耐摩耗層形成用
の膜等も絶縁基板の必要表面部分のみに形成した方が良
い場合がある。
本発明は前述の事情に鑑み、MOD法により絶縁基板表
面に金属有機物材料膜から成る抵抗膜または電極膜等を
形成する際、不必要な金属有機物材料膜が絶縁基板表面
に残留しないようにすることを課題とする。
面に金属有機物材料膜から成る抵抗膜または電極膜等を
形成する際、不必要な金属有機物材料膜が絶縁基板表面
に残留しないようにすることを課題とする。
B1発明の構成
l)課題を解決するための手段
前記課題を解決するために本発明による金属有機物材料
膜形成方法は、サーマルヘッドの絶縁基板表面の所定表
面部分に金属有機物材料膜を形成する方法において、前
記所定表面部分に対応する位置に膜形成溝が設けられた
除去可能な被覆層を絶縁基板表面に形成し、前記膜形成
溝に金属有機物材料から成る膜形成材料を塗布してから
乾燥させて前記所定表面部分に金属有機物材料膜を形成
することを特徴とする。
膜形成方法は、サーマルヘッドの絶縁基板表面の所定表
面部分に金属有機物材料膜を形成する方法において、前
記所定表面部分に対応する位置に膜形成溝が設けられた
除去可能な被覆層を絶縁基板表面に形成し、前記膜形成
溝に金属有機物材料から成る膜形成材料を塗布してから
乾燥させて前記所定表面部分に金属有機物材料膜を形成
することを特徴とする。
2)作 用
本発明による金属有機物材料膜形成方法は、絶縁基板の
膜を形成する必要がある所定表面部分に対応する位置に
膜形成溝が設けられた除去可能な被覆層を絶縁基板表面
に形成し、−前記膜形成溝に金属有機物材料から成る膜
形成材料を塗布してから乾燥させて前記所定表面部分に
金属有機物材料膜を形成する。したがって、所定表面部
分以外には金属有機物材料膜が形成されていないので、
絶縁基板表面に不必要な金属有機物材料膜が残留するこ
とが少なくなる。また、前述のように、所定表面部分に
対応した位置に膜形成溝を有する除去可能な被覆層を絶
縁基板表面に形成しているので、金属有機物材料から成
る膜形成材料を前記膜形成溝に塗布する際、前記膜形成
材料が液状またはペースト状のいずれのものであっても
使用することができる。
膜を形成する必要がある所定表面部分に対応する位置に
膜形成溝が設けられた除去可能な被覆層を絶縁基板表面
に形成し、−前記膜形成溝に金属有機物材料から成る膜
形成材料を塗布してから乾燥させて前記所定表面部分に
金属有機物材料膜を形成する。したがって、所定表面部
分以外には金属有機物材料膜が形成されていないので、
絶縁基板表面に不必要な金属有機物材料膜が残留するこ
とが少なくなる。また、前述のように、所定表面部分に
対応した位置に膜形成溝を有する除去可能な被覆層を絶
縁基板表面に形成しているので、金属有機物材料から成
る膜形成材料を前記膜形成溝に塗布する際、前記膜形成
材料が液状またはペースト状のいずれのものであっても
使用することができる。
3)実施例
以下、図面により本発明の金属有機物材料膜形成方法の
実施例について説明する。
実施例について説明する。
第1〜4B図は本発明の金属有機物材料膜形成方法の第
1実施例を適用して製造したサーマルヘッドの説明図で
ある。
1実施例を適用して製造したサーマルヘッドの説明図で
ある。
第1図に示すように、プラテンロールRの外周に沿って
搬送される感熱記録紙Pに熱記録を行うためのサーマル
ヘッドHは、支持板1を備えている。この支持板1の表
面には、第1図中、右側部分に絶縁基板2が接着剤によ
って張付けられており、この絶縁基板2は、アルミナ等
のセラミック製本体2aとその表面に形成された幅約1
11h厚さ約50〜60μmの主走査方向に沿う帯状の
部分アンダーグレーズ2bとから構成されている。
搬送される感熱記録紙Pに熱記録を行うためのサーマル
ヘッドHは、支持板1を備えている。この支持板1の表
面には、第1図中、右側部分に絶縁基板2が接着剤によ
って張付けられており、この絶縁基板2は、アルミナ等
のセラミック製本体2aとその表面に形成された幅約1
11h厚さ約50〜60μmの主走査方向に沿う帯状の
部分アンダーグレーズ2bとから構成されている。
そして、第3図に示すように前記部分アンダーグレーズ
2b表面には、複数の発熱抵抗体3が主走査方向Xに沿
って島状に設けられている。
2b表面には、複数の発熱抵抗体3が主走査方向Xに沿
って島状に設けられている。
また、前記絶縁基板2の表面には、帯状の共通電極本体
部4aとこの共通電極本体部4aから櫛歯状に副走査方
向Yに突出する多数の共通電極接続部4bとから成る共
通電極4と、前記多数の共通電極接続部4bに所定の距
離を置いて対向する多数の個別電極5とが形成されてい
る。前記各共通電極接続部4bおよび個別電極5は前記
絶縁基板2の表面に配設された前記発熱抵抗体3によっ
て接続されている。また、前記個別電極5の基端部(第
1図中、左端部)は後述の駆動用ICと接続するための
IC接続端子5aとして形成されている。
部4aとこの共通電極本体部4aから櫛歯状に副走査方
向Yに突出する多数の共通電極接続部4bとから成る共
通電極4と、前記多数の共通電極接続部4bに所定の距
離を置いて対向する多数の個別電極5とが形成されてい
る。前記各共通電極接続部4bおよび個別電極5は前記
絶縁基板2の表面に配設された前記発熱抵抗体3によっ
て接続されている。また、前記個別電極5の基端部(第
1図中、左端部)は後述の駆動用ICと接続するための
IC接続端子5aとして形成されている。
前記支持板1の表面には、第1図中、左側部分にプリン
ト配線板6が接着剤によって張付けられており、このプ
リント配線板6衷血には外部接続用配線7が形成されて
いる。この外部接続用配線?はその入力端側(第1図中
、左側)において前記プリント配線板6を貫通するリー
ド線8を介して、駆動信号入力端子としてのソケット9
に接続されている。プリント配線板6の前記絶縁基板2
に近い部分には駆動用ICが配設されており、この駆動
用ICはボンディングワイヤ10およヒ11によって前
記個別電極5のIC接続端子5aおよび外部接続用配線
7と接続されている。
ト配線板6が接着剤によって張付けられており、このプ
リント配線板6衷血には外部接続用配線7が形成されて
いる。この外部接続用配線?はその入力端側(第1図中
、左側)において前記プリント配線板6を貫通するリー
ド線8を介して、駆動信号入力端子としてのソケット9
に接続されている。プリント配線板6の前記絶縁基板2
に近い部分には駆動用ICが配設されており、この駆動
用ICはボンディングワイヤ10およヒ11によって前
記個別電極5のIC接続端子5aおよび外部接続用配線
7と接続されている。
前記ICおよびポンディングワイヤ10.11は、保護
樹脂12によって被覆されており、前記発熱抵抗体3、
共通電極4、および個別電極5等は耐摩耗層13(第3
.4A、4B、4C図参照)によって被覆されている(
なお、第1〜2図には耐摩耗層13は省略している。)
。さらに、前記保護樹脂12はアルミ環のカバー14に
よって保護されている。
樹脂12によって被覆されており、前記発熱抵抗体3、
共通電極4、および個別電極5等は耐摩耗層13(第3
.4A、4B、4C図参照)によって被覆されている(
なお、第1〜2図には耐摩耗層13は省略している。)
。さらに、前記保護樹脂12はアルミ環のカバー14に
よって保護されている。
そして、前記サーマルヘッドHは、前記符号1〜14で
示された構成要素および前記駆動用ICから構成されて
いる。
示された構成要素および前記駆動用ICから構成されて
いる。
次に、第5A図ないし第11C図により、前記第4A〜
40図に示される構成を備えたサーマルヘッドHの製造
方法を説明する。
40図に示される構成を備えたサーマルヘッドHの製造
方法を説明する。
(イ)抵抗膜形成工程(第5A〜8B図参照)第5A、
5B図に示す絶縁基板2は、セラミック製の絶縁基板本
体2aとその上面に主走査方向Xにそって形成された帯
状の部分アンダーグレーズ2bとから構成されている。
5B図に示す絶縁基板2は、セラミック製の絶縁基板本
体2aとその上面に主走査方向Xにそって形成された帯
状の部分アンダーグレーズ2bとから構成されている。
この絶縁基板2の表面に、第6A〜6C図に示すように
、テープ20.20 (除去可能な被覆層)を張り付け
る。このテープ20.20間に形成される膜形成溝21
は部分アンダーグレーズ2b(所定表面部分) ニ対応
した位置に設けられる。
、テープ20.20 (除去可能な被覆層)を張り付け
る。このテープ20.20間に形成される膜形成溝21
は部分アンダーグレーズ2b(所定表面部分) ニ対応
した位置に設けられる。
このテープ20.20が張り付けられた絶縁基板2の表
面に発熱抵抗体形成用の金属有機物材料(抵抗膜形成材
料)22をスピンコータにより均一な膜厚に塗布する(
M7A、7B図参照)。
面に発熱抵抗体形成用の金属有機物材料(抵抗膜形成材
料)22をスピンコータにより均一な膜厚に塗布する(
M7A、7B図参照)。
前記抵抗膜形成材料22としては、たとえば、エンゲル
ハード社のメタルレジネート(B品名)の下記の番号の
各溶液を混合して使用する。
ハード社のメタルレジネート(B品名)の下記の番号の
各溶液を混合して使用する。
A−1123(Ir有機物材料)
#28−FC(S i有機物材料)
#118−B(Sn有機物材料)
すなわち、上記各溶液を焼成後の原子数比が、I r
:S i : 5n=l :0.5 :0.3 とな
るような割合で混合し、さらに、αターピネオール、ブ
チルカルピトールアセテート等の溶剤を使用して適ゴな
粘度に調整する。この混合物(抵抗膜形成材料)22を
絶縁基板2の表面にスピンコータにより均一な膜厚に塗
布する。この絶縁基板2を乾燥させてから前記テープ2
0.20を除去すると、第8A、8B図に示すように、
前記部分アンダーグレーズ2b表面(所定表面部分)に
未焼結の帯状の金属有機物材料膜すなわち未焼結の帯状
抵抗膜23が形成される。この未焼結の帯状抵抗wA2
3が形成された絶縁基板2を、赤外線ベルト焼成炉にお
いて600〜800℃のピーク温度で10分間焼成して
焼結された金属有機物材料膜すなわち帯状抵抗M3゛
(第8A、8B図参照)を形成する。
:S i : 5n=l :0.5 :0.3 とな
るような割合で混合し、さらに、αターピネオール、ブ
チルカルピトールアセテート等の溶剤を使用して適ゴな
粘度に調整する。この混合物(抵抗膜形成材料)22を
絶縁基板2の表面にスピンコータにより均一な膜厚に塗
布する。この絶縁基板2を乾燥させてから前記テープ2
0.20を除去すると、第8A、8B図に示すように、
前記部分アンダーグレーズ2b表面(所定表面部分)に
未焼結の帯状の金属有機物材料膜すなわち未焼結の帯状
抵抗膜23が形成される。この未焼結の帯状抵抗wA2
3が形成された絶縁基板2を、赤外線ベルト焼成炉にお
いて600〜800℃のピーク温度で10分間焼成して
焼結された金属有機物材料膜すなわち帯状抵抗M3゛
(第8A、8B図参照)を形成する。
(11)発熱抵抗体形成用のレジストパターン形成工程
(第9A、9B、IOA、108図参照)次に、第9A
、9B図に示すように、前記焼結された帯状抵抗[3’
上にレジスト層R1を形成してからその上に露光用のマ
スクMを重ねて露光、現像を行う。そうすると、第1O
A、108図に示すような発熱抵抗体形成用のレジスト
パターンRPIが得られる。
(第9A、9B、IOA、108図参照)次に、第9A
、9B図に示すように、前記焼結された帯状抵抗[3’
上にレジスト層R1を形成してからその上に露光用のマ
スクMを重ねて露光、現像を行う。そうすると、第1O
A、108図に示すような発熱抵抗体形成用のレジスト
パターンRPIが得られる。
(八)発熱抵抗体形成工程(第11A、118図参照)
次に、フッ硝酸(エツチング液)を用いてエツチングを
行い、発熱抵抗体3のパターンを得る。
行い、発熱抵抗体3のパターンを得る。
(ニ)金膜形成工程(第12A〜12C図参照)次に、
前記発熱抵抗体3が形成された絶縁基板2の表面にノリ
タケ株式会社製の027等のメタロオーガニツタ金ペー
ストをベタ印刷して焼成し、金製の電極膜4′を形成す
る。
前記発熱抵抗体3が形成された絶縁基板2の表面にノリ
タケ株式会社製の027等のメタロオーガニツタ金ペー
ストをベタ印刷して焼成し、金製の電極膜4′を形成す
る。
(ネ)電極形成用のレジストパターン形成工程(第13
A〜13C図参照) 次に、前記電極膜4′上にレジスト層を形成してから、
露光、現像を行って電極形成用のレジストパターンRP
2を得る。
A〜13C図参照) 次に、前記電極膜4′上にレジスト層を形成してから、
露光、現像を行って電極形成用のレジストパターンRP
2を得る。
(へ)電極形成工程(第14A〜14C図参照)次に、
ヨウ素−ヨウ化カリウム溶液(エツチング液)を用いて
エツチングを行い、前記電極M4′から共通電極4およ
び個別電極5を形成する。
ヨウ素−ヨウ化カリウム溶液(エツチング液)を用いて
エツチングを行い、前記電極M4′から共通電極4およ
び個別電極5を形成する。
(ト)耐摩耗層形成工程
次に、前述の発熱抵抗体3、共通電極4および個別電極
5が形成された絶縁基板2の表面上に、耐摩耗層形成用
の金11Ilr機物材料(耐摩耗層形成材料)をスクリ
ーン印刷によりベタ印刷する。
5が形成された絶縁基板2の表面上に、耐摩耗層形成用
の金11Ilr機物材料(耐摩耗層形成材料)をスクリ
ーン印刷によりベタ印刷する。
前記耐摩耗層形成材料としては、たとえば、工ンゲルハ
ード社のメタルレジネート(商品名)の下記の番号の各
溶液を混合して使用する。
ード社のメタルレジネート(商品名)の下記の番号の各
溶液を混合して使用する。
#28−FC(Sl有機物材料)
#9428 (TI W機物材料)
#8385 (Bi育機物材料)
すなわち、上記各溶液を焼成後の原子数比が、Sl
:Tl :BI =1 : 1 :0.5 となる
ような割合で混合し、さらに、αターピネオール、ブチ
ルカルピトールアセテート等の溶剤を使用して粘度を5
000〜30000cpsに調整する wの混合物を1
00〜325メツシユのステンレススクリーンにより前
記絶縁基板表面2C上に印刷塗布する。この印刷塗布さ
れた絶縁基板2を120℃で乾燥してから、赤外線ベル
ト焼成炉において600〜800℃のピーク温度で10
分間焼成すると耐摩耗性の金属有機物材料膜が形成され
るが、この膜は、耐摩耗性が要求されるため、前記耐摩
耗層形成材料の塗布、乾燥、焼結の工程を4回繰り返し
、最終的に1.6〜2.0μm厚さの耐摩耗層13(第
3,4A〜40図参照)を形成する。このようにして、
前記第4A〜40図に示した構成のサーマルヘッドHが
得られる。
:Tl :BI =1 : 1 :0.5 となる
ような割合で混合し、さらに、αターピネオール、ブチ
ルカルピトールアセテート等の溶剤を使用して粘度を5
000〜30000cpsに調整する wの混合物を1
00〜325メツシユのステンレススクリーンにより前
記絶縁基板表面2C上に印刷塗布する。この印刷塗布さ
れた絶縁基板2を120℃で乾燥してから、赤外線ベル
ト焼成炉において600〜800℃のピーク温度で10
分間焼成すると耐摩耗性の金属有機物材料膜が形成され
るが、この膜は、耐摩耗性が要求されるため、前記耐摩
耗層形成材料の塗布、乾燥、焼結の工程を4回繰り返し
、最終的に1.6〜2.0μm厚さの耐摩耗層13(第
3,4A〜40図参照)を形成する。このようにして、
前記第4A〜40図に示した構成のサーマルヘッドHが
得られる。
前述の第1実施例によれば、除去可能な被覆層20.2
0により所定表面部分2bに膜形成溝21が形成された
絶縁基板2表面に液状の抵抗膜形成材料22をスピンコ
ータにより塗布するので、絶縁基板2の所定表面部分2
bのみにきわめて薄い均一な抵抗膜を形成することがで
きる。
0により所定表面部分2bに膜形成溝21が形成された
絶縁基板2表面に液状の抵抗膜形成材料22をスピンコ
ータにより塗布するので、絶縁基板2の所定表面部分2
bのみにきわめて薄い均一な抵抗膜を形成することがで
きる。
次に、本発明のサーマルヘッドの製造方法の第2実施例
を第15図により説明する。
を第15図により説明する。
この第2実施例は、前述した第1実施例の(イ)抵抗膜
形成工程において、前記除去可能な被覆層としてテープ
20.20の代わりに膜形成溝21′を形成されたレジ
スト層20′を用いた点、および膜形成溝21’に抵抗
膜(金属有機物材料膜)を形成するための膜形成材料2
2′を塗布する際、第15図に示すようにデイスペンサ
24を用いる点で、前記第1実施例と相違している。
形成工程において、前記除去可能な被覆層としてテープ
20.20の代わりに膜形成溝21′を形成されたレジ
スト層20′を用いた点、および膜形成溝21’に抵抗
膜(金属有機物材料膜)を形成するための膜形成材料2
2′を塗布する際、第15図に示すようにデイスペンサ
24を用いる点で、前記第1実施例と相違している。
前記第15図で説明したこの第2実施例の発熱抵抗体形
成用の金属有機物材料膜形成方法によれば、抵抗膜形成
用の材料を塗布する面積が小さいので、抵抗膜形成用の
材料を節約することができる。
成用の金属有機物材料膜形成方法によれば、抵抗膜形成
用の材料を塗布する面積が小さいので、抵抗膜形成用の
材料を節約することができる。
次に、本発明のサーマルヘッドの製造方法の第3実施例
を第18A〜21B図により説明する。
を第18A〜21B図により説明する。
この第3実施例は、前記第5A〜第11B図により説明
した前記第1実施例の(イ)抵抗膜形成工程が異なるだ
けで、その他の点では前記第1実施例と相違が無い。
した前記第1実施例の(イ)抵抗膜形成工程が異なるだ
けで、その他の点では前記第1実施例と相違が無い。
第16A、188図に示す絶縁基板2は、セラミック製
の絶縁基板本体2aとその上面に主走査方向Xにそって
形成された帯状の部分アンダーグレーズ2bとから構成
されており、前記第5A。
の絶縁基板本体2aとその上面に主走査方向Xにそって
形成された帯状の部分アンダーグレーズ2bとから構成
されており、前記第5A。
6B図に示した第1実施例の絶縁基板2と同じである。
第17A、17B図に示すように、前記部分アンダーグ
レーズ2bが形成された絶縁基板2の全表面にフォトレ
ジストを塗布し、マスクMを被せてからこれを露光、現
像する。そして、第18A〜18C図に示すように、前
記部分アンダーグレーズ2b表面に主走査方向Xに沿っ
て配列された多数の島状の開口部(すなわち、膜形成溝
)21#を有するレジスト層(すなわち、除去可能な被
覆層)20#を形成する。
レーズ2bが形成された絶縁基板2の全表面にフォトレ
ジストを塗布し、マスクMを被せてからこれを露光、現
像する。そして、第18A〜18C図に示すように、前
記部分アンダーグレーズ2b表面に主走査方向Xに沿っ
て配列された多数の島状の開口部(すなわち、膜形成溝
)21#を有するレジスト層(すなわち、除去可能な被
覆層)20#を形成する。
次に第19A、19B図に示すように、前記レジスト層
20#の開口部21#の列に沿って前記第2実施例と同
様の抵抗膜形成材料22#を帯状に印刷してレジスト層
20”表面よりも高くなるように前記開口部21#に充
填し、乾燥させる。
20#の開口部21#の列に沿って前記第2実施例と同
様の抵抗膜形成材料22#を帯状に印刷してレジスト層
20”表面よりも高くなるように前記開口部21#に充
填し、乾燥させる。
次に第20A、20BI!Aに示すように、前記乾燥し
た抵抗膜形成材料22#をラッピング(研削)して前記
レジストjm20”表面よりも上の部分を除去して、前
記開口部21#内部に未焼結抵抗体(すなわち、金属有
機物材料膜)23′を形成する。次に、この未焼結抵抗
体23′を焼成するとともに前記レジスト層20”を燃
焼により除去する。すると未焼結抵抗体23′に含まれ
るL/971セルロー が燃焼により除去
され、その結果、第21A、21B図に示すように、部
分グレーズ2b上に、前記未焼結抵抗体23′の厚さよ
り減少した厚さの発熱抵抗体3が形成される。なお、な
お、この第21A、21B図は前記第1実施例の第11
A、11B図と同様である。
た抵抗膜形成材料22#をラッピング(研削)して前記
レジストjm20”表面よりも上の部分を除去して、前
記開口部21#内部に未焼結抵抗体(すなわち、金属有
機物材料膜)23′を形成する。次に、この未焼結抵抗
体23′を焼成するとともに前記レジスト層20”を燃
焼により除去する。すると未焼結抵抗体23′に含まれ
るL/971セルロー が燃焼により除去
され、その結果、第21A、21B図に示すように、部
分グレーズ2b上に、前記未焼結抵抗体23′の厚さよ
り減少した厚さの発熱抵抗体3が形成される。なお、な
お、この第21A、21B図は前記第1実施例の第11
A、11B図と同様である。
以上、本発明によるサーマルヘッドおよびその製造方法
の実施例を詳述したが、本発明は、前記実施例に限定さ
れるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明
を逸脱することなり、種々の小設計変更を行うことが可
能である。
の実施例を詳述したが、本発明は、前記実施例に限定さ
れるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明
を逸脱することなり、種々の小設計変更を行うことが可
能である。
たとえば、金属有機物材料を絶縁基板表面に塗布する方
法としては、メツシュスクリーンを用いた印刷法、デイ
ツプ法、ロールコート法等を採用することも可能である
。また、所定表面部分のみに全1!!I育機物材料膜を
形成するための膜形成材料を塗布する方法は、発熱抵抗
体形成用の金属有機物材料膜だけでなく、電極および耐
摩耗層形成用の金j!I育機物材料膜に対しても適用す
ることが可能である。
法としては、メツシュスクリーンを用いた印刷法、デイ
ツプ法、ロールコート法等を採用することも可能である
。また、所定表面部分のみに全1!!I育機物材料膜を
形成するための膜形成材料を塗布する方法は、発熱抵抗
体形成用の金属有機物材料膜だけでなく、電極および耐
摩耗層形成用の金j!I育機物材料膜に対しても適用す
ることが可能である。
そして、表面に全面アンダーグレーズが形成されたセラ
ミック製の絶縁基板や表面に全面アンダーグレーズも部
分アンダーグレーズも形成されていないセラミック製の
絶縁基板に対しても本発明の所定表面部分に金属有機物
材料膜を形成する方法を適用することが可能である。ま
た、金jli!育機物材料を焼成する温度は比較的低い
ので、絶縁基板としてセラミックよりも耐熱温度の低い
耐熱ガラスを使用することも可能である。
ミック製の絶縁基板や表面に全面アンダーグレーズも部
分アンダーグレーズも形成されていないセラミック製の
絶縁基板に対しても本発明の所定表面部分に金属有機物
材料膜を形成する方法を適用することが可能である。ま
た、金jli!育機物材料を焼成する温度は比較的低い
ので、絶縁基板としてセラミックよりも耐熱温度の低い
耐熱ガラスを使用することも可能である。
そして、発熱抵抗体形成用の金属有機物材料として、エ
ンゲルハード社のメタルレジネートを使用する代わりに
、金属がカルボン酸等の有機物と錯体を形成した金属有
機物材料であって育機溶剤に溶けるものであれば、各種
の金属有機物材料を使用することが可能である。また、
同様に電極形成用の金属有機物材料および耐摩耗層形成
用の金属*a物材料も前述の実施例で示したちの以外の
ものを使用することが可能である。
ンゲルハード社のメタルレジネートを使用する代わりに
、金属がカルボン酸等の有機物と錯体を形成した金属有
機物材料であって育機溶剤に溶けるものであれば、各種
の金属有機物材料を使用することが可能である。また、
同様に電極形成用の金属有機物材料および耐摩耗層形成
用の金属*a物材料も前述の実施例で示したちの以外の
ものを使用することが可能である。
C6発明の効果
前述の本発明の金属有機物材料膜形成方法は、サーマル
ヘッドの絶縁基板表面の所定表面部分に金属有機物材料
膜を形成する方法において、前記所定表面部分に対応す
る位置に膜形成溝が設けられた除去可能な被覆層を絶縁
基板表面に形成し、前記膜形成溝に金属有機物材料から
成る膜形成材料を塗布してから乾燥させて前記所定表面
部分に金属有機物材料膜を形成するので、所定表面部分
以外には金属有機物材料膜が形成されない。したがって
前記金属有機物材料膜をホトリソエツチングにより所定
パターンに形成する際、絶縁基板表面に不必要な金属有
機物材料膜が残留することが少なくなる。また、前述の
ように、所定表面部分に対応した位置に膜形成溝を有す
る除去可能な被覆層を絶縁基板表面に形成しているので
、金属有機物材料から成る膜形成材料を前記膜形成溝に
塗布する際、前記膜形成材料が液状またはペースト状の
〜)ずれのものであっても使用することができる。
ヘッドの絶縁基板表面の所定表面部分に金属有機物材料
膜を形成する方法において、前記所定表面部分に対応す
る位置に膜形成溝が設けられた除去可能な被覆層を絶縁
基板表面に形成し、前記膜形成溝に金属有機物材料から
成る膜形成材料を塗布してから乾燥させて前記所定表面
部分に金属有機物材料膜を形成するので、所定表面部分
以外には金属有機物材料膜が形成されない。したがって
前記金属有機物材料膜をホトリソエツチングにより所定
パターンに形成する際、絶縁基板表面に不必要な金属有
機物材料膜が残留することが少なくなる。また、前述の
ように、所定表面部分に対応した位置に膜形成溝を有す
る除去可能な被覆層を絶縁基板表面に形成しているので
、金属有機物材料から成る膜形成材料を前記膜形成溝に
塗布する際、前記膜形成材料が液状またはペースト状の
〜)ずれのものであっても使用することができる。
そして、金属有機物材料膜は、厚膜技術により原子レベ
ルで均質な薄膜に形成することができるので、薄膜技術
に使用するような大型の製造設備を使用せずに、発熱抵
抗体の抵抗値のバラツキの小さいサーマルヘッドを得る
ことが可能となる。
ルで均質な薄膜に形成することができるので、薄膜技術
に使用するような大型の製造設備を使用せずに、発熱抵
抗体の抵抗値のバラツキの小さいサーマルヘッドを得る
ことが可能となる。
第1図は本発明の金属有機物材料膜形成方法の第1実施
例を適用して製造したサーマルヘッドの全体説明図、第
2図は同実施例の要部の斜視図、第3図は第2図の矢視
3部分の拡大図、第4A図は同実施例の要部の平面図で
第3図の矢視4Aがら見た図、第4B図は第4A図の4
B−4B線断面図、第4C図は第4A図の4C−4C線
断面図、第5A〜14C図は前記サーマルヘッドの製造
方法の説明図、第15図は本発明の金属有機物材料膜形
成方法の第2実施例の説明図、第16A〜第21B図は
本発明の金属有機物材料膜形成方法の第3実施例の説明
図、である。 2・・・絶縁基板、2b・・・部分アンダーグレーズ(
所定表面部分) 、20.20’ 20#・・・被覆層
、21.21’ 、21“・・・膜形成溝、22.22
’22#・・・膜形成材料(抵抗膜形成材料)、3′2
3.23’・・・金属有機物材料膜 第4C図 1? 第4A図 第8A図 □Y ンa 第8B図 第10A図 □Y ン 第10B図 第7A図 □Y 第7B図 第9A図 第9B図 第M図 7℃ 1 第13A図 第15図 第17A図 第178図 第21A図 一+−Y ン 第21B”図 つ 第16A図 ン 第16B図 f2oA図 □Y 第20B図 第19A図 第19B図
例を適用して製造したサーマルヘッドの全体説明図、第
2図は同実施例の要部の斜視図、第3図は第2図の矢視
3部分の拡大図、第4A図は同実施例の要部の平面図で
第3図の矢視4Aがら見た図、第4B図は第4A図の4
B−4B線断面図、第4C図は第4A図の4C−4C線
断面図、第5A〜14C図は前記サーマルヘッドの製造
方法の説明図、第15図は本発明の金属有機物材料膜形
成方法の第2実施例の説明図、第16A〜第21B図は
本発明の金属有機物材料膜形成方法の第3実施例の説明
図、である。 2・・・絶縁基板、2b・・・部分アンダーグレーズ(
所定表面部分) 、20.20’ 20#・・・被覆層
、21.21’ 、21“・・・膜形成溝、22.22
’22#・・・膜形成材料(抵抗膜形成材料)、3′2
3.23’・・・金属有機物材料膜 第4C図 1? 第4A図 第8A図 □Y ンa 第8B図 第10A図 □Y ン 第10B図 第7A図 □Y 第7B図 第9A図 第9B図 第M図 7℃ 1 第13A図 第15図 第17A図 第178図 第21A図 一+−Y ン 第21B”図 つ 第16A図 ン 第16B図 f2oA図 □Y 第20B図 第19A図 第19B図
Claims (1)
- サーマルヘッドの絶縁基板(2)表面の所定表面部分(
2b)に金属有機物材料膜(3′、23、23′)を形
成する方法において、前記所定表面部分(2b)に対応
する位置に膜形成溝(21、21′、21″)が設けら
れた除去可能な被覆層(20、20′、20″)を絶縁
基板(2)表面に形成し、前記膜形成溝(21、21′
、21″)に金属有機物材料から成る膜形成材料(22
、22′、22″)を塗布してから乾燥させて前記所定
表面部分(2b)に金属有機物材料膜(3′、23、2
3′)を形成することを特徴とするサーマルヘッドの金
属有機物材料膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5904790A JPH0347757A (ja) | 1989-04-05 | 1990-03-09 | サーマルヘッドの金属有機物材料膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8599789 | 1989-04-05 | ||
| JP1-85997 | 1989-04-05 | ||
| JP5904790A JPH0347757A (ja) | 1989-04-05 | 1990-03-09 | サーマルヘッドの金属有機物材料膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0347757A true JPH0347757A (ja) | 1991-02-28 |
Family
ID=26400075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5904790A Pending JPH0347757A (ja) | 1989-04-05 | 1990-03-09 | サーマルヘッドの金属有機物材料膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0347757A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1075955A3 (en) * | 1999-08-11 | 2001-05-02 | Riso Kagaku Corporation | Thick film thermal head and method of making the same |
-
1990
- 1990-03-09 JP JP5904790A patent/JPH0347757A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1075955A3 (en) * | 1999-08-11 | 2001-05-02 | Riso Kagaku Corporation | Thick film thermal head and method of making the same |
| US6400388B1 (en) | 1999-08-11 | 2002-06-04 | Riso Kagaku Corporation | Thick film thermal head and method of making the same |
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