JPH0347960A - プラズマ蒸着装置 - Google Patents

プラズマ蒸着装置

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Publication number
JPH0347960A
JPH0347960A JP6401390A JP6401390A JPH0347960A JP H0347960 A JPH0347960 A JP H0347960A JP 6401390 A JP6401390 A JP 6401390A JP 6401390 A JP6401390 A JP 6401390A JP H0347960 A JPH0347960 A JP H0347960A
Authority
JP
Japan
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low
plasma
pressure high
chamber
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP6401390A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuo Asamaki
麻蒔　立男
Naokichi Hosokawa
細川　直吉
Takeshi Yamazaki
猛 山崎
Atsushi Sekiguchi
敦 関口
Shinji Takagi
信二 高城
Hiroshi Arakawa
浩 荒川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Anelva Corp
Original Assignee
Anelva Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0347960A publication Critical patent/JPH0347960A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、プラズマを用いて薄膜を作成するプラズマ
蒸着装置に関し、特に、プラズマ中に粉末原料を送り込
んでこれを気化することによって薄膜を作成するプラズ
マ蒸着装置に関する。
［従来の技術］ 多元の酸化物で作られる高温超電導体のような複雑な複
合体や、その他の化合物、合金などの薄膜を作る手段と
して、プラズマ蒸着方法を利用することが知られている
。たとえば、次の文献には、プラズマ蒸着によって酸化
物超電導体の薄膜を高速で作成できることが記載されて
いる。
Ａｐｐｌ、　　Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ、　　５２　（１
９８７）　　Ｉ）、　　１２７４−１．２７６Ｔｅｒａ
ｓｈｉｍａら、　”Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｏｆ’　
ｓｕｐｅｒｃｏｎ−ｄｕｃｔｌｎｇ　Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−
０１’１１ｍ５　ｂｙ　ａ　ｒｅａｃｔｉｖｅｐｌａｓ
ｍａ　ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄ　”この
ような従来のプラズマ蒸着方法を第１１図を参照して説
明する。アルゴンと酸素の混合気体を矢印１２７のよう
に導入し、ガス拡散板１２８を通してプラズマ発生室１
２１に入れる。プラズマ発生室１２１の内部は大気圧で
ある。コイル１２５に高周波電源１３１から高周波電圧
を印加する（４ＭＨｚ、４５ｋＷ）と、プラズマ１２６
が発生する。石英ガラスの二重管１２２の内部には冷却
水１２３．１２４を流しておく。
この状態で、原料となる粉末１１３を」二重からプラズ
マ１２６に送り込む。粉末１１３はプラズマ１２６内で
気化して、基板ボルダ１４２Ｊ：の基板１４１の表面に
堆積する。アルゴンと酸素の混合気体は矢印１１７の方
向に出ていく。
」二連した従来のプラズマ蒸着方法では、プラズマを大
気圧で作っているために、次のような問題点がある。
（ａ）気体の平均自由行程が短いので、電子のエネルギ
ーを十分に高めるのに大電力を必要とする。
（ｂ）プラズマ発生室内に、導入気体以外の残留ガスが
残り、成膜に悪影響を与える。
（Ｃ）プラズマの安定性に問題があり、成膜速度の制御
や、膜の成分と膜質の制御に難点がある。プラズマが不
安定なために、異音が発生することもある。
したがって、投入電力、成膜速度、膜の成分、膜質など
を高精度に制御することは非常に困難である。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）真空に排気できる処理室と、 基板を保持する基板ホルダと、 前記処理室に連通可能な低圧高温プラズマ室と、 前記低圧高温プラズマ室内に粉末原料を供給する原料供
    給装置とを有し、 前記粉末原料を低圧高温プラズマによって気化して、こ
    れを前記基板上に堆積させて薄膜を作製するプラズマ蒸
    着装置であって、 前記低圧高温プラズマ室の内壁を導電性物質で作ること
    を特徴とするプラズマ蒸着装置。
  2. （２）前記低圧高温プラズマ室の内壁に電力を印加する
    ことによって低圧高温プラズマを発生させることを特徴
    とする請求項１記載のプラズマ蒸着装置。
  3. （３）前記低圧高温プラズマを冷陰極放電によって発生
    させることを特徴とする請求項１記載のプラズマ蒸着装
    置。
  4. （４）真空に排気できる処理室と、 基板を保持する基板ホルダと、 前記処理室に連通可能な低圧高温プラズマ室と、 前記低圧高温プラズマ室内に粉末原料を供給する原料供
    給装置とを有し、 前記粉末原料を低圧高温プラズマによって気化して、こ
    れを前記基板上に堆積させて薄膜を作製するプラズマ蒸
    着装置であって、 前記低圧高温プラズマと同じ高さ以上の位置に基板を配
    置したことを特徴とするプラズマ蒸着装置。
JP6401390A 1989-03-20 1990-03-16 プラズマ蒸着装置 Pending JPH0347960A (ja)

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JP6401390A JPH0347960A (ja) 1989-03-20 1990-03-16 プラズマ蒸着装置

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JP1-66330 1989-03-20
JP6633089 1989-03-20
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