JPH0348812A - 偏光不感受性のインターフェロメトリー導波電気光学変調器 - Google Patents
偏光不感受性のインターフェロメトリー導波電気光学変調器Info
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- JPH0348812A JPH0348812A JP2154976A JP15497690A JPH0348812A JP H0348812 A JPH0348812 A JP H0348812A JP 2154976 A JP2154976 A JP 2154976A JP 15497690 A JP15497690 A JP 15497690A JP H0348812 A JPH0348812 A JP H0348812A
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- G02F2203/06—Polarisation independent
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は偏光不感受性(polarization−i
nsens i t ive )のインターフェロメト
リー導波電気光学変調器に関する。
nsens i t ive )のインターフェロメト
リー導波電気光学変調器に関する。
塊状無機結晶を用いる電気光学的強度変調器は周知であ
り、広く用いられている。導波電気光学変調器は比較的
最近開発されたものであり、例え(1972);22巻
、10号、540頁(1973):米国特許第458へ
872号;第3619795号、第3624.406号
、第380a223号、第3.81Q688号、第38
74.782号、第3923.374号、第3947、
087号、第399Q775号及びこれらに引用されて
いる文献のような文献に述べられている。
り、広く用いられている。導波電気光学変調器は比較的
最近開発されたものであり、例え(1972);22巻
、10号、540頁(1973):米国特許第458へ
872号;第3619795号、第3624.406号
、第380a223号、第3.81Q688号、第38
74.782号、第3923.374号、第3947、
087号、第399Q775号及びこれらに引用されて
いる文献のような文献に述べられている。
塊状結晶に比べた光学導波管配置の主な利点の1つは、
非常に低い電位と電力が光学導波管配置では用いられ、
より迅速な変調(modu l a t ion )が
行われることである。これらの機能特性の両方ともが、
このような電気光学変調器の高速作用を実現するために
必要である。
非常に低い電位と電力が光学導波管配置では用いられ、
より迅速な変調(modu l a t ion )が
行われることである。これらの機能特性の両方ともが、
このような電気光学変調器の高速作用を実現するために
必要である。
薄フイルム導波電気光学変調器は、例えばマッハーツエ
ーンダー(Mach −Zehnder )インターフ
ェロメトリー、方向性結合、Y接合、クロスバ−切換え
または光学的偏光の回転のような、幾つかの変調機構の
1つを用いて作用することができる。
ーンダー(Mach −Zehnder )インターフ
ェロメトリー、方向性結合、Y接合、クロスバ−切換え
または光学的偏光の回転のような、幾つかの変調機構の
1つを用いて作用することができる。
導波マツハーツエーンダー・インターフェロメトリー変
調器は周知の光学装置であり、例えば°アール、エイ、
ベラカー(R,A、 Becker )による「マルチ
ギガヘルッーランフトーエレメントエレクトロオプチッ
クモジュレータ(Multigigahertz−Lu
mped−Element Electrooptic
McxiulatOr)JQE−21巻、8号、19
85年8月、1144〜114.6頁と、アール、シー
、アルファーネス(R,C,Alferness )に
よる[ガイデッド−ウェーブデバイセスフォアオプティ
カルコミュニケーション(Guided−Wave D
evices forOpitical Commun
ication ) J 、 I EEEジャー17
巻、6号、1981年6月、946〜959頁のような
文献に述べられている。
調器は周知の光学装置であり、例えば°アール、エイ、
ベラカー(R,A、 Becker )による「マルチ
ギガヘルッーランフトーエレメントエレクトロオプチッ
クモジュレータ(Multigigahertz−Lu
mped−Element Electrooptic
McxiulatOr)JQE−21巻、8号、19
85年8月、1144〜114.6頁と、アール、シー
、アルファーネス(R,C,Alferness )に
よる[ガイデッド−ウェーブデバイセスフォアオプティ
カルコミュニケーション(Guided−Wave D
evices forOpitical Commun
ication ) J 、 I EEEジャー17
巻、6号、1981年6月、946〜959頁のような
文献に述べられている。
インターフェロメトリー変調器は単一人力導波管、入力
光線を2つのブランチ導波管のほぼ等しいエネルギーの
ビームに分割するための入力ブランチ領域、2つのブラ
ンチ導波管の伝搬光線エネルギーを再結合するための出
力ブランチ領域及び出力導波管から成る。1つのブラン
チ導波管の移相な他方に対して相対的に実施することに
よって、結合した出力光線エネルギーは移相の大きさに
依存して、零から入力エネルギーレベルに密接した値ま
での範囲内である。このような移相は光学導波管のサブ
ストレート上にブランチ導波管の1つまたは両方に近接
して配置した電極によって生ずる。電圧を印加すると、
電気光学効果が近位ブランチ導波管の屈折率を変えて光
路の長さを変えることによって、ブランチの移相が生ず
る。性能を劣化させるブランチ間の光学的結合を阻止す
るために1ブランチ導波管を充分に離して維持すること
によって、電圧変化は相変化に変換され、従って光線出
力エネルギーレベルの振幅変化に変換される。電極電圧
をアナログまたはディジタル情報シグナルによって変調
させることKよって、出力光線エネルギーを同様に変調
させて、伝導のためにファイバー導波管に結合させるこ
とができる。
光線を2つのブランチ導波管のほぼ等しいエネルギーの
ビームに分割するための入力ブランチ領域、2つのブラ
ンチ導波管の伝搬光線エネルギーを再結合するための出
力ブランチ領域及び出力導波管から成る。1つのブラン
チ導波管の移相な他方に対して相対的に実施することに
よって、結合した出力光線エネルギーは移相の大きさに
依存して、零から入力エネルギーレベルに密接した値ま
での範囲内である。このような移相は光学導波管のサブ
ストレート上にブランチ導波管の1つまたは両方に近接
して配置した電極によって生ずる。電圧を印加すると、
電気光学効果が近位ブランチ導波管の屈折率を変えて光
路の長さを変えることによって、ブランチの移相が生ず
る。性能を劣化させるブランチ間の光学的結合を阻止す
るために1ブランチ導波管を充分に離して維持すること
によって、電圧変化は相変化に変換され、従って光線出
力エネルギーレベルの振幅変化に変換される。電極電圧
をアナログまたはディジタル情報シグナルによって変調
させることKよって、出力光線エネルギーを同様に変調
させて、伝導のためにファイバー導波管に結合させるこ
とができる。
光学導波管の設計と製造に決定的に関係する他の要素が
存在する。統合した光学スイッチと変調器の偏光特性は
ファイバー伝導ラインを用いる光学データ移送系でのこ
れらの装置の有用性を決定する上で非常に重要である。
存在する。統合した光学スイッチと変調器の偏光特性は
ファイバー伝導ラインを用いる光学データ移送系でのこ
れらの装置の有用性を決定する上で非常に重要である。
特に、これらの装置は光線の偏光状態に関係なく充分で
かつ完全な光線切換えを実施しなければならない。単モ
ードの円形ファイバーに結合した線状偏光は他の偏光状
態に迅速に転換されるので、この必要条件が生ずる。そ
れ故、ファイバーに結合された光線は通常、未知のだ円
偏光を有し、横方向電気(T’E)モードと横方向磁気
(TM)モードの両方が集積光学回路で励起される。
かつ完全な光線切換えを実施しなければならない。単モ
ードの円形ファイバーに結合した線状偏光は他の偏光状
態に迅速に転換されるので、この必要条件が生ずる。そ
れ故、ファイバーに結合された光線は通常、未知のだ円
偏光を有し、横方向電気(T’E)モードと横方向磁気
(TM)モードの両方が集積光学回路で励起される。
偏光(polanzation )に関係のない光学ス
イッチと変調器は米国特許第4.243295号、第4
29L939号、第4514046号、第4.6748
29号、第475fi588号及びこれらの引用文献に
述べられている。公知の偏光独立性導波装置はすべて、
例えばLiNbO3,LiTaO3゜GaAsまたはC
dSe結晶のような、無機導波チャンネルによって構成
される。
イッチと変調器は米国特許第4.243295号、第4
29L939号、第4514046号、第4.6748
29号、第475fi588号及びこれらの引用文献に
述べられている。公知の偏光独立性導波装置はすべて、
例えばLiNbO3,LiTaO3゜GaAsまたはC
dSe結晶のような、無機導波チャンネルによって構成
される。
低電圧作動電気光学的変調器では高度に信頼できる電気
光学的媒質が必要である。LiNbO3は導波電気光学
的変調器を構成するための重要な無機化合動程であった
。しかし、電気光学的変調器へのLiNbO3またはそ
の他の無機結晶の使用には、例えば光屈折効果による入
力光学エネルギーと操作波長の制限のような固有の欠点
が存在する。
光学的媒質が必要である。LiNbO3は導波電気光学
的変調器を構成するための重要な無機化合動程であった
。しかし、電気光学的変調器へのLiNbO3またはそ
の他の無機結晶の使用には、例えば光屈折効果による入
力光学エネルギーと操作波長の制限のような固有の欠点
が存在する。
大きな非局在化π電子系を有する有機ポリマー物質が電
気光学的非線形光学反応を示し、この反応が多くの場合
に無機サブストレートよりも非常に大きな反応であるこ
とは公知である。
気光学的非線形光学反応を示し、この反応が多くの場合
に無機サブストレートよりも非常に大きな反応であるこ
とは公知である。
さらに、非線形光学効果の原因となる電子相互作用を阻
止することによって、例えば機械的、熱酸化的安定性及
び高レーザー損傷限界のような、他の好ましい性質を最
適化するように有機ポリマー物質の性質を変えることも
できる。
止することによって、例えば機械的、熱酸化的安定性及
び高レーザー損傷限界のような、他の好ましい性質を最
適化するように有機ポリマー物質の性質を変えることも
できる。
非線形効果の起源が無機物質に認められる核座標の変位
または転位に対応した元電子雲の偏位であるという事実
は共役有機系にとって非常に重要である。
または転位に対応した元電子雲の偏位であるという事実
は共役有機系にとって非常に重要である。
有機ポリマー物質の非線形光学的特性はアメリカ化学会
(American Chemical 5ociet
y )第18回会議(1982年9月)におけるACS
ポリマー化学部門によって主催されたシンポジウムの主
題であった。この会議で発表された論文はACS 7/
ボジウムシリーズ233(アメリカ化学会、ワシントン
D、 0.1983年)として出版されている。
(American Chemical 5ociet
y )第18回会議(1982年9月)におけるACS
ポリマー化学部門によって主催されたシンポジウムの主
題であった。この会議で発表された論文はACS 7/
ボジウムシリーズ233(アメリカ化学会、ワシントン
D、 0.1983年)として出版されている。
透明す薄いサブストレートとしての有機非線形光学媒質
は米国特許第45311)450号、第4605869
号、第4.607.095号、第4615962号及び
第4624.872号に述べられている。
は米国特許第45311)450号、第4605869
号、第4.607.095号、第4615962号及び
第4624.872号に述べられている。
上記刊行物はここに参考文献として関係する。
レーザー変調、光学回路要素における情報制御等に適し
た、新しい非線形光学的有機媒質と電気光学装置を開発
しようとする研究努力が続けられている。大きい二次ま
たは三次非線形を有する有機物質の非常な高頻度用途へ
の可能な有用性は、通常の無機電気光学的材料の広範囲
な限定と対照的である。
た、新しい非線形光学的有機媒質と電気光学装置を開発
しようとする研究努力が続けられている。大きい二次ま
たは三次非線形を有する有機物質の非常な高頻度用途へ
の可能な有用性は、通常の無機電気光学的材料の広範囲
な限定と対照的である。
従って、新規な電気光学的変調器を提供することが本発
明の目的である。
明の目的である。
有機非線形光学要素を含むインターフェロメトリー電気
光学的変調器を提供することが本発明の他の目的である
。
光学的変調器を提供することが本発明の他の目的である
。
偏光不感受性ポリマー薄7.イルム導波電気光学的揚幅
変調器を提供することが、本発明のさらに他の目的であ
る。
変調器を提供することが、本発明のさらに他の目的であ
る。
本発明のこの他の目的と利点は添付図面と説明から明ら
かになると思われる。
かになると思われる。
本発明の1つ以上の目的は、次の要素:a、共通光線入
力から発散して同じ広がりのチャンネルを形成し、共通
光線出力に再び収束する、電気光学反応性有機媒質から
成る第1、第2導波チャンネル; b、第1チヤンネル有機媒質への水平電場供給を促進す
るために第1チヤンネルに沿って近くに配置され、間隔
をおいた電極間の有機媒質帯が供給水平電場の方向に平
行な、非心対称性分子配向を有する間隔をおいた電極の
41セット;及び C1第2チヤンネル有機媒質への垂直電場供給を促進す
るために第2チヤンネルに沿って近くに配置され、間隔
をおいた電極間の有機媒質帯が供給垂直電場の方向に平
行な、非心対称性分子配向を有する間隔をおいたjl’
!極の第2セットから成る偏光不感受性インターフェロ
メトリー導波電気光学変調器を形成することによって達
成される。
力から発散して同じ広がりのチャンネルを形成し、共通
光線出力に再び収束する、電気光学反応性有機媒質から
成る第1、第2導波チャンネル; b、第1チヤンネル有機媒質への水平電場供給を促進す
るために第1チヤンネルに沿って近くに配置され、間隔
をおいた電極間の有機媒質帯が供給水平電場の方向に平
行な、非心対称性分子配向を有する間隔をおいた電極の
41セット;及び C1第2チヤンネル有機媒質への垂直電場供給を促進す
るために第2チヤンネルに沿って近くに配置され、間隔
をおいた電極間の有機媒質帯が供給垂直電場の方向に平
行な、非心対称性分子配向を有する間隔をおいたjl’
!極の第2セットから成る偏光不感受性インターフェロ
メトリー導波電気光学変調器を形成することによって達
成される。
他の実施態様では、本発明は次の要素:a、共通光線入
力から発散して、同じ広がりのチャンネルを形成し、共
通光線出力に再び収束する、非線形光学反応を示す熱可
塑性ポリマー媒質から成る第11第2導波チャンネル;
b、第1チヤンネルポリマー媒質への水平電場供給を促
進するために第1チヤンネルに沿って近くに配置され、
間隔をおいた電極間のポリマー媒質帯が供給水平電場に
平行な、非心対称性分子配向を有する、間隔をおいた電
極の第1セット ; C・ 第2チヤンネルポリマー媒質への垂直電場供給を
促進するために第1チヤンネルに宿って近くに配置され
、間隔をおいた電極間のポリマー媒質帯が供給垂直電場
に平行な、非心対称性分子配向を有する、間隔をおいた
電極の第2セット ; d、前記電極セットへの電圧供給源;及びe、光線な導
波装置に導入するための干渉性光線放射手段 から成る光線波長の振幅を偏光不感受性に変調させるた
めの薄フィルムインターフェロメトリー電気光学導波装
置を提供する。
力から発散して、同じ広がりのチャンネルを形成し、共
通光線出力に再び収束する、非線形光学反応を示す熱可
塑性ポリマー媒質から成る第11第2導波チャンネル;
b、第1チヤンネルポリマー媒質への水平電場供給を促
進するために第1チヤンネルに沿って近くに配置され、
間隔をおいた電極間のポリマー媒質帯が供給水平電場に
平行な、非心対称性分子配向を有する、間隔をおいた電
極の第1セット ; C・ 第2チヤンネルポリマー媒質への垂直電場供給を
促進するために第1チヤンネルに宿って近くに配置され
、間隔をおいた電極間のポリマー媒質帯が供給垂直電場
に平行な、非心対称性分子配向を有する、間隔をおいた
電極の第2セット ; d、前記電極セットへの電圧供給源;及びe、光線な導
波装置に導入するための干渉性光線放射手段 から成る光線波長の振幅を偏光不感受性に変調させるた
めの薄フィルムインターフェロメトリー電気光学導波装
置を提供する。
本発明の他の態様では、次の工程:
(1)支持サブストレート上に、非線形有機反応を示す
有機媒質から成り、共通光線入力接点から発散して同じ
広がりの光路を形成し、共通光線出力接点に古び収束す
る第11第2導波チヤンネルが配置された、透明な光学
導波薄フィルムを成形する工程: (2)チャンネル有機媒質への水平電場供給を促進する
ために、第1チヤンネル光路に?E5って近くに間隔を
おいた電極の第1セットを配置する工程; (3)チャンネル有機媒質への垂直電場供給を促進する
ために、第2チヤンネル光路に沿って近くに間隔をおい
た電極の第2セットを配置する工程: (4)薄フィルムを加熱して、チャンネルポリマー分子
を移動させる工程; (5)各電極セットに電圧を印加して電場を形成し、第
1チヤンネル電極セットに供給水平電場の方向に平行な
ポリマー分子の非心対称性配向を誘導させ、第2チヤン
ネル電極セットに供給垂直電場の方向に平行な、ポリマ
ー分子の非心対称性配向を誘導させる工程:および (6) 供給電場を維持しながら、薄フィルムを冷却
し、それによって二次非線形光学反応を示すポリマー分
子配光の2つの安定な電場誘導帯を形成する工程 カラ成ル、マツハーツエー/ダーインターフェロメ)
IJ−電気光学導波装置の製造方法な提供する。
有機媒質から成り、共通光線入力接点から発散して同じ
広がりの光路を形成し、共通光線出力接点に古び収束す
る第11第2導波チヤンネルが配置された、透明な光学
導波薄フィルムを成形する工程: (2)チャンネル有機媒質への水平電場供給を促進する
ために、第1チヤンネル光路に?E5って近くに間隔を
おいた電極の第1セットを配置する工程; (3)チャンネル有機媒質への垂直電場供給を促進する
ために、第2チヤンネル光路に沿って近くに間隔をおい
た電極の第2セットを配置する工程: (4)薄フィルムを加熱して、チャンネルポリマー分子
を移動させる工程; (5)各電極セットに電圧を印加して電場を形成し、第
1チヤンネル電極セットに供給水平電場の方向に平行な
ポリマー分子の非心対称性配向を誘導させ、第2チヤン
ネル電極セットに供給垂直電場の方向に平行な、ポリマ
ー分子の非心対称性配向を誘導させる工程:および (6) 供給電場を維持しながら、薄フィルムを冷却
し、それによって二次非線形光学反応を示すポリマー分
子配光の2つの安定な電場誘導帯を形成する工程 カラ成ル、マツハーツエー/ダーインターフェロメ)
IJ−電気光学導波装置の製造方法な提供する。
本発明の他の実施態様では、
(1) 本発明によって設計し、構成した偏光不感受
性導波装置に任意に偏光した光線を導入する工程; (2)チャンネル光路に近接した各電極セットに変調電
圧を印加して、光路を通って伝播する導波光線の横断電
気モードと横断磁気モードに対して同じ位相変調を生じ
させる工程;及び(3)伝導光線の光強度を装置の2つ
のインターフェロメトリー導波チャンネル間の位相シフ
トの関数として変化させる光検出器手段に変調光線を伝
導する工程 から成る電磁線の変調方法を提供する。
性導波装置に任意に偏光した光線を導入する工程; (2)チャンネル光路に近接した各電極セットに変調電
圧を印加して、光路を通って伝播する導波光線の横断電
気モードと横断磁気モードに対して同じ位相変調を生じ
させる工程;及び(3)伝導光線の光強度を装置の2つ
のインターフェロメトリー導波チャンネル間の位相シフ
トの関数として変化させる光検出器手段に変調光線を伝
導する工程 から成る電磁線の変調方法を提供する。
本発明のインターフェロメトリー導波装置では、各導波
チャンネルの線形に偏光した光線の伝搬定数が各導波チ
ャンネルに別々に加えられた垂直電場と水平゛電場によ
って変化する。2チヤンネル内の光線の伝搬速度の差が
電気的に制御された位相シフトを生ずる。出力光強度は
位相シフトに伴って変化するので、電気光学効果のため
に印加電圧によって変調させられる。
チャンネルの線形に偏光した光線の伝搬定数が各導波チ
ャンネルに別々に加えられた垂直電場と水平゛電場によ
って変化する。2チヤンネル内の光線の伝搬速度の差が
電気的に制御された位相シフトを生ずる。出力光強度は
位相シフトに伴って変化するので、電気光学効果のため
に印加電圧によって変調させられる。
光線変調の偏光不感受性特性は、各導波チャンネル上に
別々に存在する2つの平行電極セットの電圧を平衡させ
て、水平電場と垂直電場によりTEモードとTMモード
を等しく相変調させることによって、得られる。
別々に存在する2つの平行電極セットの電圧を平衡させ
て、水平電場と垂直電場によりTEモードとTMモード
を等しく相変調させることによって、得られる。
20ミクロンの典型的な電極分離と1crnの電極長さ
に対して、電圧は通常的O〜20 vottの範囲内で
変化し、供給電場の振幅はDCと約100ギガヘルツの
間で変化する。
に対して、電圧は通常的O〜20 vottの範囲内で
変化し、供給電場の振幅はDCと約100ギガヘルツの
間で変化する。
本発明の電気光学変調器は2つの電極セットの平行配置
を特徴とする。これはマツハーシエーンダーインターフ
エロメトリー変調器の同じチャンネル上に連続した2セ
ットの電極を有する対応変調器に比べて有利である。本
発明の平行電極配置はよりコンパクトで、より簡単な偏
光不感受性変調器の設計と構造を可能にする。本発明の
変調器は光線の高速変調に必要な進行波設計(t ra
vel ing−wave design )に適して
いる。
を特徴とする。これはマツハーシエーンダーインターフ
エロメトリー変調器の同じチャンネル上に連続した2セ
ットの電極を有する対応変調器に比べて有利である。本
発明の平行電極配置はよりコンパクトで、より簡単な偏
光不感受性変調器の設計と構造を可能にする。本発明の
変調器は光線の高速変調に必要な進行波設計(t ra
vel ing−wave design )に適して
いる。
第1図では、インターフェロメーター11は支持サブス
トレート上の透明な非線形光学ポリマーフィルム要素1
1から成る。フィルム11は14においてY分岐して、
ランダムに偏光した光学エネルギー光線人力20を光路
チャンネル22と光路チャンネル23に分割する入力光
学導波管200組込み形状を有する。チャンネル22と
23に潰って伝搬される光線は15におけるY分岐によ
って再び収束し、導波″1F16から光線出力21とし
て出る。導波チャンネルのポリマーフィルムは導波チャ
ンネルに隣接するポリマーフィルムよりも高い屈折率を
有し、保護層として用いた場合の緩衝被覆(bu[er
coating )よりも高い屈折率を有する。
トレート上の透明な非線形光学ポリマーフィルム要素1
1から成る。フィルム11は14においてY分岐して、
ランダムに偏光した光学エネルギー光線人力20を光路
チャンネル22と光路チャンネル23に分割する入力光
学導波管200組込み形状を有する。チャンネル22と
23に潰って伝搬される光線は15におけるY分岐によ
って再び収束し、導波″1F16から光線出力21とし
て出る。導波チャンネルのポリマーフィルムは導波チャ
ンネルに隣接するポリマーフィルムよりも高い屈折率を
有し、保護層として用いた場合の緩衝被覆(bu[er
coating )よりも高い屈折率を有する。
電極25は電圧源27に連結し、活性化されて、チャン
ネル22に垂直電場を加える。電極26は電圧源28に
連結し、活性化されて、チャンネル23に水平電場を加
える。チャンネル22内の電極25間のポリマーフィル
ムは電極25によって加えられた垂直電場に平行な、安
定した分子配向を有する。チャンネル23内の電極26
間のポリマーフィルムは電極26によって加えられた水
平電場に平行な、安定した分子配向を有する。
ネル22に垂直電場を加える。電極26は電圧源28に
連結し、活性化されて、チャンネル23に水平電場を加
える。チャンネル22内の電極25間のポリマーフィル
ムは電極25によって加えられた垂直電場に平行な、安
定した分子配向を有する。チャンネル23内の電極26
間のポリマーフィルムは電極26によって加えられた水
平電場に平行な、安定した分子配向を有する。
運転モードでは、入力レーザービーム20を供給する任
意に偏光したレーザー線源30と、出力シグナル21を
再構成電気シグナルに変換するように機能する光検出器
31と組合せて、装置i。
意に偏光したレーザー線源30と、出力シグナル21を
再構成電気シグナルに変換するように機能する光検出器
31と組合せて、装置i。
を用いる。
入力の干渉性電磁線は例えば半導体6°00〜1600
nm出力のようなレーザービームであることが好まし
い。
nm出力のようなレーザービームであることが好まし
い。
第1図に図示しない有機フィルム支持サブストレートは
プラスチック、ガラスまたはケイ素のような、便利な非
導電性媒質を用いることができる。
プラスチック、ガラスまたはケイ素のような、便利な非
導電性媒質を用いることができる。
本発明の電気光学装置の薄フィルム有機導波媒質は透明
であり、物理的性質では等方性もしくは異方性であり、
非線形光学的反応を示す。
であり、物理的性質では等方性もしくは異方性であり、
非線形光学的反応を示す。
典型的な薄フイルム有機媒質はポリマーホストとゲスト
成分から成るブレンドである。薄フィルムの電気光学的
特性はゲスト成分のみによって制御され、ホスト成分と
ゲスト成分の両方は非線形の光学的感受性を有する。
成分から成るブレンドである。薄フィルムの電気光学的
特性はゲスト成分のみによって制御され、ホスト成分と
ゲスト成分の両方は非線形の光学的感受性を有する。
適当なホストポリマーの具体例はポリ(メチルメタクリ
レート)、セルロースアセテート、ポリシロキサン、ポ
リアクリルアミド、ポリアクリロニトリル等である。
レート)、セルロースアセテート、ポリシロキサン、ポ
リアクリルアミド、ポリアクリロニトリル等である。
適当なゲスト化合物の具体例は4−ニトロアニリン、2
−メチル−4−ニトロアニリン、4−N。
−メチル−4−ニトロアニリン、4−N。
N−ジメチルアミノ−4′−二トロスチルベン(DAN
S )等である。
S )等である。
他の適当な非線形光学活性ゲスト化合物は次式に相当す
るキノジメタ/構造によって説明される:式中、nは約
0〜3の範囲内の整数であり、RとR1は水素及び炭素
数的1〜20の脂肪族基、脂環式基、芳香族基から成る
群から選択した置換基であり、R[換基の少なくとも1
つは電子供与基であり R1置換基の少な(とも1つは
電子求引基である。
るキノジメタ/構造によって説明される:式中、nは約
0〜3の範囲内の整数であり、RとR1は水素及び炭素
数的1〜20の脂肪族基、脂環式基、芳香族基から成る
群から選択した置換基であり、R[換基の少なくとも1
つは電子供与基であり R1置換基の少な(とも1つは
電子求引基である。
非線形光学活性キノジメタン棟の具体例は′7.7−ジ
(n−へキシルデシルアミノ)−38−ジシアノキノジ
メタン:1313−ジアミノ−1414−ジシアノジフ
ェノキノジメタン;1λ13−ジ(ジメチルアミノ)−
14,14−ジンアノジフェノキノジメタン;x3t3
−ジ(n−ヘキサデシルアミノ) −14,14−ジシ
アノジフェノキノジメタン:1313−エチレンジアミ
ノ−1,4゜14−ジシアノジフェノキノジメタン;x
at3−ジ(ジメチルアミノ)−14,14−ジ/アノ
−4、aato−テトラヒドロピレノキノジメタン;1
313−ジ(n−へキサデンルアミノ)−1414−ジ
シアノ−45910−テトラヒドロピレノキノジメタン
等である。
(n−へキシルデシルアミノ)−38−ジシアノキノジ
メタン:1313−ジアミノ−1414−ジシアノジフ
ェノキノジメタン;1λ13−ジ(ジメチルアミノ)−
14,14−ジンアノジフェノキノジメタン;x3t3
−ジ(n−ヘキサデシルアミノ) −14,14−ジシ
アノジフェノキノジメタン:1313−エチレンジアミ
ノ−1,4゜14−ジシアノジフェノキノジメタン;x
at3−ジ(ジメチルアミノ)−14,14−ジ/アノ
−4、aato−テトラヒドロピレノキノジメタン;1
313−ジ(n−へキサデンルアミノ)−1414−ジ
シアノ−45910−テトラヒドロピレノキノジメタン
等である。
上記のようなキノジメタン化合物の合成は米国特許第4
64Q800号と第4.707.305号(これらはこ
こに参考文献として関係する)に述べられている。
64Q800号と第4.707.305号(これらはこ
こに参考文献として関係する)に述べられている。
ここで用いる「電子供与」なる用語は、共役電子構造が
電磁エネルギーの入力によって分極した場合に、電子密
度をπ電子系に寄与する有機置換基を意味する。
電磁エネルギーの入力によって分極した場合に、電子密
度をπ電子系に寄与する有機置換基を意味する。
ここで用いる「電子水引」なる用語は、共役電子構造が
電磁エネルギーの入力によって分極した場合に、電子密
度をπ電子系から水引する電気陰性有機置換基を意味す
る。
電磁エネルギーの入力によって分極した場合に、電子密
度をπ電子系から水引する電気陰性有機置換基を意味す
る。
製造の容部さ、光学的性質、及びゲスト成分との適合性
から特定のホストポリマーが選択される。
から特定のホストポリマーが選択される。
ゲスト成分は典型的に、薄フイルム導波ゲスト/ホスト
媒質の約5〜60重量%を占める。
媒質の約5〜60重量%を占める。
電気光学反応を示すポリマーはホスト成分として用いら
れる、または単独成分として用いられる。
れる、または単独成分として用いられる。
このタイプの有機成分は次式:
有するペンダント基であり、ペンダント基はポリマーの
少な(とも約10重量%を占める〕で示される熱可塑性
ポリマーによって説明され、このポリマーは約40℃よ
り高いガラス転移温度を有する。
少な(とも約10重量%を占める〕で示される熱可塑性
ポリマーによって説明され、このポリマーは約40℃よ
り高いガラス転移温度を有する。
上記式に相当する熱可塑性側鎖ポリマーは物理的性質に
おいて等方性または液晶のいずれかである。適当な側鎖
ポリマーは米国特許第4,694,066号に述べられ
ている。側鎖ポリマーの具体例はボIJ [6−(4−
ニトロビフェニルオキシ)へキシルメタクリレート〕、
ポリ(L−N−P−ニトロフェニル−2−ピペリジンメ
チルアクリレート)、及び例えば 〔式中、Vはポリマー主鎖単位であり、S′は原子数約
0〜200線状鎖長を有するフレキンプルスペーサ基で
あり、M′は二次非線形光学感受性Bをのような、スチ
ルベン含有ポリマーである。メタクリレ−)/4− (
メタクリロイルオキシ−2−エトキシ−4′−二トロス
チルベンのコポリマー(50150)が好ましいタイプ
の側鎖ポリマーである。
おいて等方性または液晶のいずれかである。適当な側鎖
ポリマーは米国特許第4,694,066号に述べられ
ている。側鎖ポリマーの具体例はボIJ [6−(4−
ニトロビフェニルオキシ)へキシルメタクリレート〕、
ポリ(L−N−P−ニトロフェニル−2−ピペリジンメ
チルアクリレート)、及び例えば 〔式中、Vはポリマー主鎖単位であり、S′は原子数約
0〜200線状鎖長を有するフレキンプルスペーサ基で
あり、M′は二次非線形光学感受性Bをのような、スチ
ルベン含有ポリマーである。メタクリレ−)/4− (
メタクリロイルオキシ−2−エトキシ−4′−二トロス
チルベンのコポリマー(50150)が好ましいタイプ
の側鎖ポリマーである。
本発明の装置は例えば非線形光学活性ゲスト分子または
上記タイプのポリマーの非線形光学活性ペンダント側鎖
のような分子双極子の外部場誘導整列を有する導波部分
を2チヤンネル光路の各々に含む。
上記タイプのポリマーの非線形光学活性ペンダント側鎖
のような分子双極子の外部場誘導整列を有する導波部分
を2チヤンネル光路の各々に含む。
媒質をその融点またはガラス転移温度の近くまたはそれ
以上に加熱してから、DC電場(例えば、50〜500
V/μm)を媒質に与えて分子双極子な単軸配向に整
列させることによって、薄フイルム導波媒質の極比(p
oling)が便利に達成される。
以上に加熱してから、DC電場(例えば、50〜500
V/μm)を媒質に与えて分子双極子な単軸配向に整
列させることによって、薄フイルム導波媒質の極比(p
oling)が便利に達成される。
次に媒質がまだ供給DCvt場の影響下にあるときに、
媒質を冷却する。このようにして、安定した永久的な分
子配向が例えば第1図に示した電極対の間のような、剛
性構造中に固定される。
媒質を冷却する。このようにして、安定した永久的な分
子配向が例えば第1図に示した電極対の間のような、剛
性構造中に固定される。
第1図の電極対25と26は例えばアルミニウム、銀、
金、銅、インジウム−酸化スズ、チタン酸インジウム等
のような適当な導電性物質のストリップ核種であり、制
御可能なりCまたはAC電源27と28に連結される。
金、銅、インジウム−酸化スズ、チタン酸インジウム等
のような適当な導電性物質のストリップ核種であり、制
御可能なりCまたはAC電源27と28に連結される。
第1図の薄フイルム導波層11は各物質に対して適当で
あるような、例えばスピンコーチング、吹付け、ラング
ミュアーブロゲツ) (Langmuir−Blodg
ett )の蒸着法、スパッターリング等のような通常
の製造方法によって、支持サブストレートと組合せるこ
とができる。
あるような、例えばスピンコーチング、吹付け、ラング
ミュアーブロゲツ) (Langmuir−Blodg
ett )の蒸着法、スパッターリング等のような通常
の製造方法によって、支持サブストレートと組合せるこ
とができる。
次の実施例によって本発明をさらに説明する。
装置成分は典型的なものとして述べるが、設計と運転の
種々な変更が前述の開示に基づいて本発明の範囲内で実
施され5る。
種々な変更が前述の開示に基づいて本発明の範囲内で実
施され5る。
例
この例は第1図に示すような、本発明による偏光不感受
性の導波電気光学変調器の構造と操作を説明する: 商業的に入手可能な二酸化ケイ素被覆ケイ素ウェファを
ヴアリア:y (Varian )電子ビーム真空蒸着
系に入れる。純度99.999%の0.1μm層がウェ
ファ上に蒸着する。
性の導波電気光学変調器の構造と操作を説明する: 商業的に入手可能な二酸化ケイ素被覆ケイ素ウェファを
ヴアリア:y (Varian )電子ビーム真空蒸着
系に入れる。純度99.999%の0.1μm層がウェ
ファ上に蒸着する。
AZ−1518ポジテイブフオトレジスト〔ヘキスト(
Hoechst ) )をソリチック(Sol i t
ec )モデル5100コースタ−によって、アルミニ
ウム被覆ウェファ上にスピンコーチングする。
Hoechst ) )をソリチック(Sol i t
ec )モデル5100コースタ−によって、アルミニ
ウム被覆ウェファ上にスピンコーチングする。
5000rpmでの30秒間スピニングによって、1.
5μmフォトレジスト被覆が得られる。フォトレジスト
被覆を90℃の真空炉で30分間乾燥させる。
5μmフォトレジスト被覆が得られる。フォトレジスト
被覆を90℃の真空炉で30分間乾燥させる。
カールサス(Karl 5uss )モデルMJB17
スクアライナー(mask aligner )内で好
ましい形状のマスクとウェファを接触させ、マークした
被覆を405μm放射#! (120mJ/m2)に暴
露させることによって、フォトレジスト被覆を第1図の
下部電極25としてパターン化する。
スクアライナー(mask aligner )内で好
ましい形状のマスクとウェファを接触させ、マークした
被覆を405μm放射#! (120mJ/m2)に暴
露させることによって、フォトレジスト被覆を第1図の
下部電極25としてパターン化する。
マスクを除去し、パターン化フォトレジストを水中AZ
−400に現像剤(Developer ) (1:l
)によって45秒間にわたって現像し、脱イオン水によ
って洗浄することによって現像サイクルを停止する。
−400に現像剤(Developer ) (1:l
)によって45秒間にわたって現像し、脱イオン水によ
って洗浄することによって現像サイクルを停止する。
ウェファのフォトレジスト被覆を120℃の真空炉中で
30分間焼成する。暴露したアルミニウムパターンをA
型腐蝕剤〔トランセン社(Tran−sene c、1
) ) によって50℃で20秒間腐蝕し、蝕刻面を
脱イオン水ですすぎ洗いする。
30分間焼成する。暴露したアルミニウムパターンをA
型腐蝕剤〔トランセン社(Tran−sene c、1
) ) によって50℃で20秒間腐蝕し、蝕刻面を
脱イオン水ですすぎ洗いする。
ウェファのアルミニウム電極面を薄い(1000A)保
護ポリシロキサ/層によって覆い、次に4000rpm
での30秒間のスピンコーチングによってマスターボン
ド(Master Bond ) UVI 1−4MI
エポキシ〔マスターボンド社(MasterBond
C1nc、 ) )の2.0pmクラッド層を施し、こ
のクラッド層を365 nm光線20 m W 7cm
”による1分間の水銀アーク燈放電によって硬化させる
。
護ポリシロキサ/層によって覆い、次に4000rpm
での30秒間のスピンコーチングによってマスターボン
ド(Master Bond ) UVI 1−4MI
エポキシ〔マスターボンド社(MasterBond
C1nc、 ) )の2.0pmクラッド層を施し、こ
のクラッド層を365 nm光線20 m W 7cm
”による1分間の水銀アーク燈放電によって硬化させる
。
硬化後に、連続層の表面接着性を改良するために、プラ
スマフアブ(Plasmafab ) 340腐蝕装置
[エレクトロチク社(Electrotech CO,
) ]内でウェファを反応性イオン腐蝕に5秒間さらす
。
スマフアブ(Plasmafab ) 340腐蝕装置
[エレクトロチク社(Electrotech CO,
) ]内でウェファを反応性イオン腐蝕に5秒間さらす
。
腐蝕条件は13.56 MHz高周波電力30watt
/6“直径パターンを用いて、15mtorr、圧にお
いて02流動5標準crt?/分である。
/6“直径パターンを用いて、15mtorr、圧にお
いて02流動5標準crt?/分である。
1.65μm厚さの非線形光学活性有機層がクラッド層
上に3000rpmにおいてスピンコーチングされる。
上に3000rpmにおいてスピンコーチングされる。
スピンコーチング媒質はトリクロロプロパン中メチルメ
タクリレ−)/4− (メタクリロイルオキシ−2−エ
トキシ) −4,’−ニトロスチルベン(50150)
コホリマーの20%ff1iテある。有機層を160℃
の真空炉中で1時間乾燥させる。
タクリレ−)/4− (メタクリロイルオキシ−2−エ
トキシ) −4,’−ニトロスチルベン(50150)
コホリマーの20%ff1iテある。有機層を160℃
の真空炉中で1時間乾燥させる。
AZ−1518のフォトレジスト層を4000rpmで
有機層上にスピンコーチングし、この層を405μrn
放射?1M (120m J 7cm2)に暴露する。
有機層上にスピンコーチングし、この層を405μrn
放射?1M (120m J 7cm2)に暴露する。
アルミニウム0.2μml!Iがフォトレジスト層上に
付着する。アルミニウム層をフォトレジスト層で被覆し
、層を第1図に示すようなマッハーツェーンダーインタ
ーフエロメトリー導波管の形状にパターン化する。導波
管幅は5μmである。Y接合チャンネルは0.3度の完
全角度で分離し、再結合する。
付着する。アルミニウム層をフォトレジスト層で被覆し
、層を第1図に示すようなマッハーツェーンダーインタ
ーフエロメトリー導波管の形状にパターン化する。導波
管幅は5μmである。Y接合チャンネルは0.3度の完
全角度で分離し、再結合する。
導波管構造の上面を前述のような、酸素プラズマ条件下
で15分間反応性イオン腐蝕にさらして、フォトレジス
ト被償パターンを別として、ポリシロキサン層までの多
重層を除去する。腐蝕サイクルはアルミニウムパターン
から7オトレジスト被覆をも除去する。
で15分間反応性イオン腐蝕にさらして、フォトレジス
ト被償パターンを別として、ポリシロキサン層までの多
重層を除去する。腐蝕サイクルはアルミニウムパターン
から7オトレジスト被覆をも除去する。
アルミニウムと下部フォトレジスト層は導e、!構造な
AZ−400に現像液に1分間浸漬することによって除
去される。
AZ−400に現像液に1分間浸漬することによって除
去される。
サブストレートと上面の多重層リプパターンはマスター
ボンドUVII−4MIエポキシ(マスターボンド社)
によって250Orpmにおいてスピンコーチングし、
被覆を405 nm光線の20rnW 7cm”による
2分間の水銀アーク燈放電によって硬化する。
ボンドUVII−4MIエポキシ(マスターボンド社)
によって250Orpmにおいてスピンコーチングし、
被覆を405 nm光線の20rnW 7cm”による
2分間の水銀アーク燈放電によって硬化する。
アルミニウムの0.1μm層が上部エポキシクラッド層
上忙付着し、上記パターン処理方法後に、第2図の上部
電極25と電極26が形成される。
上忙付着し、上記パターン処理方法後に、第2図の上部
電極25と電極26が形成される。
導波管構造を対立する端部で裂いて、光線を導波有機層
に連絡させるための2つのシャープな而を形成する。
に連絡させるための2つのシャープな而を形成する。
2セットの電極間の2つのポリマー導波部分の分子配向
はそれぞれ、電極セットによって供給電場を加えること
によって得られる。電極長さ1mでは透過状態から不透
過状態へ切換えるために2〜5 vottの電圧が必要
である。
はそれぞれ、電極セットによって供給電場を加えること
によって得られる。電極長さ1mでは透過状態から不透
過状態へ切換えるために2〜5 vottの電圧が必要
である。
製造した導波管をメツトラ−(MetLler)高温段
階に装入し、装置の温度を1℃/分で1.、40 ℃に
高める。1セットの成極には70 V/μmのDCC揚
場5 vott 5ine (I QOOOt ) A
C電圧を与え、他方の電極セットには可HDc11L圧
と5 vottsine (I QOOOt )のAC
電圧を印加する。
階に装入し、装置の温度を1℃/分で1.、40 ℃に
高める。1セットの成極には70 V/μmのDCC揚
場5 vott 5ine (I QOOOt ) A
C電圧を与え、他方の電極セットには可HDc11L圧
と5 vottsine (I QOOOt )のAC
電圧を印加する。
対物レンズ(10X)を用いて、1.34μm放射線(
100mW連続波)をマツハーツエーンダー導波管に収
束させ、結合させる。導波管の出力はlO×顕微傭対物
レンズ、偏光ビームスプリッタ−に通し、次に2つの光
検出器に通す。検出器シグナルを2つの固定増幅器忙伝
導する。
100mW連続波)をマツハーツエーンダー導波管に収
束させ、結合させる。導波管の出力はlO×顕微傭対物
レンズ、偏光ビームスプリッタ−に通し、次に2つの光
検出器に通す。検出器シグナルを2つの固定増幅器忙伝
導する。
画壇幅器をIQOOOHerzにおけるシグナルに関し
て同調させ、第1電極セットに対する可変DC電圧を2
増幅器のシグナルが同じになるまで調節する。
て同調させ、第1電極セットに対する可変DC電圧を2
増幅器のシグナルが同じになるまで調節する。
調節した供給電場下で導波装置を140℃に20分開維
持し、導波装置を107分で室温にまで冷却する間、供
給電場を維持する。
持し、導波装置を107分で室温にまで冷却する間、供
給電場を維持する。
導波管の操作中、2電極セットの印加電圧は平衡化し、
伝導光線のTEモードとTMモードの等しい位相調整が
得られるので、光線変調の実施は偏光不感受性である。
伝導光線のTEモードとTMモードの等しい位相調整が
得られるので、光線変調の実施は偏光不感受性である。
第1図は本発明による集積光学マツハーツエーンダーイ
ンターフエロメトリー′眠気光学変調器である。 (外4名) 手 続 補 正 書 平成2年特λ′1願第154976号 2、発明の名称 偏光不感受性のインターフェロメトリー導波電気光学変
調器3、補正をする石 事件との関係 住所
ンターフエロメトリー′眠気光学変調器である。 (外4名) 手 続 補 正 書 平成2年特λ′1願第154976号 2、発明の名称 偏光不感受性のインターフェロメトリー導波電気光学変
調器3、補正をする石 事件との関係 住所
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、次の要素: a、共通光線入力から発散して、同じ広がりのチャンネ
ルを形成し、共通光線出力に再び収束する、電気光学反
応性有機媒質から成る第1、第2導波チャンネル b、第1チャンネル有機媒質への水平電場供給を促進す
るために第1チャンネルに沿つて近くに配置され、間隔
をおいた電極間の有機媒質帯が供給水平電場の方向に平
行な、非心対称性分子配向を有する、間隔をおいた電極
の第1セット;及び c、第2チャンネル有機媒質への垂直電場供給を促進す
るために、第2チャンネルに沿つて近くに配置され、間
隔をおいた電極間の有機媒質帯が供給垂直電場の方向に
平行な、非心対称性分子配向を有する、間隔をおいた電
極の第2セット から成る偏光不感受性(polarization−i
nsensitive)のインターフエロメトリー導波
電気光学変調器。 2 有機媒質がホストの熱可塑性ポリマーとゲストの非
線形光学反応を示す有機化合物のブレンドである請求項
1記載の導波変調器。 3、有機媒質が非線形光学反応を示す熱可塑性ポリマー
である請求項1記載の導波変調器。 4、光波振幅を偏光不感受性に変調するための薄フイル
ムインターフエロメトリー電気光学導波装置であつて、
次の要素: a、共通光線入力から発散して、同じ広がりのチャンネ
ルを形成し、共通光線出力に再び収束する、非線形光学
反応を示す熱可塑性ポリマー媒質から成る第1、第2導
波チャンネル; b、第1チャンネルポリマー媒質への水平電場供給を促
進するために、第1チャンネルに沿つて近くに配置され
、間隔をおいた電極間のポリマー媒質帯が供給水平電場
に平行な、非心対称性分子配向を有する、間隔をおいた
電極の第1セット; c、第2チヤンネルポリマー媒質への垂直電場供給を促
進するために、第2チヤンネルに沿つて近くに配置され
、間隔をおいた電極間のポリマー媒質帯が供給垂直電場
に平行な、非心対称性分子配向を有する、間隔をおいた
電極の第2セット; d、前記電極セットのための電圧供給源;及びl、導波
装置に光線を導入するための干渉性光線放射手段 から成る装置。 5、光検出器手段をさらに組合せた請求項4記載の導波
装置。 6、電磁線放射手段がレーザービーム発生器である請求
項4記載の導波装置。 7、チャンネルポリマー媒質が非線形光学反応を示す、
ペンダント側鎖を有するポリマーである請求項4記載の
導波装置。 8、チャンネルポリマー媒質が電子供与基と電子求引基
と共にビフェニル構造を含むペンダント側鎖を有するポ
リマーである請求項4記載の導波装置。 9、チャンネルポリマー媒質がアミノ基及びニトロ基と
共にビフェニル構造を含むペンダント側鎖を有するポリ
マーである請求項4記載の導波装置。 10、チャンネルポリマー媒質が電子供与基と電子求引
基と共にスチルベン構造を含むペンダント側鎖を有する
ポリマーである請求項4記載の導波装置。 11、チャンネルポリマー媒質がアミノ基とニトロ基と
共にスチルベン構造を含むペンダント側鎖を有するポリ
マーである請求項4記載の導波装置。 12、次の工程: (1)支持サブストレート上に、非線形有機反応を示す
有機媒質から成り、共通光線入力接点から発散して同じ
広がりの光路を形成し、共通光線出力接点に再び収束す
る第1、第2導波チャンネルが配置された、透明な光学
導波薄フィルムを成形する工程; (2)チャンネル有機媒質への水平電場供給を促進する
ために、第1チヤンネル光路に沿つて近くに、間隔をお
いた電極の第1セットを配置する工程; (3)チャンネル有機媒質への垂直電場供給を促進する
ために、第2チャンネル光路に沿つて近くに、間隔をお
いた電極の第2セットを配置する工程; (4)薄フィルムを加熱して、チャンネルポリマー分子
を移動させる工程; (5)各電極セットに電圧を印加して電場を形成し、第
1チャンネル電極セットに供給水平電場の方向に平行な
、ポリマー分子の非心対称性配向を誘導させ、第2チャ
ンネル電極セットに供給垂直電場の方向に平行な、ポリ
マー分子の非心対称性配向を誘導させる工程;及び (6)供給電場を維持しながら薄フィルムを冷却し、そ
れによつて二次非線形光学反応を示す、2つの安定な電
場誘導ポリマー分子配向帯を形成する工程 から成る、マツハーツエーンダーインターフエロメトリ
ー電気光学導波装置の製造方法。13、有機媒質がホス
トの熱可塑性ポリマーと、ゲストの非線形光学反応を示
す有機化合物とのブレンドである請求項12記載の方法
。 14、有機媒質が非線形光学反応を示す熱可塑性ポリマ
ーである請求項12記載の方法。15、有機媒質が非線
形光学反応を示すペンダント側鎖を有する熱可塑性ポリ
マーである請求項12記載の方法。 16、有機媒質が電子供与基と電子求引基と共にビフェ
ニル構造を含むペンダント側鎖を有する熱可塑ポリマー
である請求項12記載の方法。 17、有機媒質が電子供与基と電子求引基と共にスチル
ベン構造を含むペンダント側鎖を有する熱可塑性ポリマ
ーである請求項12記載の方法。 18、請求項12に記載の方法に従つて製造した偏光不
感受性導波装置。 19、次の工程: (1)任意に偏光した光線を請求項18記載の偏光不感
受性の導波装置に導入する工程;(2)各電極セットに
変調電圧を印加して、導波される光線の横断電気モード
と横断磁気モードに対して同じ位相変調を生じさせる工
程;及び(3)変調された光線を光検出器手段に伝導し
、そこで伝導された光線の光強度を装置のインターフエ
ロメトリー導波チヤンネル間の位相シフトの関数として
変化させる工程 から成る電磁線の変調方法。 20、光線がレーザービームである請求項19記載の方
法。 21、薄フィルム有機媒質が非線形光学反応を示すペン
ダント側鎖を有する熱可塑性ポリマーである請求項19
記載の方法。 22、薄フィルム有機媒質が電子供与基と電子求引基と
共にビフェニル構造を含むペンダント側鎖を有する熱可
塑性ポリマーである請求項19記載の方法。 23、薄フィルム有機媒質が電子供与基と電子求引基と
共にスチルベン構造を含むペンダント側鎖を有する熱可
塑性ポリマーである請求項19記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/365,589 US4936644A (en) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | Polarization-insensitive interferometric waveguide electrooptic modulator |
| US365589 | 2003-02-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348812A true JPH0348812A (ja) | 1991-03-01 |
Family
ID=23439486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2154976A Pending JPH0348812A (ja) | 1989-06-13 | 1990-06-13 | 偏光不感受性のインターフェロメトリー導波電気光学変調器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4936644A (ja) |
| EP (1) | EP0402803A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0348812A (ja) |
| CA (1) | CA2018759A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2927795B2 (ja) * | 1988-03-29 | 1999-07-28 | 日本電気株式会社 | 光スイッチ |
| GB8822288D0 (en) * | 1988-09-22 | 1988-10-26 | Bt & D Technologies Ltd | Electro-optic device |
| CA2011954C (en) * | 1989-03-14 | 1994-02-22 | Fujitsu Limited | Optical modulator |
| JP2867560B2 (ja) * | 1990-03-02 | 1999-03-08 | 富士通株式会社 | 光導波路デバイス |
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| US5119447A (en) * | 1990-11-06 | 1992-06-02 | General Instrument Corporation | Apparatus and method for externally modulating an optical carrier |
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| US5093883A (en) * | 1991-04-26 | 1992-03-03 | Hoechst Celanese Corp. | Nonlinear optically responsive polymeric waveguides |
| US5133037A (en) * | 1991-06-07 | 1992-07-21 | Hoechst Celanese Corp | Polymeric optical modulator and waveguiding media |
| GB2257861A (en) * | 1991-07-18 | 1993-01-20 | Northern Telecom Ltd | Polarisation state insensitive optical discriminator |
| US5208817A (en) * | 1992-04-10 | 1993-05-04 | At&T Bell Laboratories | Modulator-based lightwave transmitter |
| US5751867A (en) * | 1996-01-26 | 1998-05-12 | Hughes Aircraft Company | Polarization-insensitive, electro-optic modulator |
| RU2109411C1 (ru) * | 1996-04-09 | 1998-04-20 | Фикрет Гаджиевич Геокчаев | Устройство для воспроизведения изображения на экране светоклапанной панели |
| US6429023B1 (en) | 1998-07-20 | 2002-08-06 | Shayda Technologies, Inc. | Biosensors with polymeric optical waveguides |
| US6385354B1 (en) * | 1998-10-31 | 2002-05-07 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Electrostrictive fiber modulators |
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