JPH0349418B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0349418B2 JPH0349418B2 JP59230291A JP23029184A JPH0349418B2 JP H0349418 B2 JPH0349418 B2 JP H0349418B2 JP 59230291 A JP59230291 A JP 59230291A JP 23029184 A JP23029184 A JP 23029184A JP H0349418 B2 JPH0349418 B2 JP H0349418B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical recording
- light
- conductive polymer
- recording element
- photosensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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Landscapes
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は導電性高分子を用いる光記録用素子に
関する。さらに詳しくは、導電性高分子に光感応
性物質を混入あるいは付加した材料に光照射し
て、ドーピングが生ずることにより光吸収、反射
スペクトルが変化することを利用する光記録用素
子に関するものである。
関する。さらに詳しくは、導電性高分子に光感応
性物質を混入あるいは付加した材料に光照射し
て、ドーピングが生ずることにより光吸収、反射
スペクトルが変化することを利用する光記録用素
子に関するものである。
近年、大量の情報を高速に処理、伝達、変換、
記録、表示する極めてすぐれた方法として光を利
用する光情報処理技術が重視されている。その中
で、ビデイオデイスクを始めるとする高密度の各
種光記録、更に人間に直接情報を伝える最良の手
段としての光画像表示等は重要な位置を占めてい
る。これらの方法としてこれまで各種のものが開
発されているが、感度、密度、安定性、取り扱い
易さ、価格のすべての条件を満足するものは未だ
開発されていないのが実情である。例えば、ビデ
イオデイスクの一方式として金属反射板に穿孔す
る等の方式がとられる場合があるが、その方法は
複雑で、高価である等の問題を残している。また
光記録の一方式として、レーザープリンターが開
発され始めているが、速度、安定性、感度、価格
等の面から見てまだ材料の面で満足のいくものと
は言い難い。これ等の問題を解決する為に、光感
応性で書き込み、消去のできるすぐれた特性を有
する新材料、新方式の出現が待たれている。
記録、表示する極めてすぐれた方法として光を利
用する光情報処理技術が重視されている。その中
で、ビデイオデイスクを始めるとする高密度の各
種光記録、更に人間に直接情報を伝える最良の手
段としての光画像表示等は重要な位置を占めてい
る。これらの方法としてこれまで各種のものが開
発されているが、感度、密度、安定性、取り扱い
易さ、価格のすべての条件を満足するものは未だ
開発されていないのが実情である。例えば、ビデ
イオデイスクの一方式として金属反射板に穿孔す
る等の方式がとられる場合があるが、その方法は
複雑で、高価である等の問題を残している。また
光記録の一方式として、レーザープリンターが開
発され始めているが、速度、安定性、感度、価格
等の面から見てまだ材料の面で満足のいくものと
は言い難い。これ等の問題を解決する為に、光感
応性で書き込み、消去のできるすぐれた特性を有
する新材料、新方式の出現が待たれている。
一方、導電性高分子は、最近その電気抵抗が金
属に匹敵する様な高い値を持つものが得られ、し
かもその値がドーパントと呼ばれる分子、イオン
等を導電性高分子にドーピングすることに依り任
意に制御出来、更には適当なドーパントを選ぶと
導電率が十桁以上も変化し、絶縁体が金属へ転移
する事が知られている。
属に匹敵する様な高い値を持つものが得られ、し
かもその値がドーパントと呼ばれる分子、イオン
等を導電性高分子にドーピングすることに依り任
意に制御出来、更には適当なドーパントを選ぶと
導電率が十桁以上も変化し、絶縁体が金属へ転移
する事が知られている。
更に、この様にドーピングによる絶縁体の金属
転位によつて導電率は大幅に変化し、これに伴つ
て光学的性質、磁気的性質も劇的に変化すること
が知られている。この現象を利用し、例えば電気
化学的にドーパントをドーピングして、その色が
大きく変化することを利用する変色スイツチも提
案されている〔K.YoShino等 Jpn.J.Appl.Phys.
Part ２，Vol.22，Ll57（1983年）〕。
転位によつて導電率は大幅に変化し、これに伴つ
て光学的性質、磁気的性質も劇的に変化すること
が知られている。この現象を利用し、例えば電気
化学的にドーパントをドーピングして、その色が
大きく変化することを利用する変色スイツチも提
案されている〔K.YoShino等 Jpn.J.Appl.Phys.
Part ２，Vol.22，Ll57（1983年）〕。
現在ドーパントは化学的又は電気化学的にドー
ピングされているが、もし光でドーピングするこ
とが出来れば、光に誘起された色変化が起こる可
能性があることになる。
ピングされているが、もし光でドーピングするこ
とが出来れば、光に誘起された色変化が起こる可
能性があることになる。
本発明は叙上の観点に立つてなされたもので、
光照射により導電性高分子へのドーピングが開
始、推進される様な材料を用い光書き込み記録を
行なう事が可能な全く新しい光記録用素子を提供
することにある。
光照射により導電性高分子へのドーピングが開
始、推進される様な材料を用い光書き込み記録を
行なう事が可能な全く新しい光記録用素子を提供
することにある。
本発明者等は前記目的を達成する為に鋭意検討
した結果、導電性高分子に光照射によりドーピン
グが生じ光吸収スペクトル及び／又は反射スペク
トルが変化する光感応性物質を混入又は付加した
光記録用素子が光に誘起された色変化を起し、光
書き込み記録を行うことが出来る光記録用素子で
ある事で見出し、本発明を完成した。
した結果、導電性高分子に光照射によりドーピン
グが生じ光吸収スペクトル及び／又は反射スペク
トルが変化する光感応性物質を混入又は付加した
光記録用素子が光に誘起された色変化を起し、光
書き込み記録を行うことが出来る光記録用素子で
ある事で見出し、本発明を完成した。
本発明において使用する導電性高分子として
は、ポリアセチレン、ポリチアジル、ポリピロー
ル、ポリチオフエン、ポリフラン、ポリパラフエ
ニレン、ポリパラフエニレンスルフイド、ポリア
ニリン、各種ポリアセチレン誘導体等の導電性高
分子があげられる。これら高分子の導電性の例に
ついては、『化学増刊87 合成金属（白川、山辺
編化学同人出版）（1980年）』等に記載されてい
る。
は、ポリアセチレン、ポリチアジル、ポリピロー
ル、ポリチオフエン、ポリフラン、ポリパラフエ
ニレン、ポリパラフエニレンスルフイド、ポリア
ニリン、各種ポリアセチレン誘導体等の導電性高
分子があげられる。これら高分子の導電性の例に
ついては、『化学増刊87 合成金属（白川、山辺
編化学同人出版）（1980年）』等に記載されてい
る。
また本発明においてはこれら高分子のみなら
ず、そのオリゴマーももちろん使用することがで
きる。
ず、そのオリゴマーももちろん使用することがで
きる。
光感応性分子としてはジアリルヨードニウム
塩、トリアリルスルホウム塩、ジアゾニウム塩な
どの光照射によりドーパントとなりうる物質があ
げられる。
塩、トリアリルスルホウム塩、ジアゾニウム塩な
どの光照射によりドーパントとなりうる物質があ
げられる。
導電性高分子にこれらの光感応性分子を混入す
る方法としては、光感応性分子を溶解した液中に
導電性高分子を浸漬しみ込ませる方法、溶融した
導電性高分子中に光感応性分子を混合したのち成
形する方法、導電性高分子と光感応性分子を乳鉢
などで混合し、圧縮成形する等の方法又は高分子
の側鎖にペンダントとして付加するなどの方法が
あり、要するに光照射によつてドーピングが誘起
されるように混合すれば良い。
る方法としては、光感応性分子を溶解した液中に
導電性高分子を浸漬しみ込ませる方法、溶融した
導電性高分子中に光感応性分子を混合したのち成
形する方法、導電性高分子と光感応性分子を乳鉢
などで混合し、圧縮成形する等の方法又は高分子
の側鎖にペンダントとして付加するなどの方法が
あり、要するに光照射によつてドーピングが誘起
されるように混合すれば良い。
従つて、本発明では、光感応性物質を含む導電
性高分子に光を照射することにより、光感応性物
質が分解してラジカルやイオン種を生じ、これら
がドーパントとして固相中で拡散することにより
導電性高分子をドーピングして、その結果導電性
高分子自体の吸収スペクトルや反射スペクトルが
変化するものと考えられる。
性高分子に光を照射することにより、光感応性物
質が分解してラジカルやイオン種を生じ、これら
がドーパントとして固相中で拡散することにより
導電性高分子をドーピングして、その結果導電性
高分子自体の吸収スペクトルや反射スペクトルが
変化するものと考えられる。
本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例 １
導電性高分子として、塩化第二鉄を触媒として
合成したポリチオフエン膜（厚さ0.5μｍ）を用
い、これを光感応性物質であるジフエニルヨード
ニウムテトラフルオロボレートを塩化メチレンに
溶解した溶液中に５分間含浸したのち取り出して
乾燥した。比較のために光感応性分子を含まない
ポリチオフエン膜を用意した。それぞれの吸収ス
ペクトルを測定したが全く変化はなかつた。この
膜を水銀ランプ（500W）を用いて光源から30cm
の距離から光照射を行なつたところ、膜の色が赤
から青灰色に変化した。
合成したポリチオフエン膜（厚さ0.5μｍ）を用
い、これを光感応性物質であるジフエニルヨード
ニウムテトラフルオロボレートを塩化メチレンに
溶解した溶液中に５分間含浸したのち取り出して
乾燥した。比較のために光感応性分子を含まない
ポリチオフエン膜を用意した。それぞれの吸収ス
ペクトルを測定したが全く変化はなかつた。この
膜を水銀ランプ（500W）を用いて光源から30cm
の距離から光照射を行なつたところ、膜の色が赤
から青灰色に変化した。
照射時間０分、３分、10分の膜のスペクトルを
第１図に示す。
第１図に示す。
このスペクトルの変化から明らかなように光照
射によりドーピングが進行したことが判る。
射によりドーピングが進行したことが判る。
実施例 ２
導電性高分子として電解重合法により形成した
ポリチオフエン膜（厚さ0.2μｍ）を用いた以外
は、実施例１と全く同様にして行なつた。第２図
のようにスペクトルが変化し、ドーピングが進行
したことが判る。
ポリチオフエン膜（厚さ0.2μｍ）を用いた以外
は、実施例１と全く同様にして行なつた。第２図
のようにスペクトルが変化し、ドーピングが進行
したことが判る。
実施例 ３
実施例１と同様にして、光感応性分子を混入し
たポリチオフエン膜の中央に径１mmのビーム状の
アルゴンレーザー光を照射することにより同一径
１mmのスポツト状領域で赤から青への色の変化が
観察された。またビームをスキヤンニングするこ
とにより直線、曲線、その他任意の形状が書き込
まれる事を確認した。
たポリチオフエン膜の中央に径１mmのビーム状の
アルゴンレーザー光を照射することにより同一径
１mmのスポツト状領域で赤から青への色の変化が
観察された。またビームをスキヤンニングするこ
とにより直線、曲線、その他任意の形状が書き込
まれる事を確認した。
実施例 ４
導電性高分子として塩化第二鉄を触媒として合
成したポリフラン膜を用いた他は実施例１と同様
にした。光照射によつて茶色から青色に変化し
た。
成したポリフラン膜を用いた他は実施例１と同様
にした。光照射によつて茶色から青色に変化し
た。
実施例 ５
導電性高分子として塩化第二鉄を触媒として合
成したポリピロール膜を用いた他は実施例１と同
様にした。光照射によつて黄色から青色に変化し
た。
成したポリピロール膜を用いた他は実施例１と同
様にした。光照射によつて黄色から青色に変化し
た。
〔発明の効果〕
本発明を実施することにより、全く新しい方式
の光記録が可能な新しい光記録用素子が提供出来
る。
の光記録が可能な新しい光記録用素子が提供出来
る。
第１図は実施例１で光感応性分子を混入したポ
リチオフエン膜の光照射時間とスペクトルの変化
を示した図である。第２図は実施例２の光照射前
後のスペクトルを比較した図である。
リチオフエン膜の光照射時間とスペクトルの変化
を示した図である。第２図は実施例２の光照射前
後のスペクトルを比較した図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ドーピングされ、かつ、そのときは光吸収ス
ペクトル及び／又は反射スペクトルが変化する導
電性高分子に、光照射することによりドーパント
を生ずる光感応性物質を混入又は付加して成る光
記録素子。 ２ 光感応性物質が、ジアリルヨードニウム塩、
トリアリルスルホニウム塩及びジアゾニウム塩か
ら成る群の中から選ばれる少なくとも一つの塩で
ある請求項１に記載の光記録素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59230291A JPS61108594A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 光記録用素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59230291A JPS61108594A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 光記録用素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61108594A JPS61108594A (ja) | 1986-05-27 |
| JPH0349418B2 true JPH0349418B2 (ja) | 1991-07-29 |
Family
ID=16905511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59230291A Granted JPS61108594A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 光記録用素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61108594A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234090A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | 松下電器産業株式会社 | パタ−ン形成方法 |
| JPS6249331A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-04 | Nec Corp | 光応答性高分子薄膜素子 |
| JPH0514453Y2 (ja) * | 1986-07-15 | 1993-04-16 | ||
| JP2708173B2 (ja) * | 1988-03-25 | 1998-02-04 | 勝美 吉野 | 光機能性素子 |
| AUPR496501A0 (en) * | 2001-05-14 | 2001-06-07 | Swinburne University Of Technology | Method and device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8305134D0 (en) * | 1983-02-24 | 1983-03-30 | Minnesota Mining & Mfg | Radiationsensitive elements |
-
1984
- 1984-11-02 JP JP59230291A patent/JPS61108594A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61108594A (ja) | 1986-05-27 |
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