JPH034961B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高密度記録に適する垂直磁化記録用
ヘツドに関するものである。

従来例の構成とその問題点 第１図は従来の垂直磁化記録用ヘツドの側面図
であり、垂直異方向性を示す磁化層１を表面に形
成した垂直磁化記録媒体２に近接して、高透磁率
薄膜３を非磁性体４で挾み込んだ磁極５を設け、
この磁極５を用いて前記垂直磁化記録媒体２に記
録再生を行うものである。この例では前記磁極５
に直接コイルを巻かず補助磁極６にコイル７を巻
き、磁極５と補助磁極６の磁気誘導により、コイ
ル７から電気信号を入出力している。第２図は磁
極５の上面図であり、高透磁率薄膜３の垂直磁化
記録媒体２に近接した直線部分６によつて記録ま
たは再生をする。このため記録のトラツク位置は
直線部分６の位置と一致する。垂直磁化記録媒体
２と磁極５、コイル７などからなる垂直磁化記録
用ヘツドは機械的に相対運動して、トラツク幅
Twで記録および再生するが、機械的精度のため
トラツク位置の誤差を生ずる。第３図ａは垂直磁
化記録媒体表面２の磁化層１に書込まれた第１の
記録領域９と第２の記録領域１０を示す平面図で
あり、第３図ｂは磁極５と磁化層１の相対関係を
示す側面図である。第１の記録領域９はトラツク
幅Twで、磁極５のトラツクがＡの位置にある時
に記録した領域であり、その後で機械的誤差のた
め距離d₁だけ位置誤差を生じてトラツクがＢの位
置にある時に重ねて書込んだ第２の記録領域が１
０である。この時前の第１の記録領域９の残りの
記録領域１１は再生する時に新しい第２の記録領
域１０からの信号と混つてＳ／Ｎを悪化させる。

い 前記のＳ／Ｎを悪化させる問題点はトラツク
幅Twおよびトラツク間距離が狭くなるほど大き
な問題であり、トラツク幅およびトラツク間距離
を狭めて高密度化する際の障害となる。

発明の目的 本発明は、以上のような従来の問題点を解決す
るためになされたもので、トラツク位置誤差によ
つてＳ／Ｎの悪化しない垂直磁化記録用ヘツドを
提供することを目的とする。

発明の構成 本発明は上記目的を達成するために高透磁率薄
膜を非磁性体で挾み込んだ磁極を有し、前記磁極
の垂直磁化記録媒体に近接する部分において高透
磁率薄膜の断面形状が直線部分と前記直線部分の
両端に接続または近接して設けられた非直線部分
とからなる垂直磁化記録用ヘツドを提供するもの
である。

実施例の説明 以下本発明の実施例を説明する。

第４図ａは本発明の一実施例の高透磁率薄膜３
を非磁性体４で挾み込んだ磁極５の上面図であ
る。ただし補助磁極６、コイル７等の構成は従来
例と同じであるので省略してある。高透磁率薄膜
３の垂直磁化記録媒体に近接した長さTwの直線
部分６の両端に長さTeの非直線部分１２を形成
してある。第４図ｂはａの要部１３の拡大図で凹
凸部２２を有する非直線部分１２のうねり幅（凹
凸幅）ｌは磁化層１に記録される信号の波長λよ
り大きくしてある。このため非直線部分１２で記
録した信号の磁化は記録波長λより大きくうねつ
て記録されているため、たとえトラツク位置に誤
差が生じたとしても直線部分６で再生する事はで
きない。また逆に直線部分６で記録した信号の磁
化も波長λより乱れの大きい非直線部分１２で再
生する事はできない。第５図は本実施例のヘツド
で記録した磁化層１の記録領域を示す図で、従来
例の第３図に対応する。第１の記録領域１４は直
線部分６で記録した記録領域１６と非直線部分１
２で記録した記録領域１７とからなる。第２の記
録領域１５は機械的誤差のため距離d₁だけ位置誤
差を生じて重ねて書込んだ領域であり、同様に直
線部分６で記録した記録領域１８と非直線部分１
２で記録した記録領域１９とからなる。位置誤差
距離d₁より記録領域１７の幅Teを大きく設定す
ると、第１の記録領域１７の残りの記録領域２０
は非直線部分１２で記録した領域だけとなり、前
に述べたように磁化が波長λより乱れが大きく再
生する事ができない。このため記録領域２０の信
号が記録領域１６からの信号と混つてＳ／Ｎを悪
化させることがない。

また本実施例の構成のヘツドの磁極５の製造法
の一例を第４図を用いて示す。セラミツク、ガラ
ス等の非磁性体４の片側の一部に第４図ｂに示す
凹凸２２を化学的エツチング、スパツタエツチン
グ、イオンビームエツチング、サンドブラスト法
などにより作る。その上にパーマロイなどの高透
磁率薄膜６を形成して、反対側をもう１方の非磁
性体４で挾み接着する。この時凹凸部２２には接
着剤が入つても良い。以上のように、本製造法は
凹凸を作成する以外の工程は従来と同じであり、
製造上に大きな工程を増加させない長所もある。

第６図は本発明の第２の実施例を示す要部拡大
図であり、第１の実施例の第４図ｂに対応する部
分である。非磁性体４の一方に溝２３を作り溝中
に凹凸部２２を形成し、さらに高透磁率薄膜３の
直線部分６および非直線部分１２を形成してあ
る。本実施例でも凹凸部２２のうねりｌは記録磁
化の波長λより大きい必要がある。溝２３は接着
剤などが入つてもよいし他の非磁性体で充填して
もよい。本実施列では直線部分６と非直線部分が
分離しているが非直線部分１２は、磁極として働
く範囲に近接してあれば良い。

第７図は第３の実施例の要部拡大図で、第１、
第２の実施例と同じ部分は説明を略すが、直線部
分６と非直線部分１２が重なる部分がある。本実
施例では垂直磁化記録媒体を矢印２４の方向に移
動して記録すると直線部分６で記録した後を非直
線部分１２が一部削りながら記録することにな
る。このため、より端部が明確になる効果があ
る。

第８図は第４の実施例の要部拡大図で、第１の
実施例と同じ部分は説明を略すが、非磁性体４の
上に凹凸部２２を非磁性体の付着により形成す
る。例えば有機物のエポキシ樹脂などを付着させ
て形成する。その上に高透磁率薄膜により直線部
分６と非直線部分１２とを形成し非磁性体４で挾
み込み接着層２５接着剤を入れて接着する。本実
施例は溝を形成する必要がない利点がある。

なお以上の実施例では補助磁極６、コイル７等
は従来の実施例と同じ構成をするとして説明して
来たが、他に磁極５に巻線する方式や補助磁極６
を使用しない方式など多くの変形が垂直磁化記録
ヘツドとして堤案されているが、非磁性体で高透
磁率薄膜を挾み込む磁極を使用する構成ならば本
発明は使用できる。

発明の効果 以上説明したように本発明は、垂直磁化記録ま
たは再生する磁極が高透磁率薄膜よりなり、垂直
媒体に近接した部分の断面形状が直線分部とその
両端に非直線部分を形成した構成としたため、機
械的な精度などによるトラツク誤差に原因する
Ｓ／Ｎの悪化を防ぐことができる。特に記録密度
の向上のためトラツク幅を狭める必要が近年多く
なつているが、本発明はトラツク誤差の悪影響を
改善する方法であり、トラツク幅を狭めトラツク
密度の向上に役立つ。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の垂直磁化記録用ヘツドの側面
図、第２図は従来の磁極の上面図、第３図ａは従
来の磁化記録領域を示す平面図、第３図ｂは従来
のヘツドと媒体相対関係を示す側面図、第４図ａ
は本発明の第１の実施例における磁極の上面図、
第４図ｂは同要部拡大図、第５図は本発明の磁化
記録領域を示す平面図、第６図は本発明の第２の
実施例の要部拡大図、第７図は本発明の第３の実
施例の要部拡大図、第８図は本発明の第４の実施
例の要部拡大図である。 １……磁化層、２……垂直磁化記録媒体、３…
…高透磁率薄膜、４……非磁性体、５……磁極、
６……直線部分、９，１０，１４，１５，１６，
１７，１８，１９，２０……磁化記録領域、１２
……非直線部分、２２……凹凸部、２３……溝、
２４……移動方向。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 高透磁率薄膜を非磁性体で挾み込んだ磁極を
   備え、前記磁極の垂直磁化記録媒体に近接する端
   面における高透磁率薄膜が、直線部分と、前記直
   線部分の両端に接続または近接して形成された非
   直線部分とからなることを特徴とする垂直磁化記
   録用ヘツド。 ２ 非直線部分が、非磁性体の表面に設けられた
   凹凸部上に形成された高透磁率薄膜で構成されて
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の垂直磁化記録用ヘツド。 ３ 非直線部分の凹凸幅が垂直磁化記録媒体に記
   録された信号の波長より大きいことを特徴とする
   特許請求の範囲第１項または第２項記載の垂直磁
   化記録用ヘツド。