JPH0350179A - 結晶育成装置 - Google Patents
結晶育成装置Info
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- JPH0350179A JPH0350179A JP18450189A JP18450189A JPH0350179A JP H0350179 A JPH0350179 A JP H0350179A JP 18450189 A JP18450189 A JP 18450189A JP 18450189 A JP18450189 A JP 18450189A JP H0350179 A JPH0350179 A JP H0350179A
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- Japan
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- spiral heater
- magnetic field
- crystal
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Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は結晶育成装置に関し、ざらに詳しくは、育成炉
外部の漏洩磁束が低減化された結晶育成装置に関するも
のである。
外部の漏洩磁束が低減化された結晶育成装置に関するも
のである。
［従来の技術およびその課題］
従来、チョクラルスキー法において結晶育成する場合に
、原料である融体の温度変動を抑制する目的で融体に磁
場を印加する工夫がなされてぎており、この方法によれ
ば融体の温度変動が抑制されることが実験的に明らかに
されている。
、原料である融体の温度変動を抑制する目的で融体に磁
場を印加する工夫がなされてぎており、この方法によれ
ば融体の温度変動が抑制されることが実験的に明らかに
されている。
しかし従来技術における磁場印加の方法は、外部より印
加するために、つまり磁石の中心から融体までの距離が
大きいために磁場発生装置が巨大になるという欠点があ
った。このために漏洩磁束が大きくなり、周辺の測定機
や回転機等に悪影響を与え、育成装置の制御システムの
誤動作を引き起こしていた。また、磁石が巨大化するた
めに、その値段は高価なものとなっていた。
加するために、つまり磁石の中心から融体までの距離が
大きいために磁場発生装置が巨大になるという欠点があ
った。このために漏洩磁束が大きくなり、周辺の測定機
や回転機等に悪影響を与え、育成装置の制御システムの
誤動作を引き起こしていた。また、磁石が巨大化するた
めに、その値段は高価なものとなっていた。
本発明は以上述べたような従来の課題を解決するために
なされたもので、融体に局所的に磁場を印加し、育成炉
本体の外部には漏洩磁束が発生しにくい構造を持つ結晶
育成装置を提供することを目的とする。
なされたもので、融体に局所的に磁場を印加し、育成炉
本体の外部には漏洩磁束が発生しにくい構造を持つ結晶
育成装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、チョクラルスキー法により電気伝導性のある
融体から結晶育成を行う結晶育成Ｒｉｂにおいて、加熱
源を螺旋状ヒータとし、かつ該螺旋状ヒータから磁場を
印加することを特徴とする結晶育成装置である。
融体から結晶育成を行う結晶育成Ｒｉｂにおいて、加熱
源を螺旋状ヒータとし、かつ該螺旋状ヒータから磁場を
印加することを特徴とする結晶育成装置である。
［作用］
本発明では、螺旋状のヒータを加熱源として使用するこ
とにより、融体の加熱と同時に磁場を印加することが可
能でおり、結果として融体の温度変動を抑制し、同時に
育成炉外部の印加部における漏洩磁場を減少させること
が可能である。
とにより、融体の加熱と同時に磁場を印加することが可
能でおり、結果として融体の温度変動を抑制し、同時に
育成炉外部の印加部における漏洩磁場を減少させること
が可能である。
［実施例］
次に本発明の実施例について、図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例にあける螺旋状ヒタ部の構成
を模式的に示す概略構成図で、螺旋状ヒータ１、電流導
入端子２、絶縁保持具３から構成されている。螺旋状ヒ
ータ１は高純度炭素製であり、その抵抗値は０．５オー
ムであった。また、絶縁保持具はピロリチックボロンナ
イトライド（ｐ−ＢＮ）を用いた。加熱時の電流は７０
０アンペアであり、その時の温度は約１５００度でめっ
た。
を模式的に示す概略構成図で、螺旋状ヒータ１、電流導
入端子２、絶縁保持具３から構成されている。螺旋状ヒ
ータ１は高純度炭素製であり、その抵抗値は０．５オー
ムであった。また、絶縁保持具はピロリチックボロンナ
イトライド（ｐ−ＢＮ）を用いた。加熱時の電流は７０
０アンペアであり、その時の温度は約１５００度でめっ
た。
本発明を用いてシリコン結晶を育成したところ、磁場の
効果が認められ、ストリエーションが消滅して融体の温
度変動は小さくなり、従来の磁場印加装置と何等遜色の
ないものとなった。
効果が認められ、ストリエーションが消滅して融体の温
度変動は小さくなり、従来の磁場印加装置と何等遜色の
ないものとなった。
また、育成炉外部の漏洩磁束についても実際に漏洩磁場
を測定したところ、成長装置から１メトル離れたところ
で従来の磁場印加装置の場合は約８００ガウスであった
のに対して、本発明においては約１ガウスと約３桁の減
少を達成することが可能となった。このために、育成炉
周辺の測定機や回転機等には影響を与えず、しかも育成
装置の制御システムの誤動作を誘因しなくなり、システ
ムの安全性が向上した。また、ヒータの作製費用のみ必
要であるために、従来の装置の約２０分の１の費用です
み、作製費の而からも利点が大きい。
を測定したところ、成長装置から１メトル離れたところ
で従来の磁場印加装置の場合は約８００ガウスであった
のに対して、本発明においては約１ガウスと約３桁の減
少を達成することが可能となった。このために、育成炉
周辺の測定機や回転機等には影響を与えず、しかも育成
装置の制御システムの誤動作を誘因しなくなり、システ
ムの安全性が向上した。また、ヒータの作製費用のみ必
要であるために、従来の装置の約２０分の１の費用です
み、作製費の而からも利点が大きい。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、融体への磁場の
印加を簡便な装置で行うことができ、かつ育成炉外部の
漏洩磁束が従来に比べて大幅に低減化された結晶育成装
置が提供される。
印加を簡便な装置で行うことができ、かつ育成炉外部の
漏洩磁束が従来に比べて大幅に低減化された結晶育成装
置が提供される。
第１図は本発明の一実施例における螺旋状ヒータ部の概
略構成図である。 １・・・螺旋状ヒータ ２・・・電流力入端子 ３・・・絶縁保持具
略構成図である。 １・・・螺旋状ヒータ ２・・・電流力入端子 ３・・・絶縁保持具
Claims (1)
- （１）チョクラルスキー法により電気伝導性のある融体
から結晶育成を行う結晶育成装置において、加熱源を螺
旋状ヒータとし、かつ該螺旋状ヒータから磁場を印加す
ることを特徴とする結晶育成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18450189A JPH0350179A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 結晶育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18450189A JPH0350179A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 結晶育成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350179A true JPH0350179A (ja) | 1991-03-04 |
Family
ID=16154294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18450189A Pending JPH0350179A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 結晶育成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0350179A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0628645A1 (en) * | 1993-06-01 | 1994-12-14 | Texas Instruments Incorporated | Spiral heater for use in Czochralski crystal pullers |
| JP2008196256A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Nitto Kohki Co Ltd | ドアクローザ |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP18450189A patent/JPH0350179A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0628645A1 (en) * | 1993-06-01 | 1994-12-14 | Texas Instruments Incorporated | Spiral heater for use in Czochralski crystal pullers |
| JP2008196256A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Nitto Kohki Co Ltd | ドアクローザ |
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