JPH03504286A - Ｘ線リソグラフイの投影スケール変更方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｘ線リングラフィの投影スケール変更方法ドイツ連邦共和国特許出願第３８３９ ３４６．０号又は相応のアメリカ合衆国特許出願番号第１１９０ｆｌｌｄ号（１ ９８８年）又は相応の特開昭節６３−２８３００２２号明細書はＸ線リングラフ ィの投影スケール変更方法に関し、この方法の場合にはパターンを形成すべき対 象物の表面の少なくとも一部が平行化されたＸ線を対象物の前に置かれたマスク を通して供給され、その際対象物が少なくともパターンを形成すべき領域で変形 させられ、個々の表面上の点で変形により発生させられた曲率半径が対象物の露 光中は一定に保たれる。

前記先願明細書に基づく方法によれば、シンクロトロンリソグラフィの投影スケ ールの変更を行うという課題が解決される。

この課題の別の解決策はこの発明に基づき、パターンを形成すべき対象物の表面 の少なくとも一部が平行化されたＸ線を対象物の前に置かれたマスクを通して供 給されるようなＸ線リングラフィの投影スケール変更方法において、マスクが少 なくとも対象物のパターンを形成すべき領域の前に置かれた投影部分で変形させ られるということにある。

この発明に基づく方法の場合には、マスク及びウェーハの目標値の変化を投影ス ケールの適合により補整することができるという長所が生じる。

この発明に基づく方法の別の有利な実施態様は請求項２〜８に記載されている。

前記の課題の補助的な解決策によればＸ線リソグラフィの投影スケール変更方法 において、マスクの投影部分が一つの方向に伸展されかつ対象物がパターンを形 成すべき領域でこの方向に対し垂直に変形させられる。

できるだけ簡単な方法で対象物の所定の変形を達成するために、少なくともパタ ーンを形成すべき表面領域が円筒側面の一部を形成し、この円筒の軸線がマスク の伸展方向に平行に延びるように、対象物が変形させられる。

この発明に基づく方法の実施のための装置の有利な実施態様は請求項１１．１２ に記載されている。

この発明の説明のために、 第１図には、変形させられたマスクと後置された対象物との一実施例が平面図で 示され、 第２図には、この発明に基づ〈方法を実施する装置の一実施例が平面図で示され 、 第３図には、第２図に示す実施例の断面図が示され、第４図には、変形させられ たマスクと変形させられた対象物とを備える別の実施例の一部が相互に直交する 断面図で示されている。

第１図に示された実施例の場合にはマスクｌはＸ線２を供給される。マスクエは マスク基板４の構成部分であるＭ３を備える。

マスク基板４はマスクリング５上に取り付けられ、マスクリング自体は真空引き 可能な環状間隙６を介して保持装置７に真空引きにより取り付けられている。

図示されていない初期状態において平らな形状を有する保持装置７上では、マス クリング５を介して曲げ応力がマスク基板に伝達され、それによりマスクｌの膜 ３が変形させられる。

対象物８は放射２の方向にマスク１の後ろに置かれ、対象物は例えばこの場合は 半導体ウェーハにより形成されている。対象物８は真空引き可能な環状間隙９を 介して対象物保持体ｌＯに真空引きにより取り付けられている。

第１図に示された実施例の場合には、膜３の変形により対象物８上でも倍率変更 の可能性が提供される。

第２図に示された装置では放射源ｔｉが電子貯蔵リング又は円形加速器から成り 、電子線１２の図示の形状によりこのことを象形する。放射源１１はシンクロト ロン放射１３としてＸ線を出射し、Ｘ線は放射源１１から出てまず円筒鏡１４に 当たり、この円筒鏡の軸線は特に第３図に示すように放射方向に直角に配置され ている０円筒鏡１４はシンクロトロン放射に対して集束効果を有し、Ｘ線を高さ 方向に（第２図の紙面に直角に）集束させるように働く０円筒鏡１４には別の円 筒鏡１５が後置され、この別の円筒鏡上へはシンクロトロン放射１３が円筒鏡１ ４により導かれる。別の円筒鏡１５はコリメータとして働き、円筒鏡１５からＸ 線が膜３の寸法に相応に選ばれた幅すを有するように働く０両円筒鏡１４．１５ に基づき膜３の範囲ではシンクロトロン放射が幅すを有する線となる。

第２図の断面図は一方では円筒鏡１４又は別の円筒鏡１５の形状を示し、また他 方では断面Ｉ−Ｉに関して放射源１１から出射するシンクロトロン放射の放射面 １７に関する円筒鏡１４の傾斜を示す。

膜３は望ましくは正方形に形成されＸ方向に伸展される。そのほかは膜３は第１ 図で説明したように配置されている。

Ｘ方向にも投影スケールの変更を達成できるようにするために、対象物８はその 保持体ｌＯと共に露光工程の際に前置された膜３に対し相対的に所定の速度ｖ２ で移動させられる。このために移動台２１上に取り付けられた位置調節装置２０ が用いられる。移動台２１は機械的結合部２２を介して保持装置７に結合され、 移動台２１は速度ｖｌで露光工程中に動かされる。露光工程中の相対運動ｖ２に よりＸ方向における投影スケールの変更が行われる。

第４図の上側の図は第２図のマスクに一致するマスクｌの装置を示す、それゆえ に第４図のマスク及びこのマスクを保持する部分に対しては同じ符号が選ばれて いる。

しかしながら第２図又は第３図の構造とは異なって、第４図に示す実施例の場合 には対象物３０が対象物支持体３１と共に第４図の下側の図により明らかに分か るように変形させられる。この変形の場合に対象物３０がＸ方向に延びる軸線を 有する円筒側面を形成する。

対象物３０のこの変形により、マスク変形によるＸ方向の投影スケールに加えて 、Ｘ方向の投影スケールの変更を達成することができる。その際露光方式はスケ ールの変更に影響しなＩ／）。

国際調査報告 国際調査報告

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．パターンを形成すべき対象物の表面の少なくとも一部が平行化されたＸ線を 対象物の前に置かれたマスクを通して供給されるＸ線リソグラフィの投影スケー ル変更方法において、マスク（１）が少なくとも対象物（８）のパターンを形成 すべき領域の前に置かれた投影部分で変形させられることを特徴とするＸ線リソ グラフィの投影スケール変更方法。 ２．変形はマスクが伸展されるように行われることを特徴とする請求項１記載の 方法（第１図参照）。 ３．ほぼ方形の断面を有するＸ線（１３）がＸ線（１３）の伝播方向（ｚ）に垂 直な一つの方向（ｙ）に第１の速度でマスク（１）に対し相対的に動かされ、こ の方向でほＸ線（１３）の寸法がこれに対し直角な方向におけるよりも小さく、 マスク（１）の投影される部分はＸ線（１３）の伝播方向（ｚ）に垂直にかつ運 動方向（ｙ）に垂直に伸展され、マスク（１）が第２の速度で運動方向に対象物 （８）に対し相対的に移動させられることを特徴とする請求項１又は２記載の方 法（第２図及び第３図参照）。 ４．Ｘ線が鏡によりマスク上を偏向されることを特徴とする請求項１ないし３の 一つに記載の方法。 ５．マスク（１）と対象物（８）とが一緒にＸ線（１３）を横切って移動させら れることを特徴とする請求項１ないし３の一つに記載の方法（第２図及び第３図 参照）。 ６．シンクロトロン放射（１３）の形のＸ線を出射する放射源（１１）とマスク （１）との間に、円筒鏡（１４）がその軸線に関して放射方向に垂直にシンクロ トロン放射（１３）を垂直方向に集束するように配置されることにより，対象物 （８）の露光が線形断面のＸ線により行われることを特徴とする請求項１ないし ５の一つに記載の方法（第２図及び第３図参照）。 ７．円筒鏡（１４）には別の円筒鏡（１５）が付設され、この別の円筒鏡はその 軸線に関しほぼ放射方向に平行にシンクロトロン放射（１３）を水平方向に集束 するように配置されていることを特徴とする請求項６記載の方法（第２図及び第 ３図参照）。 ８．一つの円筒鏡（１４）又は別の円筒鏡（１５）が回転自在に配置されている ことを特徴とする請求項７記載の方法。 ９．マスク（１）の投影部分（３）が一つの方向（ｘ）に伸長され、また対象物 （３０）が露光すべき領域でこの方向（ｘ）に垂直に変形させられることを特徴 とする請求項１又は２記載の方法。 １０．少なくともパターンを形成すべき表面領域が円筒側面の一部を形成し、円 筒の軸線がマスク（１）の伸展方向（ｘ）に対し平行に延びるように、対象物（ ３０）が変形させられることを特徴とする請求項９記載の方法。 １１．マスク（１）が方形の膜（３）として形成されかつマスク基板（４）の一 部であリ，マスク基板（４）が保持装置（７）に取リ付けられ、この保持装置に より変形力が膜（３）に加えられることを特徴とする請求項１ないし１０の一つ に記載の方法を実施するための装置。 １２．保持装置（７）がマスク基板（４）をマスタリング（５）を介して固定す るリング部分を備え、このリング部分が変形力を発生させるように内側を膜（３ ）へ向かう方向に曲げ込まれることを特徴とする請求項１１記載の装置。