JPH0351884A - 薄膜el表示装置の駆動方法 - Google Patents
薄膜el表示装置の駆動方法Info
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- JPH0351884A JPH0351884A JP18771289A JP18771289A JPH0351884A JP H0351884 A JPH0351884 A JP H0351884A JP 18771289 A JP18771289 A JP 18771289A JP 18771289 A JP18771289 A JP 18771289A JP H0351884 A JPH0351884 A JP H0351884A
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は,交流駆動型容量性フラッ1・・マトリクスデ
ィスプレイパネ・ルく以下、薄11JEL表示装置と呼
ぶ》の駆動方法に関する. 従来の技術 第7図は、薄膜EL表示装置の表示パネルとして用いら
れている典型的な薄膜Eし素子6の一部を切欠いた斜視
図である。このr#膜EL素子6では、ガラス基板lの
上に帯状の透明電極2が平行に配設され,この上に誘?
!物質層3,3aに挟まれたEL層4が積層され、さら
にその上に前記透明電極2と直交する方向に帯状の背面
電掻5が複数本平行に配設される. 前記EL層4は、誘′S物質層3.3aの間に介在する
ので,等価回路的には容量性素子とみなすことができる
. 第8図は、上記薄a!IEL素子6を表示パネル7とす
る一般的な薄11iEL表示装置の4′#I戒を概略的
に示すブロック図である. ?8図における表示バネ・ル7では、薄膜EL素子の透
明電極がデータfill電極D1〜D8とされ、また薄
II!EL素子の背面電極が走査側電極81〜S4とさ
れる.データ側スイッチング回路8は、&データ側電i
Dl〜D8に個別的に変調電圧■を印加するための回路
であり、各データlI1l電極D 1 ■%, D 8
に個別的に接続されたデータ側出力ボート群9と、各デ
ータIlI1@極D1〜D8に対応する表示データを受
け入れ、その表示データに応じてデータ側出力ボート群
9をオンーオフさせる論理回路10とを有する. 走査側スイノナング回路11は、各走査llIlt!I
I81〜S−1にその線彫次に従−》て書込み電圧■■
,V w t ( V w + = V − 2 +
V H(7)関係を持つ》を印加する回路であり、各走
査側電極81〜S4に個別的に接続された走査開出力ボ
ート群12と、走査側出力ボーl−群12を走査側電極
81〜S4の線順次に促−)てオン・オフさせる論理回
路13とを有する.駆動回路14は、一定の基準電圧V
oから表示パ本ル7駆動用の高電圧を発生させる回路?
あり、データ111!出力ボート・群9に変調電圧V,
Iを供給するための変調駆動回路15と、走査側出力ボ
ート群12に書込み電圧■■.−■■を供給するための
書込み駆動回路16とを有する.駆動論理回路17は、
表示データ信号D、データ転送クロツクCK、水平同期
信号H.垂直同期信号Vなどの入力信号に基づいて、表
示バネ,ル7の駆動に必要な8一種のタイミング信号を
発生するための回路である.前記薄膜EL表示装置l1
基本的な表示駆動は、第l、第2の2つのフィールドに
わたる区間を1周期とし、データ側f!NiDl〜D8
には発光・非発光を決める表示データに対応する変調電
圧V一を与える一方、走査側電FfL.31〜S4には
第lフf−ルドで書込み電圧\r■を、また第2フィー
ルドで書込み電圧−■■を線順次に与えることによ一冫
て行われる. この表示駆動によって、データm電極D1〜D8と走査
側@極S1〜S4が交差する絵素A G.: tfJ当
する部分に書込み電圧V■, %’w2と変調電圧V
mの重畳効果あるいは相殺効果が生じ、絵素Aには実効
電圧として允光しきい値電圧■い以上の電圧■1あるい
は発光しきい値電圧V ah以下の電圧■1が印加され
、これによって各絵素Aが発光・非発光の状態となり所
定の表示が得られる.したがって、1つの絵素Aに対し
ては、第1フィールドと第2ノイールドとでそれぞれ極
性の反転した実効電圧が交互に印加され、2つのフィー
ルドを1周期として薄fiEL素子にとって理想的とさ
れる対称な交流駆動が行われることになる.このような
薄膜EL表示装置では、各絵素Aの輝度を複数段階に変
化させる駆動方法、すなわち階調表示を行う駆動方法と
して、データ側電極D1〜[)8に印加する変調電圧■
イのパルス幅を変化させ、絵素Aにかかる実効電圧の面
積強度を制御するパルス幅変調方式や、変調電圧V.の
振幅を制障する振幅変調方式が知られている.このよう
な階調表示を行う場きに、駆動論理回路17に入力する
入力信号のうち、表示データ信号Dとしては、輝度の階
調の段数に応じたビット数の信号が用いられ、またデー
タ側スイッチング回n8についても、表示データ信号D
のビット数と階調表示方式に応じた専用の回路が用いら
れる。
ィスプレイパネ・ルく以下、薄11JEL表示装置と呼
ぶ》の駆動方法に関する. 従来の技術 第7図は、薄膜EL表示装置の表示パネルとして用いら
れている典型的な薄膜Eし素子6の一部を切欠いた斜視
図である。このr#膜EL素子6では、ガラス基板lの
上に帯状の透明電極2が平行に配設され,この上に誘?
!物質層3,3aに挟まれたEL層4が積層され、さら
にその上に前記透明電極2と直交する方向に帯状の背面
電掻5が複数本平行に配設される. 前記EL層4は、誘′S物質層3.3aの間に介在する
ので,等価回路的には容量性素子とみなすことができる
. 第8図は、上記薄a!IEL素子6を表示パネル7とす
る一般的な薄11iEL表示装置の4′#I戒を概略的
に示すブロック図である. ?8図における表示バネ・ル7では、薄膜EL素子の透
明電極がデータfill電極D1〜D8とされ、また薄
II!EL素子の背面電極が走査側電極81〜S4とさ
れる.データ側スイッチング回路8は、&データ側電i
Dl〜D8に個別的に変調電圧■を印加するための回路
であり、各データlI1l電極D 1 ■%, D 8
に個別的に接続されたデータ側出力ボート群9と、各デ
ータIlI1@極D1〜D8に対応する表示データを受
け入れ、その表示データに応じてデータ側出力ボート群
9をオンーオフさせる論理回路10とを有する. 走査側スイノナング回路11は、各走査llIlt!I
I81〜S−1にその線彫次に従−》て書込み電圧■■
,V w t ( V w + = V − 2 +
V H(7)関係を持つ》を印加する回路であり、各走
査側電極81〜S4に個別的に接続された走査開出力ボ
ート群12と、走査側出力ボーl−群12を走査側電極
81〜S4の線順次に促−)てオン・オフさせる論理回
路13とを有する.駆動回路14は、一定の基準電圧V
oから表示パ本ル7駆動用の高電圧を発生させる回路?
あり、データ111!出力ボート・群9に変調電圧V,
Iを供給するための変調駆動回路15と、走査側出力ボ
ート群12に書込み電圧■■.−■■を供給するための
書込み駆動回路16とを有する.駆動論理回路17は、
表示データ信号D、データ転送クロツクCK、水平同期
信号H.垂直同期信号Vなどの入力信号に基づいて、表
示バネ,ル7の駆動に必要な8一種のタイミング信号を
発生するための回路である.前記薄膜EL表示装置l1
基本的な表示駆動は、第l、第2の2つのフィールドに
わたる区間を1周期とし、データ側f!NiDl〜D8
には発光・非発光を決める表示データに対応する変調電
圧V一を与える一方、走査側電FfL.31〜S4には
第lフf−ルドで書込み電圧\r■を、また第2フィー
ルドで書込み電圧−■■を線順次に与えることによ一冫
て行われる. この表示駆動によって、データm電極D1〜D8と走査
側@極S1〜S4が交差する絵素A G.: tfJ当
する部分に書込み電圧V■, %’w2と変調電圧V
mの重畳効果あるいは相殺効果が生じ、絵素Aには実効
電圧として允光しきい値電圧■い以上の電圧■1あるい
は発光しきい値電圧V ah以下の電圧■1が印加され
、これによって各絵素Aが発光・非発光の状態となり所
定の表示が得られる.したがって、1つの絵素Aに対し
ては、第1フィールドと第2ノイールドとでそれぞれ極
性の反転した実効電圧が交互に印加され、2つのフィー
ルドを1周期として薄fiEL素子にとって理想的とさ
れる対称な交流駆動が行われることになる.このような
薄膜EL表示装置では、各絵素Aの輝度を複数段階に変
化させる駆動方法、すなわち階調表示を行う駆動方法と
して、データ側電極D1〜[)8に印加する変調電圧■
イのパルス幅を変化させ、絵素Aにかかる実効電圧の面
積強度を制御するパルス幅変調方式や、変調電圧V.の
振幅を制障する振幅変調方式が知られている.このよう
な階調表示を行う場きに、駆動論理回路17に入力する
入力信号のうち、表示データ信号Dとしては、輝度の階
調の段数に応じたビット数の信号が用いられ、またデー
タ側スイッチング回n8についても、表示データ信号D
のビット数と階調表示方式に応じた専用の回路が用いら
れる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上述した従来の駆動方法によって階調表
示を行う堝き、表示バネル7の絵素A間でのわずかな経
時変化の差(たとえば、発光状態を継続させていた絵素
Aと非発光状態を継続させていた絵素Aとの間での経時
変化の差》によって、絵素A間の輝度一電圧特性(以下
、B−V特性と呼ぶ)に差が生じ、これらの絵素Aを低
輝度発光状態にしたときに輝度差が生じるという問題点
を有する. しかも、上記経時変化は同じ発光状層を継続させていた
絵素A間でも、その発光レベルが異なると差が生じるの
で、発光・非発光の2段階表示J》場bに比べてIII
調表示のHh合には経時変化の差に起因して、より複雑
な輝度むらが生じることになる. 上述した輝度むら現象の詳細を、振幅¥:調方式によっ
て階調r<示を行う場きを閏に挙げて以下に説明する. 通常、ra膜EL素子は、製造後エージング処理を行う
ことによって発光特性の安定化が図られる.この処理に
よってB−V特性は、初期状態に比べてその特性曲線の
変化や電圧軸方向へのシフトが進み、ある程度の処理時
間を経てM和し、ばば安定fヒするという傾向を示す. しかし、薄膜EL素子が本来的に持つ特性のためB−V
特性は充分にエージング処珊を行ったあとも完全には安
定化しないこと、および薄!lIEL素子の製造工程に
おいて生産効率の観点からエージング処理の時間が制限
されることなどの理由によって、エージング処理を終え
た薄膜EL素子でも、そのB−V特性はその後の表示動
作によって、第9図に実線で示す特性曲線l1から破線
で示す特性曲4Il2へとある程度の経時変化が生じる
ことになる. 発光・非発光の2段階表示の堝bには、第9図において
絵素に印加する動作電圧は、VC(非発光〉とVA(発
光)の2値のみである.したがって、このとき非発光状
!(勤f#’t圧VC )を継続させていた絵素(この
絵素に対応する特性曲線を11とする〉と、発光状R(
動作電圧VA)を継続させていた絵累(この絵素に対応
する特性曲線をl2とする)の特性曲線1 1.12の
間にある程度のジ7トが起っても、これ/5の絵素をと
もに発光状態にしたときの輝度差は、第9′図にn号Δ
Aで示すように充分小さい値となる. これに対してIII調表示の4訃には、動作電圧が第9
図においてVBで示す値となる低輝度での発光を行う4
合がある.ところが、非発光状態(動作電圧VC)を継
続さ仕ていた絵素と発光状R(動f1電圧VA)を継続
させていた絵素とをとLに上記低輝度発光状等〈動f?
電圧VB)にしたときのこれらの絵素間での輝度差は第
9図にn号ΔBで示すように大きな値となり、その結果
輝度むらが生じて表示品位が大きく低下するとと(こな
る。
示を行う堝き、表示バネル7の絵素A間でのわずかな経
時変化の差(たとえば、発光状態を継続させていた絵素
Aと非発光状態を継続させていた絵素Aとの間での経時
変化の差》によって、絵素A間の輝度一電圧特性(以下
、B−V特性と呼ぶ)に差が生じ、これらの絵素Aを低
輝度発光状態にしたときに輝度差が生じるという問題点
を有する. しかも、上記経時変化は同じ発光状層を継続させていた
絵素A間でも、その発光レベルが異なると差が生じるの
で、発光・非発光の2段階表示J》場bに比べてIII
調表示のHh合には経時変化の差に起因して、より複雑
な輝度むらが生じることになる. 上述した輝度むら現象の詳細を、振幅¥:調方式によっ
て階調r<示を行う場きを閏に挙げて以下に説明する. 通常、ra膜EL素子は、製造後エージング処理を行う
ことによって発光特性の安定化が図られる.この処理に
よってB−V特性は、初期状態に比べてその特性曲線の
変化や電圧軸方向へのシフトが進み、ある程度の処理時
間を経てM和し、ばば安定fヒするという傾向を示す. しかし、薄膜EL素子が本来的に持つ特性のためB−V
特性は充分にエージング処珊を行ったあとも完全には安
定化しないこと、および薄!lIEL素子の製造工程に
おいて生産効率の観点からエージング処理の時間が制限
されることなどの理由によって、エージング処理を終え
た薄膜EL素子でも、そのB−V特性はその後の表示動
作によって、第9図に実線で示す特性曲線l1から破線
で示す特性曲4Il2へとある程度の経時変化が生じる
ことになる. 発光・非発光の2段階表示の堝bには、第9図において
絵素に印加する動作電圧は、VC(非発光〉とVA(発
光)の2値のみである.したがって、このとき非発光状
!(勤f#’t圧VC )を継続させていた絵素(この
絵素に対応する特性曲線を11とする〉と、発光状R(
動作電圧VA)を継続させていた絵累(この絵素に対応
する特性曲線をl2とする)の特性曲線1 1.12の
間にある程度のジ7トが起っても、これ/5の絵素をと
もに発光状態にしたときの輝度差は、第9′図にn号Δ
Aで示すように充分小さい値となる. これに対してIII調表示の4訃には、動作電圧が第9
図においてVBで示す値となる低輝度での発光を行う4
合がある.ところが、非発光状態(動作電圧VC)を継
続さ仕ていた絵素と発光状R(動f1電圧VA)を継続
させていた絵素とをとLに上記低輝度発光状等〈動f?
電圧VB)にしたときのこれらの絵素間での輝度差は第
9図にn号ΔBで示すように大きな値となり、その結果
輝度むらが生じて表示品位が大きく低下するとと(こな
る。
以上は、振幅変調方式によって階調表示を行う場αにつ
いての説明であるが、薄fiE+−素子内部の発光層に
加わる電圧を考える限りでは、パ/Lス幅変調方式にお
いて、パルス幅を変化させて輝度レベルを変える動f1
は、印加電圧のレベルを変化させる動fFに近いと考え
られることから、パルス幅変調方式によって階y4表示
を行う場きも上述した振幅¥調方式の場さと同様の現象
が現われることになる. したがって、本発明の目的番よ、経時変化による輝度む
らが少なく表示品位の良好なN調表示を行うことのでき
る薄膜EL表示装置の駆動方法を提供することである. 課題を解決するための手段 本発明は、互いに交差する方向に配列した?!数の走査
l!11電極と複数のデータ側電極との間にEL層を介
在させ、データ側電極には表示データに応じてパルス幅
あるいは振幅を変化させた変調電圧を印加する一方、走
査側電極には正優性あるいは負極性の書込み電圧を線順
次に印加することによって、走査側電極とデータ側電極
が交差する絵素の部分にフィールド灯に慢性の反転する
表示データ対応電圧を印加し、lv調表示を行う薄Jl
!E L.表示装置の駆動方法において、 各フィールド毎に、表示データ対応電圧を絵素に印加し
たあと、その表示データ対応電圧と逆隆性で、かつ、そ
の表示データ対応電圧によ−ノて生じた分極を消去する
のに充分なレベルの分優消去電圧を同じ絵素に印加する
ことを特徴とする薄膜EL表示装置の駆動方法である. fF−用 本発明に従えば、各フィールドにおいて絵素に表示デー
タ対応電圧が印加されたあと、その表示データ対応電圧
と逆極性で、かつ、その電圧印加によって生じた分極を
消去しうるレベルl)分園消去電圧が次のフィールドに
移る前に再び印加されるので、分極の残留時間が短くな
り、絵素のB■特性の分極に起因するシフトがそれだけ
少なくなる. また、表示データ対応電圧の印加が分極のない状態で行
われるため絵素の発光層に印加される電圧が小さくなり
、この点からも絵素のB一V特性の経時変化が少なくな
る。
いての説明であるが、薄fiE+−素子内部の発光層に
加わる電圧を考える限りでは、パ/Lス幅変調方式にお
いて、パルス幅を変化させて輝度レベルを変える動f1
は、印加電圧のレベルを変化させる動fFに近いと考え
られることから、パルス幅変調方式によって階y4表示
を行う場きも上述した振幅¥調方式の場さと同様の現象
が現われることになる. したがって、本発明の目的番よ、経時変化による輝度む
らが少なく表示品位の良好なN調表示を行うことのでき
る薄膜EL表示装置の駆動方法を提供することである. 課題を解決するための手段 本発明は、互いに交差する方向に配列した?!数の走査
l!11電極と複数のデータ側電極との間にEL層を介
在させ、データ側電極には表示データに応じてパルス幅
あるいは振幅を変化させた変調電圧を印加する一方、走
査側電極には正優性あるいは負極性の書込み電圧を線順
次に印加することによって、走査側電極とデータ側電極
が交差する絵素の部分にフィールド灯に慢性の反転する
表示データ対応電圧を印加し、lv調表示を行う薄Jl
!E L.表示装置の駆動方法において、 各フィールド毎に、表示データ対応電圧を絵素に印加し
たあと、その表示データ対応電圧と逆隆性で、かつ、そ
の表示データ対応電圧によ−ノて生じた分極を消去する
のに充分なレベルの分優消去電圧を同じ絵素に印加する
ことを特徴とする薄膜EL表示装置の駆動方法である. fF−用 本発明に従えば、各フィールドにおいて絵素に表示デー
タ対応電圧が印加されたあと、その表示データ対応電圧
と逆極性で、かつ、その電圧印加によって生じた分極を
消去しうるレベルl)分園消去電圧が次のフィールドに
移る前に再び印加されるので、分極の残留時間が短くな
り、絵素のB■特性の分極に起因するシフトがそれだけ
少なくなる. また、表示データ対応電圧の印加が分極のない状態で行
われるため絵素の発光層に印加される電圧が小さくなり
、この点からも絵素のB一V特性の経時変化が少なくな
る。
さらに、絵素の発光層に印加される電圧が小さくなるこ
と、およびlフィールド内での絵素の発光が表示データ
対応電圧の印加による発光と分極消去電圧の印加による
発光の2回に分かれることによって、絵素のB−V特性
の特に低輝度頭域での特性曲線のMIきが緩やかになる
. その結果、低輝度発光を行った場合に、経時変化に起因
する絵素間での輝度むらが少なくなる.実施例 先ず、本発明の実施例を説明する前に、本発明の薄膜E
L表示装置の駆動方法の概要に・)いて以下に説明する
。
と、およびlフィールド内での絵素の発光が表示データ
対応電圧の印加による発光と分極消去電圧の印加による
発光の2回に分かれることによって、絵素のB−V特性
の特に低輝度頭域での特性曲線のMIきが緩やかになる
. その結果、低輝度発光を行った場合に、経時変化に起因
する絵素間での輝度むらが少なくなる.実施例 先ず、本発明の実施例を説明する前に、本発明の薄膜E
L表示装置の駆動方法の概要に・)いて以下に説明する
。
r!IWAEL素子を動f1させることによー)で、上
述したB−V特性の変化が起る理由として、一般的に次
のようなことが考えられる.すなわち、ri膜U−L素
子の絵素の電圧を印加して発光させると、絵素の発光層
中あるいは発光層と絶縁層の界面付近において、発光層
と絶縁層の構成元素や空孔、不純物が拡散あるいは局在
したり、トラッグ準位や空間電荷などが生成または消去
し、その結果B■特性に変化が生じると考えられる. この現象は、上述したように薄11IEL素子に電圧を
印加し発光させるのに伴って生じることから、B−V特
性の変化に関係する要因として、(1)絵素の発光層に
外部から直接印加される電圧 〈2〉駆動周波数 〈3〉書込み電圧印加決に絵素内部に残る分極電圧 (4》周囲温度などの外部環境 などが考えられる. これらの要因のうち、(2),(−1>の要因について
は変更あるいは制御が困難であり、したがってこれらの
要因の変更によりB−V特性変fヒの対策を講じること
は不可能である. これに対して、(1)の電圧に−)いては印加時間は短
いものの電圧値が高いという特徴があり、また(3)の
分ff!電圧については電圧値は低いものの残留時間が
長いという特徴があり、両方ともB−V特性の変化の重
要な要因と考えられる.そこで,本発明の駆動方法では
、上記(1),(3》の要因を改善することによって経
時変化に起因する輝度むらの解消を図一〕ている.第1
図(1)は本発明の駆動方法を薄l!IEL素子の1つ
の絵素に着目して示した波形図であり、また第l図(2
)は本発明の駆動方法と比較するために示した従来の駆
動方法の波形図である.すなわち、第1図(1)に示す
本発明の駆動方法においては、先ず第1フィールドにお
いて発光に相当する表示データに対応した、たとえば正
極性の電圧Vaが絵素に印加され、その電圧印加のあと
同じフィールド中に先の電圧Vaと逆極性、つまり負極
性で電圧V=一の印加によって絵素の発光層に生じた分
陽を消去するに充分な分極消去電圧−V dが印加され
る.次の第2フィールドでは同じ発光に相当する表示デ
ータに対応した負極性の電圧−Vaが印加され、その電
圧印加のあと同じフf−ルド中に先の分ff[ill去
電圧一Vdと逆極性、つまり正極性の分極消去電圧Vd
が印加される.以後は、上記2フィールドをl周期とし
てはぼ同様の動fjが繰り返され、これによって対称交
流駆動が行われる. 上記11!eにおいては、たとえばあるフィールドにお
いて絵素に電圧Vaが印加されるとき、その前のフィー
ルドにおいて分慢消去電圧Vdが印加されることから、
絵素の発光層は分峰のない状態に置かれており、したが
って外部から印加される電圧Vaが絵素の発光層に印加
される実質的な電圧となる.すなわち、絵素には外部か
ら印加された電圧V jt分の発光が起る.この電圧印
加によって絵素の発光層に生じた分極は、同じフィール
ド中で分極消去電圧−V dが印加されるまで残留する
.次に、印加される分缶消去電圧−Vdとしては、たと
えば発光しきい電圧かこれより若干低いレベルの電圧が
選ばれる.そのため、分極消去電圧−Vdの印加時に絵
素の発光層には分陽電圧に分極消去電圧を重畳した電圧
、つまり発光しきい電圧を越える電圧が印加されること
となって、このときにも絵素に発光が起る.このように
して、上記駆動においてはフィールド毎に2回の発光が
行われる. ちなみに、第1図(2)に示す従来の駆動方法において
は分極消去電圧の印加が行われないので、たとえばある
フィールドにおいて絵索に表示データ対応の電圧V z
tが印加されるとき、その絵素の発光層には前のフィー
ルドにおいて印加された表示データ対応の電圧−Vaに
起因する分極が残留しており、したがってこの場きに絵
素の発光層には分[I電圧に外部から印加される表示デ
ータ対応の電圧V Z&を重畳した電圧が印加されるこ
とになり、このときの絵素の発光量は本発明の駆動方法
の場1に比べて分極電圧分だけ多くなる.また、従来の
駆動方法によー》て絵素の発光層に印加される電圧をX
、本発明の駆動方法によー)て絵素の発光層に印加され
る電圧をYとするとき、X=表示データ対応電圧十分極
電圧 Y一分極消去電圧十分極電圧 と表わせるから、電圧X,Yの差X−Yは、X−Y=
(表示データ対応電圧十分極電圧〉−〈分極消去電圧十
分極電圧》 ζ表示データ対応電圧一分極消去電圧 となる。発光に相当する表示データ対応電圧は発光しき
い電圧よりも大きい値である一方、分極消去電圧は発光
しきい電圧ないしこれより若干小さい値に選ばれるので
、 X−Y :.・O となる。すなbち、従来の駆動方法による絵素の発光量
に比べて、本発明の駆動方法における分臣消去電圧印加
時の絵素の発光量もより小さい値となる. このように、本発明の駆動方法のP4キには、絵素力発
光層に印加される電圧値が促宋の駆動方法の場きに比べ
て小さくなるため、この点かtJ絵素のB−V特性の経
時変化は小さくなる。
述したB−V特性の変化が起る理由として、一般的に次
のようなことが考えられる.すなわち、ri膜U−L素
子の絵素の電圧を印加して発光させると、絵素の発光層
中あるいは発光層と絶縁層の界面付近において、発光層
と絶縁層の構成元素や空孔、不純物が拡散あるいは局在
したり、トラッグ準位や空間電荷などが生成または消去
し、その結果B■特性に変化が生じると考えられる. この現象は、上述したように薄11IEL素子に電圧を
印加し発光させるのに伴って生じることから、B−V特
性の変化に関係する要因として、(1)絵素の発光層に
外部から直接印加される電圧 〈2〉駆動周波数 〈3〉書込み電圧印加決に絵素内部に残る分極電圧 (4》周囲温度などの外部環境 などが考えられる. これらの要因のうち、(2),(−1>の要因について
は変更あるいは制御が困難であり、したがってこれらの
要因の変更によりB−V特性変fヒの対策を講じること
は不可能である. これに対して、(1)の電圧に−)いては印加時間は短
いものの電圧値が高いという特徴があり、また(3)の
分ff!電圧については電圧値は低いものの残留時間が
長いという特徴があり、両方ともB−V特性の変化の重
要な要因と考えられる.そこで,本発明の駆動方法では
、上記(1),(3》の要因を改善することによって経
時変化に起因する輝度むらの解消を図一〕ている.第1
図(1)は本発明の駆動方法を薄l!IEL素子の1つ
の絵素に着目して示した波形図であり、また第l図(2
)は本発明の駆動方法と比較するために示した従来の駆
動方法の波形図である.すなわち、第1図(1)に示す
本発明の駆動方法においては、先ず第1フィールドにお
いて発光に相当する表示データに対応した、たとえば正
極性の電圧Vaが絵素に印加され、その電圧印加のあと
同じフィールド中に先の電圧Vaと逆極性、つまり負極
性で電圧V=一の印加によって絵素の発光層に生じた分
陽を消去するに充分な分極消去電圧−V dが印加され
る.次の第2フィールドでは同じ発光に相当する表示デ
ータに対応した負極性の電圧−Vaが印加され、その電
圧印加のあと同じフf−ルド中に先の分ff[ill去
電圧一Vdと逆極性、つまり正極性の分極消去電圧Vd
が印加される.以後は、上記2フィールドをl周期とし
てはぼ同様の動fjが繰り返され、これによって対称交
流駆動が行われる. 上記11!eにおいては、たとえばあるフィールドにお
いて絵素に電圧Vaが印加されるとき、その前のフィー
ルドにおいて分慢消去電圧Vdが印加されることから、
絵素の発光層は分峰のない状態に置かれており、したが
って外部から印加される電圧Vaが絵素の発光層に印加
される実質的な電圧となる.すなわち、絵素には外部か
ら印加された電圧V jt分の発光が起る.この電圧印
加によって絵素の発光層に生じた分極は、同じフィール
ド中で分極消去電圧−V dが印加されるまで残留する
.次に、印加される分缶消去電圧−Vdとしては、たと
えば発光しきい電圧かこれより若干低いレベルの電圧が
選ばれる.そのため、分極消去電圧−Vdの印加時に絵
素の発光層には分陽電圧に分極消去電圧を重畳した電圧
、つまり発光しきい電圧を越える電圧が印加されること
となって、このときにも絵素に発光が起る.このように
して、上記駆動においてはフィールド毎に2回の発光が
行われる. ちなみに、第1図(2)に示す従来の駆動方法において
は分極消去電圧の印加が行われないので、たとえばある
フィールドにおいて絵索に表示データ対応の電圧V z
tが印加されるとき、その絵素の発光層には前のフィー
ルドにおいて印加された表示データ対応の電圧−Vaに
起因する分極が残留しており、したがってこの場きに絵
素の発光層には分[I電圧に外部から印加される表示デ
ータ対応の電圧V Z&を重畳した電圧が印加されるこ
とになり、このときの絵素の発光量は本発明の駆動方法
の場1に比べて分極電圧分だけ多くなる.また、従来の
駆動方法によー》て絵素の発光層に印加される電圧をX
、本発明の駆動方法によー)て絵素の発光層に印加され
る電圧をYとするとき、X=表示データ対応電圧十分極
電圧 Y一分極消去電圧十分極電圧 と表わせるから、電圧X,Yの差X−Yは、X−Y=
(表示データ対応電圧十分極電圧〉−〈分極消去電圧十
分極電圧》 ζ表示データ対応電圧一分極消去電圧 となる。発光に相当する表示データ対応電圧は発光しき
い電圧よりも大きい値である一方、分極消去電圧は発光
しきい電圧ないしこれより若干小さい値に選ばれるので
、 X−Y :.・O となる。すなbち、従来の駆動方法による絵素の発光量
に比べて、本発明の駆動方法における分臣消去電圧印加
時の絵素の発光量もより小さい値となる. このように、本発明の駆動方法のP4キには、絵素力発
光層に印加される電圧値が促宋の駆動方法の場きに比べ
て小さくなるため、この点かtJ絵素のB−V特性の経
時変化は小さくなる。
また、第1図〈2)に示す従来の駆動方法にわいては、
上述したように1フィールドにおいて表示データ対応の
電圧が絵素に印加されると、そのとき絵素の発光層に生
じた分極は次のフィールドにおいて、表示データ対応の
電圧が印加されるまで残留するのに対して、第1図(1
)に示す本宛明の駆動方法においては、1フィールドに
おいて表示データ対応の電圧が絵素に印加されて発光層
に生じた分極は、その6もと同じフィールド中に分際消
去電圧が印加されることによって消去されるため、分極
残留時間が従来の駆動方法の場合に比べて充分短くなる
.したがって、分極に起因する絵素のB−v特性の経時
変化も従来の駆動方法のP4きに比べて小さくなる. 第2図は、本発明の駆動方法を用いた場hの薄IN!E
L素子の絵素のB−V特性を示すグラフである.そのう
ち、実線l5は非発光状態(動fj電圧Vc)を継続さ
せていた絵素の特性曲線を示し、破線l6は高輝度発光
状態(動作電圧V=▲》を継続させていた絵素のiキ性
曲線を示す.また、第2図中の1点鎖@l 4は、比較
のために示した従来の駆動方法を用いたj%きの譚膜E
L素子の絵素のB−V特性曲線である. 上述したように本発明の駆動方法の場きには、従来の駆
動方法に比べて発光層に印加される電圧値が小さいこと
、および発光動作が1フィールド中に2回に分けて行わ
れることで、B−V特性は第2口に示す特性曲線1 5
, l 6のように低輝度顕域ではその傾きが緩やかに
なる一方、高輝度誤域では若干急峻になるという傾向が
生じる.その結果、高輝度発光状9(動作電圧V a
)を継続させていて経時変化によりB−V特性が15か
ら16へと変化した絵素と、非発光状態〈動作電圧Vc
)を継続させていてB−V特性が15の状態を保一)て
いる絵素とを、ともに動作電圧V bの低輝度状態に発
光させた場合、これら絵素間J》輝度差ΔDは、第9図
に示す従来の駆動方法の堝i J)輝度差ΔBに比べて
充分縮小される。したが−)で、経時変化によるB−V
特性J》変化量が、たとえ従来駆動方法の場なと同じで
あーノでも、分極消去電圧を印加する本発明の駆動方法
の場合には、薄膜EL表示装置の表示パネルの絵素間で
の輝度差は充分に小さくなる. なお、本発明の駆動方法では、上述したようにB−V特
性のシフト自体も小さくなるので、非発光状態の絵素を
動f1電圧Vaの高輝度状態に発光さ仕たj%かと、高
輝度発光状態を継続している絵素との間の輝度差ΔCも
充分小さい. 第3[1は、本発明の駆動方法が適用される薄膜EL表
示装置の概帖の構成を示すブロプク図である. 第3図に示す薄WAEL表示装置は、上述した対称駆動
方法によ−)で駆動するようにした表示装置であって、
その概略のtlll戒は第8図に示した一晟的な薄*E
L表示の41とほぼ同一である.すなわち、表示バネル
2lは2ji絶縁型薄膜E,L素子から威一)ており、
この薄膜EL素子はガラス基板上に帯状の透明電極を平
行に配列し、この上に誘′ri物質を積層し、さらにそ
の上にEL層を積層し、さらにその上に誘電物質を′t
?4層して3層構造にし、その上に透明電極と直交する
方向に延びる帯状の背面電極を平行に配列して楕成され
ている.ここでは、説明を簡略化するために、8本の透
明電極と4本の背面$極を有する4きが示されており、
その透明電極がデータ側@fiD 1〜D8とされ、そ
の背面電極が走査側電極81〜S4とされてい?。
上述したように1フィールドにおいて表示データ対応の
電圧が絵素に印加されると、そのとき絵素の発光層に生
じた分極は次のフィールドにおいて、表示データ対応の
電圧が印加されるまで残留するのに対して、第1図(1
)に示す本宛明の駆動方法においては、1フィールドに
おいて表示データ対応の電圧が絵素に印加されて発光層
に生じた分極は、その6もと同じフィールド中に分際消
去電圧が印加されることによって消去されるため、分極
残留時間が従来の駆動方法の場合に比べて充分短くなる
.したがって、分極に起因する絵素のB−v特性の経時
変化も従来の駆動方法のP4きに比べて小さくなる. 第2図は、本発明の駆動方法を用いた場hの薄IN!E
L素子の絵素のB−V特性を示すグラフである.そのう
ち、実線l5は非発光状態(動fj電圧Vc)を継続さ
せていた絵素の特性曲線を示し、破線l6は高輝度発光
状態(動作電圧V=▲》を継続させていた絵素のiキ性
曲線を示す.また、第2図中の1点鎖@l 4は、比較
のために示した従来の駆動方法を用いたj%きの譚膜E
L素子の絵素のB−V特性曲線である. 上述したように本発明の駆動方法の場きには、従来の駆
動方法に比べて発光層に印加される電圧値が小さいこと
、および発光動作が1フィールド中に2回に分けて行わ
れることで、B−V特性は第2口に示す特性曲線1 5
, l 6のように低輝度顕域ではその傾きが緩やかに
なる一方、高輝度誤域では若干急峻になるという傾向が
生じる.その結果、高輝度発光状9(動作電圧V a
)を継続させていて経時変化によりB−V特性が15か
ら16へと変化した絵素と、非発光状態〈動作電圧Vc
)を継続させていてB−V特性が15の状態を保一)て
いる絵素とを、ともに動作電圧V bの低輝度状態に発
光させた場合、これら絵素間J》輝度差ΔDは、第9図
に示す従来の駆動方法の堝i J)輝度差ΔBに比べて
充分縮小される。したが−)で、経時変化によるB−V
特性J》変化量が、たとえ従来駆動方法の場なと同じで
あーノでも、分極消去電圧を印加する本発明の駆動方法
の場合には、薄膜EL表示装置の表示パネルの絵素間で
の輝度差は充分に小さくなる. なお、本発明の駆動方法では、上述したようにB−V特
性のシフト自体も小さくなるので、非発光状態の絵素を
動f1電圧Vaの高輝度状態に発光さ仕たj%かと、高
輝度発光状態を継続している絵素との間の輝度差ΔCも
充分小さい. 第3[1は、本発明の駆動方法が適用される薄膜EL表
示装置の概帖の構成を示すブロプク図である. 第3図に示す薄WAEL表示装置は、上述した対称駆動
方法によ−)で駆動するようにした表示装置であって、
その概略のtlll戒は第8図に示した一晟的な薄*E
L表示の41とほぼ同一である.すなわち、表示バネル
2lは2ji絶縁型薄膜E,L素子から威一)ており、
この薄膜EL素子はガラス基板上に帯状の透明電極を平
行に配列し、この上に誘′ri物質を積層し、さらにそ
の上にEL層を積層し、さらにその上に誘電物質を′t
?4層して3層構造にし、その上に透明電極と直交する
方向に延びる帯状の背面電極を平行に配列して楕成され
ている.ここでは、説明を簡略化するために、8本の透
明電極と4本の背面$極を有する4きが示されており、
その透明電極がデータ側@fiD 1〜D8とされ、そ
の背面電極が走査側電極81〜S4とされてい?。
データ側スイッチング回路22は、各データ側電11D
I〜DBに個別的にyR調電圧Vイを印加するための回
路であり、各データ側@iD 1〜D8に個別的に接続
されたデータ側出力ボーl−群23と、各データ側電f
IID1〜D8に対応する表示データを受け入れ、その
表示データに応じてデータ側出力ボート群23をオン・
オフさせる論理回路24とを有する. 走査側スイッチング回路25は、各走査側@陽S1〜S
−tにその線順次に促一)て書込み電圧\r■,\’1
12 V112 (Vw+=Vwt+V*の関係を
持つ)を印加する回路であり、各走査III電tf+s
1〜S4に個別的に接続された走El 1111出力ボ
ート・群26と、走査側出力ボーl・群26を走査II
l電陽S1〜S4の線順次に従ってオン・オフさせる論
理回路27とを有する.′liA動回路28は、一定の
基準電圧V。から表示バネル21駆動用の高電圧一を発
生させるための回路であり、データ側出力ボーl−群2
3に変調電圧V,Iを供給するための変調駆動回路2?
と、走査側出力ボート群26に書込み電圧■■,\’@
2, Vw2を供給するための書込み駆動回IP,
30とを有する, 駆動論理回路31は、3ビットの表示データ信号1:D
2,Di,DO)や、データ転送クロックCK、水平同
期信号H、垂直同期信号Vなどの入力信号に基づいて、
表示バネル21の駆動に必要な各種のタイミング信号を
発生するための回路である。
I〜DBに個別的にyR調電圧Vイを印加するための回
路であり、各データ側@iD 1〜D8に個別的に接続
されたデータ側出力ボーl−群23と、各データ側電f
IID1〜D8に対応する表示データを受け入れ、その
表示データに応じてデータ側出力ボート群23をオン・
オフさせる論理回路24とを有する. 走査側スイッチング回路25は、各走査側@陽S1〜S
−tにその線順次に促一)て書込み電圧\r■,\’1
12 V112 (Vw+=Vwt+V*の関係を
持つ)を印加する回路であり、各走査III電tf+s
1〜S4に個別的に接続された走El 1111出力ボ
ート・群26と、走査側出力ボーl・群26を走査II
l電陽S1〜S4の線順次に従ってオン・オフさせる論
理回路27とを有する.′liA動回路28は、一定の
基準電圧V。から表示バネル21駆動用の高電圧一を発
生させるための回路であり、データ側出力ボーl−群2
3に変調電圧V,Iを供給するための変調駆動回路2?
と、走査側出力ボート群26に書込み電圧■■,\’@
2, Vw2を供給するための書込み駆動回IP,
30とを有する, 駆動論理回路31は、3ビットの表示データ信号1:D
2,Di,DO)や、データ転送クロックCK、水平同
期信号H、垂直同期信号Vなどの入力信号に基づいて、
表示バネル21の駆動に必要な各種のタイミング信号を
発生するための回路である。
3ビットの表示データ信号CD2,Di,Do)は、そ
の状態に応じて第l表に示すように8階調の輝度レベル
を指定するように対応けけられている。
の状態に応じて第l表に示すように8階調の輝度レベル
を指定するように対応けけられている。
《以下余白)
第
■
k
上記表示データ信号CD2,DI,DO)は、データ側
スイッチング回路22に送られ、振幅変調方式が採用さ
れるi%bには、表示データ信号(D2,Di,DO)
によって指定される輝度レベルに応じた振幅の電圧が変
調電圧■。としてデータlI11電1iD1〜D8に出
力される。また、パルス幅変調方式が採用される場合に
は、表示データ信号CD2,Di,Do)によって指定
される輝度レベルに応じたパルス幅の電圧が変調電圧■
。としてデータi1!!電極D1一〇8に出力される.
第4図は、この実施例の駆動方法を上記薄膜EL表示装
置に適用した場きのタイミングチャートを示す.そのう
ち、第4図(1)は水平同期信号Hを、第4図〈2)は
垂直同期信号■を、第4図〈3〉はデータ転送クロブク
CKを、第4U!U(4)〜(6〉は表示データ信号(
D2,DI,Do)の各ビットの信号DO.Di,D2
を、第4図(7),<8>はデータ側電viiD1,D
2に印加される変調電圧V。をそれぞれ示している.ま
た、第41N(9),(11),<13>,(15)は
走査llN電極31,S2.S3,S4に印加される書
込み電圧をそれぞれ示し、第4l2I(10〉は走査1
11m’s陽S1とデータ@?4極D1の交差部に位置
する絵素Aに印加される実効電圧V(Di−St)〈走
査側電極S1を基準とする〉を、第4図(12)は走査
@@極S2とデータ側@極D1の交差部に位置する絵素
Bに印加される実効電圧V(D1−32>(走査側@極
S2を基準とする)を、第4[2l<14)は走査側電
極S3とデータ側t極?iの交差部に位置する絵素Cに
印加される実効電圧v(Dt−S3)(走査l!!!電
極S3を基準とする)を、第4図(l6)は走査lI1
l電極S4とデータ側電tiD1の交差部に位置する絵
素Dに印加される実効電圧V(Di−S4)(走査側電
険S4を基準とする)をそれぞれ示している。
スイッチング回路22に送られ、振幅変調方式が採用さ
れるi%bには、表示データ信号(D2,Di,DO)
によって指定される輝度レベルに応じた振幅の電圧が変
調電圧■。としてデータlI11電1iD1〜D8に出
力される。また、パルス幅変調方式が採用される場合に
は、表示データ信号CD2,Di,Do)によって指定
される輝度レベルに応じたパルス幅の電圧が変調電圧■
。としてデータi1!!電極D1一〇8に出力される.
第4図は、この実施例の駆動方法を上記薄膜EL表示装
置に適用した場きのタイミングチャートを示す.そのう
ち、第4図(1)は水平同期信号Hを、第4図〈2)は
垂直同期信号■を、第4図〈3〉はデータ転送クロブク
CKを、第4U!U(4)〜(6〉は表示データ信号(
D2,DI,Do)の各ビットの信号DO.Di,D2
を、第4図(7),<8>はデータ側電viiD1,D
2に印加される変調電圧V。をそれぞれ示している.ま
た、第41N(9),(11),<13>,(15)は
走査llN電極31,S2.S3,S4に印加される書
込み電圧をそれぞれ示し、第4l2I(10〉は走査1
11m’s陽S1とデータ@?4極D1の交差部に位置
する絵素Aに印加される実効電圧V(Di−St)〈走
査側電極S1を基準とする〉を、第4図(12)は走査
@@極S2とデータ側@極D1の交差部に位置する絵素
Bに印加される実効電圧V(D1−32>(走査側@極
S2を基準とする)を、第4[2l<14)は走査側電
極S3とデータ側t極?iの交差部に位置する絵素Cに
印加される実効電圧v(Dt−S3)(走査l!!!電
極S3を基準とする)を、第4図(l6)は走査lI1
l電極S4とデータ側電tiD1の交差部に位置する絵
素Dに印加される実効電圧V(Di−S4)(走査側電
険S4を基準とする)をそれぞれ示している。
たとえば、第4[2I(9)に示す走査III電掻SI
I\の書込み電圧として、第1フィールドではデータ側
電11D1〜D8’\の変調電圧■6の印加に同期して
負極性の書込み電圧一Vw2が印加され、その直凌(次
の走査期間に移る前で2調電圧\r,Iは印加されてい
ない)に上記書込み電圧一\r4,と逆極性、つまり正
極性の書込み電圧Vw■が印加される.また、第2フィ
ールドではデータ側電!iDl〜D8への変調電圧■9
の印加に同期して正極性の書込み電圧V1が印加され、
その直後に上記書込み電圧■■と逆極性、つまり負極性
の書込み電圧−VBが印加される.以後は、上記2フィ
ールドを1周期として同様の動ftEが繰り返される。
I\の書込み電圧として、第1フィールドではデータ側
電11D1〜D8’\の変調電圧■6の印加に同期して
負極性の書込み電圧一Vw2が印加され、その直凌(次
の走査期間に移る前で2調電圧\r,Iは印加されてい
ない)に上記書込み電圧一\r4,と逆極性、つまり正
極性の書込み電圧Vw■が印加される.また、第2フィ
ールドではデータ側電!iDl〜D8への変調電圧■9
の印加に同期して正極性の書込み電圧V1が印加され、
その直後に上記書込み電圧■■と逆極性、つまり負極性
の書込み電圧−VBが印加される.以後は、上記2フィ
ールドを1周期として同様の動ftEが繰り返される。
このとき、絵素Aに印加される実効電圧V(D?−Sl
)として、第4UjJ(10)に示すように先ず第1フ
ィールドでは、走査@電極S1に印加される書込み電圧
一■1の絶対値にデータ側t極Diに印加される変調電
圧■。を重畳した値で正陽性の電圧が印加される。この
電圧は、第l図(1〉における表示データ対応電圧Vε
tに相当している。その直挟には、走査側電極S1に印
加される書込み電圧\/.■に対応する電圧−■1■が
印加されることになる。この電圧は、第1図(1〉にお
ける分極消去電圧一Vdに相当している.また、この場
きの電圧■1■は、ほぼ発光しきい電圧に相当している
,この第17f−ルドでは、変調電圧\r,の電圧値が
高いほど、あるいはパルス幅が広い《1ど表示データ対
応電圧の波形における発光しきい電圧を越える部分の面
積強度〈第4図(10〉において斜線を施して示す部分
〉が大きくなり、絵素Aの発光は高輝度発光へと変化す
るので、輝度レベルが「OJから『7」l\と変化する
につれて変調電圧■。の電圧値は0■から最大値へとく
振幅変調方式のk%キ〉、またパルス幅はOから晟?幅
へとくパルス幅変調方式の場き)可変設定される. 次の第2フィールドでは、先ず走査開電隆Slに印加さ
れる書込み電圧V■かlZrir:iJJ電圧V.分を
相殺した値で負極性の電圧が絵素Aの実効電圧V(DI
−St)として印加される。この電圧は、第1121(
1)における表示データ対応電圧一V aに相当してい
る.その直後には、走査rJs電極S1に印加される書
込み電圧−Vw2に対応する電圧VIl2が印加される
ことになる.この電圧は、第1[](1)における分極
消去電圧Vdに相当している.この第2フィールドでは
、変調電圧\rPIの電圧値が高い(1ど、あるいはパ
ルス幅が広いほど表示データ対応電圧の波形における発
光しきい電圧を越える部分の面t′l%i度(斜線を施
して示す部分)が小さくなり、絵素Aの発光は低輝度発
光へと変化するので、輝度レベルが「0」からr 7
J t\と変化するにつれて変調電圧■イの電圧値は最
大値がらO V /\と(振幅変調方式の渇キ)、また
パルス幅は最大幅から0ノ\と(パルス幅変調方式の場
な)可変設定される.第1フィールドで設定され、輝度
レベルと第2フィールドで設定される輝度レベルは通常
等しいので、絵mAに印加される実効電圧V(DI−S
L>の波形は、第lフィールドと第2フィールドとで極
性だけが反転した対称波形となり、これによって交流駆
動が行われる.その他の絵素B −. Dに・)いても
、絵素Aの渇きと同様の駆動が行われる. 以上の動作にむいて、表示データ対応電圧の印加時に絵
素の発光層には分極が残留していないこと(前のフィー
ルドにおける分極消去電圧の印加によー〉で消去される
)、および1フィールド中で発光動f1が表示データ対
応電圧の印加時と分極消去電圧の印加時の2回に分けて
行われることも第1図〈1)の場なと同様である.した
がって、この実施例の駆動方法によるとき、経時変化に
よるB−V特性の変化は小さく抑えられ、#調表示にも
いて低輝度発光させた4きにも絵素間での輝度差が充分
に軽減される. 特に、この実施例では表示データ対応電圧が印加された
直後の同一走査区間内において分極消去電圧が印加さh
るため分極残留時間が極めて短く、それだけB−V特性
の変化量を少なくすることができる。
)として、第4UjJ(10)に示すように先ず第1フ
ィールドでは、走査@電極S1に印加される書込み電圧
一■1の絶対値にデータ側t極Diに印加される変調電
圧■。を重畳した値で正陽性の電圧が印加される。この
電圧は、第l図(1〉における表示データ対応電圧Vε
tに相当している。その直挟には、走査側電極S1に印
加される書込み電圧\/.■に対応する電圧−■1■が
印加されることになる。この電圧は、第1図(1〉にお
ける分極消去電圧一Vdに相当している.また、この場
きの電圧■1■は、ほぼ発光しきい電圧に相当している
,この第17f−ルドでは、変調電圧\r,の電圧値が
高いほど、あるいはパルス幅が広い《1ど表示データ対
応電圧の波形における発光しきい電圧を越える部分の面
積強度〈第4図(10〉において斜線を施して示す部分
〉が大きくなり、絵素Aの発光は高輝度発光へと変化す
るので、輝度レベルが「OJから『7」l\と変化する
につれて変調電圧■。の電圧値は0■から最大値へとく
振幅変調方式のk%キ〉、またパルス幅はOから晟?幅
へとくパルス幅変調方式の場き)可変設定される. 次の第2フィールドでは、先ず走査開電隆Slに印加さ
れる書込み電圧V■かlZrir:iJJ電圧V.分を
相殺した値で負極性の電圧が絵素Aの実効電圧V(DI
−St)として印加される。この電圧は、第1121(
1)における表示データ対応電圧一V aに相当してい
る.その直後には、走査rJs電極S1に印加される書
込み電圧−Vw2に対応する電圧VIl2が印加される
ことになる.この電圧は、第1[](1)における分極
消去電圧Vdに相当している.この第2フィールドでは
、変調電圧\rPIの電圧値が高い(1ど、あるいはパ
ルス幅が広いほど表示データ対応電圧の波形における発
光しきい電圧を越える部分の面t′l%i度(斜線を施
して示す部分)が小さくなり、絵素Aの発光は低輝度発
光へと変化するので、輝度レベルが「0」からr 7
J t\と変化するにつれて変調電圧■イの電圧値は最
大値がらO V /\と(振幅変調方式の渇キ)、また
パルス幅は最大幅から0ノ\と(パルス幅変調方式の場
な)可変設定される.第1フィールドで設定され、輝度
レベルと第2フィールドで設定される輝度レベルは通常
等しいので、絵mAに印加される実効電圧V(DI−S
L>の波形は、第lフィールドと第2フィールドとで極
性だけが反転した対称波形となり、これによって交流駆
動が行われる.その他の絵素B −. Dに・)いても
、絵素Aの渇きと同様の駆動が行われる. 以上の動作にむいて、表示データ対応電圧の印加時に絵
素の発光層には分極が残留していないこと(前のフィー
ルドにおける分極消去電圧の印加によー〉で消去される
)、および1フィールド中で発光動f1が表示データ対
応電圧の印加時と分極消去電圧の印加時の2回に分けて
行われることも第1図〈1)の場なと同様である.した
がって、この実施例の駆動方法によるとき、経時変化に
よるB−V特性の変化は小さく抑えられ、#調表示にも
いて低輝度発光させた4きにも絵素間での輝度差が充分
に軽減される. 特に、この実施例では表示データ対応電圧が印加された
直後の同一走査区間内において分極消去電圧が印加さh
るため分極残留時間が極めて短く、それだけB−V特性
の変化量を少なくすることができる。
第5図は、本発明の第2の実施例である駆動方法を同じ
く第3r3の薄WIEL表示装置に適用した1%きのタ
イミングチャートを示している.そのうち第51(1)
〜(8)は、第4図(1)〜(8〉と同様である。同様
に、第5図(9).(11),<13>,(15)は、
走査側$fis1.s2,33,S−1に印加される書
込み電圧をそれぞれ示し、第5図( 1 0 ) .
( 1 2 ) , ( 1 4 ) , (
16)は絵素A,B,C,Dに印加される実効電圧V(
Di−Sl),V(Di−32),V(Di−S3),
V (Di−34)(それぞれ走査側電[!Sl,S2
,S3,S.iを基準とする)をそれぞれ示している. この実施例では、走査側電掻S1〜S4を隣りきう複数
本毎にグループ分けし、1グループを成す複数本の走1
fffW電掻への表示データ対応電圧に?当する書込み
電圧の印加が終了した時点で、これら1グループの走査
lIl1電陽に対して分極消去電圧に相当する書込み電
圧を同時に印加するようにしてむり、この点が先の実施
例と異なっている.すなわち、たとえば第lフィールド
において先ず走査側ttf!S1に表示データ対応電圧
に相当する書込み電圧−■12が印加され、次に隣りの
走査側電132に表示データ対応電圧に相当する書込み
電圧−Vw.が印加されると、その直後にこれら2本の
走査llll電極SL,S2に対して分陽消去電圧に相
当する書込み電圧■.が同時に印加される(第5図(9
)〜(12)).続いて走査側電極S3に表示データ対
応電圧に相当する書込み電圧\’112が印加され、さ
らに隣りの走査側$134に同じく表示データ対応電圧
に相当する書込み電圧一■■が印加されると、その直後
にこれら2本の走査側電183,S4に対して分極消去
電圧に相当する書込み電圧■1■が同時に印加される〈
第5図〈l3〉〜(16)).第2フィールドにおいて
も同様の動作が行われる.つまり、この実施例では隣り
含う2本の走査側電極を1グループとして,その1グル
ーグの走査lI1lI電極毎に同時に1回の分極消去電
圧に相当する書込み電圧が印加される. この場bには、複数本の走査rfs電陽に対する分極消
去電圧相当の書込み電圧の印加を1回で済ませられるの
で、走査ライン数の多い大容量の表示パネルに対しても
分蔭消去電圧の印加所要時間を短くすることができる。
く第3r3の薄WIEL表示装置に適用した1%きのタ
イミングチャートを示している.そのうち第51(1)
〜(8)は、第4図(1)〜(8〉と同様である。同様
に、第5図(9).(11),<13>,(15)は、
走査側$fis1.s2,33,S−1に印加される書
込み電圧をそれぞれ示し、第5図( 1 0 ) .
( 1 2 ) , ( 1 4 ) , (
16)は絵素A,B,C,Dに印加される実効電圧V(
Di−Sl),V(Di−32),V(Di−S3),
V (Di−34)(それぞれ走査側電[!Sl,S2
,S3,S.iを基準とする)をそれぞれ示している. この実施例では、走査側電掻S1〜S4を隣りきう複数
本毎にグループ分けし、1グループを成す複数本の走1
fffW電掻への表示データ対応電圧に?当する書込み
電圧の印加が終了した時点で、これら1グループの走査
lIl1電陽に対して分極消去電圧に相当する書込み電
圧を同時に印加するようにしてむり、この点が先の実施
例と異なっている.すなわち、たとえば第lフィールド
において先ず走査側ttf!S1に表示データ対応電圧
に相当する書込み電圧−■12が印加され、次に隣りの
走査側電132に表示データ対応電圧に相当する書込み
電圧−Vw.が印加されると、その直後にこれら2本の
走査llll電極SL,S2に対して分陽消去電圧に相
当する書込み電圧■.が同時に印加される(第5図(9
)〜(12)).続いて走査側電極S3に表示データ対
応電圧に相当する書込み電圧\’112が印加され、さ
らに隣りの走査側$134に同じく表示データ対応電圧
に相当する書込み電圧一■■が印加されると、その直後
にこれら2本の走査側電183,S4に対して分極消去
電圧に相当する書込み電圧■1■が同時に印加される〈
第5図〈l3〉〜(16)).第2フィールドにおいて
も同様の動作が行われる.つまり、この実施例では隣り
含う2本の走査側電極を1グループとして,その1グル
ーグの走査lI1lI電極毎に同時に1回の分極消去電
圧に相当する書込み電圧が印加される. この場bには、複数本の走査rfs電陽に対する分極消
去電圧相当の書込み電圧の印加を1回で済ませられるの
で、走査ライン数の多い大容量の表示パネルに対しても
分蔭消去電圧の印加所要時間を短くすることができる。
ただし、第1の実jTA例の場今に比べて一部の絵素に
対する分極消去電圧の印加タイミングが遅れるため、分
険残留時間がやや長くなる。したがー)てB − V特
性の変化軽減の効果は、第1の実施例に比べてやや低下
する. ここでは、説明を簡略化するために4本の走査側電ff
Ist−34を有する表示バネル21の場きを示したが
、実際の表示バ↑,ルでは走査側電降の本数は400本
あるいは480本のものが多い.したがって、この1%
bには−1.8.16本あるいは32木を1グループと
して全走査ffI1電降を均等にグループ化するのが好
ましい. 第6図は、本発明の第3の実施例である駆動方法を同じ
く第3図の薄膜EL表示装置に適用した4身のタイミン
グチャートを示している.そのうち、第6図(1)〜(
8)は、第4図(1〉〜(8》と同様である.同様に、
第6図(9), (11).(13),(15)は走
査側電極Sl,S2,S3,S4に印加される書込み電
圧をそれぞれ示し、第611(10).(12).(I
J).〈l6〉は紛素A,B,C,Dに印加される実効
電圧\’(Di−SL).V(Di−32>,V(Di
−93),\7(Di−84){それぞれ走査側SS隆
St,32,S3,S4を基準とする}をそれぞれ示し
ている. この実施例では,全走査側tli3 1〜84に対して
表示データ対応電圧に相当する書込み電圧の印加が終了
したlフィールドのIk終時点で、全走査側電極St−
.S4に対して分極消去電圧に相当する書込み電圧を同
時に印加するようにした点が先の実施例と異な−〉てい
る. このように、分極消去電圧に相当する全走査側T4極へ
の書込み電圧の印加を一時にまとめて行うと負荷が増大
するので、この実施例では分極消去電圧に相当する書込
み電圧のパルス幅を第6図(9)〜(15〉に示すよう
に第1.第2の実施例の場今に比べて充分広く設定して
いる.上述したように、この実施例では全走査II11
1電極への分極消去電圧に川当する書込み電圧(IFI
印加を1回で済ませられるので、分極消去電圧の印加所
要時間を最も短くすることができる.また、この電圧の
印加タイミングとして、駆動のプランキ〉・グ時間を利
用できるので、分極消去電圧の印加を最も簡単な方法で
行うことができる. ただし、この4きには表示パネル内の絵素間で分擾残留
時間にかなりの差が生じるので、分極残留時間の短縮に
よー)て得られるB−V特性の変化軽減効果は、第2の
実施例の#Jきよりもさらに低下する. 発明の効果 以上のように、本発明の薄fiELi示装置の駆動方法
によれば、各フィールドにおいて絵素に表示データ対応
電圧を印加した6もと、その表示データ対応電圧と逆極
性で、かつ、その電圧印加によって生じた分極を消去し
うるレベルの分極消去電圧を次のフf−ルドに移る前に
再び印加するようにしているので、分極の残留時間が短
くなるとともに、絵素の発光層に印加される電圧が小さ
くなり、その結果B − V特性の経時変化が少なくな
り表示品位が向上する.特に、B−V特性の特性曲線の
傾きが低輝度*#Qで緩やかになるため.R1g表示に
おいて低輝度発光を行一)た場きに、絵素間での輝度む
らが少なくなる.
対する分極消去電圧の印加タイミングが遅れるため、分
険残留時間がやや長くなる。したがー)てB − V特
性の変化軽減の効果は、第1の実施例に比べてやや低下
する. ここでは、説明を簡略化するために4本の走査側電ff
Ist−34を有する表示バネル21の場きを示したが
、実際の表示バ↑,ルでは走査側電降の本数は400本
あるいは480本のものが多い.したがって、この1%
bには−1.8.16本あるいは32木を1グループと
して全走査ffI1電降を均等にグループ化するのが好
ましい. 第6図は、本発明の第3の実施例である駆動方法を同じ
く第3図の薄膜EL表示装置に適用した4身のタイミン
グチャートを示している.そのうち、第6図(1)〜(
8)は、第4図(1〉〜(8》と同様である.同様に、
第6図(9), (11).(13),(15)は走
査側電極Sl,S2,S3,S4に印加される書込み電
圧をそれぞれ示し、第611(10).(12).(I
J).〈l6〉は紛素A,B,C,Dに印加される実効
電圧\’(Di−SL).V(Di−32>,V(Di
−93),\7(Di−84){それぞれ走査側SS隆
St,32,S3,S4を基準とする}をそれぞれ示し
ている. この実施例では,全走査側tli3 1〜84に対して
表示データ対応電圧に相当する書込み電圧の印加が終了
したlフィールドのIk終時点で、全走査側電極St−
.S4に対して分極消去電圧に相当する書込み電圧を同
時に印加するようにした点が先の実施例と異な−〉てい
る. このように、分極消去電圧に相当する全走査側T4極へ
の書込み電圧の印加を一時にまとめて行うと負荷が増大
するので、この実施例では分極消去電圧に相当する書込
み電圧のパルス幅を第6図(9)〜(15〉に示すよう
に第1.第2の実施例の場今に比べて充分広く設定して
いる.上述したように、この実施例では全走査II11
1電極への分極消去電圧に川当する書込み電圧(IFI
印加を1回で済ませられるので、分極消去電圧の印加所
要時間を最も短くすることができる.また、この電圧の
印加タイミングとして、駆動のプランキ〉・グ時間を利
用できるので、分極消去電圧の印加を最も簡単な方法で
行うことができる. ただし、この4きには表示パネル内の絵素間で分擾残留
時間にかなりの差が生じるので、分極残留時間の短縮に
よー)て得られるB−V特性の変化軽減効果は、第2の
実施例の#Jきよりもさらに低下する. 発明の効果 以上のように、本発明の薄fiELi示装置の駆動方法
によれば、各フィールドにおいて絵素に表示データ対応
電圧を印加した6もと、その表示データ対応電圧と逆極
性で、かつ、その電圧印加によって生じた分極を消去し
うるレベルの分極消去電圧を次のフf−ルドに移る前に
再び印加するようにしているので、分極の残留時間が短
くなるとともに、絵素の発光層に印加される電圧が小さ
くなり、その結果B − V特性の経時変化が少なくな
り表示品位が向上する.特に、B−V特性の特性曲線の
傾きが低輝度*#Qで緩やかになるため.R1g表示に
おいて低輝度発光を行一)た場きに、絵素間での輝度む
らが少なくなる.
第1図は本発明の駆動方法の概要を従来の駆動方法と比
較して示す波形図、第2l2lは本発明の騙勤方法を用
いた4きの薄膜EL素子でのB−V特性を従来の駆動方
法の場合と比較して示すグラフ、第3111は本発明の
実施例である駆動方法が適用されるrIi膜EL表示装
置の概略の構成を示すブロック図、第4図は本発明の第
1の実施例である駆動方法を示すタイミングチャート、
第5図は本発明の第2の実施例である駆動方法を示すタ
イミングチャート、第6図は本発明のi3の実施例であ
る駆動方法を示すタイミングチャート、第71Jは典型
的なrIIll!EL素子の一部を切欠いて示す斜視図
、第8図は一般的なr1l11EL代示装置の構成を概
略的に示すブロック図、第9 I2Il.i [来の駆
動方法を用いた場きの薄膜EL素子でのB−V特性を示
すグラフである.
較して示す波形図、第2l2lは本発明の騙勤方法を用
いた4きの薄膜EL素子でのB−V特性を従来の駆動方
法の場合と比較して示すグラフ、第3111は本発明の
実施例である駆動方法が適用されるrIi膜EL表示装
置の概略の構成を示すブロック図、第4図は本発明の第
1の実施例である駆動方法を示すタイミングチャート、
第5図は本発明の第2の実施例である駆動方法を示すタ
イミングチャート、第6図は本発明のi3の実施例であ
る駆動方法を示すタイミングチャート、第71Jは典型
的なrIIll!EL素子の一部を切欠いて示す斜視図
、第8図は一般的なr1l11EL代示装置の構成を概
略的に示すブロック図、第9 I2Il.i [来の駆
動方法を用いた場きの薄膜EL素子でのB−V特性を示
すグラフである.
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 互いに交差する方向に配列した複数の走査側電極と複数
のデータ側電極との間にEL層を介在させ、データ側電
極には表示データに応じてパルス幅あるいは振幅を変化
させた変調電圧を印加する一方、走査側電極には正極性
あるいは負極性の書込み電圧を線順次に印加することに
よって、走査側電極とデータ側電極が交差する絵素の部
分にフィールド毎に極性の反転する表示データ対応電圧
を印加し、階調表示を行う薄膜EL表示装置の駆動方法
において、 各フィールド毎に、表示データ対応電圧を絵素に印加し
たあと、その表示データ対応電圧と逆極性で、かつ、そ
の表示データ対応電圧によって生じた分極を消去するの
に充分なレベルの分極消去電圧を同じ絵素に印加するこ
とを特徴とする薄膜EL表示装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18771289A JPH0351884A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18771289A JPH0351884A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0351884A true JPH0351884A (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=16210853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18771289A Pending JPH0351884A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0351884A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63237388A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | シャープ株式会社 | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
| JPH01177077A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-13 | Sharp Corp | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP18771289A patent/JPH0351884A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63237388A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | シャープ株式会社 | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
| JPH01177077A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-13 | Sharp Corp | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
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