JPH0352265B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0352265B2 JPH0352265B2 JP57021590A JP2159082A JPH0352265B2 JP H0352265 B2 JPH0352265 B2 JP H0352265B2 JP 57021590 A JP57021590 A JP 57021590A JP 2159082 A JP2159082 A JP 2159082A JP H0352265 B2 JPH0352265 B2 JP H0352265B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- latent image
- photoconductor
- insulator
- electrostatic latent
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007787 long-term memory Effects 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Fax Reproducing Arrangements (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Combination Of More Than One Step In Electrophotography (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光導電体の静電潜像を電気信号として
読み出す方法に関するもので、この電気信号を処
理することによつて画像信号に変換しCRTに表
示したり、フアクシミリ等の伝送に用いたり、一
般のプリンターへの入力信号等に用いることに関
するものである。
読み出す方法に関するもので、この電気信号を処
理することによつて画像信号に変換しCRTに表
示したり、フアクシミリ等の伝送に用いたり、一
般のプリンターへの入力信号等に用いることに関
するものである。
従来の電子写真法は、潜像を可視化された顕像
を作る為に必ず現像・転写・定着等を経る必要が
あつた。又感光体を再使用する為にはクリーニン
グ手段も構成要件となる。
を作る為に必ず現像・転写・定着等を経る必要が
あつた。又感光体を再使用する為にはクリーニン
グ手段も構成要件となる。
そこで静電潜像を直接電気信号として読み出す
ことによつて装置的にも簡単であり、更に画像処
理も行うことが出来すぐれた再現性のよい情報を
提供する技術が、例えば特開昭54−31219号公報
に開示されている。この従来の方法を第1図にそ
つて説明する。図中1は露光光源、2は原稿、3
は光源用電源、4は光源点滅用スイツチ、5はレ
ンズ系、9,12は光透過性導電体、10はマイ
ラ等の絶縁物、11はSe,CdS等に代表される光
導電性物質で10,11により感光体を構成す
る。13は9〜12のものを一体とした光電変換
部を示す。
ことによつて装置的にも簡単であり、更に画像処
理も行うことが出来すぐれた再現性のよい情報を
提供する技術が、例えば特開昭54−31219号公報
に開示されている。この従来の方法を第1図にそ
つて説明する。図中1は露光光源、2は原稿、3
は光源用電源、4は光源点滅用スイツチ、5はレ
ンズ系、9,12は光透過性導電体、10はマイ
ラ等の絶縁物、11はSe,CdS等に代表される光
導電性物質で10,11により感光体を構成す
る。13は9〜12のものを一体とした光電変換
部を示す。
Vdは帯電用電源、S2は電源Vdを開閉するスイ
ツチ、S1は9,12間を短絡する為のスイツチ、
S3は潜像読出し用抵抗器R1のシヤントスイツチ、
16は画像信号増巾器、17はレーザー光のX−
Y軸スキヤナ、18はレーザ集光光源、19,2
0はX軸,Y軸同期信号増巾器を示す。
ツチ、S1は9,12間を短絡する為のスイツチ、
S3は潜像読出し用抵抗器R1のシヤントスイツチ、
16は画像信号増巾器、17はレーザー光のX−
Y軸スキヤナ、18はレーザ集光光源、19,2
0はX軸,Y軸同期信号増巾器を示す。
上記の構成に於て潜像読み出しプロセスを説明
する。まず読み出し抵抗R1をスイツチS3により
短絡した状態でスイツチS2をオンし光透過性導電
体(電極)9,12間に電源Vdによる電圧を印
加し、絶縁層10,光導電層11を充電する。こ
の状態をその充電に要する時間しばらく保つた後
S2をオフし、S1,S4をオンする。これにより露光
光源1を点灯し原稿2を照射する。従つて原稿の
反射光はレンズ系5を通し光電変換機構13に結
像され、原稿に応じた明暗の光情報が与えられ
る。即ち光像の暗部においては絶縁物層10に充
電された電荷エネルギーは光導電性層11にエネ
ルギー移転する。一方明部は光信号により光導電
性層11が抵抗になりかつS1のオンにより電極
9,12は短絡するので電極10,11間に充電
された静電エネルギーは失われる。この状態を露
光除電という。
する。まず読み出し抵抗R1をスイツチS3により
短絡した状態でスイツチS2をオンし光透過性導電
体(電極)9,12間に電源Vdによる電圧を印
加し、絶縁層10,光導電層11を充電する。こ
の状態をその充電に要する時間しばらく保つた後
S2をオフし、S1,S4をオンする。これにより露光
光源1を点灯し原稿2を照射する。従つて原稿の
反射光はレンズ系5を通し光電変換機構13に結
像され、原稿に応じた明暗の光情報が与えられ
る。即ち光像の暗部においては絶縁物層10に充
電された電荷エネルギーは光導電性層11にエネ
ルギー移転する。一方明部は光信号により光導電
性層11が抵抗になりかつS1のオンにより電極
9,12は短絡するので電極10,11間に充電
された静電エネルギーは失われる。この状態を露
光除電という。
次に上述のように作成された潜像を読出す方法
を説明する。スイツチS1をオンした状態でスイツ
チS3をオフし、レーザ光源18及びスキヤナ17
を作動させ読出し必要部を光走査する。レーザビ
ームが除電光として作用し、光導電層11にたく
わえられていた静電エネルギーが放電するため、
絶縁物層10と光導電層11との電位が異つてき
て、電極9,12間を通じ電流が流れる。この電
流の大きさは絶縁物層10に蓄えられた静電エネ
ルギーに相当する。従つて抵抗R1には電圧降下
分の画像信号が得られることになる。
を説明する。スイツチS1をオンした状態でスイツ
チS3をオフし、レーザ光源18及びスキヤナ17
を作動させ読出し必要部を光走査する。レーザビ
ームが除電光として作用し、光導電層11にたく
わえられていた静電エネルギーが放電するため、
絶縁物層10と光導電層11との電位が異つてき
て、電極9,12間を通じ電流が流れる。この電
流の大きさは絶縁物層10に蓄えられた静電エネ
ルギーに相当する。従つて抵抗R1には電圧降下
分の画像信号が得られることになる。
しかしこの方法によるとスイツチS1をオンして
いる間は静電エネルギーが時々刻々放電(露光除
電現象)しメモリー効果がなくなつてしまう。従
つて長時間メモリーの必要性のある場合は適さな
い。
いる間は静電エネルギーが時々刻々放電(露光除
電現象)しメモリー効果がなくなつてしまう。従
つて長時間メモリーの必要性のある場合は適さな
い。
本発明は、上記の欠点を除去して長時間メモリ
ーを保持することによつて、静電潜像が出来た後
任意の時間後に読出すことが出来るようにしたも
のである。特に光電変換機構13を改良すること
により行われたものである。
ーを保持することによつて、静電潜像が出来た後
任意の時間後に読出すことが出来るようにしたも
のである。特に光電変換機構13を改良すること
により行われたものである。
以下第2図により本発明の具体的例を説明す
る。透明導電体12の上に光導電体11が塗布さ
れており、両者12,11は一体となつている。
同様に絶縁体10の上に透明導電体9が塗布され
ており両者9,11は一体となつている。第2図
aの如く光導電体11の表面に絶縁体10を重
ね、S2をオンすることにより11の表面に電荷を
誘起させる。この時10と11はVdの静電力に
よつて物理的な接触から電気的な接触になり10
と11との空間はほとんどなくなつてしまう。
る。透明導電体12の上に光導電体11が塗布さ
れており、両者12,11は一体となつている。
同様に絶縁体10の上に透明導電体9が塗布され
ており両者9,11は一体となつている。第2図
aの如く光導電体11の表面に絶縁体10を重
ね、S2をオンすることにより11の表面に電荷を
誘起させる。この時10と11はVdの静電力に
よつて物理的な接触から電気的な接触になり10
と11との空間はほとんどなくなつてしまう。
次に第2図bの如くS2をオフしS1をオンすると
同時に光像21照射を行い、潜像を作る。
同時に光像21照射を行い、潜像を作る。
次にS1をオフした後絶縁体10と光導電体11
を引き離す。第2図cにある如く潜像にかかわる
電荷22は光導電体11と離れている為絶縁体1
0の表面にその電荷22に誘起された電荷23が
表われ、この保持力は非常に強く、実験によると
10日間通常の環境下で放置してもその減少は10%
であつた。又10と11の間隔はVdによつてそ
の最少値は異るがVdが100Vの場合は少なくとも
10μ以上が望しい。しかし間隔が大きければ大き
い程望ましい事は勿論である。
を引き離す。第2図cにある如く潜像にかかわる
電荷22は光導電体11と離れている為絶縁体1
0の表面にその電荷22に誘起された電荷23が
表われ、この保持力は非常に強く、実験によると
10日間通常の環境下で放置してもその減少は10%
であつた。又10と11の間隔はVdによつてそ
の最少値は異るがVdが100Vの場合は少なくとも
10μ以上が望しい。しかし間隔が大きければ大き
い程望ましい事は勿論である。
次に読み出しする場合は再び絶縁体10と光導
電体11を接触させ第2図dの如く電荷22によ
つて11の表面に電荷24が誘起される。充分に
24が誘起された後S1をオフし及びS3をオフし同
時にレーザ18から照射されたビームをスキヤナ
17を介して13の表面を走査し増巾器16を通
して潜像にそつた電気信号を取出すものである。
電体11を接触させ第2図dの如く電荷22によ
つて11の表面に電荷24が誘起される。充分に
24が誘起された後S1をオフし及びS3をオフし同
時にレーザ18から照射されたビームをスキヤナ
17を介して13の表面を走査し増巾器16を通
して潜像にそつた電気信号を取出すものである。
上記の実施例は導電体と電極9,12を両方と
も透明導電体として光像照射と読み出しであるレ
ーザ光を相対する面から照射しているが、透明導
電体を片方(12側)のみにして、この面からの
み光像照射及び読み出し光照射を行つてもよい。
も透明導電体として光像照射と読み出しであるレ
ーザ光を相対する面から照射しているが、透明導
電体を片方(12側)のみにして、この面からの
み光像照射及び読み出し光照射を行つてもよい。
又更に光像照射光源としては可視光のみに限ら
ず例えばX線のような電磁波でも一般に通用する
もので、X線の場合は透明導電体12をX線が充
分に透過出来るアルミニユームとしてこの面から
像露光し、9の面からレーザー走査して読み出す
ことも可能である。但しこの場合は光導電体11
の主材料としてはX線及びレーザー光に感度を持
つ必要があり例えば、Se系,CdS,PbO,CdSe,
アモルフアスSi等が望ましい。
ず例えばX線のような電磁波でも一般に通用する
もので、X線の場合は透明導電体12をX線が充
分に透過出来るアルミニユームとしてこの面から
像露光し、9の面からレーザー走査して読み出す
ことも可能である。但しこの場合は光導電体11
の主材料としてはX線及びレーザー光に感度を持
つ必要があり例えば、Se系,CdS,PbO,CdSe,
アモルフアスSi等が望ましい。
又更に本発明の実施例として光像露光と同時に
S1をオフして電極9と12を同電位にして静電潜
像を形成しているが、この時は9と12とを同電
位にする代りにVdと逆電界になるように9と1
2の間に印加電圧を加えてもよい。画像信号を読
出す時も同様にS1をオンして9と12とを同電位
にするだけではなく、Vdと電界を印加して読出
してもよいことは勿論である。
S1をオフして電極9と12を同電位にして静電潜
像を形成しているが、この時は9と12とを同電
位にする代りにVdと逆電界になるように9と1
2の間に印加電圧を加えてもよい。画像信号を読
出す時も同様にS1をオンして9と12とを同電位
にするだけではなく、Vdと電界を印加して読出
してもよいことは勿論である。
即ち本発明は静電潜像を形成する際及び画像信
号を読み出す時の9と12の両電極に付加する電
界は両電極を接続するだけではなくVdの電位差
よりも少ないか0か、逆電界であれば何れでもよ
い。
号を読み出す時の9と12の両電極に付加する電
界は両電極を接続するだけではなくVdの電位差
よりも少ないか0か、逆電界であれば何れでもよ
い。
以上のように本発明による潜像読出し方法は、
感光体11に接着している導電体12と、絶縁体
10に接着している導電体9とを潜像が形成され
る迄は接触させ、潜像が形成された後分離し、潜
像を読出す時には再び上記二つを接触させて電気
信号として読み出すもので、この為潜像のメモリ
ーが長時間保存出来、必要な時に応じて電気信号
に変換することが出来る。従つて光電変換機構1
3を装置の外部に持出すことも可能であり潜像形
成装置と潜像読出し装置を別々にそなえることに
よつて、それぞれがコンパクトになり又応用範囲
も広がるものである。
感光体11に接着している導電体12と、絶縁体
10に接着している導電体9とを潜像が形成され
る迄は接触させ、潜像が形成された後分離し、潜
像を読出す時には再び上記二つを接触させて電気
信号として読み出すもので、この為潜像のメモリ
ーが長時間保存出来、必要な時に応じて電気信号
に変換することが出来る。従つて光電変換機構1
3を装置の外部に持出すことも可能であり潜像形
成装置と潜像読出し装置を別々にそなえることに
よつて、それぞれがコンパクトになり又応用範囲
も広がるものである。
第1図は静電潜像読出し装置の略図、第2図
a,b,c,dは本発明の作用工程説明図。 9,12は光透過性導電体、10は絶縁体、1
1は光導電体。
a,b,c,dは本発明の作用工程説明図。 9,12は光透過性導電体、10は絶縁体、1
1は光導電体。
Claims (1)
- 1 絶縁体と該絶縁体の一面に設けた導電体と該
絶縁体の他の一面に設けた光導電体と該光導電体
の他の一面に設けた導電体とを有した光電変換機
構に電磁波輻射によつて形成された静電潜像に応
じて流れ出す電流を検出することにより静電潜像
を読出す方法に於いて、静電潜像が形成された後
絶縁体と光導電体とを分離し、潜像読出し時には
再び接触させて電気信号として読出すことを特徴
とした静電潜像読出し方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57021590A JPS58138170A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 静電潜像読出し方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57021590A JPS58138170A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 静電潜像読出し方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58138170A JPS58138170A (ja) | 1983-08-16 |
| JPH0352265B2 true JPH0352265B2 (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=12059247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57021590A Granted JPS58138170A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 静電潜像読出し方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58138170A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0229173A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Victor Co Of Japan Ltd | 静電潜像の記録再生方法 |
-
1982
- 1982-02-12 JP JP57021590A patent/JPS58138170A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58138170A (ja) | 1983-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3681527A (en) | Facsimile reading and recording device | |
| EP0002102B1 (en) | Xerographic printer/copier device with converter for converting information from a latent image of an original document into electrical signals | |
| GB2034249A (en) | Electrophotographic imaging | |
| US4620203A (en) | Electrostatic image forming apparatus using field effect transistors | |
| US4296478A (en) | Readout of electrostatically stored information | |
| US4757343A (en) | Electrostatic image output apparatus | |
| US4559564A (en) | Two-dimensional image reader | |
| US4527886A (en) | Electrophotographic recording apparatus having both functions of copying and printing | |
| JPH0352265B2 (ja) | ||
| US3645729A (en) | Method of transferring electrostatic latent images using multiple photoconductive layers | |
| EP0955569A3 (en) | Electrophotographic process and electrophotographic apparatus | |
| US4898797A (en) | Multiple xeroprinted copies from a single exposure using photosensitive film buffer element | |
| JPS6151823B2 (ja) | ||
| JPS5941346B2 (ja) | 2次元光電変換装置 | |
| RU1797089C (ru) | Способ получени потенциального изображени | |
| JPS6046712B2 (ja) | 情報処理装置 | |
| JP2705926B2 (ja) | 光背面記録装置 | |
| JPS6049377A (ja) | 画像処理装置 | |
| JPH02251877A (ja) | 静電潜像の転写装置 | |
| JPH04313778A (ja) | 光導電イメージセンサを利用した複写装置 | |
| JPS62168181A (ja) | 光信号変換装置 | |
| JPS6157959A (ja) | 電子写真式複写プリンタ装置 | |
| JPS62113184A (ja) | 合成画像形成装置 | |
| JPS5818656A (ja) | 電子写真装置 | |
| JPS6253816B2 (ja) |