JPH0352878B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は、印刷要素（画素すなわちドツト）の
矩形アレイで表現提示されるグラフイツク・パタ
ーンの重ね合せに係り、特にCRT表示装置、印
刷装置又は他の像もしくは文書表現提示装置に文
書を表現提示するのに使用されるグラフイツク・
パターンの重ね合せに関する。

［発明の背景］ ドツト・パターンの矩形アレイを使用する電子
計算機化プリンタ（例えば電子写真プリンタ）及
びデイスプレイ（例えばCRT表示装置）は、文
字グラフイツクに下線を重ね合せるのにラスタ・
パターンを手動で作り出す必要がある。なお、本
明細書では、文字に下線を引く場合、文字グラフ
イツクを上位（dominant又はsuperior）グラフ
イツクと指称し、下線を下位（recessive又は
inferior）グラフイツクと指称する。下位グラフ
イツクは上位グラフイツクから任意に選択された
距離離隔するが上位グラフイツクによつて輪郭が
決定される点において制限を受ける。

グラフイツクの重ね合せは、例えばビデオ回路
中で閉塞信号を作り出し、上位像を画像から除去
し重ね合される像を閉塞領域に配置することによ
つて行なうことができる。米国特許第3961133号
はこのような閉塞信号を示している。ラスタ・パ
ターンの各線はビデオ・スクリーン上のより大き
な像上に重ね合されるべき像のためのスペースを
作り出すために時間領域で測定された閉塞信号を
有する。このような装置は、一方の像によつて輪
郭が決定される像間の間隔を任意に選択できな
い。重ね合せを含む文字グラフイツクの発生は米
国特許第3984828号に示されている。この特許は
複数の数を作り出すのにバーすなわち矩形アレイ
を使用するが、重ね合されるグラフイツク間の間
隔を任意に選択できる輪郭付けを行なうことがで
きない。

米国特許第4317114号は、米国特許第3961133号
と同様に、一方の像を削除する事によつて他方の
像を一方の像に重ね合す為に禁止即ち否定機能を
使用するものである。この特許も、重ね合された
グラフイツクの見易く美しくする為に一方のグラ
フイツクと他方のグラフイツクとの間隔を選択す
るものではない。従つて、どんな種類（特に下
線、但しこれに限定されない）のグラフイツクで
あつても見易く美しい重ね合せグラフイツクを容
易に発生できる方法を提供するのが本発明の目的
である。本発明の他の目的は、グラフイツクの重
ね合せを能率的に行う方法を提供することであ
る。

［発明の概要］ 本発明は２つのグラフイツクを重ね合せるもの
であり、その際、重ね合せの優先順位に従い、重
ね合せ部分が表示されるものを上位グラフイツ
ク、重ね合せ部分で表示が一部消えるものを下位
グラフイツクという。いずれのグラフイツクも、
文字等の実際の像を表わす画素（前景画素；普通
は２進“１”）と、それ意外の背景を表わす画素
（背景画素；普通の２進“０”）とから成つてい
る。まず、所望のグラフイツク分離を実現するよ
うに、前景画素を示すデイジタル信号（これを閉
塞画素あるいはマスキング画素という）を上位グ
ラフイツク・アレイに付加することによつてデイ
ジタル信号アレイが生成される。このアレイ、す
なわち閉塞アレイは、上位グラフイツクの各前景
画素のまわりを所望の画素数だけあらゆる方向に
拡張したものであり、概念的には、各前景画素を
中心として所定半径の円を描くことに相当する。
閉塞アレイは下位グラフイツクをマスクするのに
用いられ（後述の実施例では、閉塞アレイと下位
グラフイツクの否定論理積がとられる）、その結
果、下位グラフイツクにおいて閉塞アレイと一致
する部分が背景（２進“０”）になつた分断アレ
イが生成される。次いで、この分断アレイと上位
グラフイツク・アレイとの論理和がとられ、それ
により２つのグラフイツク、すなわち上位グラフ
イツク及び下位グラフイツクが重ね合されたグラ
フイツク・パターンが生成される。

重ね合せを能率的に行なうために、上位グラフ
イツク・パターンの一部のみが重ね合せ処理に使
用される。下位グラフイツク・パターンが測定さ
れ、下位グラフイツク・パターンの寸法に離隔距
離を加えた値に等しい寸法のグラフイツク・パタ
ーンの一部が、中間ラスタ・パターンを作り出す
のに選択される。最終的に論理和をとることによ
り、上位グラフイツク・パターン全体が含まれる
ようになる。なお、グラフイツク重ね合せ結果に
多様性をもたせるために本発明の範囲内でアレイ
寸法選択を変化させることができる。

［実施例の説明］ 第１図には、適当な結合装置１４を介してプロ
グラムド・デイジタル計算機１３に結合される対
話式端末装置１０が示されている。対話式端末装
置１０はCRT表示スクリーン１１及び入力キー
ボード１２を有する。計算機１３は、該計算機１
３中の種々のプログラムが本発明を実施するため
に端末装置１０とどのように相互作用するかを示
す論理形式で示されている。計算機１３の電子回
路は汎用のプログラマブル・デイジタル計算機を
構成するのに通常使用される電子回路である。

計算機１３は対話式端末装置１０を動作させる
サポート・プログラム２０を有している。サポー
ト・プログラム２０は本発明に従つてグラフイツ
ク発生パターン・アレイを重ね合わすのに使用す
る入力を端末装置１０から受けける。計算機１３
は、ジヨブ入力装置（JES）２１が計算機１３内
の他のテキスト及びグラフイツク又は他のプログ
ラムとの関係で端末装置１０の動作時期を選択的
に決定できるようにマルチプログラム型とするこ
とが好ましい。テキスト及びグラフイツク処理プ
ログラム２２は端末装置１０の動作に直接関係づ
けることができ、種々の源からの全ての型のテキ
スト及びグラフイツクを処理することができる。
テキスト及びグラフイツク処理プログラム２２
は、例えば本発明に従つて発生されたグラフイツ
ク文字等を呼び出すことができる文書フオーマツ
ト化プログラムを含む。Ｉ／Ｏ及び出力書出しプ
ログラム２３は文書を電子的形態でDASD（直接
アクセス記憶装置すなわちデイスク・フアイル）
２５に記憶するだけでなく文書を電子的形態で出
力文書表現提示装置２６に供給するためにテキス
ト及びグラフイツク処理プログラム２２を結合す
るプログラムである。

表現提示装置２６は、植字機、あらゆる型のプ
リンタ、端末装置１０のための表示装置１１のよ
うな電子的デイスプレイ、磁気テープ、他の
DASD又は通信リンク（COMMO）とすること
ができる。ライブラリー・プログラム２４は、テ
キスト及びグラフイツク処理プログラム２２によ
つて使用されるためにDASD２５に記憶された電
子的フオント（文字グラフイツク発生パターンを
示す２進信号の組）をアクセスするプログラムで
ある。上述した対話式テキスト処理の全てをサポ
ートするために、グラフイツク機能プログラム３
０は、Ｉ／Ｏ及び出力書出プログラム２３の動作
時期を決定するために上述のような電子的フオン
ト（フオント発生パターン）を作り出しJES２１
を使用してDASD２５に挿入することを可能にす
る。電子的フオントは表現提示装置２６によつて
表現提示されるべきグラフイツクに相当する２進
デイジタル信号のラスタ・アレイから成るのが一
般的である。グラフイツク・ユーテイリテイー３
０内には、例えば作り出されたグラフイツクのか
どを丸めるグラフイツク平滑化プログラム３１、
グラフイツクを文書表現提示装置２６によつてあ
らゆる方位で表現提示できるようにラスタ・パタ
ーンを回転させる回転プログラム３２等の種々の
プログラムが存在する。スケーラ３３は表現提示
されるべき文字グラフイツク又は他のグラフイツ
クのポイント寸法（垂直高さ）ピツチ及び幅を調
整する。解像度プログラム３４はグラフイツク・
パターンの解像度を表現提示装置２６の解像度に
変更する。例えば、複数の文字グラフイツク・パ
ターンから成る電子フオントは、グラフイツク・
ユーテイリテイの制御の下に、１cm当り142個
（１インチ当り36個）の画素の解像度から１cm熱
り94個（１インチ当り240個）の画素の解像度に
変更できる。

本発明は、第２図に示された機械動作に従つて
動作する重ね合せプログラム３５によつてグラフ
イツク発生ユーテイリテイー３０中で実施され
る。グラフイツク・ユーテイリテイはDASD２５
からグラフイツク・パターンを取り出して重ね合
せプログラム３５に供給し、重ね合せプログラム
３５によつて新たに作り出されたグラフイツク発
生パターンをテキスト及びグラフイツク処理プロ
グラム２２が表現提示装置２６で使用するのに識
別できるようにDASD２５に記憶する。このよう
に、グラフイツク・ユーテイリテイ３０は広範囲
の種々の文字及び他のグラフイツク形式で文書を
表現提示するのを容易にするために前に作り出さ
れたグラフイツク・パターンに基いてグラフイツ
ク発生パターンを自動的に作り出す。

第２図に示された重ね合せ機械動作においてま
ずステツプ40で下位グラフイツク・パターンが拡
張される。このステツプにより、原下位グラフイ
ツク・パターンに背景画素信号が付加される。拡
張された下位グラフイツク・パターンは、ステツ
プ41において、上位グラフイツク・パターンの部
分的に重ね合されたグラフイツク・セグメントを
作り出すのに使用される上位グラフイツク・パタ
ーンのセグメントを識別するのに使用される。こ
のセグメント化により、重ね合せを行なうのに必
要な計算機処理能力を低減できる。すなわち、重
ね合せによる影響を受けないグラフイツク・パタ
ーンの部分は処理されない。ステツプ42におい
て、セグメント化された上位グラフイツク・パタ
ーンは、作業中のグラフイツク・パターン中の下
位グラフイツクと上位グラフイツクとの間の所要
の物理的間隔をセグメント化された上位グラフイ
ツクに加えたものに従つてマスクすなわち閉塞ア
レイを作り出すために本発明に従つて操作され
る。マスクは、分断されたグラフイツク・アレイ
を作り出すために下位グラフイツク・パターンと
否定論理積がとられる。分断されたグラフイツク
は、ステツプ43において上位グラフイツクと組合
される。“否定論理積”をとることによりマスク
画素表示信号と同じアレイ位置にある前景画素表
示信号が背景画素表示信号に切り換つて、マス
ク・パターンの背景画素表示信号と一致する下位
グラフイツク・パターンの前景画素表示信号のみ
が残る。ステツプ43の組合せステツプは２つのス
テツプに分かれる。まず、セグメント化された下
位グラフイツクは処理に使用される上位グラフイ
ツクのセグメントと組合される。この結果得られ
たグラフイツクは原上位グラフイツクのアレイに
挿入される。原グラフイツク・パターンは依然と
してDASD２５中に記憶されており、新たに作り
出されたグラフイツク・パターンは通常のデータ
記憶装置割振り方法を使用して特に割振られた
DASD２５中のデータ記憶スペースに記憶され
る。

第２図のステツプは、International Business
Machines Corporationから“APL Language”
という題名で発行されている刊行物GC26−3847
（フアイル番号S370−22（July、1978））に記載さ
れているようなAPL言語を使用してグラフイツ
ク重ね合せプログラム３５において実施されるの
が好ましい。APLはアレイを能率的に取扱うこ
とができる能力を有する。

第３図は、単一の上位前景画素５０のための閉
塞画素パターン・マスクを作り出す処理を示す。
文字グラフイツクを発生する画素アレイ内では、
グラフイツク内の各前景画素は下位グラフイツク
の前景画素を発生できない閉塞した同様な円５１
を有する。第３図は３つの画素からなる（TTC
＝３）上位グラフイツクと下位グラフイツクの間
の間隔に従つて拡張された閉塞アレイを示す。一
般的方法は、中心が各前景画素の位置にあり半径
がTTCの１つの円内の全ての画素位置に閉塞画
素が存在するように単一の上位画素５０のまわり
の前景画素アレイを拡張するために閉塞画素をは
じめに垂直方向に発生し次に水平方向に発生する
方法である。デイジタル信号アレイは、一定のス
ペースを置いて画素が所定位置に存在する画素ア
レイを示す。まず、矢印５２で示されるように、
単一の上位画素５０の上又は下の閉塞画素が縦座
標に沿つて付加される。次に、円５１の左半円部
中に閉塞画素が発生される。左側の両方向矢印５
３は拡張された画素アレイに７個の閉塞画素が付
加されることを示す。画素の１つは画素５０の横
座標上にある。３つの閉塞画素が横座標の上方に
位置し、３つの画素が横座標の下方に位置する。
次のステツプは、左側の矢印５４によつて示され
るように５つの閉塞画素を付加することである。
１つの閉塞画素が横座標上に位置し、それぞれ２
つの閉塞画素が横座標の上方と下方に位置する。
最後に、矢印５５で示されているように円５１に
沿う横座標位置に１つの閉塞画素が付加される。
円５１の右側の半円部も同様に発生される。

全てのグラフイツクを画素の円形アレイではな
く画素の矩形アレイとして自動的に処理するのが
好ましいので、第３図の閉塞アレイを矩形アレイ
の電気的表現で示すと第４図のようになる。単一
の前景上位画素５０は矩形アレイの中心に残つて
いる。Ｘは背景画素（２進の０）を示し、５９
は上位グラフイツク・パターンと下位グラフイツ
ク・パターンとの間にスペースを作り出すために
単一画素５０のまわりに付加された閉塞すなわち
マスキング画素を示す。

第５図は１つのラインに沿う２つの前景画素か
ら成る上位グラフイツク・パターン７０上に下位
グラフイツク・パターン（第５図Ｂ）を重ね合せ
るために第３図及び第４図に示された原理を使用
することを示す。簡単のために背景画素は図示し
ない。２つの画素７０のまわりの６９は第３図
の円５１に相当する。６９は画素７０のまわり
にTTC＝３の実効半径を有する。第５図Ａは閉
塞すなわちマスク・パターンを作り出すために
TTCだけ拡張された（円の外周上の画素を含ま
すように画素含有計算を丸めたすなわちグラフイ
ツク相互間のスペースを所与の値一定にされた）
上位グラフイツクを示す。パターンは、で示さ
れた複数の閉塞画素６９によつて取り囲まれたア
レイの中心に２つの前景画素７０を有する。アレ
イの右側の数字は、数字０で示された前景画素７
０のベース・ラインからの行の変位を示す。第５
図のＢの下位グラフイツクは９個の画素の厚さを
有する水平線の一部として示されている。第５図
Ａの閉塞パターンは、第５図Ｃの中間下位パター
ンを発生するために下位グラフイツク・パターン
（第５図Ｂ）と否定論理積がとられる。この結果、
下位グラフイツク・パターンから下位前景画素７
４（×で示されている）が削除され、下位グラフ
イツク・パターンの行＋１、＋２、＋３、＋４、−
１、−２、−３、−４中のドツト７７で示されるよ
うに下位前景画素が残る。マスキングが完了する
と、中間下位パターン及び上位グラフイツク・パ
ターンが第５図Ｄの新たなグラフイツク・パター
ンを作り出すために論理和がとられて組合され
る。第５図Ｄのパターンは、残つた下位グラフイ
ツク前景画素で囲まれた原前景上位画素７０を含
む。背景画素は理解を容易にするために図示され
ていない。第５図Ｄの新たなパターンは、上位グ
ラフイツク７０からすべての方向に３つの画素位
置離隔した下位グラフイツクを有する。離隔空間
は前景画素７０の形に従つて輪郭付けられてい
る。すなわち、両方向矢印７６によつて示される
領域は重ね合されるグラフイツク間に所要の画素
スペースを得るために削除される画素を含む。こ
のような輪郭について次に第６図及び第７図を参
照して説明する。

第６図には下線が引かれた文字“０”が示さ
れ、第７図にはスラツシユが入れられた文字
“０”が示されている。第６図において黒のドツ
トは前景画素を示す。背景画素は簡単のために示
されていない。第１の組の画素８０は文字“０”
を示し、画素８１は上位グラフイツク８０上に重
ね合されるべき下線すなわち下位グラフイツクを
示す。第６図は、上位グラフイツク・パターン
（文字“０”）と下位グラフイツク・パターン（下
線）との間に２画素分のスペースがあることを示
している。グラフイツク・パターン８０の内側の
２つの画素８２は下線８１の一部を示す。上位グ
ラフイツク“０”に従つた下線すなわち下位グラ
フイツクの輪郭を完成させる際に、重ね合された
グラフイツクが見やすく美しくなるように本発明
により上位グラフイツク内に画素８２が挿入され
る。Ｘ印で示した画素８３，８４及び８５を下位
グラフイツクに追加すると、上位グラフイツクと
下位グラフイツクの間のスペースを１画素分にす
ることができる。これらの画素８３，８４及び８
５は、第３図で説明したように、上位グラフイツ
クの関連する各前景画素を中心として半径が１
（TTC＝１）の円を描くことにより付加される。
半径を２（TTC＝２）にすると、これらの画素８
３，８４及び８５は表示されなくなる。なお、印
刷されるべき文字グラフイツク中の画素の数は実
際には第６図に示された密度より非常に高い密度
を有するので、グラフイツク８０及び８１の縁部
は非常に見やすく優良な品質を有するものであ
る。

下位グラフイツク８１が上位グラフイツク８０
に対して重ね合されるべきときには、上位グラフ
イツク８０全体を処理する必要はない。従つて、
第５図に示されたステツプの前に、下位グラフイ
ツク８１は両方向矢印８７で示されるように垂直
方向の大きさが測定される。グラフイツクの間の
所望のスペースを２画素すると、下位グラフイツ
ク８１の画素を削除するように作用する上位グラ
フイツクの画素は下位グラフイツクから所望のス
ペース離隔した画素である。従つて、両方向矢印
８８で画定される垂直方向の範囲内（下位グラフ
イツクの垂直方向の寸法に下位グラフイツクの垂
直方向の両境界に関する所望の間隔を加えたも
の）にある上位グラフイツク８０の部分は第５図
に示されているようにマスキング動作に使用され
る。第５図Ｄに示されているように新たなグラフ
イツクを完成させるとき、上位グラフイツク８０
の上記部分に下位グラフイツク８１を加えたもの
が上位グラフイツク８０の全矩形アレイに再挿入
される。新たなグラフイツクを発生させるために
下位グラフイツクの大きさに基いて上位グラフイ
ツクをセグメント化すると、処理時間及びデータ
記憶の必要が低減する。

第７図は“０”グラフイツク９０に重ね合わさ
れるスラツシユ線９１を示す（背景画素は図示さ
れていない）。左下かどにおいては、“０”グラフ
イツク９０が上位グラフイツクであり、右上かど
においてはスラツシユ線９１が上位グラフイツク
である。従つて、決果として生じる新たなグラフ
イツクにおいては、スラツシユ線９１が“０”グ
ラフイツク９０の制限を受け、参照番号９２で示
される位置において“０”グラフイツク９０から
１つの背景画素（図示せず）だけ離隔する。同様
に、上右かどにおいては、“０”グラフイツク９
０はスラツシユ線グラフイツク９１の制限を受け
且つ１つの画素スペース９３だけスラツシユ線グ
ラフイツク９１から離隔する。スペース９２はグ
ラフイツク９０の輪郭に従い、スペース９３はグ
ラフイツク９１の輪郭に従う。

アレイ拡張は第３図乃至第５図に教示されてい
ることに従つて行なわれる。グラフイツクは座標
軸９５及び９６によつて示されている４つの象限
に分割される。各象限に入る画素はそれぞれ独立
に取り扱われる。背景画素は図を見やすくするた
めに図示されていない。象限すなわちスペース
９３を含む右上の象限では、象限サブアレイの４
つのかどのすべてにおいて１つの画素位置拡張さ
れる。すなわち、当該象限の下位グラフイツク９
０が拡張され他の３つの象限，及びからの
下位グラフイツク９０の画素を象限に含まれる
ようになる。象限についての次に続く処理は前
述の処理手順に従う。象限すなわち右下の象限
においては、グラフイツク９０は上位グラフイツ
クであり、グラフイツク９１は前述の処理手順に
従う下位グラフイツクとして拡張される。同様
に、象限においは、グラフイツク９０は上位グ
ラフイツクであり、グラフイツク９１は下位グラ
フイツクである。象限において、グラフイツク
９０は上位グラフイツクである。従つて、第６図
に示されたセグメント化を使用し、これをグラフ
イツク・パターンの複数部分に適用すると、パタ
ーンのあらゆる数のセグメントは、各セグメント
が別個のグラフイツク・パターンであるかのよう
に拡張されて上位グラフイツク又は下位グラフイ
ツクになることができる。セグメントを再び組合
せて単一のグラフイツク・パターンを作るには、
個別的に処理されたセグメントの論理和をとれば
よい。

第８図は輪郭が分離した重ね合せグラフイツク
を電子計算機を使用して発生するためのフローチ
ヤートである。ステツプ100において、下位グラ
フイツクIGが第６図の８７、第７図の９５，９
６に示されるように測定される。ステツプ101に
おいて、ユーザが上位グラフイツクと重ね合せを
受ける下位グラフイツクと上位グラフイツクとの
間の画素位置に所要のスペースを入力することに
よつてステツプ100で測定された下位グラフイツ
クが拡張される（第６図の８８）。スペースは
TTCで示されている。ステツプ102において、拡
張された下位グラフイツクの寸法に等しい寸法を
有する上位グラフイツクSGの当該部分（以下、
セグメント“Ａ”と指称する）が選択される。ス
テツプ103において、上位グラフイツクのセグメ
ントＡは第４図に示されているように拡張され、
主記憶装置（図示せず）中の計算機レジスタ
TEMP３及びTEMP４に拡張アレイが記憶され
る。これらの２進信号アレイによつて示される全
ての画素が背景画素であるようにレジスタ
TEMP３及びTEMP４がゼロにセツトされる。
ステツプ105において、上位グラフイツクのセグ
メントＡは第３図及び第４図に示されるように拡
張され、ステツプ106において第４図の画素５９
のような閉塞画素を上位グラフイツクのセグメン
トＡにすでに存在する画素に付加することによつ
てマスクに変換される。ステツプ107において、
レジスタTEMP３及びTEMP４の内容によつて
示されるアレイ部分が削除される。第５図に示さ
れているように、多くの前景上位画素が上位グラ
フイツク画素５０に隣接した閉塞画素上だけでな
く上位グラフイツクの画素上に重ね合される。ス
テツプ108において、上述のようにして得られた
閉塞マスクが、付加された閉塞画素及び上位グラ
フイツクの原前景画素に一致した下位グラフイツ
ク部分を削除するために下位グラフイツクと否定
論理積がとられ、輪郭付けされた離隔スペースが
発生される。ステツプ109において、ステツプ108
で発生された下位グラフイツク分断パターンと上
位グラフイツクのセグメントＡとの論理和をとる
ことによつて新たなグラフイツクNGが発生され
る。そしてステツプ１１０において新たなグラフ
イツクNGが上位グラフイツクの残りの部分とと
もに記憶され、２つの原稿グラフイツクの複合グ
ラフイツクが得られる。原稿グラフイツクはそれ
ぞれのデータ記憶スペースに保存でき、新たなグ
ラフイツクはDASD２５の新たに割振られた領域
に記憶される。

第９図は第８図の機械実施処理を行なうのに使
用される処理要素を示す。データ記憶装置１２０
は領域１２１に上位グラフイツク・ラスタ・パタ
ーンを記憶し、領域１２２に下位グラフイツク・
ラスタ・パターンを記憶する。両ラスタ・パター
ンは、各パターンの上左かどに基準点０を有する
画素（２進“１”又は“０”）のアレイとして示
される同じ相対アドレス・スペースを有する。横
座標軸は位置Ｘへ向けて延びており縦断座標は位
置Ｙへ向けて延びている。下位グラフイツク・パ
ターン（前景画素）が測定され、ステツプ135に
おいてユーザによつて入力された所要の分離間隔
Ｊ（画素位置の数（整数））は領域１２２に記憶さ
れた下位グラフイツク・パターンの測定値に加算
され、アレイ１２２の垂直座標Ｏ乃至Ｙに沿う上
境界Ｍ及び下境界Ｎが得られる。各アレイ１２１
及び１２２によつて処理されるべきグラフイツ
ク・パターンの大きは、ステツプ125において、
水平座標のＯとＸの間であつて垂直座標のＭとＮ
の間と決められる。上位パターン・アレイ１２１
の部分Ｍ乃至Ｎに“Ｊ”を加えた境界（Ｍ＋Ｊ及
びＮ＋Ｊと示されている）は、アレイ・レジスタ
１２７に点１２６から読込まれる。ここおいて、
レジスタ１２７は重ね合せ機械処理に使用される
上位グラフイツク・パターンのセグメントを記憶
していることになる。ステツプ128及び129におい
て、垂直及び水平シフトのアレイ処理ステツプに
適合するように加算される。ステツプ136におい
て行なわれる処理は、主記憶装置データ記憶領域
１２８及び１２９を画定するためにユーザから入
力されたスペースＪに応答する制御である。結果
として得られる閉塞アレイ（すなわち第５図の
Ａ）とアレイ１２２からのＭとＮの間の下位グラ
フイツク・パターンとがステツプ140において否
定論理積がとられる。否定論理積がとられると、
（第４図に示されているように）拡張されたＡア
レイの閉塞画素に一致した下位グラフイツク・パ
ターンの前景画素が削除される。第５図Ｃの中間
下位グラフイツク・パターンに相当する分断アレ
イがレジスタTEMP２（主記憶装置１２０の一
部）に記憶される。このアレイは、パターン１４
８としてデイスプレイ１１上に表現提示される新
たなグラフイツク・パターンNGを作り出すため
にステツプ147において上位グラフイツク・アレ
イ１２１と論理的に組合わされる。新たなグラフ
イツク・パターンはDASD２５に供給するために
データ記憶装置又は主記憶装置１２０内に記憶す
ることもできる。

第１０図は、所要の輪郭付けされた離隔スペー
スTTCを得るように上位グラフイツク・パター
ンから閉塞アレイを作り出すためにステツプ136
の制御を具体的に実施するためのAPLフローチ
ヤートを示す。この制御には、データ転送及びア
レイ選択（アドレシング）のような他の制御から
入る。矢印１５０で示されたところからはじまる
上位グラフイツク拡張ステツプは、152，155，
157において次に続く繰返ループのために制御信
号をセツトアツプすることを含む。パラメータＺ
は垂直方向における閉塞画素の作成を制御する。
Ｚ＝１は閉塞画素が水平座標軸の上方に付加され
つつあることを示し、Ｚ＝０は閉塞画素が水平座
標軸の下方に付加されつつあることを示す。パラ
メータ“Ｘ”は横すなわち水平方向における閉塞
画素作成を制御する。Ｘ＝１は円５１の左半分が
処理されていることを示し、Ｘ＝０は円５１の右
半分が処理されていることを示す。内部計算機レ
ジスタＬ７（図示せず）において、パラメータ
がゼロにセツトされる。パラメータは単一画素
５０の水平方向の拡張において第３図に示されて
いるように、左及び右方向の横運動のための指示
子の計数値制御を行なうものである。内部レジス
タＬ９（図示せず）はゼロに等しいパラメータＫ
を有する。パラメータＫは第３図の矢印５２，５
３及び５４によつて示されているように垂直方向
に関する制御を行なう計算値である。数字１５
２，１５５及び１５７は画素拡張又は閉塞パター
ン発生処理におけるすべてのループのための戻り
点を示す。第１０図に示された処理が行なわれる
と、セグメントＡの全ての上位グラフイツク・ア
レイの処理が行なわれることになる。第３図を参
照するに、矢印５２が上位グラフイツク画素５０
に対する単一閉塞画素の付加を示すとき、上位グ
ラフイツク内のすべての画素は拡張された上位グ
ラフイツク又は閉塞アレイ内の同じ相対位置内に
付加される閉塞画素を有する。ステツプ151にお
いて、ゼロのアレイ（TEMP２）すなわち背景
画素を示す信号が作り出される。これはセグメン
トＡの大きさを有する。レジスタTEMP２は、
ステツプ158において、セグメントＡの前景画素
の上述の拡張によつて作り出された閉塞画素を累
積する。ステツプ158において閉塞画素が第３図
の上位グラフイツク画素５０の上方の最初の画素
位置に対応する上位グラフイツクのセグメントＡ
の各画素に付加される。Ｋの値はステツプ159に
おいて増加される。そして、ステツプ160におい
て、Ｋの値がステツプ154で作り出された値
TEMPと比較される。すなわち、所要の輪郭付
けされたスペースに等しい上位グラフイツク画素
５０の上方において垂直方向に付加された閉塞画
素の数を有する。Ｋの値がTEMPの値と一致し
ないと、上述の処理が次の垂直画素位置すなわち
例えば上位グラフイツク画素の上方の２つの画素
について繰返される。ステツプ158において、別
の閉塞画素が付加され、ステツプ160においてＫ
の値がTEMPの値を越えるまでループが繰返さ
れる。ここにおいて、セグメントＡの全てのグラ
フイツク画素（２進値の“１”）についての第３
図の上向きの矢印で示された処理が完了する。背
景画素については閉塞画素が付加されないことに
留意されたい。

ループ１５７乃至１６０から、APL重ね合せ
モジユール３５はステツプ161に進む。ステツプ
161において、下向き矢印５２に関する処理が完
了したか否かすなわちパラメータＺがゼロに等し
いか否かが判断される。処理が完了していなけれ
ば、前景画素５０の上方の閉塞画素のみが付加さ
れる。従つて、ステツプ162において、パラメー
タＺがゼロにセツトされ、接合点１５５に戻つて
上位前景画素５０の下方の閉塞画素を発生するた
めにステツプ157乃至160が繰返される。そして、
ステツプ161が再び実行されるが、この場合、Ｚ
はゼロに等しく、矢印５２によつて示されるすべ
ての閉塞画素がセグメントＡに付加されたことを
示す。ステツプ153において、画素５０を通る縦
座標上の画素位置はＩ及びＸの値によつて決定さ
れる。Ｉの値はステツプ163において１つ増加さ
れる。そして、ステツプ164において、Ｉの値が
TTCの値と比較される。Ｉは上位グラフイツク
画素５０と交差する垂直座標を示すためにゼロに
プリセツトされているので、TTCの値より大き
くない。従つて、ステツプ153において、現在の
画素位置が左へ１つの画素位置移動し、TEMP
の新たな値がステツプ154のように新たな座標位
置のために計算される。第３図の最も左の矢印５
３によつて示される閉塞画素を発生するためにス
テツプ155乃至162が繰返される。この処理は水平
パラメータＩがステツプ164において所要の輪郭
付けれたスペースTTCより大きくなるまで繰返
される。ステツプ166において、APLモジユール
３５は半円パラメータＸが（１５０でセツトされ
たように）１かどうかが検査される。Ｘが１なら
ば、円５１の左半分のみが閉塞画素を受取つたこ
とを意味する。そして、ステツプ167において、
半ループ較正ステツプがＩ＝０、Ｚ＝１及びＸ＝
０にする。152ではじまる上述のステツプは円５
１の右半分についても繰返される。次に、機械ス
テツプ166が実行され、Ｘ＝０によつて全ての閉
塞画素が対応する円５１内の上位グラフイツク画
素のために付加されたことが示される。これは、
下位グラフイツク・パターンをマスクすなわち閉
塞するために拡張された上位グラフイツクがその
中に完成されたことを意味する。APLアレイ処
理について知られているように、第１０図に示さ
れたステツプは全てのセグメントＡの前景画素に
ついて行なわれる。従つて、ステツプ168におい
て、APLモジユール３５はステツプ１０７に進
み、特別の領域を削除し、ステツプ108において
マスクと下位グラフイツク・パターンとの否定論
理積がとられる。

なお、図に示された全てのグラフイツク・パタ
ーンは、重ね合わされるべき１組のグラフイツ
ク・パターン間の分離スペースの輪郭付けを示す
のに使用されるパターンについて比較的粗い解像
度を有するが、高解像度のグラフイツク（１cm当
り94個（１インチ当り240個）以上）においては、
最初に上位グラフイツク・パターンをセグメント
化するのに下位グラフイツク・パターンを拡張
し、次にマスクすなわち閉塞アレイを発生するた
めにセグメント化されたグラフイツク・パターン
（又は完全な上位グラフイツク・パターン）を拡
張し、次に閉塞アレイと下位グラフイツク・パタ
ーンの否定論理積をとり、次に分断アレイを再び
組合せることにより、ユーザによつて選択された
間隔を有し上位グラフイツクに従つて輪郭付けさ
れた見やすく美しい一組の重ね合せグラフイツク
が得られる。選択的スペーシングの利点は、重ね
合されるべきグラフイツクの種類に応じて間隔を
選択できることである。例えば、文字グラフイツ
クスには、比較的ウエートの重い文字を有するフ
オントと比較的ウエートの軽い文字を有するフオ
ントが存在する。“重いウエート”及び“軽いウ
エート”とは文字を構成するライン又はストロー
クの幅に関することである。重いウエートの文字
の場合、より大きな間隔が好ましく、軽いウエー
トの文字の場合、見やすい文字を得るのは間隔が
かなり小さくできる。多くのフオントは、セリフ
や他の装飾グラフイツク形態を有する文字グラフ
イツクを有するがこのような場合も、上記処理に
よれば、分断すなわち切取られた下位グラフイツ
クの輪郭付けを上位グラフイツクの下位グラフイ
ツクの背景部分中に下位グラフイツクを有する上
位グラフイツクに従つて行なうことができる。上
述の輪郭付けは、上位グラフイツクの一般的輪郭
に自動的に追従するだけでなく、人間の介入又は
観察を必要とすることなく上位グラフイツクのデ
ザインの精巧さに合致したものにすることができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を使用したグラフイツク作成装
置を示す説明図、第２図は第１図のグラフイツク
作成装置中で行なわれる機械動作を簡単に示す流
れ線図、第３図は第１図に示された装置において
本発明を実施するために上位画素すなわちドツト
を拡張することを示す説明図、第４図は第１図に
示された装置において本発明を実施するために上
位グラフイツクの各画素からの矩形アレイ拡張を
示す説明図、第５図は２画素アレイをより大きな
下位グラフイツク・ラスタ・パターンに重ね合せ
る間に第１図に示された装置の一連の機械ステツ
プから得られる一連のドツトすなわち画素パター
ンを示す説明図、第６図及び第７図は第１図の装
置によつて重ね合された単一の上位グラフイツク
に２つの異なつた下位グラフイツクを重ね合せる
ことを示す説明図、第８図は本発明を実施するた
めに第１図の装置で行なわれる機械動作を示す流
れ線図、第９図は第８図に示された動作を実際に
行なうための機械動作を示す流れ線図、第１０図
は第９図に示された機械動作の機械実現ステツプ
のいくつかを示す流れ線図である。 １０……対話式端末装置、１３……デイジタル
計算機、２５……直接アクセス記憶装置、２６…
…出力文書表現提示装置、５０……上位前景画
素、５９，６９……マスキング画素、７０……上
位前景画素、７４，７７……下位前景画素、８０
……上位グラフイツク、８１……下位グラフイツ
ク、１２０……データ記憶装置。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ グラフイツク・パターンを記憶するデータ記
   憶装置を含むデイジタル計算機と対話式端末とを
   用いて第１、第２のグラフイツク・パターンの一
   方を他方の上に重ね合せる、グラフイツク・パタ
   ーン重ね合せ方法に於て、 前記第１グラフイツク・パターンと第２グラフ
   イツク・パターンのいずれか一方を上位グラフイ
   ツク・パターン、他方を下位グラフイツク・パタ
   ーンとして選定するステツプと、 前記下位グラフイツク・パターンの大きさを求
   めるステツプと、 前記下位グラフイツク・パターンに前記上位グ
   ラフイツク・パターンが重なる領域に於て、前記
   両グラフイツク・パターンの間隔を、対話入力に
   よつて与えられた任意の画素数に基づいて設定す
   るステツプと、 前記上位グラフイツク・パターンの前景画素の
   まわりに前記間隔分の閉塞領域を作成するステツ
   プと、 前記閉塞領域と前記下位グラフイツク・パター
   ンとの否定論理積をとることにより該下位グラフ
   イツク・パターンの分断アレイを作成するステツ
   プと、 前記上位グラフイツク・パターンと前記分断ア
   レイとの論理和をとり、前記上位グラフイツク・
   パターンが下位グラフイツク・パターンに重なつ
   た新たなグラフイツク・パターンを生成するステ
   ツプ、 とを有するグラフイツク・パターン重ね合せ方
   法。