JPH0353184A - 距離測定装置 - Google Patents
距離測定装置Info
- Publication number
- JPH0353184A JPH0353184A JP1188615A JP18861589A JPH0353184A JP H0353184 A JPH0353184 A JP H0353184A JP 1188615 A JP1188615 A JP 1188615A JP 18861589 A JP18861589 A JP 18861589A JP H0353184 A JPH0353184 A JP H0353184A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- apd
- capacitor
- capacitors
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明ぱレーザ光線を利用した距離測定装置．！！ｌ
！！にその受信用ＡＰＤ （ Ａｖａｌａｎｃｈｅ Ｐ
ｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ ）のバイアス印加方法の改良に
関するものである。
！！にその受信用ＡＰＤ （ Ａｖａｌａｎｃｈｅ Ｐ
ｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ ）のバイアス印加方法の改良に
関するものである。
第１０図は従来の光検出部を備えた距離測定装置を示す
構成図であう，図中（１）はレーザ発振器．＋２１は送
信光学系．（３）は受信光学系．Ｃ４）は例えばＰＤ
（ Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ ）等を使用しｆｌ− 光
検出ａ， （５ｒＦｉＡＰＤで構成された光検出部．
／６１Ｆｉ高圧回路，１７）は計数回路．Ｃ８）は電源
である。
構成図であう，図中（１）はレーザ発振器．＋２１は送
信光学系．（３）は受信光学系．Ｃ４）は例えばＰＤ
（ Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ ）等を使用しｆｌ− 光
検出ａ， （５ｒＦｉＡＰＤで構成された光検出部．
／６１Ｆｉ高圧回路，１７）は計数回路．Ｃ８）は電源
である。
この距離測定装置にｂいてはレーザ発振器（１》から発
射されたパルス状のレーザ光線は送信光学系《２》によ
ってビーム拡がｂを調節されて目標に向って照射される
と同時にレーザ光線の一部が光検出器（４）に入力され
て．レーザ光線を発射したタイミングを示すパルス状の
電気信号（以後この信号のことをスタートパルス信号−
と呼ぶ）に変換される。
射されたパルス状のレーザ光線は送信光学系《２》によ
ってビーム拡がｂを調節されて目標に向って照射される
と同時にレーザ光線の一部が光検出器（４）に入力され
て．レーザ光線を発射したタイミングを示すパルス状の
電気信号（以後この信号のことをスタートパルス信号−
と呼ぶ）に変換される。
目標より反射されたレーザ光線は受信光学系＋３１によ
って集光され．光検出部＋５１によってレーザ光線が目
標に当って戻ってきた時刻を示すパルス状の電気信号（
以後この信号のことをストップパルス信号と呼ぶ）Ｋ変
換される。高圧回路（８１は上記党検出部（５１ＡＰＤ
に高電圧を印加して適正なバイアス状態を作シ出し．か
つ．レーザ発振器＋１）にレーザ光線生成用の高圧電流
を供給するためのものであり．！た，電源｛８｝は上記
高圧回路（６｝，光検出器（４），光検出部（５）．計
数回路（７）等の電子回路に電気エネルギーを供給する
ものである。
って集光され．光検出部＋５１によってレーザ光線が目
標に当って戻ってきた時刻を示すパルス状の電気信号（
以後この信号のことをストップパルス信号と呼ぶ）Ｋ変
換される。高圧回路（８１は上記党検出部（５１ＡＰＤ
に高電圧を印加して適正なバイアス状態を作シ出し．か
つ．レーザ発振器＋１）にレーザ光線生成用の高圧電流
を供給するためのものであり．！た，電源｛８｝は上記
高圧回路（６｝，光検出器（４），光検出部（５）．計
数回路（７）等の電子回路に電気エネルギーを供給する
ものである。
このようにレーデ発振ａ（ｒ），送信光学系Ｃ２》．受
信光学系（３），光検出器Ｃ４】．光検出部（５）．高
圧回路（６）及び電源（８）によう距離測定用のレーザ
光線を発生させ，かつ．レーザ光線を発射した時刻を示
すスタートパルス信号．ストップパルス信号により（１
》式の演算を行うことにより目標までの距離Ｒを求める
ことができる。
信光学系（３），光検出器Ｃ４】．光検出部（５）．高
圧回路（６）及び電源（８）によう距離測定用のレーザ
光線を発生させ，かつ．レーザ光線を発射した時刻を示
すスタートパルス信号．ストップパルス信号により（１
》式の演算を行うことにより目標までの距離Ｒを求める
ことができる。
ＣＴ
Ｒ＝−
２
・・・・・・・・・・・・｛１｝
Ｒ：目標１での距離（ＦＦ！）
Ｃ：光速（３ Ｘ １ Ｇ” ｍ／ｓｅｃ ）Ｔ：スタ
ートパルス信号とストップ パルス信号との時間間隔（ ｓｅｅ ）尚，目標より反
射されたレーザ光線は微弱であるため．これを受けてス
トップパルス信号を生成する光検出部（５》は一般には
光増倍機能を持ったＡＰＤを使用し，ＡＰＤがプレーク
タウン現象を起こす直前のバイアス電圧をＡＰＤに印加
することによってＡＰＤ機能が最大限に活かさるように
工夫されている。第１）図はこの光検出部（５）の回路
構成を示す図である。図中で９》は電流制限用抵抗，
ａＩ１ａＪ）はそれぞれ第１０第２のコンデンサ， ａ
ｚａｓＦｉそれぞれ第１０第２のＦＥＴ，α４はダイオ
ード．α３ぱＡＰＤ， （＋１は増幅器．ｌｌＩｔ＋は
ブレークダウン検出回路であり電流制限用抵抗（９）と
上記ブレークダウン検出回路（７）はそれぞれ高圧回路
（６）．計数回路《７１に接続されている。この検出部
（５）においてはＡＰＤαジは目標よシ反射されたレー
ザ光線をパルス状の電気信号に変換する役目を．１た．
増幅器ａｓはこのパルス状の電気信号を増幅してストッ
プパルス信号を生成すると共に上記ＡＰＤｕがブレーク
ダウン現象を起こした時に発生するマイクロノイズを適
正な値に増幅する役目をする。ブレークダウン検出回路
●力は上記マイクロノイズ．ストップパＡ／ス信号のう
ちストップパルス信号だけを計数回路（７１に送ｂ込む
役目をするとともにレーザ発射指令信号及び上記増幅さ
れたマイクロノイズによってＡＰＤＬｉをバイアス制御
するためのタイミング信号を発生する。このタイミング
信号によって第１０第２のＦＥＴａ３， ＠３は通常は
オンにレーザを発射する直前はオフに．そして上記ＡＰ
Ｄ ａ３がブレークダウン現象を起こした時には再びオ
ンになるような動作をし．オン動作の時にはそれぞれ電
流制限用抵抗（９）と第２のコンデンサａｌｌを電気的
に接地する。ここで上記第１０第２のコンデンサａ●．
ａＯはコンデンサの容量値が１：（ｋ−１）の比率（但
しｋ＃ｉ比例定数）に設定されてかりかつ上記電流制限
用抵抗（９１ ｆ！：介して高圧回路ｆ６１の高電圧が
印加されるようになっているので．接地されていた電流
制限用抵抗｛９１がレーザを発射する直前には接地解除
されて，上記第１０第２のコンデンサａ１，（ＩＤに（
ｋ−１）：１の比率で充電がされて上記＾ＰＤａＳにバ
イアス電圧が印加されていく。第１０第２のコンデンサ
αＯａＤへの充電が進みバイアス電圧が高くなっていく
とＡＰＤ（１９の感度が増加し． 最高の感度を発揮す
るバイアス電圧（以後このバイアス電圧のことを最適バ
イアス電圧と呼ぶ）よう少し高めの電圧に達するとＡＰ
Ｄａ５がブレークダウン現象を起こしマイクロノイズを
発生する。そうすると．このマイクロノイズがブレーク
ダウン検出回路ａｎで検出され，この回路の出力である
タイミング信号によって上記電流制限用抵抗｛９》及び
第２のコンデンサａＤが接地されるので，ＡＰＤ ａ
９に加わる電圧はｌ／ｋ倍だけ降下するが， この降下
電圧の比率がブレークダウン現象を生じるバイアス電圧
（以後この電圧のことをブレークダウン電圧と呼ぶ）と
最適バイアス電圧との差の比率になるように定数ｋの値
を選んで》けば， ＡＰＤ ａ＃のバイアス電圧はほ
ぼ最適な値に設定されることになる。ｆｋｂ，ダイオー
ドα４は上記電流制限用抵抗（９）が接地される際に第
１のコンデンサａｔｒから電流が流れ出してＡＰＤバイ
アス電圧が低下するのを防止する役目をしている。
ートパルス信号とストップ パルス信号との時間間隔（ ｓｅｅ ）尚，目標より反
射されたレーザ光線は微弱であるため．これを受けてス
トップパルス信号を生成する光検出部（５》は一般には
光増倍機能を持ったＡＰＤを使用し，ＡＰＤがプレーク
タウン現象を起こす直前のバイアス電圧をＡＰＤに印加
することによってＡＰＤ機能が最大限に活かさるように
工夫されている。第１）図はこの光検出部（５）の回路
構成を示す図である。図中で９》は電流制限用抵抗，
ａＩ１ａＪ）はそれぞれ第１０第２のコンデンサ， ａ
ｚａｓＦｉそれぞれ第１０第２のＦＥＴ，α４はダイオ
ード．α３ぱＡＰＤ， （＋１は増幅器．ｌｌＩｔ＋は
ブレークダウン検出回路であり電流制限用抵抗（９）と
上記ブレークダウン検出回路（７）はそれぞれ高圧回路
（６）．計数回路《７１に接続されている。この検出部
（５）においてはＡＰＤαジは目標よシ反射されたレー
ザ光線をパルス状の電気信号に変換する役目を．１た．
増幅器ａｓはこのパルス状の電気信号を増幅してストッ
プパルス信号を生成すると共に上記ＡＰＤｕがブレーク
ダウン現象を起こした時に発生するマイクロノイズを適
正な値に増幅する役目をする。ブレークダウン検出回路
●力は上記マイクロノイズ．ストップパＡ／ス信号のう
ちストップパルス信号だけを計数回路（７１に送ｂ込む
役目をするとともにレーザ発射指令信号及び上記増幅さ
れたマイクロノイズによってＡＰＤＬｉをバイアス制御
するためのタイミング信号を発生する。このタイミング
信号によって第１０第２のＦＥＴａ３， ＠３は通常は
オンにレーザを発射する直前はオフに．そして上記ＡＰ
Ｄ ａ３がブレークダウン現象を起こした時には再びオ
ンになるような動作をし．オン動作の時にはそれぞれ電
流制限用抵抗（９）と第２のコンデンサａｌｌを電気的
に接地する。ここで上記第１０第２のコンデンサａ●．
ａＯはコンデンサの容量値が１：（ｋ−１）の比率（但
しｋ＃ｉ比例定数）に設定されてかりかつ上記電流制限
用抵抗（９１ ｆ！：介して高圧回路ｆ６１の高電圧が
印加されるようになっているので．接地されていた電流
制限用抵抗｛９１がレーザを発射する直前には接地解除
されて，上記第１０第２のコンデンサａ１，（ＩＤに（
ｋ−１）：１の比率で充電がされて上記＾ＰＤａＳにバ
イアス電圧が印加されていく。第１０第２のコンデンサ
αＯａＤへの充電が進みバイアス電圧が高くなっていく
とＡＰＤ（１９の感度が増加し． 最高の感度を発揮す
るバイアス電圧（以後このバイアス電圧のことを最適バ
イアス電圧と呼ぶ）よう少し高めの電圧に達するとＡＰ
Ｄａ５がブレークダウン現象を起こしマイクロノイズを
発生する。そうすると．このマイクロノイズがブレーク
ダウン検出回路ａｎで検出され，この回路の出力である
タイミング信号によって上記電流制限用抵抗｛９》及び
第２のコンデンサａＤが接地されるので，ＡＰＤ ａ
９に加わる電圧はｌ／ｋ倍だけ降下するが， この降下
電圧の比率がブレークダウン現象を生じるバイアス電圧
（以後この電圧のことをブレークダウン電圧と呼ぶ）と
最適バイアス電圧との差の比率になるように定数ｋの値
を選んで》けば， ＡＰＤ ａ＃のバイアス電圧はほ
ぼ最適な値に設定されることになる。ｆｋｂ，ダイオー
ドα４は上記電流制限用抵抗（９）が接地される際に第
１のコンデンサａｔｒから電流が流れ出してＡＰＤバイ
アス電圧が低下するのを防止する役目をしている。
このように光検出部《５｝はＡＰＤ自身が発生するマイ
クロノイズを利用してブレークダウン電圧を検出し．さ
らに．この値から一定の比藁でバイアス電圧を降下させ
ることによってほぼ最適バイアス電圧に等しい値にバイ
アス電圧を設定するので．ＡＰＤ ａ！ｉはほぼ最適の
感度状態で動作することができる， 〔発明が解決しようとする課題〕 上記のような光検出部ではＡＰＤ バイアス電圧をブレ
ークダウン電圧から一定の比率で電圧を降下させること
によって最適バイアス電圧を設定するようにしているが
．ブレークダウン電圧に対するブレークダウン電圧と最
適バイアス電圧との電圧差との比率（以後この比率のこ
と′ｆ：Ｉ＆適降下電圧比率と呼ぶ）は温度によって変
化するのでこのような一定の比率で電圧を降下させる方
法ではＡＰＤパイアヌ電圧の設定が周囲の堪度に十分対
応した状態で行われないことがあり．そのためにＡＰＤ
感度が十分に引き出せないという問題点があった。
クロノイズを利用してブレークダウン電圧を検出し．さ
らに．この値から一定の比藁でバイアス電圧を降下させ
ることによってほぼ最適バイアス電圧に等しい値にバイ
アス電圧を設定するので．ＡＰＤ ａ！ｉはほぼ最適の
感度状態で動作することができる， 〔発明が解決しようとする課題〕 上記のような光検出部ではＡＰＤ バイアス電圧をブレ
ークダウン電圧から一定の比率で電圧を降下させること
によって最適バイアス電圧を設定するようにしているが
．ブレークダウン電圧に対するブレークダウン電圧と最
適バイアス電圧との電圧差との比率（以後この比率のこ
と′ｆ：Ｉ＆適降下電圧比率と呼ぶ）は温度によって変
化するのでこのような一定の比率で電圧を降下させる方
法ではＡＰＤパイアヌ電圧の設定が周囲の堪度に十分対
応した状態で行われないことがあり．そのためにＡＰＤ
感度が十分に引き出せないという問題点があった。
この発明は上記問題点を解決するもので，ＡＰＤバイア
ス電圧をブレークダウン電圧から降下させる電圧の比率
を周囲の温度に応じて変わるようにし．周囲の温度に左
右されることなくいつもＡＰＤの感度を十分に引き出せ
るようにして，測距能力が温度によって左右されるのを
防止することを目的とする。
ス電圧をブレークダウン電圧から降下させる電圧の比率
を周囲の温度に応じて変わるようにし．周囲の温度に左
右されることなくいつもＡＰＤの感度を十分に引き出せ
るようにして，測距能力が温度によって左右されるのを
防止することを目的とする。
この発明は従来の光検出部の充電用コンデンサに周囲温
度に応じて容量値が変化するコンデンサを使用し．周囲
の温度に応じて上記コンデンサの元電電圧を分圧させる
ようにしてかき．上記ＡＰＤカ７’レークダウン現象を
起こした時にこの分圧電圧が上記ＡＰＤに加わるように
してＡＰＤ バイアス電圧のブレークダウン電圧から
降下される電圧の比率を周囲の温度に応じて変わるよう
にしたものである。
度に応じて容量値が変化するコンデンサを使用し．周囲
の温度に応じて上記コンデンサの元電電圧を分圧させる
ようにしてかき．上記ＡＰＤカ７’レークダウン現象を
起こした時にこの分圧電圧が上記ＡＰＤに加わるように
してＡＰＤ バイアス電圧のブレークダウン電圧から
降下される電圧の比率を周囲の温度に応じて変わるよう
にしたものである。
この発明においては温度によって容量値が変化するコン
デンサ．スイッチの役目をするＦＥＴ 等によってＡＰ
Ｄバイアス電圧のブレークダウン電圧から降下させる電
圧の比宅が周囲の湛度に応じて変わるようにしてあるの
でＡＰＤが周囲の温度に関係ｆｋ＜いつも最適の動作を
し．測距能力も温度の影響を受けないようにすることが
できる。
デンサ．スイッチの役目をするＦＥＴ 等によってＡＰ
Ｄバイアス電圧のブレークダウン電圧から降下させる電
圧の比宅が周囲の湛度に応じて変わるようにしてあるの
でＡＰＤが周囲の温度に関係ｆｋ＜いつも最適の動作を
し．測距能力も温度の影響を受けないようにすることが
できる。
第１図はこの発明の一実施例を示す構或図であり， Ｆ
＋）．ａれ０〜ａカは従来と同一のもの６８α＄はそれ
ぞれ温度容量変化特性が正，Ｏのコンデンサである。
＋）．ａれ０〜ａカは従来と同一のもの６８α＄はそれ
ぞれ温度容量変化特性が正，Ｏのコンデンサである。
このような構或にかいて温度容量変化特性が正のコンデ
ンサ＋１）１が周囲の温度に比例して容量値が増加する
以外は従来の光検出部と同様の動作をし．レーザ測距を
する直前からＡＰＤＣ１９にバイアス電圧が加わｂ始め
．バイアス電圧が高くなってＡＰＤα９がブレークダウ
ン現象を起こすと．ブレークダウン検出回路卸のタイミ
ング信号及び上記第２０ＦＥＴＱ３及びダイオードα◆
によって上記温度容量変化特性がそれぞれ正．０のコン
デンサα砂．舖への充電をストップさせＡＰＤバイアス
電圧がブレークダウン電圧以上にならないようにする。
ンサ＋１）１が周囲の温度に比例して容量値が増加する
以外は従来の光検出部と同様の動作をし．レーザ測距を
する直前からＡＰＤＣ１９にバイアス電圧が加わｂ始め
．バイアス電圧が高くなってＡＰＤα９がブレークダウ
ン現象を起こすと．ブレークダウン検出回路卸のタイミ
ング信号及び上記第２０ＦＥＴＱ３及びダイオードα◆
によって上記温度容量変化特性がそれぞれ正．０のコン
デンサα砂．舖への充電をストップさせＡＰＤバイアス
電圧がブレークダウン電圧以上にならないようにする。
ここで最適降下電圧比率と温度との関係は実験等で相関
関係があることがわかっておｂ，低温になるほど最適降
下電圧の比率は大きくなる。第５図はこの様子を示した
ものであｂ，温度Ｔに対して右下りの負の傾斜を持った
特性を示している。
関係があることがわかっておｂ，低温になるほど最適降
下電圧の比率は大きくなる。第５図はこの様子を示した
ものであｂ，温度Ｔに対して右下りの負の傾斜を持った
特性を示している。
そこで電圧降下の比率を第５図の特性と一致させて．上
記ブレークダウン電圧から電圧を降下させるようにバイ
アス制御することにより周囲の温度に適合した最適のバ
イアス設定を行うことができる。温度容量変化特性がそ
れぞれ正．Ｏのコンデンサα―．ａ９及び第１のＦＥＴ
（Ｉ３はこのための電圧降下動作を行うためのものであ
り．このうち上記コンデンサαａ．αタは特に温度容量
変化特性が正のコンデンサａ９が温度に比例して容量値
が増える特性を利用して充電電圧を周囲の温度に応じて
分圧させるものであり．上記コンデンサａｓ ａｓの容
量値をそれぞれＣ１（Ｔ）． Ｃ２ （但しＴは周囲
の温度）とすると温度容量変化特性が正のコンデンサ特
にかかる電圧と温度容量変化特性がＯのコンデンサａＳ
にかかる電圧との比率はＣ２ ： ＣＩ （Ｔ） であ
る。
記ブレークダウン電圧から電圧を降下させるようにバイ
アス制御することにより周囲の温度に適合した最適のバ
イアス設定を行うことができる。温度容量変化特性がそ
れぞれ正．Ｏのコンデンサα―．ａ９及び第１のＦＥＴ
（Ｉ３はこのための電圧降下動作を行うためのものであ
り．このうち上記コンデンサαａ．αタは特に温度容量
変化特性が正のコンデンサａ９が温度に比例して容量値
が増える特性を利用して充電電圧を周囲の温度に応じて
分圧させるものであり．上記コンデンサａｓ ａｓの容
量値をそれぞれＣ１（Ｔ）． Ｃ２ （但しＴは周囲
の温度）とすると温度容量変化特性が正のコンデンサ特
にかかる電圧と温度容量変化特性がＯのコンデンサａＳ
にかかる電圧との比率はＣ２ ： ＣＩ （Ｔ） であ
る。
従って温度容量変化特性が００コンデンサａｓをスイッ
チの役目をするＦＥＴ等で接地してやれば充電電圧は上
記温度特性が正のコンデンサα６にかかつている電圧分
だけ降下するが．その降下する比率２は（２）式に示す
ように温度が低いほど大きな値をとる。
チの役目をするＦＥＴ等で接地してやれば充電電圧は上
記温度特性が正のコンデンサα６にかかつている電圧分
だけ降下するが．その降下する比率２は（２）式に示す
ように温度が低いほど大きな値をとる。
Ｃ２
２＝ ・・・・
・・・・・・・・・−（４２１ＣＩ（Ｔ）＋０２ ただしＴＩ＜Ｔ２のときＣ１（Ｔ１）＜０１（Ｔ２）上
記第１のＦＥｌｌ３はこの電圧降下を起こさせるための
もので．スイッチ動作をするＦＥＴ の出力側が上記温
度容量変化特性が正のコンデンサーに．１た制御動作を
するＦＥＴの入力側がブレークダウン検出回路ａｎの出
力端に接続されている。
・・・・・・・・・−（４２１ＣＩ（Ｔ）＋０２ ただしＴＩ＜Ｔ２のときＣ１（Ｔ１）＜０１（Ｔ２）上
記第１のＦＥｌｌ３はこの電圧降下を起こさせるための
もので．スイッチ動作をするＦＥＴ の出力側が上記温
度容量変化特性が正のコンデンサーに．１た制御動作を
するＦＥＴの入力側がブレークダウン検出回路ａｎの出
力端に接続されている。
従って上記ｈＰＤａ５がブレークダウン現象を起こす１
での間は上記ブレークダウン検出回路ａ力の出力がロジ
ックレベルＬＯＷとなりこのタイミング信号によって上
記コンデンサ（ＩＩ， ａ９に蓄積されている充電電圧
が直にＡＰＤｆｉ！９に加わるが，ＡＰＤａ５がブレー
クダウン現象を起こした後には上記タイミング信号がｌ
ｉｇｈとなう，この信号によって第１のＦＥＴｅａがオ
ンされ．その結果，上記温度容量変化特性が正のコンデ
ンサａＳが接地されて（２１式に示す比率２だけ電圧降
下した充電電圧がＡＰＤ ｕに加わる。
での間は上記ブレークダウン検出回路ａ力の出力がロジ
ックレベルＬＯＷとなりこのタイミング信号によって上
記コンデンサ（ＩＩ， ａ９に蓄積されている充電電圧
が直にＡＰＤｆｉ！９に加わるが，ＡＰＤａ５がブレー
クダウン現象を起こした後には上記タイミング信号がｌ
ｉｇｈとなう，この信号によって第１のＦＥＴｅａがオ
ンされ．その結果，上記温度容量変化特性が正のコンデ
ンサａＳが接地されて（２１式に示す比率２だけ電圧降
下した充電電圧がＡＰＤ ｕに加わる。
そこで上記電圧降下比率ｚを第５図の特性と一致するよ
うに温度容量変化特性がそれぞれ正，０のコンデンサα
Ｉ１， Ｑ９の容量値及び温度容量変化系数を選んでや
ればＡＰＤバイアス電圧をブレークダウン電圧から降下
させる電圧の比宅を最適降下電圧比率と合わせられるの
で周囲の温度に応じてＡＰＤバイアス電圧をほぼ理想的
な状態で設定することができる。
うに温度容量変化特性がそれぞれ正，０のコンデンサα
Ｉ１， Ｑ９の容量値及び温度容量変化系数を選んでや
ればＡＰＤバイアス電圧をブレークダウン電圧から降下
させる電圧の比宅を最適降下電圧比率と合わせられるの
で周囲の温度に応じてＡＰＤバイアス電圧をほぼ理想的
な状態で設定することができる。
第６図．第１図．第８図．第９図はこの様子を示すもの
で．それぞれコンデンサの充電電圧及び分圧電圧．増＃
Ａ器ａｔＳの出力．ブレークダウン検出回路αカの出力
，ＡＰＤバイアス電圧の出力を時間軸を合わせて示した
ものである。
で．それぞれコンデンサの充電電圧及び分圧電圧．増＃
Ａ器ａｔＳの出力．ブレークダウン検出回路αカの出力
，ＡＰＤバイアス電圧の出力を時間軸を合わせて示した
ものである。
図中ｔｏ ＦｉＡＰＤ Ｑ！１がブレークダウン現象を
起こしてマイクロノイズを発生した時刻を示してかｂ．
ｔた第６図．第９図にかける’ｒ＝Ｔ１， Ｔ＝Ｔ
２の曲線はそれぞれ分圧電圧．＾ＰＤ バイアス電圧が
周囲の温度Ｔによって変化していく様子を示している。
起こしてマイクロノイズを発生した時刻を示してかｂ．
ｔた第６図．第９図にかける’ｒ＝Ｔ１， Ｔ＝Ｔ
２の曲線はそれぞれ分圧電圧．＾ＰＤ バイアス電圧が
周囲の温度Ｔによって変化していく様子を示している。
これらの図からコンデンサα●，ａｓの充電電圧が周囲
の温度に応じて分圧されて生成され，ＡＰＤａ１がブレ
ークダウン現象を起こした瞬間増幅器６．１及びブレー
クダウン検出回路ａｎがマイクロノイズを検出してタイ
ミング信号を発生させこのタイミング信号によって充電
電圧の上昇をストップさせると同時に分圧電圧分だけが
ＡＰＤに加わるようにしているので．すなわち．比率２
だけ電圧降下させた電圧がＡＰＤに加わるようにしてい
るのでＡＰＤバイアス電圧のブレークダウン電圧からの
電圧降下も周囲の温度に対応して設定されるのがわかる
。
の温度に応じて分圧されて生成され，ＡＰＤａ１がブレ
ークダウン現象を起こした瞬間増幅器６．１及びブレー
クダウン検出回路ａｎがマイクロノイズを検出してタイ
ミング信号を発生させこのタイミング信号によって充電
電圧の上昇をストップさせると同時に分圧電圧分だけが
ＡＰＤに加わるようにしているので．すなわち．比率２
だけ電圧降下させた電圧がＡＰＤに加わるようにしてい
るのでＡＰＤバイアス電圧のブレークダウン電圧からの
電圧降下も周囲の温度に対応して設定されるのがわかる
。
結局このように構成された光検出部では電流制限用抵抗
Ｃ９｝，第２のＦＥＴ（１３， 温度容量変化特性が
それぞれ正．０のコンデンサαａ．α９．ダイオードａ
４， ＡＰＤ＋１３，増幅器αｅ及びブレークダウン
検出回路ａ力によって徐々に電圧が上昇する充電電圧を
上記２つのコンデンサ側．舖で周囲の温度に応じて電圧
配分を変えながら生成し．最初は上記充電電圧が上記Ａ
ＰＤα９に直に加わｂ． この電圧の増加によってＡＰ
Ｄ（１５自身が発生するマイクロノイズを基にＡＰＤバ
イアス電圧の上昇をブレークダウン電圧でレベルでスト
ップさせると同時にブレークダウン現象を起こした時刻
情報を元に第１のＦＥ’ｌ３によって上記温度容量変化
特性が正のコンデンサａｌを接地してこのコンデンサが
分知している電圧分だけ電圧降下させた充電電圧をＡＰ
Ｄ（１５１に加えることによう周囲の温度に応じて電圧
降下させた最適のバイアス電圧が設定されるようになっ
ている。
Ｃ９｝，第２のＦＥＴ（１３， 温度容量変化特性が
それぞれ正．０のコンデンサαａ．α９．ダイオードａ
４， ＡＰＤ＋１３，増幅器αｅ及びブレークダウン
検出回路ａ力によって徐々に電圧が上昇する充電電圧を
上記２つのコンデンサ側．舖で周囲の温度に応じて電圧
配分を変えながら生成し．最初は上記充電電圧が上記Ａ
ＰＤα９に直に加わｂ． この電圧の増加によってＡＰ
Ｄ（１５自身が発生するマイクロノイズを基にＡＰＤバ
イアス電圧の上昇をブレークダウン電圧でレベルでスト
ップさせると同時にブレークダウン現象を起こした時刻
情報を元に第１のＦＥ’ｌ３によって上記温度容量変化
特性が正のコンデンサａｌを接地してこのコンデンサが
分知している電圧分だけ電圧降下させた充電電圧をＡＰ
Ｄ（１５１に加えることによう周囲の温度に応じて電圧
降下させた最適のバイアス電圧が設定されるようになっ
ている。
従ってＡＰＤαジを周囲の温度に対して常に理想的な状
態で動作させることができ．それ故．測距能力が周囲の
温度によって影響されないようにすることができる。
態で動作させることができ．それ故．測距能力が周囲の
温度によって影響されないようにすることができる。
１た．上記実施例にかいては温度容量変化特性が正のコ
ンデンサを用いて充電電圧を周囲の温度に応じて分圧さ
せるようにしたが．温度容量変化特性が負のコンデンサ
を使用してもよい。第２図はこの一実施例を示したもの
であり．温度容量変化特性が００コンデンサの代りに負
のコンデンサ■を使用し．さらに温度容量変化特性が正
のコンデンサの代りに０のコンデンサ８９を使用する他
は上記実施例と同じである。この場合は逆に温度容量変
化特性が０のコンデンサが第１のＦＥＴ Ｑ３で接地さ
れて電圧降下が生ずるので上記温度容量変化特性がそれ
ぞれＯ．負のコンデンサα９．偶の容量値をそれぞれＣ
２＃ Ｃｓ （Ｔ） （但しＴは周囲の温度）とすると
，この時の電圧降下の比率Ｗぱ｛３１式で示されて．《
２１式と同様温度が低いほど大きな値をとるので上記実
施例と同様に周囲の温度に応じてＡＰＤバイアス電圧を
ほぼ理想的な状態で設定することができる。
ンデンサを用いて充電電圧を周囲の温度に応じて分圧さ
せるようにしたが．温度容量変化特性が負のコンデンサ
を使用してもよい。第２図はこの一実施例を示したもの
であり．温度容量変化特性が００コンデンサの代りに負
のコンデンサ■を使用し．さらに温度容量変化特性が正
のコンデンサの代りに０のコンデンサ８９を使用する他
は上記実施例と同じである。この場合は逆に温度容量変
化特性が０のコンデンサが第１のＦＥＴ Ｑ３で接地さ
れて電圧降下が生ずるので上記温度容量変化特性がそれ
ぞれＯ．負のコンデンサα９．偶の容量値をそれぞれＣ
２＃ Ｃｓ （Ｔ） （但しＴは周囲の温度）とすると
，この時の電圧降下の比率Ｗぱ｛３１式で示されて．《
２１式と同様温度が低いほど大きな値をとるので上記実
施例と同様に周囲の温度に応じてＡＰＤバイアス電圧を
ほぼ理想的な状態で設定することができる。
ただしＴ１＜ Ｔ２のとき Ｃｘ（Ｔ１） ＞ Ｃ３（
Ｔ２）さらに．温度容量変化特性が正，負のコンデンサ
を同時に用いて充電電圧を周囲の温度に応じて分圧させ
るようにしてもよい。第３図はこの一実施ｆＩｌを示し
たものであう温度容量変化特性がそれぞれ負，正のコン
デンサ■．αＳを使用し．温度容量変化特性が負のコン
デンサｃｉＤを第１のＦＥＴ Ｑ３で接地するようにし
た他は上記実施例と同じである。上記温度容量変化特性
が負．正のコンデンサω．α●の容量値をそれぞれｃ５
（’ｒ）． Ｃ１（Ｔ） （但しＴは周囲の温度）と
するとこの場合の電圧降下の比率Ｙは（４）式で示され
て．《２）式と同様温度が低いほど大きな値をとるので
．周囲の温度に応じてＡＰＤパイアヌ電圧をほぼ理想的
な状態で設定することかできる上に．温度容量変化特性
が正．負２種のコンデンサを組み合せて使用するので理
想的な特性に合わせる際に必要とする温度容量変化の系
数は一種の場合よう少くてよいという利点がある。
Ｔ２）さらに．温度容量変化特性が正，負のコンデンサ
を同時に用いて充電電圧を周囲の温度に応じて分圧させ
るようにしてもよい。第３図はこの一実施ｆＩｌを示し
たものであう温度容量変化特性がそれぞれ負，正のコン
デンサ■．αＳを使用し．温度容量変化特性が負のコン
デンサｃｉＤを第１のＦＥＴ Ｑ３で接地するようにし
た他は上記実施例と同じである。上記温度容量変化特性
が負．正のコンデンサω．α●の容量値をそれぞれｃ５
（’ｒ）． Ｃ１（Ｔ） （但しＴは周囲の温度）と
するとこの場合の電圧降下の比率Ｙは（４）式で示され
て．《２）式と同様温度が低いほど大きな値をとるので
．周囲の温度に応じてＡＰＤパイアヌ電圧をほぼ理想的
な状態で設定することかできる上に．温度容量変化特性
が正．負２種のコンデンサを組み合せて使用するので理
想的な特性に合わせる際に必要とする温度容量変化の系
数は一種の場合よう少くてよいという利点がある。
ただしＴＩ＜Ｔ２のとき Ｃ１（Ｔｔ ） ＜ ＣＩ
（Ｔ２）Ｃｓ（Ｔ１）＞Ｃｘ（Ｔ２） またこれら温度に応じて允電電圧の分圧比を可変する役
目をする上紀温度容童変化特性を有したコンデンサと並
列に調整用のコンデンサを並列に接続してもよい。ｉａ
４図はこの一実施例を示したものでろ，６，ａｍ，（１
）はそれぞれ温度容量変化特性が正．負のコンデンサ．
ｌ２Ｉ＋はｖＩ４整用コンデンサであり他は上記実施例
と同じである。上記コンデンサの特．（イ）， ａｎの
容量値をそれぞれＣＩ（Ｔ）， ＣＭ（Ｔ），Ｃ４とす
るとこの場合の電圧降下の比率Ｘ ｉｄ１５１式で示さ
れ（２）式と同様温度が低いほど大きな値をとる上に調
整用コンデンサＩ２ｎの容量値Ｃ４によって温度に対す
る電圧降下の特性調整がとれるようになっている。従っ
てこの場合は周囲の温度に応じてＡＰＤバイアス電圧を
さらに理想的な状態に設定することができるという利点
がある。
（Ｔ２）Ｃｓ（Ｔ１）＞Ｃｘ（Ｔ２） またこれら温度に応じて允電電圧の分圧比を可変する役
目をする上紀温度容童変化特性を有したコンデンサと並
列に調整用のコンデンサを並列に接続してもよい。ｉａ
４図はこの一実施例を示したものでろ，６，ａｍ，（１
）はそれぞれ温度容量変化特性が正．負のコンデンサ．
ｌ２Ｉ＋はｖＩ４整用コンデンサであり他は上記実施例
と同じである。上記コンデンサの特．（イ）， ａｎの
容量値をそれぞれＣＩ（Ｔ）， ＣＭ（Ｔ），Ｃ４とす
るとこの場合の電圧降下の比率Ｘ ｉｄ１５１式で示さ
れ（２）式と同様温度が低いほど大きな値をとる上に調
整用コンデンサＩ２ｎの容量値Ｃ４によって温度に対す
る電圧降下の特性調整がとれるようになっている。従っ
てこの場合は周囲の温度に応じてＡＰＤバイアス電圧を
さらに理想的な状態に設定することができるという利点
がある。
ただし ＴＩ＜Ｔ２のとき Ｃ１（Ｔｔ ） ＜ ＣＩ
（Ｔ２）Ｃｇ（Ｔｔ）＞Ｃｓ（Ｔｚ） 〔発明の効果〕 この発明は以上説明した通う従来の光検出部がＡＰＤ自
身の発生するマイクロノイズを利用してＡＰＤのブレー
クダウン電圧を検出し．このブレークダウン電圧から一
定の比率で電圧降下させてＡＰＤのバイアス設定を行っ
ていたのを周囲の温度に応じて降下電圧の比率を変えて
電圧降下させて最適バイアス電圧を求めるようにし．周
囲の温度に即したＡＰＤバイアス設定を行うようにして
いる。従ってＡＰＤの光検出能力をいつも厳高の状態で
引き出すことができ．それ故，距離測定も周囲の温度の
影響を受けることなく．常時．最高の状態で行うことが
できる。
（Ｔ２）Ｃｇ（Ｔｔ）＞Ｃｓ（Ｔｚ） 〔発明の効果〕 この発明は以上説明した通う従来の光検出部がＡＰＤ自
身の発生するマイクロノイズを利用してＡＰＤのブレー
クダウン電圧を検出し．このブレークダウン電圧から一
定の比率で電圧降下させてＡＰＤのバイアス設定を行っ
ていたのを周囲の温度に応じて降下電圧の比率を変えて
電圧降下させて最適バイアス電圧を求めるようにし．周
囲の温度に即したＡＰＤバイアス設定を行うようにして
いる。従ってＡＰＤの光検出能力をいつも厳高の状態で
引き出すことができ．それ故，距離測定も周囲の温度の
影響を受けることなく．常時．最高の状態で行うことが
できる。
第１図はこの発明の一実施例を示す構成図，第２図〜第
４図はこの発明の他の実施ｆＩｌを示す図，第５図は最
適降下電圧比出と温度の関係を示す図，第６図．第１図
．第８図．第９図はそれぞれコンデンサの充電電圧，増
幅器ａｅの出力．ブレークダウン検出回路ａカの出力，
ＡＰＤバイアス電圧を時間軸を合わせて示した図．第１
０図は距離測定装置の構成を示す図．第１）図は従来の
光検出部の構成を示す図である。 図中（１》はレーザ発振器． １２１ｔｉ送信光学系．
（３１は受信光学系．｛４｝は允検出器，（５）は光検
出部．（６）は高圧回路．（７）は計数回路，（８）は
電源．《９１は電流制限用抵抗．αｏ， ａｎは第１０
第２のコンデンサ．α２，ａ３は第１０第２のＦＥＴ，
α４はダイオード． α９はＡＰＤ， ａ●は増幅器，
＋１７１はブレークダウン検出回路，ａｍ， ａｓ，
ＣＢは温度容量変化特性がそれぞれ正．０．負のコン
デンサ．Ｑｎは調整用コンデンサである。 なか，図中．同一あるいは相当部分には同一符号を付し
て示してある。
４図はこの発明の他の実施ｆＩｌを示す図，第５図は最
適降下電圧比出と温度の関係を示す図，第６図．第１図
．第８図．第９図はそれぞれコンデンサの充電電圧，増
幅器ａｅの出力．ブレークダウン検出回路ａカの出力，
ＡＰＤバイアス電圧を時間軸を合わせて示した図．第１
０図は距離測定装置の構成を示す図．第１）図は従来の
光検出部の構成を示す図である。 図中（１》はレーザ発振器． １２１ｔｉ送信光学系．
（３１は受信光学系．｛４｝は允検出器，（５）は光検
出部．（６）は高圧回路．（７）は計数回路，（８）は
電源．《９１は電流制限用抵抗．αｏ， ａｎは第１０
第２のコンデンサ．α２，ａ３は第１０第２のＦＥＴ，
α４はダイオード． α９はＡＰＤ， ａ●は増幅器，
＋１７１はブレークダウン検出回路，ａｍ， ａｓ，
ＣＢは温度容量変化特性がそれぞれ正．０．負のコン
デンサ．Ｑｎは調整用コンデンサである。 なか，図中．同一あるいは相当部分には同一符号を付し
て示してある。
Claims (4)
- （１）高電圧を発生する高圧回路と、上記高圧回路から
流れ出る電流を制限する電流制限用抵抗と、上記電流制
限用抵抗を介して流れ込む電流を蓄積して徐々に電圧を
増加させる役目をする温度容量変化特性がそれぞれ０、
正の直列接続された第１、第２のコンデンサと、上記第
１、第２のコンデンサのうち第２のコンデンサの端子間
をショートさせてこのコンデンサに蓄積されている電圧
を放電させる第１のＦＥＴと、上記第１、第２のコンデ
ンサに高電圧を接続又は断させる役目をする第２のＦＥ
Ｔと、高電圧を断する際に上記コンデンサから電流が流
れ出すのを防止するダイオードと、上記第１、第２のコ
ンデンサに蓄積されている充電電圧をバイアス源として
光増幅を行うＡＰＤ（Ａｖａ−ｌａｎｃｈｅＰｈｏｔｏ
Ｄｉｏｄｅ）と、最高感度を発揮するＡＰＤバイアス電
圧より少し高めのバイアス電圧が上記ＡＰＤに加わった
時に起きるブレークダウン現象時に発生するマイクロノ
イズをとらえるための増幅を行う増幅器と、上記マイク
ロノイズにより上記ＡＰＤがブレークダウン現象を起こ
すバイアス電圧をタイミング情報として検出するブレー
クダウン検出回路とを有し、最初は上記第１、第２のコ
ンデンサに蓄積されている充電電圧が上記ＡＰＤに直に
加わるようにし、この電圧の増加に伴なってＡＰＤがブ
レークダウン現象を起こすと同時に上記ブレークダウン
検出回路のタイミング信号及び上記第２のＦＥＴによっ
て上記第１、第２のコンデンサへの充電を中断させてＡ
ＰＤバイアス電圧の上昇をストップさせ、かつ、上記タ
イミング信号、上記第１、第２のコンデンサおよび第１
のＦＥＴによって充電電圧を分圧させ、この時第２のコ
ンデンサの正系数の温度容量変化特性によって生ずる容
量変化が充電電圧の分圧比変化となって現われることを
利用して上記ＡＰＤに加わる電圧を周囲の温度に応じて
降下させることにより、上記ＡＰＤが周囲の温度に応じ
て最適の動作をするようにした光検出部を備えたことを
特徴とする距離測定装置。 - （２）高電圧を発生する高圧回路と、上記高圧回路から
流れ出る電流を制限する電流制限用抵抗と、上記電流制
限用抵抗を介して流れ込む電流を蓄積して徐々に電圧を
増加させる役目をする温度容量変化特性がそれぞれ負、
０の直列接続された第１０第２のコンデンサと、上記第
１、第２のコンデンサのうち第２のコンデンサの端子間
をショートさせてこのコンデンサに蓄積されている電圧
を放電させる第１のＦＥＴと、上記第１、第２のコンデ
ンサに高電圧を接続又は断させる役目をする第２のＦＥ
Ｔと、高電圧を断する際にコンデンサから電流が流れ出
すのを防止するダイオードと、上記第１、第２のコンデ
ンサに蓄積されている充電電圧をバイアス源として光増
幅を行うＡＰＤ（Ａｖａｌａｎ−ｃｈｅＰｌｏｔｏＤｉ
ｏｄｅ）と、最高感度を発揮するＡＰＤバイアス電圧よ
り少し高めのバイアス電圧が上記ＡＰＤに加わった時に
起きるブレークダウン現象時に発生するマイクロノイズ
をとらえるための増幅を行う増幅器と、上記マイクロノ
イズにより上記ＡＰＤがブレークダウン現象を起こすバ
イアス電圧をタイミング情報として検出するブレークダ
ウン検出回路とを有し、最初は上記第１、第２のコンデ
ンサに蓄積されている充電電圧が上記ＡＰＤに直に加わ
るようにし、この電圧の増加に伴なって上記ＡＰＤがブ
レークダウン現象を起こすと同時に上記ブレークダウン
検出回路のタイミング信号及び上記第２のＦＥＴによっ
て上記第１、第２のコンデンサへの充電を中断させてＡ
ＰＤバイアス電圧の上昇をストップさせ、かつ、上記タ
イミング信号、上記第１、第２のコンデンサおよび第１
のＦＥＴによって充電電圧を分圧させ、この時上記第１
のコンデンサの負系数の温度容量変化特性によって生ず
る容量変化が充電電圧の分圧変化となって現われること
を利用して上記ＡＰＤに加わる電圧を周囲の温度に応じ
て降下させることにより、ＡＰＤが周囲の温度に応じて
最適の動作をするようにした光検出部を備えたことを特
徴とする距離測定装置。 - （３）高電圧を発生する高圧回路と、上記高圧回路から
流れ出る電流を制限する電流制限用抵抗と、上記電流制
限用抵抗を介して流れ込む電流を蓄積して徐々に電圧を
増加させる役目をする温度容量変化特性がそれぞれ負、
正の直列接続された第１０第２のコンデンサと、上記第
１、第２のコンデンサのうち第２のコンデンサの端子間
をショートさせてこのコンデンサに蓄積されている電圧
を放電させる第１のＦＥＴと、上記第１、第２のコンデ
ンサに高電圧を接続又は断させる役目をする第２のＦＥ
Ｔと、高電圧を断する際に上記コンデンサから電流が流
れ出すのを防止するダイオードと、上記第１、第２のコ
ンデンサに蓄積されている充電電圧をバイアス源として
光増幅を行うＡＰＤ（Ａｖａｌａ−ｎｃｈｅＰｌｏｔｏ
Ｄｉｏｄｅ）と、最高感度を発揮するＡＰＤバイアス電
圧より少し高めのバイアス電圧が上記ＡＰＤに加わつた
時に起きるブレークダウン現象時に発生するマイクロノ
イズをとらえるための増幅を行う増幅器と、上記マイク
ロノイズによりＡＰＤがブレークダウン現象を起こすバ
イアス電圧をタイミング情報として検出するブレークダ
ウン検出回路とを有し、最初は上記第１、第２のコンデ
ンサに蓄積されている充電電圧が上記ＡＰＤに直に加わ
るようにし、この電圧の増加に伴なって上記ＡＰＤがブ
レークダウン現象を起こすと 同時に上記ブレークダウ
ン検出回路のタイミング信号及び上記第２のＦＥＴによ
って上記第１、第２のコンデンサへの充電を中断させて
ＡＰＤバイアス電圧の上昇をストップさせ、かつ、上記
タイミング信号、上記第１、第２のコンデンサおよび第
１のＦＥＴによって充電電圧を分圧させ、この時、第１
、第２のコンデンサのそれぞれ負系数、正系数の温度容
量変化特性によって生ずる容量変化が充電電圧の分圧変
化となって現れることを利用して上記ＡＰＤに加わる電
圧を周囲の温度に応じて降下させることにより、ＡＰＤ
が周囲の温度に応じて最適の動作をするようにした光検
出部を備えたことを特徴とする距離測定装置。 - （４）温度に対する電圧降下の特性を調整するコンデン
サを直列接続の第１、第２のコンデンサと並列に接続し
たことを特徴とする請求項１、２又は３記載の距離測定
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188615A JPH0353184A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 距離測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188615A JPH0353184A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 距離測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353184A true JPH0353184A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16226780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1188615A Pending JPH0353184A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 距離測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353184A (ja) |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP1188615A patent/JPH0353184A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100186820B1 (ko) | 레이저 도달 거리 파인더 장치 및 이러한 장치에서의 주파수 응답 측정 방법 | |
| CN112098973B (zh) | 用于激光雷达的光接收装置、光接收装置的动态调节方法 | |
| KR100186821B1 (ko) | 레이저 거리 측정 수신기 | |
| KR100265064B1 (ko) | 파형정형회로 및 이를 사용하는 적외선 데이터 통신장치 | |
| US4464622A (en) | Electronic wall stud sensor | |
| US10018505B2 (en) | Geiger mode APD light receiver having an active readout forming a virtual short-circuit | |
| CN206450825U (zh) | 一种双激光驱动电路和扫描式激光雷达测距设备 | |
| SE450423B (sv) | Laseravstandsmetare | |
| US5194727A (en) | Avalanche photodiode quenching circuit wtih resetting means having a second amplifier | |
| CN108181621A (zh) | 一种双激光驱动电路和扫描式激光雷达测距设备及方法 | |
| FR2721475A1 (fr) | Circuit de commande de commutation et dispositif de commande pour lampe fluorescente à basse pression. | |
| CA2134541C (en) | Infrared detection switching circuit | |
| CH633924A5 (fr) | Commutateur de commande a pression. | |
| US5089727A (en) | Pulsed driver circuit | |
| US4649282A (en) | Smoke sensing apparatus of the light scattering type | |
| KR102376455B1 (ko) | 고 에너지 레이저 증폭기 시스템에서 레이저 에너지 계측장치 및 그 방법 | |
| US4345827A (en) | Distance-measuring system with in-range signalling for use with cameras, alarms, and the like | |
| JPH0197884A (ja) | 距離測定装置 | |
| US2493336A (en) | Peak reading voltmeter | |
| JPH01102381A (ja) | 距離測定装置 | |
| EP0075559B1 (en) | A method and apparatus for functionally testing a laser rangefinder | |
| JP3594816B2 (ja) | 測距装置 | |
| JPH0353849B2 (ja) | ||
| US3450884A (en) | Measuring instrument for use with a thermoluminescent dosimeter | |
| JPS5931014B2 (ja) | 測距装置 |