JPH0353403Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0353403Y2 JPH0353403Y2 JP3081087U JP3081087U JPH0353403Y2 JP H0353403 Y2 JPH0353403 Y2 JP H0353403Y2 JP 3081087 U JP3081087 U JP 3081087U JP 3081087 U JP3081087 U JP 3081087U JP H0353403 Y2 JPH0353403 Y2 JP H0353403Y2
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- Japan
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- emitter
- base
- gas
- supply pipe
- ion species
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- Expired
Links
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本考案はガスフエーズイオン源に関する。
［従来の技術］
ガスフエーズイオン源では、イオン種となるガ
ス雰囲気中に配置したエミツタを例えば液体ヘリ
ウム等により冷却すると共に、このエミツタの先
端に強電界を形成し、この強電界によりガスをイ
オン化している。
ス雰囲気中に配置したエミツタを例えば液体ヘリ
ウム等により冷却すると共に、このエミツタの先
端に強電界を形成し、この強電界によりガスをイ
オン化している。
先端にこのような強電界を形成すると共に生成
されたイオンを加速するため、エミツタには高電
圧を印加する必要がある。そのため、従来はエミ
ツタに外部から電極を接触させている。
されたイオンを加速するため、エミツタには高電
圧を印加する必要がある。そのため、従来はエミ
ツタに外部から電極を接触させている。
一方、エミツタの先端近傍にイオン種となるガ
スを外部から供給するため、供給管をエミツタ近
傍まで配設しなければならない。
スを外部から供給するため、供給管をエミツタ近
傍まで配設しなければならない。
［考案が解決しようとする問題点］
ところが、この電極から熱が流入するため、せ
つかく液体ヘリウム等で冷却してもエミツタの温
度を充分に下げることができなかつた。
つかく液体ヘリウム等で冷却してもエミツタの温
度を充分に下げることができなかつた。
又、このような電極と供給管をエミツタ周囲に
配置しなければならないため、エミツタの交換作
業などの障害にもなつていた。
配置しなければならないため、エミツタの交換作
業などの障害にもなつていた。
本考案は上述した点に鑑みてなされたもので、
エミツタへの熱の流入が小さく、エミツタ周囲の
構成が単純化されたガスフエーズイオン源を提供
することを目的としている。
エミツタへの熱の流入が小さく、エミツタ周囲の
構成が単純化されたガスフエーズイオン源を提供
することを目的としている。
［問題点を解決するための手段］
この目的を達成するため、本考案は、冷媒を収
容するタンクと、該タンクの底部に取付けられる
電気良導体のベースと、該ベースに取外し可能に
取付けられるエミツタと、該エミツタに対向して
配置される引出し電極と、前記ベース内を通して
前記エミツタの先端近傍にイオン種用ガスを供給
するための流路と、該流路へ外部からイオン種用
ガスを供給するための供給管とを備え、該供給管
の前記ベースに接続する部分を電気良導体で形成
し、その他の部分を電気絶縁体で形成すると共
に、該供給管の電気良導体で形成した部分に細い
導線を介して高電圧を印加するようにしたことを
特徴としている。
容するタンクと、該タンクの底部に取付けられる
電気良導体のベースと、該ベースに取外し可能に
取付けられるエミツタと、該エミツタに対向して
配置される引出し電極と、前記ベース内を通して
前記エミツタの先端近傍にイオン種用ガスを供給
するための流路と、該流路へ外部からイオン種用
ガスを供給するための供給管とを備え、該供給管
の前記ベースに接続する部分を電気良導体で形成
し、その他の部分を電気絶縁体で形成すると共
に、該供給管の電気良導体で形成した部分に細い
導線を介して高電圧を印加するようにしたことを
特徴としている。
［作用］
本考案においては、イオン種用ガスはベース内
を通してエミツタ先端近傍に供給される。このガ
スを供給する供給管のベースに接続する部分が電
気良導体で形成され、この電気良導体で形成した
部分に細線を介して高電圧が印加される。
を通してエミツタ先端近傍に供給される。このガ
スを供給する供給管のベースに接続する部分が電
気良導体で形成され、この電気良導体で形成した
部分に細線を介して高電圧が印加される。
以下、図面を用いて本考案の一実施例を詳説す
る。
る。
［実施例］
添付図面は本考案の一実施例の構成を示す概略
図である。図において１は内部が高真空に保たれ
るイオン源外壁、２は液体ヘリウム３を満したタ
ンクで、上記外壁の頂部に形成した開口４の縁部
分にステンレス製のベローズ５を介して熱的に遮
断された状態で支持されている。このタンク２の
底部には、サフアイアのように熱伝導性が良い電
気絶縁体６を介して銅製のベース７が取付けら
れ、更に銅製のホルダ８に保持されたエミツタ９
がこのベース７にビス１０によつて取外し可能に
取付けられている。１１は絶縁筒、１２は引出し
電極である。
図である。図において１は内部が高真空に保たれ
るイオン源外壁、２は液体ヘリウム３を満したタ
ンクで、上記外壁の頂部に形成した開口４の縁部
分にステンレス製のベローズ５を介して熱的に遮
断された状態で支持されている。このタンク２の
底部には、サフアイアのように熱伝導性が良い電
気絶縁体６を介して銅製のベース７が取付けら
れ、更に銅製のホルダ８に保持されたエミツタ９
がこのベース７にビス１０によつて取外し可能に
取付けられている。１１は絶縁筒、１２は引出し
電極である。
前記ホルダ８にはガス通路１３が設けられ、前
記ベース７に設けられたガス通路１４及びこのガ
ス通路１３を介してイオン種用ガスがエミツタ９
の先端近傍へ供給される。１５はベース７に取付
けられた銅製のガス導入パイプで、このパイプ１
５に外部よりイオン種用ガスを運ぶ絶縁チユーブ
１６が接続される。１７は絶縁チユーブ１６が外
壁１を通過する部分に設けられたジヨイントであ
る。
記ベース７に設けられたガス通路１４及びこのガ
ス通路１３を介してイオン種用ガスがエミツタ９
の先端近傍へ供給される。１５はベース７に取付
けられた銅製のガス導入パイプで、このパイプ１
５に外部よりイオン種用ガスを運ぶ絶縁チユーブ
１６が接続される。１７は絶縁チユーブ１６が外
壁１を通過する部分に設けられたジヨイントであ
る。
１８は外壁１を貫通して設置された高圧端子、
１９は上記ガス導入パイプ１５に取付けられた高
圧端子であり、両者の間は極めて細い導線２０で
接続されている。２１は引出し電極１２に引出し
電圧を印加するための端子である。
１９は上記ガス導入パイプ１５に取付けられた高
圧端子であり、両者の間は極めて細い導線２０で
接続されている。２１は引出し電極１２に引出し
電圧を印加するための端子である。
上述の如き構成において、エミツタ９はタンク
２に満された液体ヘリウム３によつて極低温に冷
却される。ここで、外部からチユーブ１６を介し
てイオン種用ガス（例えばヘリウムガス）を導入
すると、ヘリウムガスは通路１４及び１３を介し
てエミツタ９の先端近傍へ送られる。この時のガ
ス流量は、エミツタ９の周囲のヘリウム圧力が例
えば10-3Torr程度になるように適宜設定される。
そして、その状態でエミツタ９には端子１９を介
して例えば＋100KV程度の加速電圧が印加され、
端子１８，２１を介してエミツタ−引出し電極間
に適宜な引出電圧が印加される。この引出し電圧
によつてエミツタ先端に形成される強電界によ
り、その先端部分に存在するヘリウムがイオン化
される。生成されたヘリウムイオンは、エミツタ
に印加された加速電圧により形成される加速電界
によつて加速され、高いエネルギーが与えられ
る。
２に満された液体ヘリウム３によつて極低温に冷
却される。ここで、外部からチユーブ１６を介し
てイオン種用ガス（例えばヘリウムガス）を導入
すると、ヘリウムガスは通路１４及び１３を介し
てエミツタ９の先端近傍へ送られる。この時のガ
ス流量は、エミツタ９の周囲のヘリウム圧力が例
えば10-3Torr程度になるように適宜設定される。
そして、その状態でエミツタ９には端子１９を介
して例えば＋100KV程度の加速電圧が印加され、
端子１８，２１を介してエミツタ−引出し電極間
に適宜な引出電圧が印加される。この引出し電圧
によつてエミツタ先端に形成される強電界によ
り、その先端部分に存在するヘリウムがイオン化
される。生成されたヘリウムイオンは、エミツタ
に印加された加速電圧により形成される加速電界
によつて加速され、高いエネルギーが与えられ
る。
ところで、エミツタ９には電気抵抗の比較的高
い細い導線２０を介して電圧が印加されるが、細
い導線は熱抵抗が大きいため、端子１８から端子
１９への外部からの熱流入を極めて少なく抑える
ことが可能である。従つて、エミツタ９の温度を
液体ヘリウムにより充分に下げることが可能であ
る。
い細い導線２０を介して電圧が印加されるが、細
い導線は熱抵抗が大きいため、端子１８から端子
１９への外部からの熱流入を極めて少なく抑える
ことが可能である。従つて、エミツタ９の温度を
液体ヘリウムにより充分に下げることが可能であ
る。
しかも、その際導線に流れる電流（イオンビー
ム電流）はピコアンペアオーダーと極めて少ない
ため、この導線による電圧降下は小さくおさえら
れ、エミツタに充分高い加速電圧を効率良く印加
することができる。
ム電流）はピコアンペアオーダーと極めて少ない
ため、この導線による電圧降下は小さくおさえら
れ、エミツタに充分高い加速電圧を効率良く印加
することができる。
更に、本考案では、ベース７内にガスを供給す
る導入パイプ１５を導電性部材で形成し、この導
入パイプを介してエミツタ９に高電圧を印加する
ようにしたため、エミツタ周囲の構成が簡単にな
り、エミツタの交換作業の障害になることも少な
い。
る導入パイプ１５を導電性部材で形成し、この導
入パイプを介してエミツタ９に高電圧を印加する
ようにしたため、エミツタ周囲の構成が簡単にな
り、エミツタの交換作業の障害になることも少な
い。
［効果］
以上詳述の如く、本考案によれば、エミツタへ
の熱の流入が少なく、エミツタ周囲の構成が単純
化されたガスフエーズイオン源が実現される。
の熱の流入が少なく、エミツタ周囲の構成が単純
化されたガスフエーズイオン源が実現される。
添付図面は本考案の一実施例の構成を示す概略
図である。 ２：タンク、３：液体ヘリウム、６：電気絶縁
体、７：ベース、８：ホルダ、９：エミツタ、１
２：引出し電極、１３，１４：ガス通路、１５：
ガス導入パイプ、１６：絶縁チユーブ、１８，１
９：高圧端子、２０：導線。
図である。 ２：タンク、３：液体ヘリウム、６：電気絶縁
体、７：ベース、８：ホルダ、９：エミツタ、１
２：引出し電極、１３，１４：ガス通路、１５：
ガス導入パイプ、１６：絶縁チユーブ、１８，１
９：高圧端子、２０：導線。
Claims (1)
- 冷媒を収容するタンクと、該タンクの底部に取
付けられる電気良導体のベースと、該ベースに取
外し可能に取付けられるエミツタと、該エミツタ
に対向して配置される引出し電極と、前記ベース
内を通して前記エミツタの先端近傍にイオン種用
ガスを供給するための流路と、該流路へ外部から
イオン種用ガスを供給するための供給管とを備
え、該供給管の前記ベースに接続する部分を電気
良導体で形成し、その他の部分を電気絶縁体で形
成すると共に、該供給管の電気良導体で形成した
部分に細い導線を介して高電圧を印加するように
したことを特徴とするガスフエーズイオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3081087U JPH0353403Y2 (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3081087U JPH0353403Y2 (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63137452U JPS63137452U (ja) | 1988-09-09 |
| JPH0353403Y2 true JPH0353403Y2 (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=30835965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3081087U Expired JPH0353403Y2 (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353403Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2012341B1 (en) * | 2007-07-06 | 2012-05-02 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Modular gas ion source |
| US8779380B2 (en) * | 2008-06-05 | 2014-07-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ion beam device |
-
1987
- 1987-03-03 JP JP3081087U patent/JPH0353403Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63137452U (ja) | 1988-09-09 |
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